專利名稱：陣列基板、顯示模組及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板、顯示模組及其制備方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay,以下簡稱TFT-LCD)具有重量輕，厚度薄和功耗低等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電視、手機和顯示器等電子廣品中。在現(xiàn)有的TFT-IXD中包括多種類型,其中，在高級超維場轉(zhuǎn)換(Advanced superDimension Switch,以下簡稱ADS)型和平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching,以下簡稱IPS)型的TFT-LCD中，公共電極和公共電極線通常與柵極同層設(shè)置，且采用與柵極相同的金屬材料制作，由于金屬材料的透過率較低，因此導(dǎo)致像素單元的開口率較低，影響了液晶顯示器的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種像素單元開口率大的陣列基板、顯示模組及其制備方法。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案一方面，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括TFT、柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素區(qū)域，所述像素區(qū)域形成有透明公共電極，所述TFT形成于所述透明公共電極上，所述TFT和透明公共電極之間形成有絕緣層。另一方面，本發(fā)明還提供一種顯示模組，包括陣列基板；該陣列基板，包括TFT、柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成多個像素單元，所述每個像素單元形成有透明公共電極，所述TFT形成于所述透明公共電極上，所述TFT和公共電極之間形成有絕緣層。另一方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板制備方法，包括在基板上形成透明公共電極；形成覆蓋所述透明公共電極和所述基板的絕緣層；在所述絕緣層上形成TFT、柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素單元，所述透明公共電極與所述像素單元一一對應(yīng)。本發(fā)明實施例提供的陣列基板、顯示模組及其制備方法，將公共電極和柵線分層設(shè)置，從而也可以將公共電極線和柵線分層設(shè)置，從而避免通過低透過率的金屬材料形成的柵線和公共電極線同層分別設(shè)置，提高了像素單元的開口率，提高了 LCD的亮度。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實施例I所述的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例2所述的一種公共電極的俯視圖；圖3為本發(fā)明實施例2所述的另一種公共電極的俯視圖；圖4為本發(fā)明實施例2所述的另一種公共電極的俯視圖；圖5為本發(fā)明實施例4所述的陣列基板制備方法的流程圖；圖6為本發(fā)明實施例4所述的陣列基板制備方法中形成公共電極和連接線的流程圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例一種陣列基板、顯示模組及其制備方法進行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。在液晶顯示器中，包括顯示模組；該顯示模組，包括液晶面板、印制電路板以及連接液晶面板和印制電路板的柔性電路板；該液晶面板，包括陣列基板、彩膜基板和容置于陣列基板和彩I旲基板之間的液晶。實施例I本發(fā)明提供了一種陣列基板，如圖I所示，包括基板I、TFT2、柵線(圖中未示出)和數(shù)據(jù)線(圖中未示出)，柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成多個像素單元，每個像素單元形成有透明公共電極3，TFT2形成于透明公共電極3上，TFT2和透明公共電極3之間形成有絕緣層4。該TFT2，包括在絕緣層4上形成的柵極5 ;覆蓋柵線、柵極5和絕緣層4的柵絕緣層6 ;在柵絕緣層6上與柵極5相對應(yīng)的有源層7、歐姆接觸層8、源極11a、漏極lib、源漏絕緣層9和像素電極10，其中有源層7的材料為非晶硅，歐姆接觸層8的材料為摻雜了氮離子的非晶硅材料。當(dāng)然，在一種可能的實時場景中，可以不設(shè)置源漏絕緣層9，而直接通過構(gòu)圖工藝，使像素電極10覆蓋漏極11b，并延伸至透明公共電極3的上方。在基板I上，可以形成有公共電極線，透明公共電極3部分覆蓋于公共電極線(圖中未示出)上，這樣一來，公共電極線可以與柵線不同層的進行設(shè)置，即可以設(shè)置成在俯視的情況下，公共電極線和柵線相互層疊的結(jié)構(gòu)，以減少金屬材料所覆蓋的區(qū)域的面積。另外，透明公共電極3的材料可為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物等透明導(dǎo)電材料，公共電極線可為透明導(dǎo)電材料或金屬材料，根據(jù)實際情況進行選擇，該絕緣層4的材料為氮化硅或有機絕緣材料等，對上述材料的選擇可以根據(jù)實際情況進行，在此不作限制。其中，柵線被柵絕緣層6覆蓋；在柵絕緣層6上方，與柵極5的部分相對應(yīng)設(shè)置有有源層8和歐姆接觸層9;數(shù)據(jù)線、源極Ila和漏極Ilb相互隔離的源極Ila和漏極Ilb的部分設(shè)置于歐姆接觸層9兩側(cè)，并且其中之一與數(shù)據(jù)線相連；在數(shù)據(jù)線、源極Ila和漏極Ilb上覆蓋有源漏絕緣層9，該源漏絕緣層9在源極Ila和漏極Ilb之間延伸至有源層8 ;在漏極Ilb上方的源漏絕緣層9上設(shè)置有過孔12，在該過孔12處設(shè)置有延伸至源漏絕緣層9表面的像素電極10，該像素電極10在過孔12中與漏極Ilb接觸。在基板I上，柵線和數(shù)據(jù)線交錯地形成于各透明公共電極3之間，并位于絕緣層4上方。在陣列基板的邊緣，公共電極線和柵線分別與對應(yīng)的控制電路進行連接，通過控制電路對透明公共電極3和像素電極10進行充電，以實現(xiàn)液晶的偏轉(zhuǎn)。本發(fā)明實施例提供的陣列基板，將透明公共電極和柵線分層設(shè)置，從而也可以將公共電極線和柵線分層設(shè)置，從而避免通過低透過率的金屬材料形成的柵線和公共電極線同層分別設(shè)置，提高了像素單元的開口率，提高了 LCD的亮度。另外，在陣列基板的邊緣，降低了公共電極線對于柵線的布線的影響，而使柵線的布線更加靈活，從而可以降低陣列基板邊緣的尺寸，實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計，并且，公共電極線、柵線和數(shù)據(jù)線的分層設(shè)置也避免了各個線之間出現(xiàn)短路的情況。實施例2在上述的實施例中在基板I上仍需要設(shè)置公共電極線13，使形成的圖形較為復(fù)雜，并且使用的導(dǎo)電材料較多，造成浪費。為解決上述問題，優(yōu)選的，如圖2所示，在基板I上透明公共電極3a通過連接線14與相鄰像素單元的透明公共電極3b連接；相對應(yīng)的，公共電極線可以只設(shè)置在陣列基板邊緣的透明公共電極3b處；在充電時，控制電路通過公共電極線先對最邊緣的透明公共電極進行充電，最邊緣的透明公共電極通過連接線14對旁邊透明公共電極進行充電，以實現(xiàn)對所有透明公共電極3進行充電，并且進一步的進行均勻。具體的，如圖2或3所示，相鄰像素單元的透明公共電極3b為位于透明公共電極3a的行方向或列方向兩側(cè)相鄰位置的透明公共電極。在基板I上，透明公共電極3以陣列的方式設(shè)置，分為行方向和列方向，其中，在一個透明公共電極3a的行方向和列方向兩側(cè)設(shè)置有相鄰像素單元的透明公共電極3b，通過多條連接線14將一個透明公共電極3a和其周圍的相鄰像素單元的透明公共電極3b連接。這樣一來，在陣列基板的邊緣，控制電路通過公共電極線13向透明公共電極3進行充電時，連接線14的單向的連接使每個透明公共電極3上所積累的電荷更快地均勻，進而也加快了控制電路對于透明公共電極3的充電速度。進一步地，透明公共電極3和公共電極線的材料為透明導(dǎo)電材料,例如透明公共電極3和公共電極線可以為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物。這樣一來，公共電極線與連接線14的結(jié)構(gòu)和材料相同，不會對光線進行遮擋，進一步地避免了公共電極線為金屬材料時對出射光線的遮蔽，提高了像素單元的開口率。并且，當(dāng)公共電極線采用金屬材料時，厚度一般維持在3000-4000埃，而采用如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物等透明導(dǎo)電材料的形成的連接線14可以將厚度保持在400-500埃，厚度量級較低，從而當(dāng)絕緣層4覆蓋透明公共電極3和連接線14時，在絕緣層4表面不會出現(xiàn)明顯的突起。這樣一來，在連接線14上方的絕緣層4表面高度差較小，形成的柵線和數(shù)據(jù)線高度差也較小，避免了高度差過大時位于突起處的柵線和數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷線的情況，提聞了陣列基板的良品率。另外，該連接線14與透明公共電極3 —體成型，在制備過程中也避免了需要多次構(gòu)圖工藝才能形成所需要的圖案。并且，其中的用作公共電極線的陣列漸變邊緣的連接線14也通過透明導(dǎo)電材料形成，進而使公共電極線、連接線14和透明公共電極3 —體成型。
另一方面，為了進一步的提高充電時的均勻速度和效果，如圖4所示，相鄰像素單元的透明公共電極3b為位于透明公共電極3a的行方向和列方向兩側(cè)相鄰位置的透明公共電極。 連接線14的放射狀的連接使每個透明公共電極3上所積累的電荷更快地均勻，進而也加快了控制電路對于透明公共電極3的充電速度。實施例3與實施例I和實施例2所描述的陣列基板相對應(yīng)，本發(fā)明還提供了一種顯示模組，包括上述的陣列基板，該陣列基板，如圖I所示，包括基板1、TFT2、柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成多個像素單元，每個像素單元形成有透明公共電極3，TFT2形成于透明公共電極3上，TFT2和透明公共電極3之間形成有絕緣層4。該TFT2，包括在絕緣層4上形成的柵線和柵極5 ;覆蓋柵線、柵極5和絕緣層4的柵絕緣層6 ;在柵絕緣層6上與柵極5相對應(yīng)的有源層7、歐姆接觸層8、數(shù)據(jù)線、源極11a、漏極lib、源漏絕緣層9和像素電極10，其中有源層7的材料為非晶硅，歐姆接觸層8的材料為摻雜了氮離子的非晶硅材料。在基板I上，可以形成有公共電極線13，透明公共電極3部分覆蓋于公共電極線13上。本發(fā)明實施例提供的顯示模組，將透明公共電極和柵線分層設(shè)置，從而也可以將公共電極線和柵線分層設(shè)置，從而避免通過低透過率的金屬材料形成的柵線和公共電極線同層分別設(shè)置，提高了像素單元的開口率，提高了 LCD的亮度。另外，在陣列基板的邊緣，降低了公共電極線對于柵線的布線的影響，而使柵線的布線更加靈活，從而可以降低陣列基板邊緣的尺寸，實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計，并且，公共電極線、柵線和數(shù)據(jù)線的分層設(shè)置也避免了各個線之間出現(xiàn)短路的情況。實施例4與上述實施例I和實施例2所述的陣列基板相對應(yīng)，本發(fā)明還提供了一種陣列基板制備方法，如圖5所示,包括100、在基板上形成透明公共電極。在對基板I進行清洗后，將基板I移入沉積設(shè)備中，啟動沉積設(shè)備在基板I表面通過沉積和構(gòu)圖工藝分別形成透明公共電極3和公共電極線，這里可以為每個透明公共電極3設(shè)置對應(yīng)的公共電極線，透明公共電極3和公共電極線連接，其中公共電極線和透明公共電極3的材料可以相同，這樣一來便可以通過一次構(gòu)圖工藝一體成型；其中，透明公共電極3可以形成如圖I所示部分覆蓋公共電極線的結(jié)構(gòu)，此時為了增大像素單元的開口率，公共電極線形成在與后述的柵線相對應(yīng)的位置；但是，上述公共電極線和透明公共電極3也可以通過其他方式構(gòu)成，在此不作具體限制。透明公共電極3的材料為透明導(dǎo)電材料，公共電極線可以由透明導(dǎo)電材料或金屬材料形成，在此不作限制。101、形成覆蓋透明公共電極和基板的絕緣層。在形成透明公共電極3和公共電極線的基板I上，沉積絕緣層4，該絕緣層4的材料為氮化硅或有機絕緣材料等，在此不作限制。形成的絕緣層4覆蓋透明公共電極3、公共電極線和基板1，以此可以使公共電極3和公共電極線與柵線分層設(shè)置。另一方面，當(dāng)透明公共電極3a與相鄰像素單元的透明公共電極3b通過連接線14進行連接時，絕緣層4也同樣的需要覆蓋連接線14。102、在絕緣層上形成TFT、柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素單元，透明公共電極與像素單兀 對應(yīng)。在形成的絕緣層4表面沉積形成金屬材料層，并且通過構(gòu)圖工藝，刻蝕形成柵線和柵極5。在形成的柵線上，沉積柵絕緣層6，該柵絕緣層6的材料可為氮化硅或有機絕緣材料，在此不作限制。形成柵絕緣層6后，在基板I上依次形成有源層7、歐姆接觸層8、數(shù)據(jù)線、源漏絕緣層9和像素電極10。其中，如圖I所示，在柵絕緣層6上方，與柵極5相對應(yīng)形成由有源層7和歐姆接觸層8 ;相互隔離的源極Ila和漏極Ilb的部分設(shè)置于歐姆接觸層8兩側(cè)，并且其中之一與數(shù)據(jù)線相連；在數(shù)據(jù)線、源極Ila和漏極Ilb上覆蓋有源漏絕緣層9，該源漏絕緣層9在源極IIa和漏極Ilb之間延伸至有源層7 ;在漏極Ilb上方的源漏絕緣層9上設(shè)置有過孔12，在該過孔12處設(shè)置有延伸至源漏絕緣層9表面的像素電極10，該像素電極10在過孔12中與漏極Ilb接觸。在基板I上，柵線和數(shù)據(jù)線交錯地形成于透明公共電極3上，并且位于相鄰的透明公共電極3之間。該源漏絕緣層9的材料同樣的可以為氮化硅或有機絕緣材料。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制備方法，將透明公共電極和柵線分層設(shè)置，從而也可以將公共電極線和柵線分層設(shè)置，從而避免通過低透過率的金屬材料形成的柵線和公共電極線同層分別設(shè)置，提高了像素單元的開口率，提高了 LCD的亮度。另外，在陣列基板的邊緣，降低了公共電極線對于柵線的布線的影響，而使柵線的布線更加靈活，從而可以降低陣列基板邊緣的尺寸，實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計，并且，公共電極線、柵線和數(shù)據(jù)線的分層設(shè)置也避免了各個線之間出現(xiàn)短路的情況。實施例5具體地，可以進一步提高像素單元的開口率，并減少制備工序，在基板上形成透明公共電極，如圖6所示,包括200、在基板上形成透明導(dǎo)電材料薄膜。在基板I上沉積透明導(dǎo)電材料薄膜該透明導(dǎo)電材料可為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物等，在基板I表面形成的透明導(dǎo)電材料薄膜，厚度可以控制在400-500埃，當(dāng)然厚度也可以根據(jù)實際的需要進行設(shè)置，在此不作限制。201、通過構(gòu)圖工藝一體形成透明公共電極和連接線，其中透明公共電極通過連接線與相鄰像素單元的透明公共電極連接。沉積完成后，將基板I移入刻蝕設(shè)備中，在沉積有透明導(dǎo)電材料薄膜的基板I上涂覆光刻膠，對光刻膠進行曝光顯影，刻蝕掉光刻膠未覆蓋的部分；清洗基板I表面剩余的光刻膠，形成如圖2或3所示的結(jié)構(gòu)，其中，透明公共電極3和連接線14 一體成型，連接線14可以行方向或列方向單向地連接透明公共電極3a和相鄰像素單元的透明公共電極3b。此時，相鄰像素單元的透明公共電極3b為位于透明公共電極3a的行方向或列方向兩側(cè)相鄰位置的透明公共電極。為了在充電時加快對透明公共電極3的充電速度，并且使其上積累的電荷更加均勻，進一步地，如圖4所示，相鄰像素單元的透明公共電極3b為位于透明公共電極3a的行方向和列方向兩側(cè)相鄰位置的透明公共電極。通過多條連接線14將一個透明公共電極3a和其周圍的相鄰像素單元的透明公共電極3b連接。這樣一來，在陣列基板的邊緣，控制電路通過形成并覆蓋邊緣的透明公共電極的公共電極線，向透明公共電極3進行充電時，連接線14的放射狀的連接使每個透明公共電極3上所積累的電荷更快地均勻，進而也加快了控制電路對于透明公共電極3的充電速度。并且在上述過程中，位于陣列基板邊緣的公共電極線也可以由透明導(dǎo)電材料形成，這樣一來公共電極線、透明公共電極3和連接線14都可以一體成型，節(jié)省了形成公共電極線所使用的材料，并且可以一體成型，也減少了對應(yīng)工序。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成多個像素單元，其特征在于，所述每個像素單元形成有透明公共電極，所述薄膜晶體管形成于所述透明公共電極上，所述薄膜晶體管和透明公共電極之間形成有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，在所述基板上所述透明公共電極通過連接線與相鄰像素單元的透明公共電極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述相鄰像素單元的透明公共電極為位于所述透明公共電極的行方向或列方向兩側(cè)相鄰位置的透明公共電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述相鄰相鄰像素單元的透明公共電極為位于所述透明公共電極的行方向和列方向兩側(cè)相鄰位置的透明公共電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述連接線和所述透明公共電極一體成型。
6.—種顯不模組,其特征在于,包括權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板。
7.—種陣列基板制備方法，其特征在于，包括 在基板上形成透明公共電極； 形成覆蓋所述透明公共電極和所述基板的絕緣層； 在所述絕緣層上形成薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素區(qū)域，所述透明公共電極與所述像素單元一一對應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在基板上形成透明公共電極，包括 在所述基板上形成所述透明導(dǎo)電材料薄膜； 通過構(gòu)圖工藝一體形成所述透明公共電極和連接線，其中所述透明公共電極通過所述連接線與相鄰像素單元的透明公共電極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述相鄰像素單元的透明公共電極為 位于所述透明公共電極的行方向或列方向兩側(cè)相鄰位置的透明公共電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述相鄰像素單元的透明公共電極為位于所述透明公共電極的行方向和列方向兩側(cè)相鄰位置的透明公共電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示模組及其制備方法，屬于顯示領(lǐng)域，解決了公共電極線和柵線所占的寬度過大，降低了像素單元的開口率的問題而設(shè)計。一種陣列基板，包括薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成多個像素單元，所述每個像素單元形成有透明公共電極，所述薄膜晶體管形成于所述透明公共電極上，所述薄膜晶體管和透明公共電極之間形成有絕緣層。
文檔編號H01L27/12GK102981336SQ20121050188
公開日2013年3月20日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者郤玉生, 林鴻濤, 白金超 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司