可用于pid與ild測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)及晶圓的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)及晶圓。其中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)至少包括：呈叉指狀且用于收集電荷的天線部，其包含第一連接端與第二連接端；以及場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)部，包括形成場(chǎng)效應(yīng)管所需要的結(jié)構(gòu)，且所形成的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述天線部的第一連接端。所述晶圓至少包括前述的測(cè)試結(jié)構(gòu)；以及均設(shè)置在表層的多個(gè)電氣連接點(diǎn)，每一個(gè)電氣連接點(diǎn)連接一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)所包含的第二連接端、以及每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)各自所形成的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、漏極、源極及所述場(chǎng)效應(yīng)管的襯底連接端中的一個(gè)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括：一種測(cè)試結(jié)構(gòu)能完成PID及ILD兩項(xiàng)測(cè)試，且所提供的晶圓的切割道區(qū)面積小。
【專利說(shuō)明】可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)及晶圓
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程領(lǐng)域，特別是涉及一種可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)及晶圓。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，其為一種現(xiàn)有晶圓示意圖，該晶圓I包括多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)區(qū)11，芯片結(jié)構(gòu)區(qū)11與芯片結(jié)構(gòu)區(qū)11之間的間隔區(qū)為切割道區(qū)。當(dāng)各芯片結(jié)構(gòu)區(qū)11各自包含的器件結(jié)構(gòu)層等制作完成后，通過(guò)對(duì)切割道區(qū)進(jìn)行切割來(lái)將各芯片結(jié)構(gòu)區(qū)11分離。而隨著技術(shù)的發(fā)展，各晶圓生產(chǎn)商為了追逐利益最大化，往往不斷改進(jìn)技藝以縮減單個(gè)芯片結(jié)構(gòu)區(qū)的面積，以便使單一晶圓上包含更多數(shù)量的芯片結(jié)構(gòu)。
[0003]為了保證芯片結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，晶圓生產(chǎn)商需要對(duì)制備的晶圓進(jìn)行各種測(cè)試，其中，對(duì)于0.3微米以下工藝生產(chǎn)的晶圓,進(jìn)行的測(cè)試包括PID (Plasma Induced Damage)測(cè)試與ILD (Inter Layer Dielectric)測(cè)試。通常,晶圓生產(chǎn)商通過(guò)在晶圓的切割區(qū)設(shè)置PID測(cè)試結(jié)構(gòu)及ILD測(cè)試結(jié)構(gòu)來(lái)分別進(jìn)行PID測(cè)試與ILD測(cè)試。晶圓中設(shè)置PID測(cè)試結(jié)構(gòu)的數(shù)量依據(jù)晶圓中芯片結(jié)構(gòu)所包含的器件層的數(shù)量、以及每一器件層包含的場(chǎng)效應(yīng)管的種類來(lái)確定、設(shè)置ILD測(cè)試結(jié)構(gòu)的數(shù)量則根據(jù)晶圓中芯片結(jié)構(gòu)所包含的器件層的數(shù)量來(lái)確定。
[0004]例如，若一晶圓所包含的芯片結(jié)構(gòu)有6層器件層，每一器件層包括薄柵氧N型MOS管、厚柵氧N型MOS管、薄柵氧P型MOS管、厚柵氧P型MOS管共4種場(chǎng)效應(yīng)管，則相應(yīng)地，在晶圓的切割道區(qū)的每一層需要設(shè)置4個(gè)PID測(cè)試結(jié)構(gòu)與I個(gè)ILD測(cè)試結(jié)構(gòu)，共計(jì)4*6=24個(gè)PID測(cè)試結(jié)構(gòu)及6個(gè)ILD測(cè)試結(jié)構(gòu)。由于每一個(gè)PID測(cè)試結(jié)構(gòu)包含的場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)有柵極、漏極、源極、基底4個(gè)引出端、每一個(gè)ILD測(cè)試結(jié)構(gòu)有2個(gè)引出端，故在晶圓表層的切割區(qū)需要設(shè)置4*24=96個(gè)第一焊墊、2*6=12個(gè)第二焊墊，其中，一個(gè)第一焊墊連接一個(gè)PID測(cè)試結(jié)構(gòu)的引出端、一個(gè)第二焊墊連接一個(gè)ILD測(cè)試的引出端。顯然，如此多的焊墊占據(jù)了過(guò)多晶圓面積，因此迫切需要對(duì)現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)。
[0006]本發(fā)明的另一目的在于提供一種切割道區(qū)面積小的晶圓。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在晶圓中，至少包括:
[0008]呈叉指狀且用于收集電荷的天線部，其包含第一連接端與第二連接端；
[0009]場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)部，包括形成場(chǎng)效應(yīng)管所需要的結(jié)構(gòu)，且所形成的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述天線部的第一連接端。
[0010]優(yōu)選地，所述柵極的厚度由晶圓相應(yīng)的器件層中的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極厚度來(lái)確定。
[0011]優(yōu)選地，所形成的場(chǎng)效應(yīng)管的類型由晶圓相應(yīng)的器件層中的場(chǎng)效應(yīng)管的類型來(lái)確定。
[0012]優(yōu)選地，所述可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:連接在所述柵極與地之間的保護(hù)管結(jié)構(gòu)；更為優(yōu)選地，所述保護(hù)管結(jié)構(gòu)為二極管結(jié)構(gòu)。
[0013]優(yōu)選地，所述可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述晶圓中的切割道區(qū)。
[0014]本發(fā)明的晶圓，其包括多個(gè)芯片區(qū)及將各芯片區(qū)分隔開(kāi)的切割道區(qū)，至少還包括:至少一個(gè)前述的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)；以及
[0015]多個(gè)電氣連接點(diǎn)，均設(shè)置在表層，每一個(gè)連接一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)所包含的第二連接端、以及每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)各自所形成的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、漏極、源極及所述場(chǎng)效應(yīng)管的襯底連接端中的一個(gè)。
[0016]優(yōu)選地，所有電氣連接點(diǎn)均設(shè)置在切割道區(qū)。
[0017]優(yōu)選地，芯片區(qū)包含多層器件層，切割道區(qū)包含的層數(shù)與器件層數(shù)相同，且切割道區(qū)每一層均設(shè)置至少一個(gè)的測(cè)試結(jié)構(gòu)。
[0018]如上所述，本發(fā)明的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)及晶圓，具有以下有益效果:一種測(cè)試結(jié)構(gòu)能完成PID測(cè)試及ILD測(cè)試；本發(fā)明所提供的晶圓的切割道區(qū)所占用的面積小。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】`
[0019]圖1顯不為現(xiàn)有技術(shù)中的晶圓不意圖。
[0020]圖2顯示為本發(fā)明的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0022]
【權(quán)利要求】
1.一種可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)置在晶圓中，其至少包括: 呈叉指狀且用于收集電荷的天線部，其包含第一連接端與第二連接端； 場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)部，包括形成場(chǎng)效應(yīng)管所需要的結(jié)構(gòu)，且所形成的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接所述天線部的第一連接端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述柵極的厚度由晶圓相應(yīng)的器件層中的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極厚度來(lái)確定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所形成的場(chǎng)效應(yīng)管的類型由晶圓相應(yīng)的器件層中的場(chǎng)效應(yīng)管的類型來(lái)確定。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括:連接在所述柵極與地之間的保護(hù)管結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述保護(hù)管結(jié)構(gòu)為二極管結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述晶圓中的切割道區(qū)。
7.一種晶圓，其包括多個(gè)芯片區(qū)及將各芯片區(qū)分隔開(kāi)的切割道區(qū)，所述晶圓的特征在于至少還包括: 至少一個(gè)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的可用于PID與ILD測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)； 多個(gè)電氣連接點(diǎn)，均設(shè)置在表層，每一個(gè)連接一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)所包含的第二連接端、以及每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)各自所形成的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、漏極、源極及所述場(chǎng)效應(yīng)管的襯底連接端中的一個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓，其特征在于:所有電氣連接點(diǎn)均設(shè)置在切割道區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓，其特征在于:芯片區(qū)包含多層器件層，切割道區(qū)包含的層數(shù)與器件層數(shù)相同，且切割道區(qū)每一層均設(shè)置至少一個(gè)的測(cè)試結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L23/544GK103872017SQ201210530102
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月11日
【發(fā)明者】何蓮群, 于艷菊 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司