一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陽(yáng)極、功能層、陰極、封裝層及封裝蓋，基底和封裝蓋形成封閉空間，陽(yáng)極、功能層、陰極和封裝層容置在該封閉空間內(nèi)，所述封裝層依次包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、氟化物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散熱層；所述碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥，本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該方法可有效地減少水汽、氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，可顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件相關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無(wú)視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。[0004]傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進(jìn)行封裝，其邊沿用紫外聚合樹(shù)脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應(yīng)用于柔性有機(jī)電致放光器件的封裝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件可有效地減少水汽、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料和電極免遭破壞，對(duì)器件的壽命有顯著的提高。本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，
[0007]包括依次層疊的基板、陽(yáng)極、功能層、陰極、封裝層和封裝蓋，基板和封裝蓋形成封閉空間，陽(yáng)極、功能層、陰極、封裝層容置在該封閉空間內(nèi)，所述封裝層依次包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、氟化物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散熱層；
[0008]所述碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，其中，所述碳化物材料為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿，所述氮化物材料為四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氮化鉭或氮化鈦，所述碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1:6~14:19 ;所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥。
[0009]優(yōu)選地，所述碳氮化合物膜的厚度為80nm~150nm ;所述氟化物膜的厚度為80nm ~150nmo
[0010]優(yōu)選地，所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N，N’ - (1-萘基)4，^-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm~300nm ；
[0011]所述有機(jī)阻擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂，所述有機(jī)阻擋層的厚度為I μ m~1.5 μ m。[0012]優(yōu)選地，所述濕氣吸收層的材料為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂，所述濕氣吸收層的厚度為IOOnm~200nm ；
[0013]所述散熱層的材料為鋁、銀、銅或他們的組合物，厚度為200nm~500nm ;及
[0014]所述封裝蓋為金屬薄片，金屬薄片的材料為銀、鋁或銅。
[0015]優(yōu)選地，所述碳氮化合物膜與所述氟化物膜交替層疊設(shè)置，層疊層數(shù)大于等于三層。
[0016]本發(fā)明另一方面提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0017]在潔凈的玻璃基板或有機(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極；采用真空蒸鍍的方法在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次制備功能層、陰極和封裝層，采用紫外光固化方式將封裝蓋進(jìn)行封裝，使所述基板和所述封裝蓋形成封閉空間；
[0018]所述封裝層的制備包括首先在陰極上采用真空蒸鍍的方式制備所述保護(hù)層；
[0019]在所述保護(hù)層上采用磁控濺射共濺制備所述碳氮化合物膜，其中，所述碳化物材料為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿，所述氮化物材料為四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氮化鉭或氮化鈦，所述磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為I X IO-5Pa~I X 10?,膜層厚度設(shè)置為80nm~150nm，將所述碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1:6~14:19作為祀材,在派射速率為5nm/min~40nm/min條件下進(jìn)行磁控濺射得到碳氮化合物膜，再在所述碳氮化合物膜上通過(guò)真空蒸發(fā)的方式制備所述氟化物膜，所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥，所述真空蒸發(fā)的方式為真空度8 X KT5Pa~3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S ~ 2A /s;
[0020]然后在所述碳氮化合物膜上采用先旋涂后曝光的工藝制備所述有機(jī)阻擋層，所述先旋涂后曝光的工藝過(guò)程為，將所述有機(jī)阻擋層材料旋涂，然后用波長(zhǎng)為200nm~400nm紫外光固化，光強(qiáng)為10mW/cm2~15mW/cm2,曝光時(shí)間200s~300s ；
[0021]接著在所述有機(jī)阻擋層上采用濺射方式制備所述濕氣吸收層，在所述濕氣吸收層上真空蒸鍍所述散熱片；
[0022]最后采用封裝膠將金屬薄片封裝形成封裝蓋，使所述基板和所述封裝蓋形成密閉空間，將所述陽(yáng)極、功能層、陰極和封裝層容置在該封閉空間內(nèi)。
[0023]優(yōu)選地,所述所述碳氮化合物膜的厚度為80nm~150nm ;所述氟化物膜的厚度為80nm ~150nmo
[0024]優(yōu)選地，所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N，N’ - (1-萘基)4，^-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm~300nm ；
[0025]所述有機(jī)擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂，所述有機(jī)擋層的厚度為I μ m~1.5 μ m。
[0026]優(yōu)選地，所述濕氣吸收層的材料為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂，所述濕氣吸收層的厚度為IOOnm~200nm。
[0027]優(yōu)選地， 所述散熱層的材料為鋁、銀、銅或他們的組合物，所述散熱層的厚度為200nm ~500nm。
[0028]優(yōu)選地，所述封裝蓋為金屬薄片，金屬薄片的材料為銀、鋁或銅。
[0029]優(yōu)選地，重復(fù)制備所述碳氮化合物膜和所述氟化物膜的制備工藝，使所述碳氮化合物膜和所述氟化物膜層疊設(shè)置，交替層疊層數(shù)為大于等于3層。[0030]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0031]本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件可以有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命；使防水性能(WVTR)達(dá)到9.3E_5g/m2.day，壽命達(dá)15，713小時(shí)以上，本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件材料廉價(jià)，封裝方法簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備流程圖；
[0034]圖3是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層的制備流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和調(diào)整，這些改進(jìn)和調(diào)整也視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0036]根據(jù)圖1本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的基板10、陽(yáng)極20、功能層30、陰極40、封裝層50及封裝蓋60，基板10和封裝蓋60形成封閉空間，將陽(yáng)極
20、功能層30、陰極40及封裝層50封裝在該空間內(nèi)。
[0037]在本實(shí)施例中，基板10為玻璃基板或有機(jī)薄膜，該有機(jī)薄膜具體為:聚對(duì)苯二甲
酸乙二酯；
[0038]在本實(shí)施例中，在基板10上設(shè)置陽(yáng)極20，陽(yáng)極20為銦錫氧化物；
[0039]在本實(shí)施例中，功能層30形成于陽(yáng)極20表面。功能層30包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。可以理解，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時(shí)功能層30僅包括發(fā)光層；
[0040]空穴注入層為N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?IOnm ；
[0041]空穴傳輸層為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nmo
[0042]發(fā)光層材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。
[0043]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為IOnm0
[0044]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3)。CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。
[0045]需要說(shuō)明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料。
[0046]在本實(shí)施例中，在功能層30上設(shè)置陰極40，陰極40可以為單層金屬層，該單層金屬為鋁、銀及金；也可以是層疊透明陰極，該透明陰極為ITO/Ag/ITO或ZnS/Ag/ZnS。
[0047]在本實(shí)施例中，在陰極40上設(shè)置封裝層50，該封裝層50包括保護(hù)層501、碳氮化合物膜502、氟化物膜503、有機(jī)阻擋層504、濕氣吸收層505及散熱層506。
[0048]保護(hù)層501，保護(hù)層501的材料為酞菁銅、N，N’-( 1-萘基)_N，N’-二苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm?300nm。
[0049]在本實(shí)施例中，在保護(hù)層501上設(shè)置碳氮化合物膜502，碳氮化合物膜502為摻雜有氮化物的碳化物膜，其中，所述碳化物材料為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿，所述氮化物材料為四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氮化鉭或氮化鈦，所述碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1:6?14:19;
[0050]在本實(shí)施例中，碳氮化合物膜502的厚度為80nm?150nm。
[0051]在本實(shí)施例中，在碳氮化合物膜502表面設(shè)置氟化膜，所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥。
[0052]在本實(shí)施例中，所述氟化物膜的厚度為80nm?150nm。
[0053]在本實(shí)施例中，所述碳氮化合物膜502和氟化物膜503交替層疊設(shè)置，交替層疊層數(shù)為大于等于3層。
[0054]將碳氮化合物膜和氟化物膜交替層疊設(shè)置能夠延長(zhǎng)水氧滲透路徑，交替設(shè)置可彌補(bǔ)孔隙，使有機(jī)物和無(wú)機(jī)物結(jié)合從而可緩解應(yīng)力。
[0055]在氟化物膜上設(shè)置有機(jī)阻擋層504，有機(jī)阻擋層504的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂，厚度為I μ m?1.5 μ m。
[0056]在本實(shí)施例中，在有機(jī)阻擋層504表面設(shè)置濕氣吸收層505，濕氣吸收層505的材料為氧化韓、氧化鋇、氧化銀或氧化鎂，厚度為IOOnm?200nm。
[0057]在本實(shí)施例中，在濕氣吸收層505表面設(shè)置散熱層506,散熱層506的材料為招、銀、銅或他們的組合物，厚度為200nm?500nm。
[0058]在本實(shí)施例中，以基底10為界采用封裝蓋60進(jìn)行封裝，使基底10與封裝蓋60之間形成密閉空間，將上述各層設(shè)置在該密閉空間內(nèi)，所述封裝蓋60為金屬薄片，金屬薄片包括銀、鋁或銅薄片。
[0059]根據(jù)圖2可知本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，具體步驟包括:
[0060]SlOl在基板10上制備陽(yáng)極20，并在陽(yáng)極20上形成功能層30。
[0061]功能層30包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0062]基底10可以為玻璃基底或有機(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。基底10具有制備有陽(yáng)極20，陽(yáng)極20為ITO層。ITO層的厚度為100nnTl50nm。
[0063]基板10表面在形成陽(yáng)極20和功能層30之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加基底10表面的含氧量以提聞基底10表面的功函數(shù)。具體為，將基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0064]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0065]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S。
[0066]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_%，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0067]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0068]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0069]需要說(shuō)明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時(shí)功能層20僅包括發(fā)光層。
[0070]步驟S120、在功能層30表面形成陰極40。
[0071]陰極30可以為單層結(jié)構(gòu)。陰極30的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)、銀(Ag)或金(Au)，陰極30由真空蒸鍍形成，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S。也可以是層疊透明陰極，該透明陰極為ITO/Ag/ITO或ZnS/Ag/ZnS。
[0072]步驟S130、在陰極40上蒸鍍形成封裝層50。
[0073]根據(jù)圖3可知，封裝層的制備步驟如下:
[0074]封裝層依次包括保護(hù)層501、碳氮化合物膜502、有機(jī)阻擋層504、濕氣吸收層505及散熱層506。
[0075]步驟S1301、在陰極40上蒸鍍形成保護(hù)層501，保護(hù)層501的材料為酞菁銅、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm~300nm。蒸鍍條件為，真空度為8 X KT5Pa~3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A /s ~ 5 A /s;
[0076]步驟S1302、在保護(hù)層502上采用磁控濺射制作碳氮化合物膜502，碳氮化合物膜502為摻雜有碳化物的氮化物膜,其中，所述碳化物材料為碳化娃、碳化鶴、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿，所述氮化物材料為四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氮化鉭或氮化鈦，所述碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1:6~14:19。其中，磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，膜層厚度設(shè)置為80nm~150nm，將碳化物與氮化物的質(zhì)量比為1:6~14:19作為靶材，在濺射速率為5nm/min-40nm/min進(jìn)行磁控派射得到碳氮化合物膜502。
[0077]步驟S1303、 在碳氮化合物膜502真空蒸發(fā)氟化物膜503，所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥，所述真空蒸發(fā)的方式為真空度8X10_5Pa~3 X 10?,蒸發(fā)速度0.5 A/S ~ Ik /S。
[0078]步驟S1304、在氟化物膜503旋涂有機(jī)阻擋層504，然后在惰性氣氛下采用紫外光固化，紫外光固化條件為波長(zhǎng)200nm~400nm,光強(qiáng)10mW/cm2~15mW/cm2,曝光時(shí)間200s~300s，有機(jī)阻擋層504厚度為I μ m~1.5 μ m ;
[0079]步驟S1305、在有機(jī)阻擋層504上采用濺射方式制備濕氣吸收層505，濕氣吸收層505的材料為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂，厚度為IOOnm~200nm。濺射條件為所述濺射方式具體為真空度IX IO-5Pa~I X 10?,蒸射速度IA ~ 5A/s;
[0080]步驟S1306、在濕氣吸收層505上采用蒸鍍?nèi)f式制備散熱層506，散熱層506的材料為鋁、銀、銅或他們的組合物，厚度為200nm~500nm。蒸鍍條件為，真空度為8 X 10_5Pa~3 X IO-5Pa,蒸發(fā)速度IA /S ~ 5 A /s;
[0081]在優(yōu)選的實(shí)施例中，通過(guò)交替重復(fù)步驟S1303和步驟S1304制備層疊設(shè)置的碳氮化合物膜502和氟化物膜503，交替層疊層數(shù)為大于等于3層；
[0082]通過(guò)步驟S1302到步驟S1306形成封裝層；
[0083]步驟S140、在封裝層50表面形成封裝蓋60。
[0084]在封裝蓋邊緣涂敷布封裝膠，采用紫外光固化干燥的方式硬化封裝膠，紫外光波長(zhǎng)為200nm~400nm,光強(qiáng)為10mW/cm2~15mW/cm2,曝光時(shí)間300s~400s,使封裝蓋60與基板10之間形成密閉空間。
[0085]實(shí)施例1:
[0086]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0087]1、基板前處理及陽(yáng)極的制備:依次采用丙酮、乙醇、去離子水和乙醇采用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌清洗時(shí)間為5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，使用烘箱烤干后待用；在基板上設(shè)置ITO玻璃，對(duì)負(fù)載有ITO玻璃的基板進(jìn)行表面活化處理，以增表面層的含氧量，提高陽(yáng)極表面的功函數(shù)；ITO玻璃厚度`為IOOnm ；
[0088]2、功能層的制備:
[0089]在陽(yáng)極上蒸鍍空穴注入層；
[0090]空穴注入層的材料包括Ν，Ν' -二(1-萘基)_Ν，Ν' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1A/s::,;
[0091 ] 在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層；
[0092]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3父10-5?&，蒸發(fā)速度為0.1人/5..,
[0093]在空穴傳輸層上蒸鍍發(fā)光層；
[0094]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-中&，蒸發(fā)速度為0.2入/5。
[0095]在發(fā)光層上蒸鍍電子傳輸層；
[0096]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.1人/8。
[0097]在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層；
[0098]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2~8。
[0099]3、在電子注入層上蒸鍍陰極:
[0100]金屬陰極采用鋁(Al)，厚度為lOOnm，蒸鍍真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/s;
[0101]4、封裝層的制備:
[0102]在陰極上設(shè)置封裝層，封裝層包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、氟化物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層及散熱層；
[0103]在陰極上蒸鍍形成保護(hù)層，保護(hù)層的材料為酞菁銅，保護(hù)層的厚度為200nm。蒸鍍條件為，真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5 A /S；
[0104]在保護(hù)層上采用磁控濺射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料為碳化硅，氮化物材料為四氮化三硅，碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1:4。其中，磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為lX10_5Pa，膜層厚度設(shè)置為120nm，在濺射速率為5nm/min進(jìn)行磁控濺射得到碳氮化合物膜。
[0105]在碳氮化合物膜上真空蒸發(fā)氟化物膜，氟化物膜的材料為氟化鋁，真空蒸發(fā)的真空度為5父10-七1，蒸發(fā)速度_1人/3，厚度IOOnm;
[0106]在氟化物膜上旋涂有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層材料為聚四氟乙烯，然后在惰性氣氛下采用紫外光固化，紫外光固化條件為波長(zhǎng)365nm，光強(qiáng)10mW/cm2，曝光時(shí)間200s，有機(jī)阻擋層厚度為Ium;·
[0107]碳氮化合物膜和氟化物膜交替制備三次；
[0108]在有機(jī)阻擋層上采用濺射方式制備濕氣吸收層，濕氣吸收層的材料為氧化鈣，厚度為200nm。濺射條件為所述濺射方式具體為真空度2X 10_4Pa，蒸射速度5A/s;
[0109]在濕氣吸收層上采用蒸鍍方式制備散熱層，散熱層的材料為鋁，厚度為200nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度IA /S；
[0110]5、封裝蓋的制備:
[0111]在封裝蓋邊緣涂敷布封裝膠，采用紫外光固化干燥的方式硬化封裝膠，紫外光波長(zhǎng)為365nm,光強(qiáng)為llmW/cm2,曝光時(shí)間350s,使封裝蓋與基板之間形成密閉空間。
[0112]實(shí)施例2:
[0113]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0114]1、2、3 同實(shí)施例1;
[0115]4、封裝層的制備:
[0116]在陰極上設(shè)置封裝層，封裝層包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層及散熱層；
[0117]在陰極上蒸鍍形成保護(hù)層，保護(hù)層的材料為N，N’ - (1-萘基)_N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺，保護(hù)層的厚度為300nm。蒸鍍條件為，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為 5A /s;
[0118]在保護(hù)層上采用磁控濺射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料為碳化鎢，氮化物材料為氮化鋁，碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1:19。其中，磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為2 X 10_4Pa，膜層厚度設(shè)置為lOOnm，在濺射速率為lnm/min進(jìn)行磁控濺射得到碳氮化合物膜。
[0119]在碳氮化合物膜上真空蒸發(fā)氟化物膜，氟化物膜的材料為四氟化鉿，真空蒸發(fā)的真空度為5父10_%1，蒸發(fā)速度0.5人/S，厚度80nm;
[0120]在氟化物膜上旋涂有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層材料為甲基丙烯酸樹(shù)脂，然后在惰性氣氛下米用紫外光固化，紫外光固化條件為波長(zhǎng)365nm,光強(qiáng)15mW/cm2,曝光時(shí)間200s,有機(jī)阻擋層厚度為1.5 μ m ;
[0121 ] 碳氮化合物膜和氟化物膜交替制備三次；
[0122]在有機(jī)阻擋層上采用濺射方式制備濕氣吸收層，濕氣吸收層的材料為氧化鋇，厚度為200nm。濺射條件為所述濺射方式具體為真空度2X 10_4Pa，蒸射速度5A/s_;
[0123]在濕氣吸收層上采用蒸鍍方式制備散熱層，散熱層的材料為銀，厚度為500nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度5人/S；
[0124]5、封裝蓋的制備:
[0125]在封裝蓋邊緣涂敷布封裝膠，封裝蓋的材料為鋁薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封裝膠，紫外光波長(zhǎng)為365nm,光強(qiáng)為IOmW/cm2,曝光時(shí)間400s,使封裝蓋與基板之間形成密閉空間。
[0126]實(shí)施例 3:
[0127]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0128]1、2、3 同實(shí)施例1 ；
[0129]4、封裝層的制備:
[0130]在陰極上設(shè)置封裝層，封裝層包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層及散熱層；
[0131]在陰極上蒸鍍形成保護(hù)層，保護(hù)層的材料為八羥基喹啉鋁，保護(hù)層的厚度為250nm。蒸鍍條件為，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2人/s;
[0132]在保護(hù)層上采用磁控濺射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料為碳化鉭，氮化物材料為氮化硼，碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為3: 7。其中，磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為2 X IO-4Pa,膜層厚度設(shè)置為150nm，在濺射速率為40nm/min進(jìn)行磁控濺射得到碳氮化合物膜。
[0133]在碳氮化合物膜上真空蒸發(fā)氟化物膜，氟化物膜的材料為氟化鈰，真空蒸發(fā)的真空度為5父10-^，蒸發(fā)速度2人/S，厚度150nm;
[0134]在氟化物膜上旋涂有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層材料為環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂，然后在惰性氣氛下米用紫外光固化，紫外光固化條件為波長(zhǎng)365nm,光強(qiáng)IlmW/cm2,曝光時(shí)間230s,有機(jī)阻擋層厚度為1.2μπι;
[0135]碳氮化合物膜和氟化物膜交替制備四次；
[0136]在有機(jī)阻擋層上采用濺射方式制備濕氣吸收層，濕氣吸收層的材料為氧化鍶，厚度為150nm。濺射條件為所述濺射方式具體為真空度2 X 10_4Pa，蒸射速度5A/S;
[0137]在濕氣吸收層上采用蒸鍍方式制備散熱層，散熱層的材料為銅，厚度為300nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度2A /S；
[0138]5、封裝蓋的制備:
[0139]在封裝蓋邊緣涂敷布封裝膠，封裝蓋的材料為銅薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封裝膠，紫外光波長(zhǎng)為365nm,光強(qiáng)為15mW/cm2,曝光時(shí)間300s,使封裝蓋與基板之間形成密閉空間。
[0140]實(shí)施例4:
[0141]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0142]1、2、3 同實(shí)施例1 ；
[0143]4、封裝層的制備:
[0144]在陰極上設(shè)置封裝層，封裝層包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層及散熱層；
[0145]在陰極上蒸鍍形成保護(hù)層，保護(hù)層的材料為氧化硅，保護(hù)層的厚度為200nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A /S；
[0146]在保護(hù)層上采用磁控濺射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料為碳化硼，氮化物材料為氮化硅，碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1: 4。其中，磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為2 X IO-4Pa,膜層厚度設(shè)置為120nm，在濺射速率為20nm/min進(jìn)行磁控濺射得到碳氮化合物膜。
[0147]在碳氮化合物膜上真空蒸發(fā)氟化物膜，氟化物膜的材料為氟化鈰，真空蒸發(fā)的真空度為5父10_七1，蒸發(fā)速度:1人/8，厚度120nm;`[0148]在氟化物膜上旋涂有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層材料為聚四氟乙烯，然后在惰性氣氛下采用紫外光固化，紫外光固化條件為波長(zhǎng)365nm，光強(qiáng)10mW/cm2，曝光時(shí)間200s，有機(jī)阻擋層厚度為Ium;
[0149]碳氮化合物膜和氟化物膜交替制備五次；
[0150]在有機(jī)阻擋層上采用濺射方式制備濕氣吸收層，濕氣吸收層的材料為氧化鎂，厚度為lOOnm。濺射條件為所述濺射方式具體為真空度2X10_4Pa，蒸射速度5A/S;
[0151]在濕氣吸收層上采用蒸鍍方式制備散熱層，散熱層的材料為銅鋁合金，銅和鋁的質(zhì)量比為3:1，厚度為500nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2人/s;
[0152]5、封裝蓋的制備:
[0153]在封裝蓋邊緣涂敷布封裝膠，封裝蓋的材料為銅薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封裝膠，紫外光波長(zhǎng)為365nm,光強(qiáng)為llmW/cm2,曝光時(shí)間350s,使封裝蓋與基板之間形成密閉空間。
[0154]實(shí)施例5:
[0155]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0156]1、2、3 同實(shí)施例1 ；
[0157]4、封裝層的制備:
[0158]在陰極上設(shè)置封裝層，封裝層包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層及散熱層；
[0159]在陰極上蒸鍍形成保護(hù)層，保護(hù)層的材料為氟化鎂，保護(hù)層的厚度為300nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為5A /S；[0160]在保護(hù)層上采用磁控濺射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料為碳化鈦，氮化物材料為氮化鉭，碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1: 9。其中，磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為2 X IO-4Pa,膜層厚度設(shè)置為llOnm，在濺射速率為lnm/min進(jìn)行磁控濺射得到碳氮化合物膜。
[0161]在碳氮化合物膜上真空蒸發(fā)氟化物膜，氟化物膜的材料為氟化銥，真空蒸發(fā)的真空度為5父10-七1，蒸發(fā)速度1人/8,厚度IOOnm;
[0162]在氟化物膜上旋涂有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層材料為甲基丙烯酸樹(shù)脂，然后在惰性氣氛下米用紫外光固化，紫外光固化條件為波長(zhǎng)365nm,光強(qiáng)15mW/cm2,曝光時(shí)間200s,有機(jī)阻擋層厚度為1.5 μ m ;
[0163]在有機(jī)阻擋層上采用濺射方式制備濕氣吸收層，濕氣吸收層的材料為氧化鈣，厚度為200nm。濺射條件為所述濺射方式具體為真空度2X 10_4Pa，蒸射速度5A/s;
[0164]在濕氣吸收層上采用蒸鍍方式制備散熱層，散熱層的材料為銅鋁合金，銅和鋁的質(zhì)量比為3:1，厚度為500nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/s;
[0165]5、封裝蓋的制備:
[0166]在封裝蓋邊緣涂敷布封裝膠，封裝蓋的材料為銅薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封裝膠，紫外光波長(zhǎng)為365nm,光強(qiáng)為15mW/cm2,曝光時(shí)間400s,使封裝蓋與基板之間形成密閉空間。
[0167]實(shí)施例6:
[0168]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0169]1、2、3 同實(shí)施例1 ；
[0170]4、封裝層的制備:
[0171]在陰極上設(shè)置封裝層，封裝層包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層及散熱層；
[0172]在陰極上蒸鍍形成保護(hù)層，保護(hù)層的材料為硫化鋅，保護(hù)層的厚度為250nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2人/S；
[0173]在保護(hù)層上采用磁控濺射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料為碳化鉿，氮化物材料為氮化鈦，碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為3:17。其中，磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為2X10_4Pa，膜層厚度設(shè)置為130nm，在濺射速率為5nm/min進(jìn)行磁控濺射得到碳氮化合物膜。
[0174]在碳氮化合物膜上真空蒸發(fā)氟化物膜，氟化物膜的材料為氟化鈰，真空蒸發(fā)的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度IA /S，厚度IOOnm;
[0175]在氟化物膜上旋涂有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層材料為環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂，然后在惰性氣氛下米用紫外光固化，紫外光固化條件為波長(zhǎng)365nm,光強(qiáng)IlmW/cm2,曝光時(shí)間230s,有機(jī)阻擋層厚度為1.2 μ m ;
[0176]在有機(jī)阻擋層上采用濺射方式制備濕氣吸收層，濕氣吸收層的材料為氧化鋇，厚度為150nm。濺射條件為所述濺射方式具體為真空度2 X 10_4Pa，蒸射速度5人/s;
[0177]在濕氣吸收層上采用蒸鍍方式制備散熱層，散熱層的材料為銀，厚度為300nm。蒸鍍條件為，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度3 A /S；
[0178]碳氮化合物膜和氟化物膜交替制備八次；
[0179]5、封裝蓋的制備:
[0180]在封裝蓋邊緣涂敷布封裝膠，封裝蓋的材料為銅薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封裝膠，紫外光波長(zhǎng)為365nm,光強(qiáng)為llmW/cm2,曝光時(shí)間350s,使封裝蓋與基板之間形成密閉空間。
[0181]效果實(shí)施例
[0182]為有效證明本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法的有益效果，提供相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下。
[0183]有機(jī)電致發(fā)光器件水氧滲透率的測(cè)試條件為:設(shè)備:吉時(shí)利公司的Keithley2400，樣品架；方法:測(cè)試Ca膜電阻的變化；條件:溫度20°C~25°C，濕度40%~60%ο結(jié)果如下:
[0184]表1.實(shí)施例1飛有機(jī)電致發(fā)光器件水氧滲透率
[0185]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陽(yáng)極、功能層、陰極、封裝層和封裝蓋，基板和封裝蓋形成封閉空間，陽(yáng)極、功能層、陰極、封裝層容置在該封閉空間內(nèi)，其特征在于，所述封裝層依次包括保護(hù)層、碳氮化合物膜、氟化物膜、有機(jī)阻擋層、濕氣吸收層和散執(zhí)層.所述碳氮化合物膜為摻雜有碳化物的氮化物膜，其中，所述碳化物材料為碳化娃、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿，所述氮化物材料為四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氮化鉭或氮化鈦，所述碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1:6~14:19 ;所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述碳氮化合物膜的厚度為80nm~150nm ;所述氟化物膜的厚度為80nm~150nm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm~300nm ； 所述有機(jī)阻擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂，所述有機(jī)阻擋層的厚度為I μ m~1.5 μ m。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述濕氣吸收層的材料為氧化鈣、氧化鋇、氧化銀或氧化鎂，所述濕氣吸收層厚度為IOOnm~200nm ； 所述散熱層的材料為鋁、銀、銅或他們的組合物，所述散熱層的厚度為200nm~500nm ；及 所述封裝蓋為金屬薄片，金屬薄片的材料為銀、鋁或銅。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在 于，所述碳氮化合物膜與所述氟化物膜交替層疊設(shè)置，層疊層數(shù)大于等于三層。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在潔凈的玻璃基板或有機(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極；采用真空蒸鍍的方法在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次制備功能層、陰極和封裝層，采用紫外光固化方式將封裝蓋進(jìn)行封裝，使所述基板和所述封裝蓋形成封閉空間； 所述封裝層的制備包括首先在陰極上采用真空蒸鍍的方式制備所述保護(hù)層； 在所述保護(hù)層上采用磁控濺射共濺制備所述碳氮化合物膜，其中，所述碳化物材料為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿，所述氮化物材料為四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氮化鉭或氮化鈦，所述磁控濺射條件為:采用三靶磁控濺射沉積系統(tǒng)，設(shè)置本底真空度為I X 10_5Pa~I X 10?,膜層厚度設(shè)置為80nm~150nm，將所述碳化物與所述氮化物的質(zhì)量比為1:6~14:19作為祀材,在派射速率為5nm/min~40nm/min條件下進(jìn)行磁控濺射得到碳氮化合物膜，再在所述碳氮化合物膜上通過(guò)真空蒸發(fā)的方式制備所述氟化物膜，所述氟化物膜的材料為氟化鋁、四氟化鉿、四氟化鋯、氟化鈰或氟化銥，所述真空蒸發(fā)的方式為真空度8 X KT5Pa~3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S ~ 2A /s; 然后在所述氟化物膜上采用先旋涂后曝光的工藝制備所述有機(jī)阻擋層，所述先旋涂后曝光的工藝過(guò)程為，將所述有機(jī)阻擋層材料旋涂，然后用波長(zhǎng)為200nm~400nm紫外光固化，光強(qiáng)為10mW/cm2~15mW/cm2,曝光時(shí)間200s~300s ； 接著在所述有機(jī)阻擋層上采用濺射方式制備所述濕氣吸收層，在所述濕氣吸收層上真空蒸鍍所述散熱片； 最后采用封裝膠將金屬薄片封裝形成封裝蓋，使所述基板和所述封裝蓋形成密閉空間，將所述陽(yáng)極、功能層、陰極和封裝層容置在該封閉空間內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述碳氮化合物膜的厚度為80nm~150nm ;所述氟化物膜的厚度為80nm~150nm。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm~300nm ； 所述有機(jī)擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂，所述有機(jī)擋層的厚度為1 μ m~1.5 μ m。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述濕氣吸收層的材料為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂，所述濕氣吸收層的厚度為IOOnm~200nm，所述散熱層的材料為鋁、銀、銅或他們的組合物，所述散熱層的厚度為200nm~500nm，所述封裝蓋為金屬薄片，金屬薄片的材料為銀、鋁或銅。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，重復(fù)制備所述碳氮化合物膜和所述氟化物膜的制備工藝，使所述碳氮化合物膜和所述氟化物膜層疊設(shè)置，交替層疊層數(shù)為大于 等于3層。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103855320SQ201210501358
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司