技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種可變電阻存儲器件及其制造方法，所述可變電阻存儲器件包括：有源區(qū)，所述有源區(qū)在半導(dǎo)體襯底中由隔離層限定；半導(dǎo)體襯底中的溝槽，所述溝槽沿與有源區(qū)相交叉的方向延伸；結(jié)區(qū)，所述結(jié)區(qū)形成在位于溝槽兩側(cè)的有源區(qū)中；以及可變電阻圖案，所述可變電阻圖案插入在字線與結(jié)區(qū)之間。

技術(shù)研發(fā)人員：李宰淵;宋錫杓;李承桓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201210532366
技術(shù)研發(fā)日：2012.12.11
技術(shù)公布日：2017.05.03