防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置及操作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置，包括：一腔體、至少3個光電傳感器、控制裝置及機(jī)械手，所述腔體的頂蓋為透明材料制成；所述光電傳感器不在一條直線的固定安裝在所述腔體頂蓋上，所述至少3個光電傳感器的信號端串聯(lián)到控制裝置，所述控制裝置與機(jī)械手相連，硅片通過機(jī)械手進(jìn)行移動。本發(fā)明能精確監(jiān)測硅片位姿，一旦監(jiān)測到硅片偏移，及時制動報警，避免硅片被撞壞或偏移進(jìn)腔，導(dǎo)致成膜異常。
【專利說明】防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置及操作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝設(shè)備，特別是涉及一種防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置，本發(fā)明還涉及該裝置的操作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體設(shè)備中，當(dāng)鋁在高溫下被濺射到硅片表面時，在熔融狀態(tài)下會容易使硅片粘在機(jī)臺腔體上，導(dǎo)致機(jī)械手臂取片時位置發(fā)生偏移，而現(xiàn)有工藝條件下在鋁成膜完成后，搬送到其他工藝腔體成膜，造成硅片在其腔體內(nèi)破片，而腔體(傳送腔或緩沖腔等)蓋板無法偵測硅片在搬送手臂上是否發(fā)生偏移，并且在工藝腔體里面也無法偵測硅片(wafer)是否偏移傾斜,這樣往往造成損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置，能達(dá)到防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的目的。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的一種防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置，包括:一腔體、至少3個光電傳感器、控制裝置及機(jī)械手，所述腔體的頂蓋為透明材料制成；所述光電傳感器不在一條直線的固定安裝在所述腔體頂蓋上，所述至少3個光電傳感器的信號端串聯(lián)到控制裝置，所述控制裝置與機(jī)械手相連，硅片通過機(jī)械手進(jìn)行移動，所述至少3個光電傳感器能同時照在硅片上。
[0005]進(jìn)一步的，所述至少3個光電傳感器的信號端串聯(lián)到控制裝置，為第一光電傳感器的信號端與第二光電傳感器的負(fù)輸入端相連，第二光電傳感器的信號端與第三光電傳感器的負(fù)輸入端相連，第三光電傳感器的信號端接到所述控制裝置的信號輸入端上，第一光電傳感器的負(fù)輸入與所述控制裝置的負(fù)端相連。
[0006]進(jìn)一步的，其特征在于，所述所述第一光電傳感器、第二光電傳感器及第三光電傳感器的正輸入端與所述控制裝置的電壓輸出端相連。
[0007]進(jìn)一步的，其特征在于，所述硅片上的測量點(diǎn)位置與硅片邊緣距離2_3mm或以上。
[0008]一種防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置的操作方法，包括:設(shè)定硅片表面位置與所述3個光電傳感器之間的距離均為M，當(dāng)硅片發(fā)生偏移時，硅片表面位置與至少一個光電傳感器的距離將發(fā)生變化，當(dāng)至少一個距離大于M±L時，控制裝置控制機(jī)械手制動并發(fā)出報警，其中M、L為大于O的數(shù)。
[0009]進(jìn)一步的，所述L為5毫米。
[0010]本發(fā)明的防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置可以精確監(jiān)測硅片位姿，一旦監(jiān)測到硅片偏移，及時制動報警，避免硅片被撞壞或偏移進(jìn)腔，導(dǎo)致成膜異常。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:[0012]圖1是本發(fā)明光電感應(yīng)器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本發(fā)明光電感應(yīng)器位置測量示意圖；
[0014]圖3是本發(fā)明光電感應(yīng)器安裝位置示意圖；
[0015]圖4是本發(fā)明光電感應(yīng)器接線圖。
[0016]主要附圖標(biāo)記說明:
[0017]光電傳感器I測量端口 11
[0018]光電傳感器正輸入端12光電傳感器負(fù)輸入端13
[0019]光電傳感器信號端14
[0020]腔體21腔體蓋板211
[0021]硅片22光電傳感器23
[0022]測量端口231
[0023]第一光電傳感器41第二光電傳感器42
[0024]第三光電傳感器43控制裝置44
[0025]傳送裝置45
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使貴審查員對本發(fā)明的目的、特征及功效能夠有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識，以下配合附圖詳述如后。
[0027]如圖1所示，為本發(fā)明所使用的光電傳感器的結(jié)構(gòu)，光電傳感器I中包括測量端口11及三個接口，所述的三個接口分別為光電傳感器正輸入端12、光電傳感器負(fù)輸入端13及光電傳感器信號端14。
[0028]如圖2所示，為本發(fā)明光電傳感器位置測量示意圖，從光電傳感器23的測量端口231發(fā)射一光束到待測硅片22的表面，從硅片22表面發(fā)射會測量端口 231，從而測量光電傳感器23與硅片22之間的距離。其中硅片位于腔體21中，腔體頂蓋211為透明材料制成。如圖3所示，為本發(fā)明光電傳感器的安裝位置示意圖，光電傳感器23固定安裝在腔體頂蓋211上方，其中利用三點(diǎn)確定一個平面的原理，需要至少使用三個或三個以上的光電傳感器23水平安裝在腔體頂蓋211的上方，所述三個或三個以上光電傳感器23能同時照在硅片上，且所有的光電傳感器23不在一條直線上。從而可以測量腔體21中硅片22表面不在一條直線上的3個或3個以上的點(diǎn)到光電傳感器23的距離，進(jìn)而就可以判斷硅片22是否偏移。優(yōu)選的光電傳感器23投射到硅片22上的位置，即硅片22上的測量點(diǎn)；與硅片22邊緣距離2-3mm或以上。 [0029] 如圖4結(jié)合圖1所示，為本發(fā)明光電感應(yīng)器接線圖，第一光電傳感器41、第二光電傳感器42及第三光電傳感器43的信號端串聯(lián)到控制裝置44上，具體為第一光電傳感器41、第二光電傳感器42及第三光電傳感器43的正輸入端與控制裝置44的電壓輸出端(+24)相連,第一光電傳感器41的信號端與第二光電傳感器42的負(fù)輸入端相連,第二光電傳感器42的信號端與第三光電傳感器43的負(fù)輸入端相連，第三光電傳感器43的信號端接到控制裝置44的信號輸入端(G)上，第一光電傳感器41的負(fù)輸入與控制裝置44的負(fù)端(gnd)相連，控制裝置44與機(jī)械手45 (硅片通過機(jī)械手進(jìn)行運(yùn)動)相連。當(dāng)硅片處于平衡位置時，此時設(shè)定硅片表面位置與3個光電傳感器之間的距離均為M，當(dāng)硅片發(fā)生偏移時，硅片表面位置與至少一個光電傳感器的距離將發(fā)生變化，當(dāng)至少一個距離大于M±L時，控制裝置44控制機(jī)械手45制動并發(fā)出報警，即控制硅片制動；從而達(dá)到避免wafer在腔體內(nèi)發(fā)生破片的目的。其中M、L為大于零的數(shù)，L優(yōu)選為5mm。若為4個或4個以上的光電傳感器，其接法與上述同理。
[0030]以上通過具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置，其特征在于，包括:一腔體、至少3個光電傳感器、控制裝置及機(jī)械手，所述腔體的頂蓋為透明材料制成；所述光電傳感器不在一條直線的固定安裝在所述腔體頂蓋上，所述至少3個光電傳感器的信號端串聯(lián)到控制裝置，所述控制裝置與機(jī)械手相連，硅片通過機(jī)械手進(jìn)行移動，所述至少3個光電傳感器能同時照在硅片上。
2.如權(quán)利要求1所述的防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置，其特征在于，所述至少3個光電傳感器的信號端串聯(lián)到控制裝置，為第一光電傳感器的信號端與第二光電傳感器的負(fù)輸入端相連，第二光電傳感器的信號端與第三光電傳感器的負(fù)輸入端相連，第三光電傳感器的信號端接到所述控制裝置的信號輸入端上，第一光電傳感器的負(fù)輸入與所述控制裝置的負(fù)端相連。
3.如權(quán)利要求2所述的防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置，其特征在于，所述所述第一光電傳感器、第二光電傳感器及第三光電傳感器的正輸入端與所述控制裝置的電壓輸出端相連。
4.如權(quán)利要求1所述的防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置，其特征在于，所述硅片上的測量點(diǎn)位置與硅片邊緣距離2-3mm或以上。
5.一種如權(quán)利要求1所述的防止硅片在腔體搬送過程中偏移破片的裝置的操作方法，其特征在于，包括:設(shè)定硅片表面位置與所述3個光電傳感器之間的距離均為M，當(dāng)硅片發(fā)生偏移時，硅片表面位置與至少一個光電傳感器的距離將發(fā)生變化，當(dāng)至少一個距離大于M±L時，控制裝置控制機(jī)械手制動并發(fā)出報警，其中M、L為大于O的數(shù)。
6.如權(quán)利要求5所述的操作方法，其特征在于，所述L為5毫米。
【文檔編號】H01L21/67GK103871926SQ201210529539
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月10日
【發(fā)明者】龔曉丹, 張嘉訓(xùn), 周捷 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司