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一種小型片式電阻的制造方法

文檔序號(hào):7005329閱讀:358來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種小型片式電阻的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子元器件領(lǐng)域,尤其是指一種小型片式電阻的制造方法。
背景技術(shù)
目前片式電阻的普遍生產(chǎn)方法是在含有分割槽(含折條槽、折粒槽)的氧化鋁陶瓷基板上先經(jīng)數(shù)道工序制成電阻陣列半成品,接著沿折條槽將塊狀產(chǎn)品分割成條狀,然后將條狀產(chǎn)品堆疊整齊并對(duì)折條分割面進(jìn)行金屬化,再將條狀產(chǎn)品沿折粒槽分割成粒狀,最后對(duì)粒狀產(chǎn)品的端頭進(jìn)行鍍鎳層、鍍錫層。制造工藝如圖1所示。以上常規(guī)的生產(chǎn)方法若用于生產(chǎn)小型化片式電阻,特別是0201、01005或更小型, 存在以下嚴(yán)重不足1、傳統(tǒng)含分割槽的基板在成形過(guò)程要經(jīng)高溫?zé)Y(jié),存在尺寸精度差及分割槽深淺不均勻等缺陷。此基板若用于生產(chǎn)小型化電阻,由于其尺寸精度差,大大增加印刷對(duì)位難度或甚至使圖形位置偏離目標(biāo)范圍;再受折條、折粒分割槽的深淺不均勻或兩者深度比例不適當(dāng)影響,在分割時(shí)基板極容易出現(xiàn)橫斷或縱斷、分割面尖角不平等現(xiàn)象,既影響產(chǎn)品最終尺寸精度,又增加操作難度及生產(chǎn)成本。2、常規(guī)片式電阻的電阻體圖形一般設(shè)計(jì)為粒狀印刷,若小型化電阻的電阻體也采用此工藝生產(chǎn),由于圖形尺寸很小且相鄰兩粒的間距非常窄,因此在印刷時(shí)很容易出現(xiàn)滲漿形變或相鄰兩粒發(fā)生連線,導(dǎo)致電阻體膜厚不均勻、阻值集中性差,并給后面數(shù)道工序的生產(chǎn)帶來(lái)很大影響。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)與不足,本發(fā)明的目的在于提供一種小型片式電阻的制造方法,其制得產(chǎn)品尺寸精度高,電阻體尺寸大小一致且周邊平直、阻值集中性好。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于包括以下步驟(1)高精密激光劃片在光白基板的一面劃上矩形外框、折條分割槽X與折粒分割槽Y陣列;(2)電阻體成形制備條狀電阻排,然后采用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體。所述步驟(1)中,折條分割槽的深度為基板總厚度的2/5 4/5,寬度為10 25um。所述步驟⑴中,折粒分割槽的深度一般為基板總厚度的1/3 3/5,寬度為10 20umo所述步驟O)中,在基板非劃槽面的相應(yīng)位置印刷條狀電阻排,優(yōu)選的印刷用漿料為氧化釕電阻漿。所述步驟O)中,先在基板非劃槽面上的非進(jìn)行真空濺射電阻材料的區(qū)域印上掩膜膠并干燥,然后在此面的非掩膜區(qū)域真空濺射上條狀電阻排,優(yōu)選的真空濺射材料為合金電阻靶。
所述步驟O)中,用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體,切割線寬度為30 60um。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的主要優(yōu)點(diǎn)為1)、通過(guò)高精密激光劃片,所得的基板尺寸精度非常高(誤差可控在3 5um),大大提高印刷對(duì)位精度,有效解決傳統(tǒng)劃槽基板精度差問(wèn)題;2)、可有效精確控制折條分割槽與折粒分割槽的深度比例,以減少生產(chǎn)過(guò)程中容易出現(xiàn)的高斷片率以及分割面尖角不平導(dǎo)致產(chǎn)品尺寸精度差等問(wèn)題;3)、本發(fā)明的電阻體成形工藝是先形成條狀電阻排,再根據(jù)產(chǎn)品型號(hào)采用高精密激光劃線技術(shù)將條狀電阻排切割成粒狀電阻體,所得的粒狀電阻體具備尺寸大小非常一致且周邊平直、阻值集中性好等特點(diǎn),從而解決了常規(guī)的粒狀印刷圖形所出現(xiàn)的滲漿、連線、 阻值集中性差等缺陷。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的制造工藝流程圖;圖2是本發(fā)明中的光白基板進(jìn)行激光劃片后的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是本發(fā)明中的光白基板掰掉矩形外框以外白邊后的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是本發(fā)明中的光白基板印刷條狀電阻排后的結(jié)構(gòu)示意圖;圖5是本發(fā)明中的條狀電阻排被激光劃線形成粒狀電阻體后的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6是本發(fā)明中的光白基板印刷掩膜膠后的結(jié)構(gòu)示意圖;圖7是本發(fā)明中的光白基板印刷掩膜膠后濺射形成條狀電阻體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了能更清晰的理解本發(fā)明,以下將結(jié)合

闡述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。本發(fā)明是一種小型片式電阻的制造方法,包括以下步驟(1)高精密激光劃片根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求采用高精密激光劃片技術(shù)先在光白基板 1的一面劃上矩形外框11,并在矩形外框11中間部分劃上折條分割槽X與折粒分割槽Y陣列(如圖2)。接著掰掉矩形外框11以外的白邊,如圖3,并將基板1清潔干凈與烘干。優(yōu)選的,折條分割槽X的深度為基板1總厚度的2/5 4/5,寬度為10 25um。優(yōu)選的,折粒分割槽Y的深度一般為基板1總厚度的1/3 3/5,寬度為10 20um。(2)電阻體121成形在基板1光白面(非劃槽面)的相應(yīng)位置制備條狀電阻排 12 (如圖4),然后采用高精密激光劃線將條狀電阻排12切割成粒狀電阻體121 (如圖5)。優(yōu)選的,條狀電阻排12的制備采用印刷的方式,所用的漿料為氧化釕電阻漿,并干燥;或者, 在基板1光白面上的非進(jìn)行真空濺射電阻材料的區(qū)域先印上掩膜膠13 (如圖6),并干燥,然后接著在此面的非掩膜區(qū)域131真空濺射上條狀電阻排12(如圖7),所用材料為合金電阻靶,最后清洗掉掩膜膠并烘干,同樣得到結(jié)構(gòu)如圖4所示的產(chǎn)品。真空濺射時(shí),真空度一般為IX 10_3 7X10—3托;時(shí)間為1 10分鐘。合金電阻靶優(yōu)選NiCrSi、NiCrAlSi或類(lèi)似合金。當(dāng)然,本發(fā)明中條狀電阻排的成形工藝也包括其他相類(lèi)似的方法。用高精密激光劃線將條狀電阻排12切割成粒狀電阻體121時(shí),優(yōu)選的,切割線寬度r為30 60um。本發(fā)明的核心是通過(guò)高精密激光劃片,形成尺寸精度非常高的基板,并可有效精確控制折條分割槽與折粒分割槽的深度比例;電阻體成形工藝是先形成條狀電阻排,再利用高精密激光劃線技術(shù)將條狀電阻排切割成形成粒狀電阻體。除上述兩道工序外,其余流程與常規(guī)片阻工藝流程基本相同,各工藝參數(shù)根據(jù)選用的材料進(jìn)行設(shè)定。實(shí)施例1光白基板劃片H只劃一面),清洗,150°C烘干約10分鐘;在劃槽面印刷背電極, 150°C烘干約10分鐘;[以下圖形均在基板另一面(正面,即非劃槽面)印刷]印刷氧化釕條狀電阻排,150°C烘干約10分鐘;用激光將條狀電阻排切割2成粒狀電阻體,850°C燒結(jié) 10分鐘;印刷面電極,150°C烘干約10分鐘,850°C燒結(jié)10分鐘;印刷一次玻璃,150°C烘干 10分鐘,600°C燒結(jié)5分鐘;激光調(diào)阻;印刷二次玻璃,150°C烘干10分鐘;印刷標(biāo)記(可不印),150度烘干10分鐘;200度固化30分鐘;折條;端面真空濺射金屬層;折粒;電鍍鎳層; 電鍍錫層;編帶;入庫(kù)。在本實(shí)施例中,劃片1 折條分割槽χ的深度為基板總厚度的3/5,寬度為ISum ;折粒分割槽y的深度為基板總厚度的1/2,寬度為15um。同一次劃片的槽寬、槽深精度誤差均可控制在3 5um以?xún)?nèi)。切割2線寬度為45um。實(shí)施例2光白基板劃片(只劃一面),清洗,150°C烘干約10分鐘;在劃槽面印刷背電極, 150°C烘干約10分鐘;[以下圖形均在基板另一面(正面,即非劃槽面)印刷]印刷面電極, 150°C烘干約10分鐘,850°C燒結(jié)10分鐘;印刷掩膜膠,150度烘干約10分鐘;真空濺射條狀電阻排,濺射的真空度4. 5X 10_3托,時(shí)間為5分鐘,合金電阻靶采用NiCrSi ;清洗掉掩膜膠,150°C烘干約10分鐘;用激光將條狀電阻排切割成粒狀電阻體;激光調(diào)阻;隨后流程同實(shí)施例1。
權(quán)利要求
1.一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于包括以下步驟(1)高精密激光劃片在光白基板的一面劃上矩形外框、折條分割槽X與折粒分割槽Y陣列;(2)電阻體成形制備條狀電阻排,然后采用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于所述步驟(1) 中,折條分割槽的深度為基板總厚度的2/5 4/5,寬度為10 25um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于所述步驟(1) 中,折粒分割槽的深度一般為基板總厚度的1/3 3/5,寬度為10 20um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于所述步驟(2) 中,在基板非劃槽面的相應(yīng)位置印刷條狀電阻排。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于所述印刷用的漿料為氧化釕電阻漿。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于所述步驟(2) 中,先在基板非劃槽面上的非進(jìn)行真空濺射電阻材料的區(qū)域印上掩膜膠并干燥,然后在此面的非掩膜區(qū)域真空濺射上條狀電阻排。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于所述真空濺射材料為合金電阻靶。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型片式電阻的制造方法,其特征在于所述步驟(2) 中,用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體,切割線寬度為30 60um。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種小型片式電阻的制造方法,其包括以下步驟(1)高精密激光劃片在光白基板的一面劃上矩形外框、折條分割槽X與折粒分割槽Y陣列;(2)電阻體成形制備條狀電阻排,然后采用高精密激光劃線將條狀電阻排切割成粒狀電阻體。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所得的基板尺寸精度非常高,大大提高印刷對(duì)位精度,有效解決傳統(tǒng)劃槽基板精度差問(wèn)題;同時(shí)可有效精確控制折條分割槽與折粒分割槽的深度比例,以減少生產(chǎn)過(guò)程中容易出現(xiàn)的高斷片率以及分割面尖角不平導(dǎo)致產(chǎn)品尺寸精度差等問(wèn)題;而且所得的粒狀電阻體具備尺寸大小非常一致且周邊平直、阻值集中性好等特點(diǎn),從而解決了常規(guī)的粒狀印刷圖形所出現(xiàn)的滲漿、連線、阻值集中性差等缺陷。
文檔編號(hào)H01C17/12GK102394164SQ20111019245
公開(kāi)日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2011年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月11日
發(fā)明者蘭昌云, 張遠(yuǎn)生, 楊曉平, 楊理強(qiáng), 梁小云, 鄧進(jìn)甫 申請(qǐng)人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司
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