技術(shù)總結(jié)
一種閃存的存儲(chǔ)單元的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有若干淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體襯底表面具第二介質(zhì)層、和第二介質(zhì)層表面的浮柵層，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和浮柵層的側(cè)壁和頂部表面具有第一介質(zhì)層，所述相鄰浮柵層表面的第一介質(zhì)層之間具有溝槽；在所述第一介質(zhì)層表面形成填充滿所述溝槽的控制柵層；在形成所述控制柵層之后，進(jìn)行熱退火工藝；在所述熱退火工藝之后，去除高于所述第一介質(zhì)層表面的控制柵層。所形成的閃存的存儲(chǔ)單元的性能改善，編程速率提高。

技術(shù)研發(fā)人員：何有豐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201210513903
技術(shù)研發(fā)日：2012.12.04
技術(shù)公布日：2017.05.17