專利名稱：集成led芯片及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種集成LED芯片及其制作方法。
背景技術(shù)：
陣列式高壓/交流LED芯片由于具有明顯的光效及應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢，成為未來LED，尤其是白光LED市場的一個(gè)重要的發(fā)展方向?；谒{(lán)寶石基板的藍(lán)光LED芯片來說，一般的芯片制作方法中必不可少的步驟是要利用等離子體刻蝕設(shè)備將部分的P型GaN和量子阱移除，使N型GaN外露。 而對于集成LED芯片來說，最重要的步驟是要使得集成芯片的單胞與單胞之間形成絕對的電學(xué)隔離。即需要將N層的連接完全打斷。目前的做法依然是采用等離子刻蝕的方法進(jìn)行，但是包含量子阱層、N層直至緩沖層的厚度一般有4-5 μ m，尤其對于PSS襯底的外延層來說，厚度可達(dá)6 μ m以上，要刻蝕如此深的深度，對掩蔽材料以及掩蔽材料的高保真高選擇比都有著很高的要求，另外對ICP的刻蝕工藝也提出了很高的要求。以目前通常ICP的刻蝕速率為HOOVmin來計(jì)算，刻蝕6 μ m深的隔離槽，光是刻蝕的時(shí)間就需要75分鐘，長時(shí)間的等離子體的轟擊勢必會(huì)給設(shè)備以及晶片本身帶來損傷，也很難做出清晰整齊的圖形界面。一種采用分步蝕刻以形成隔離槽的發(fā)光二極管的制作方法被提出，該方法雖然解決了上述問題，但是工序依舊過多，因此，本發(fā)明旨在提供一種更為簡便有效的工藝方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種集成LED芯片及其制作方法，以簡化集成LED芯片的制備流程。為此，在本發(fā)明中提供了一種集成LED芯片的制作方法，包括以下步驟SI、在襯底上生長外延層，形成晶片基體，外延層包括自內(nèi)向外設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層；S2、根據(jù)預(yù)設(shè)的芯片單胞尺寸，采用激光切割的方式在晶片基體上形成用于隔離相鄰單胞的隔離槽，隔離槽的底部延伸至晶片基體的襯底處，形成具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片；S3、去除部分第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層，露出位于其下的第一半導(dǎo)體層，形成具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片；S4、在第二半導(dǎo)體層的表面上形成透明導(dǎo)電膜，形成具有第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片；S5、在由所述第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層疊加形成的側(cè)壁上、以及隔離槽中形成鈍化層；S6、在由隔離槽隔離的各單胞之間形成金屬連接線，形成集成LED芯片。進(jìn)一步地,上述步驟S2中進(jìn)一步包括S21、在晶片基體的表面形成具備耐酸腐蝕性能的保護(hù)層；S22、采用激光切割的方式在涂覆有保護(hù)層的晶片基體上形成隔離槽；S23、將具有隔離槽的晶片基體置于溫度為150-250°C的熱酸中浸泡5-20min，形成具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片；S24、去除保護(hù)層。進(jìn)一步地，上述步驟S2中采用激光切割的方式在晶片基體上形成隔離槽的步驟中，所采用的激光的功率為O. 7-1. 1W，激光相對于晶體基板的移動(dòng)速度為30-60mm/s，相鄰單胞中所形成的隔離槽的深度為5-7 μ m,寬度為3-5 μ m。進(jìn)一步地，上述步驟S2中形成隔離槽的步驟中，在相鄰單胞之間形成2-3條隔離槽，各隔離槽沿其延伸方向連續(xù)或不連續(xù)延伸，隔離槽不連續(xù)延伸時(shí)，位于相鄰單胞中各隔離槽相對于同一側(cè)單胞的投影連續(xù)延伸。 進(jìn)一步地，上述步驟S2中形成隔離槽的步驟中，在相鄰單胞中形成2-3條隔離槽，且各隔離槽不連續(xù)延伸時(shí)，操作步驟包括A1、預(yù)設(shè)各不連續(xù)延伸的隔離槽中各段的間距；A2、根據(jù)所預(yù)設(shè)的間距，采用激光依次切割隔離槽中不連續(xù)延伸的各段。進(jìn)一步地，上述步驟S2中形成隔離槽的步驟中，在相鄰單胞中形成2-3條隔離槽，且各隔離槽不連續(xù)延伸時(shí)，操作步驟包括B1、預(yù)設(shè)各不連續(xù)延伸的隔離槽中各段的間距；B2、根據(jù)所預(yù)設(shè)的間距，在各間隔部設(shè)置阻擋材料，形成預(yù)備件；B3、采用激光連續(xù)切割根據(jù)隔離槽的延伸方向連續(xù)切割預(yù)備件。
進(jìn)一步地，在上述步驟S3形成具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片后還進(jìn)一步包括監(jiān)測步驟，監(jiān)測步驟包括Cl、測量相鄰單胞或不相鄰的單胞間第一半導(dǎo)體層間的阻值，如果電阻大于1ΜΩ，則證明隔離槽有效；或者C2、在相鄰單胞或不相鄰的單胞間注入一定電流，如果電壓無限大，則證明隔離槽有效。進(jìn)一步地，上述步驟SI中形成晶片基體的步驟還包括在外延層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的表面上形成保護(hù)膜；步驟S3中，在去除具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片中部分第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層之前，還包括去除具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片表面保護(hù)膜的步驟。進(jìn)一步地，上述步驟S5中形成鈍化層的步驟包括S51、采用蒸鍍或氣相沉積的方式在第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片上形成鈍化層；S52、采用光刻和化學(xué)刻蝕的方法去除部分鈍化層，保留由第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層疊加形成的側(cè)壁上、以及隔離槽中的鈍化層。同時(shí)，在本發(fā)明中還提供了一種集成LED芯片，該集成LED芯片由上述的制備方法制備而成。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明集成LED芯片及其制作方法，通過采用激光切割工藝形成隔離槽，再填充以絕緣材料形成鈍化層與外界隔絕，在制作金屬連接線即可實(shí)現(xiàn)集成芯片的各個(gè)單胞之間的電學(xué)隔離。相對于現(xiàn)有集成LED芯片制作方法制作工藝簡單、激光刻蝕的方式可明顯縮小單胞間的間距，從而實(shí)現(xiàn)在相同的規(guī)格下，具備比一般制作的集成芯片更大的有效發(fā)光面積。除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。


附圖構(gòu)成本說明書的一部分、用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并與說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。圖中圖I示出了根據(jù)本發(fā)明集成LED芯片的制作方法的流程圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明集成LED芯片的一種平面結(jié)構(gòu)示意布局；圖3不出了圖2中所不的集成LED芯片在鏡片中的布局結(jié)構(gòu)不意局；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明集成LED芯片的另一種平面結(jié)構(gòu)示意局布；以及
圖5示出了圖4中集成LED芯片的切割軌跡圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，但如下實(shí)施例以及附圖僅是用以理解本發(fā)明，而不能限制本發(fā)明，本發(fā)明可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。在本發(fā)明的一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種集成LED芯片的制作方法，如圖I至圖3所示，包括以下步驟SI、在襯底上生長外延層，形成晶片基體，外延層包括由內(nèi)自內(nèi)向外設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層；S2、根據(jù)預(yù)設(shè)的芯片單胞I的尺寸，采用激光切割的方式在晶片基體上形成用于隔離相鄰單胞的隔離槽2，隔離槽2的底部延伸至晶片基體的襯底處，形成具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片；S3、去除具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片中部分第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層，露出位于其下的第一半導(dǎo)體層，形成具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片；S4、在具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片中的第二半導(dǎo)體層的表面上形成透明導(dǎo)電膜，形成第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片；S5、在第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片中由第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層疊加形成的側(cè)壁上、以及隔離槽2中形成鈍化層；S6、在由隔離槽2隔離的各單胞之間形成 金屬連接線3，形成集成LED芯片。相對于現(xiàn)有集成LED芯片制作方法中深槽掩蔽和深槽刻蝕，難度大，損傷大，時(shí)間長，工序復(fù)雜的現(xiàn)狀，上述集成LED芯片制作方法，通過采用激光切割工藝形成隔離槽2，在填充以絕緣材料形成鈍化層與外界隔絕，在制作金屬連接線即可實(shí)現(xiàn)集成芯片的各個(gè)芯片單胞I之間的電學(xué)隔離。其不但制作工藝簡單、而且激光刻蝕的方式可明顯縮小單胞間的間距，從而實(shí)現(xiàn)在相同的規(guī)格下，具備比一般制作的集成芯片更大的有效發(fā)光面積。優(yōu)選地，在上述集成LED芯片的制作方法中步驟S2中進(jìn)一步包括S21、在晶片基體的表面形成具備耐酸腐蝕性能的保護(hù)層；S22、采用激光切割的方式在涂覆有保護(hù)層的晶片基體上形成隔離槽；S23、將具有隔離槽的晶片基體置于溫度為150-250°C的熱酸中浸泡5-20min，形成具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片；S24、去除保護(hù)層。在本申請發(fā)明中，上述步驟S21中保護(hù)層可以通過蒸發(fā)、濺射、氣相沉積等方法形成，保護(hù)層的材料可以為氧化硅材料，其厚度優(yōu)選為2500-·0Α.步驟S22中激光切割過程中對激光切割機(jī)沒有特殊要求，采用業(yè)界通用的激光切割機(jī)即可，激光切割的過程中可以通過調(diào)整激光器的功率以及受臺移動(dòng)速度控制激光切割的深度和寬度，例如深度在5-7 μ m，寬度不小于3微米。步驟S23中所使用的熱酸可以是濃硫酸、濃磷酸或者是二者的混合溶液，其中優(yōu)選采用硫酸磷酸=1:3的混合酸，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)所使用的酸的濃度以及酸液的溫度能夠合理調(diào)節(jié)浸酸的時(shí)間，本發(fā)明中優(yōu)選在溫度為150-250°C的熱酸中浸泡
5-20min。步驟S24中去除保護(hù)層中，對于氧化硅保護(hù)層來說，可以選擇氫氟酸或者氫氟酸+氟化銨混合液進(jìn)行清洗去除。在上述方法中，在激光切割隔離槽的過程中，采用保護(hù)層對晶片基體的表面進(jìn)行保護(hù)，以防止激光燒灼產(chǎn)生的碎屑飛濺至晶片基體的上表面，并通過在切割工序完成后，去除保護(hù)層的過程將晶片基體表面的碎屑也一并被帶走，以更好地保證產(chǎn)品性能；同時(shí)，通過采用熱酸浸泡的方式去除激光切割過程中切割面上產(chǎn)生的黑色焦灼物，以防止短路漏電，并使得芯片的側(cè)面呈倒梯形以增加出光，以提高產(chǎn)品性能。優(yōu)選地，在上述集成LED芯片的制作方法中步驟S2中采用激光切割的方式在晶片基體上形成隔離槽的步驟中，所采用的激光的功率為O. 7-1. 1W，激光相對于晶體基板的移動(dòng)速度為30-60mm/s，相鄰單胞中所形成的隔離槽2的深度為5_7 μ m，寬度為3_5 μ m。本發(fā)明所提供的這種激光切割的方式通過控制激光的切割功率以及激光相對于晶體基板的移動(dòng)速度，可以調(diào)整所形成的隔離槽的深度和寬度。相比于現(xiàn)有技術(shù)中的集成芯片產(chǎn)品，該方法所獲得的集成芯片產(chǎn)品中隔離槽的寬度能夠窄ΙΟμπι以上，明顯縮小單胞間的間距，從而實(shí)現(xiàn)在相同的規(guī)格下，具備比一般制作的集成芯片更大的有效發(fā)光面積。優(yōu)選地，如圖4至圖5所示，在上述集成LED芯片的制作方法中步驟S2中形成隔離槽2的步驟中，在相鄰芯片單胞I之間形成2-3條隔離槽2，各隔離槽2沿其延伸方向連續(xù)或不連續(xù)延伸，隔離槽2不連續(xù)延伸時(shí)，位于相鄰單胞中各隔離槽2相對于同一側(cè)單胞的投影連續(xù)延伸。沿垂直于隔離槽2延伸方向的方向，相鄰的隔離槽2間的間距為3-5μπι.為了進(jìn)一步保證所制備的集成LED芯片的效果，保證相連單胞之間的隔離效果，優(yōu)選地，在上述集成LED芯片的制作方法中步驟S2中形成隔離槽的步驟中，在相鄰單胞中形成2-3條隔離槽，且各隔離槽不連續(xù)延伸時(shí)，操作步驟包括Α1、預(yù)設(shè)各不連續(xù)延伸的隔 離槽中各段的間距；Α2、根據(jù)所預(yù)設(shè)的間距，采用激光依次切割隔離槽中不連續(xù)延伸的各段。優(yōu)選地，在上述集成LED芯片的制作方法中步驟S2中形成隔離槽的步驟中，在相鄰單胞中形成2-3條隔離槽，且各隔離槽不連續(xù)延伸時(shí)，操作步驟包括Β1、預(yù)設(shè)各不連續(xù)延伸的隔離槽中各段的間距；Β2、根據(jù)所預(yù)設(shè)的間距，在各間隔部設(shè)置阻擋材料，形成預(yù)備件；Β3、采用激光連續(xù)切割根據(jù)隔離槽的延伸方向連續(xù)切割預(yù)備件。為了確保經(jīng)上述方法所形成的深槽完全起到了單胞間隔離的效果，優(yōu)選地，在上述集成LED芯片的制作方法中在步驟S3形成具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片后還進(jìn)一步包括監(jiān)測步驟，監(jiān)測步驟包括Cl、測量相鄰單胞或不相鄰的單胞間第一半導(dǎo)體層間的阻值，如果電阻大于1ΜΩ，則證明隔離槽有效；或者C2、在相鄰單胞或不相鄰的單胞間注入一定電流，如果電壓無限大，則證明隔離槽有效。優(yōu)選地，在上述集成LED芯片的制作方法中，步驟SI中形成晶片基體的步驟還包括在外延層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的表面上形成保護(hù)膜；步驟S3中，在去除具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片中部分第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層之前，還包括去除具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片表面保護(hù)膜的步驟。優(yōu)選地，在上述集成LED芯片的制作方法中，一種可選的方式中步驟S5中形成鈍化層的步驟包括S51、采用蒸鍍或氣相沉積的方式在第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片上形成鈍化層；S52、采用光刻和化學(xué)刻蝕的方法去除部分鈍化層，保留由第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層疊加形成的側(cè)壁上、以及隔離槽中的鈍化層。另一種可選的方式中步驟S2可采用先光刻再成膜，最后去除光刻膠及覆蓋其上的薄膜的方法來形成鈍化層；上述鈍化層的厚度不低于5(K)().\,飩化層的材質(zhì)包括但不限定是是氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦等透明絕緣材料，優(yōu)選的，作為鈍化的常用材料選擇使用氧化硅。通過上述方法所制備的集成LED芯片，經(jīng)激光刻蝕的方式所形成的隔離槽可明顯縮小單胞間的間距，從而實(shí)現(xiàn)在相同的規(guī)格下，具備比一般制作的集成芯片更小的面積。以下將結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明所提供的掩膜劑在制備帶有納米級圖形的襯底的有益效果。
基于圖I的制作用于氮化物外延生長的納米級圖形襯底的方法流程圖，以下結(jié)合具體的實(shí)施例I對本發(fā)明制作的納米級圖形襯底的方法進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例I集成LED芯片的制作方法，包括以下步驟一、采用藍(lán)寶石襯底，在該襯底材料上生長外延層，外延層結(jié)構(gòu)自下而上包括緩沖層，本征半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層，發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層。二、對外延片進(jìn)行常規(guī)清洗；通過蒸發(fā)、濺射、氣相沉積等手段在其表面形成保護(hù)層，保護(hù)層材料優(yōu)選為氧化硅材料，厚度優(yōu)選2500A;三、采用業(yè)界通用的激光切割機(jī)根據(jù)預(yù)設(shè)的芯片單胞尺寸大小對晶片實(shí)施激光切害I]，通過調(diào)整激光器的功率為O. 9W以及激光切割機(jī)相對于晶片單體的移動(dòng)速度為45mm/s， 將切割深度控制在6 μ m ;切割形成的斷面將緩沖層、本征半導(dǎo)體層、第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、弟~■半導(dǎo)體層分割開來。切痕覽度為4μ m。四將晶片置于高溫?zé)崴嶂羞M(jìn)行浸泡，熱酸采用硫酸磷酸=1:3的混合酸，設(shè)定熱酸溫度為200°C，浸泡IOmin ；五選擇氫氟酸或者氫氟酸+氟化銨混合液進(jìn)行清洗去除晶片表面的氧化硅保護(hù)層。六通過光刻和等離子蝕刻的方式移除位于上表面的第二半導(dǎo)體層及位于次表面的發(fā)光層的部分區(qū)域，使得第一半導(dǎo)體層外露，形成具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片. 七、測量具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片中相鄰單胞或不相鄰的單胞間第一半導(dǎo)體層間的阻值，該阻值為3. 8-6ΜΩ，由此可見隔離槽有效。八、按照常規(guī)手段在在具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片中的第二半導(dǎo)體層的表面上形成透明導(dǎo)電膜，形成第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片。九、采用蒸鍍法在第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片上形成厚度為5000 A的鈍化層。采用光刻法可是去除部分鈍化層，保留由第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層疊加形成的側(cè)壁上、以及隔離槽中形成的鈍化層，鈍化層的為氧化硅。十、采用常規(guī)的方法在具有鈍化層的晶片中的單胞間電鍍形成金屬連接線以及電極，形成集成LED芯片。將由本發(fā)明上述實(shí)施例I所制備的集成LED芯片在掃描電子顯微鏡(SEM)下觀察晶片上的各單胞結(jié)構(gòu)。經(jīng)觀察各單胞外框(即隔離槽)切割良好，且由上述第七步中測量可知所制備的集成LED芯片中相鄰單胞或不相鄰的單胞間第一半導(dǎo)體層間的阻值大于1ΜΩ，由此可見所制備的隔離槽有效。在本發(fā)明所提供的集成LED芯片的制作方法中，通過采用激光切割代替?zhèn)鹘y(tǒng)的ICP刻蝕方法所形成的隔離槽不但寬度較窄(現(xiàn)有技術(shù)所制備的隔離槽寬度為15 μ m左右，上述實(shí)施例I所制備的隔離槽寬度為4 μ m)，且工藝所用時(shí)間大大減小(現(xiàn)有技術(shù)所制備的隔離槽步驟的時(shí)間為75分鐘左右，上述實(shí)施例I所制備的隔離槽步驟的時(shí)間僅需3分鐘左右)，該方法可以明顯縮小單胞間的間距，從而實(shí)現(xiàn)在相同的規(guī)格下，具備比一般制作的集成芯片更小的面積和更高的產(chǎn)出；而且隔離槽制備步驟的工藝耗時(shí)由75分鐘減小至3分鐘，大大提高了芯片生產(chǎn)效率。以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更 改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種集成LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟 51、在襯底上生長外延層，形成晶片基體，所述外延層包括自內(nèi)向外設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層； 52、根據(jù)預(yù)設(shè)的芯片 單胞尺寸，采用激光切割的方式在所述晶片基體上形成用于隔離相鄰單胞的隔離槽，所述隔離槽的底部延伸至所述晶片基體的襯底處，形成具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片； 53、去除部分第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層，露出位于其下的第一半導(dǎo)體層，形成具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片； 54、在第二半導(dǎo)體層的表面上形成透明導(dǎo)電膜，形成具有第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片； 55、在由所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層和所述發(fā)光層疊加形成的側(cè)壁上，以及所述隔離槽中形成鈍化層； 56、在由所述隔離槽隔離的各單胞之間形成連接線，形成所述集成LED芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中進(jìn)一步包括 521、在所述晶片基體的表面形成具備耐酸腐蝕性能的保護(hù)層； 522、采用激光切割的方式在涂覆有保護(hù)層的晶片基體上形成隔離槽； 523、將具有隔離槽的晶片基體置于溫度為150-250°C的熱酸中浸泡5_20min，形成所述具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片； 524、去除所述保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中采用激光切割的方式在所述晶片基體上形成隔離槽的步驟中，所采用的激光的功率為O. 7-1. 1W，激光相對于晶體基板的移動(dòng)速度為3060mm/s，相鄰所述單胞中所形成的所述隔離槽的深度為5_7 μ m，寬度為3-5 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中形成隔離槽的步驟中，在相鄰所述單胞之間形成23條隔離槽，各所述隔離槽沿其延伸方向連續(xù)或不連續(xù)延伸，所述隔離槽不連續(xù)延伸時(shí)，位于相鄰所述單胞中各隔離槽相對于同一側(cè)單胞的投影連續(xù)延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中形成隔離槽的步驟中，在相鄰所述單胞中形成23條隔離槽，且各隔離槽不連續(xù)延伸時(shí)，操作步驟包括 Al、預(yù)設(shè)各不連續(xù)延伸的隔離槽中各段的間距； A2、根據(jù)所預(yù)設(shè)的間距，采用激光依次切割所述隔離槽中不連續(xù)延伸的各段。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中形成隔離槽的步驟中，在相鄰所述單胞中形成23條隔離槽，且各隔離槽不連續(xù)延伸時(shí)，操作步驟包括 BI、預(yù)設(shè)各不連續(xù)延伸的隔離槽中各段的間距； B2、根據(jù)所預(yù)設(shè)的間距，在各間隔部設(shè)置阻擋材料，形成預(yù)備件； B3、采用激光連續(xù)切割根據(jù)隔離槽的延伸方向連續(xù)切割所述預(yù)備件。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟S3形成具有第二過渡結(jié)構(gòu)的晶片后還進(jìn)一步包括監(jiān)測步驟，所述監(jiān)測步驟包括 Cl、測量相鄰所述單胞或不相鄰的所述單胞間第一半導(dǎo)體層間的阻值，如果電阻大于1ΜΩ，則證明隔離槽有效；或者C2、在相鄰所述單胞或不相鄰的所述單胞間注入一定電流，如果電壓無限大，則證明隔離槽有效。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于， 所述步驟SI中形成晶片基體的步驟還包括在所述外延層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的表面上形成保護(hù)月吳; 所述步驟S3中在去除具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片中部分第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層之前，還包括去除具有第一過渡結(jié)構(gòu)的晶片表面保護(hù)膜的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中形成所述鈍化層的步驟包括 551、采用蒸鍍或氣相沉積的方式在第三過渡結(jié)構(gòu)的晶片上形成鈍化層； 552、采用光刻和化學(xué)刻蝕的方法去除部分鈍化層，保留由所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層疊加形成的側(cè)壁上、以及隔離槽中的鈍化層。
10.一種集成LED芯片，其特征在于，所述集成LED芯片由權(quán)利要求I至9中任一項(xiàng)所述的制備方法制備而成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種集成LED芯片及其制作方法。該方法包括以下步驟S1、在襯底上生長外延層，形成晶片基體；S2、采用激光切割的方式在晶片基體上形成用于隔離相鄰單胞的隔離槽，隔離槽的底部延伸至晶片基體的襯底處；S3、去除部分第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層，露出位于其下的第一半導(dǎo)體層；S4、在第二半導(dǎo)體層的表面上形成透明導(dǎo)電膜；S5、在由第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層疊加形成的側(cè)壁上、以及隔離槽中形成鈍化層；S6、在由隔離槽隔離的各單胞之間形成金屬連接線，形成集成LED芯片。本發(fā)明集成LED芯片及其制作方法，通過采用激光切割工藝形成隔離槽簡化了制作工藝、提高了生產(chǎn)效率和增加了芯片的有效發(fā)光面積。
文檔編號H01L27/15GK102969412SQ20121051646
公開日2013年3月13日 申請日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月5日
發(fā)明者牛鳳娟, 姚禹, 苗振林, 田艷紅, 胡棄疾 申請人:湘能華磊光電股份有限公司