一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽(yáng)極導(dǎo)電基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發(fā)光層和陰極層容置在該封閉空間內(nèi)，所述封裝層依次包括保護(hù)層、阻擋層和含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜；所述阻擋層依次包括摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層；本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該方法可有效地減少水汽、氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，可顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件相關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無(wú)視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]柔性產(chǎn)品是有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)展趨勢(shì)，但目前普遍存在壽命短，因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進(jìn)行封裝，其邊沿用紫外聚合樹(shù)脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應(yīng)用于柔性有機(jī)電致放光器件的封裝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件可有效地減少水汽、氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料和電極免遭破壞，對(duì)柔性O(shè)LED器件的壽命有顯著的提高。本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]—方面,本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽(yáng)極導(dǎo)電基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發(fā)光層和陰極層容置在該封閉空間內(nèi)，所述封裝層依次包括保護(hù)層、阻擋層和含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜；
[0007]所述阻擋層依次包括摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層；
[0008]所述摻雜氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅(Si02)、三氧化二鋁(A1203)、二氧化鈦(TiO2),二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鉿(HfO2)或五氧化二鉭(Ta2O5)中的一種與錸的氧化物摻雜形成的混合物，所述錸的氧化物在摻雜氧化物層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30% ;所述錸的氧化物包括一氧化錸(1^0)、三氧化二錸(1^203)、二氧化錸(1^02)、五氧化二錸(1^205)、三氧化錸(ReO3)或七氧化二錸(Re2O7)中的一種；
[0009]所述氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅(Si02)、三氧化二鋁(A1203)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鉿(HfO2)或五氧化二鉭(Ta2O5)；
[0010]所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂。[0011]摻雜氧化物層的材質(zhì)為兩種氧化物材料摻雜而成，致密性高，防水氧能力強(qiáng)，可以降低濕氣對(duì)器件產(chǎn)生的破壞。
[0012]所述摻雜氧化物層和氧化物層的存在，可以提高阻擋層的阻擋性能，且摻雜氧化物層和氧化物層晶格匹配度高，兩層物質(zhì)的熱膨脹系數(shù)相似，造成應(yīng)力相當(dāng)，可有效釋緩阻擋層的膜層應(yīng)力。
[0013]優(yōu)選地，所述摻雜氧化物層的厚度為100?150nm。
[0014]優(yōu)選地，所述氧化物層的厚度為100?150nm。
[0015]有機(jī)阻擋層的存在一方面可以阻擋外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，另一方面可以增加封裝層的柔性，防止封裝層出現(xiàn)裂紋，同時(shí)有機(jī)阻擋層具有質(zhì)量輕、制備簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)阻擋層的重復(fù)制備強(qiáng)化了封裝層的柔韌性。
[0016]優(yōu)選地，所述有機(jī)阻擋層的厚度為I?1.5 μ m。
[0017]優(yōu)選地，所述摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，所述阻擋層為4?7個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。
[0018]所述阻擋層為多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成，延長(zhǎng)了水、氧滲透路徑，可以達(dá)到優(yōu)良的封裝效果，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，彌補(bǔ)了單一氧化物層和單一有機(jī)物阻擋層的缺點(diǎn),延長(zhǎng)器件壽命。
[0019]保護(hù)層的存在可以保護(hù)陰極在后續(xù)操作過(guò)程中免遭破壞。
[0020]優(yōu)選地，保護(hù)層材料選自有機(jī)小分子材料、無(wú)機(jī)材料或金屬材料中的一種，優(yōu)選自酞菁銅(CuPc)、N，N，- (1-萘基)4，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)、八羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化硅(SiO)、氟化鎂(MgF2)或硫化鋅(ZnS)。優(yōu)選地，保護(hù)層的厚度為200?300nmo
[0021]優(yōu)選地，所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。
[0022]更優(yōu)選地，所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板為氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電玻璃基板。
[0023]功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地，功能層和發(fā)光層為通過(guò)真空蒸鍍的方法設(shè)置。
[0024]優(yōu)選地，所述陰極層可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)層或透明陰極層(介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層等，如IT0/Ag/IT0、ZnS/Ag/ZnS等)。
[0025]更優(yōu)選地，所述陰極層為鋁。
[0026]在含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜邊緣涂布環(huán)氧樹(shù)脂封裝膠，由紫外線固化的方式干燥硬化封裝膠，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜及基板內(nèi)。
[0027]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0028](I)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形；采用真空蒸鍍的方法在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次制備功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層；
[0029](2)阻擋層的制備方法如下:
[0030](a)采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在保護(hù)層上制備摻雜氧化物層，所述摻雜氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅(Si02)、三氧化二鋁(A1203)、二氧化鈦(Ti02)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鉿(HfO2)或五氧化二鉭(Ta2O5)中的一種與錸的氧化物摻雜形成的混合物，所述錸的氧化物在摻雜氧化物層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%?30% ;所述錸的氧化物包括一氧化錸(ReO)、三氧化二錸(Re2O3)、二氧化錸(ReO2)、五氧化二錸(Re2O5)、三氧化錸(ReO3)或七氧化二錸(Re2O7)中的一種；
[0031](b)采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在摻雜氧化物層上制備氧化物層，所述氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅(Si02)、三氧化二鋁(A1203)、二氧化鈦(Ti02)、二氧化鋯(Zr02)、二氧化鉿(HfO2)或五氧化二鉭(Ta2O5)；
[0032](C)采用先旋涂后曝光的方法在硫化物層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂；
[0033](3)在含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜邊緣涂布環(huán)氧樹(shù)脂封裝膠，由紫外線固化的方式干燥硬化封裝膠，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜及基板內(nèi)。[0034]氧化物層致密性高，防水氧能力強(qiáng)，可以降低濕氣對(duì)器件產(chǎn)生的破壞。
[0035]摻雜氧化物層和氧化物層的存在，可以提高阻擋層的阻擋性能，有效釋緩有機(jī)電致發(fā)光器件膜層應(yīng)力。
[0036]優(yōu)選地，采用非反應(yīng)磁控濺射方法制備所述摻雜氧化物層時(shí)，濺射靶材為Si02、Al2Ox, TiO2, ZrO2, HfO2 和 Ta2O5 中的一種與錸的氧化物 ReO、Re203、Re02、Re205、ReO3 和 Re2O7中的一種摻雜形成的混合物，錸的氧化物在濺射靶材中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30% ;通入氣體為氬氣，氣體流量為10~15sccm，濺射時(shí)本底真空度為1X10—5~lX10_3Pa。
[0037]優(yōu)選地，采用非反應(yīng)磁控濺射制備所述氧化物層時(shí)，濺射靶材為Si02、Al203、TiO2, ZrO2, HfO2或Ta2O5，通入氣體為氬氣，氣體流量為10~15sCCm，濺射時(shí)本底真空度為1Χ10-5 ~IXlO-3Pa0
[0038]有機(jī)阻擋層的存在一方面可以阻擋外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，另一方面可以增加封裝層的柔性，防止封裝層出現(xiàn)裂紋，同時(shí)有機(jī)阻擋層具有質(zhì)量輕、制備簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)阻擋層的重復(fù)制備強(qiáng)化了封裝層的柔韌性。
[0039]優(yōu)選地，采用先旋涂后曝光的方法制備有機(jī)阻擋層時(shí)制備條件為:在惰性氛圍下，旋涂有機(jī)阻擋層后，用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為10~15mW/cm2，曝光時(shí)間為150 ~200s。
[0040]優(yōu)選地，在步驟(C)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在有機(jī)阻擋層上制備摻雜氧化物層，再在所述摻雜氧化物層上采用步驟(b )相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述的氧化物層上采用和步驟(c )相同的方法和材質(zhì)制備摻雜氧化物層，所述摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備4~7個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層。
[0041]所述阻擋層為多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成，延長(zhǎng)了水、氧滲透路徑，可以達(dá)到優(yōu)良的封裝效果，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，彌補(bǔ)了單一氧化物層和單一有機(jī)物阻擋層的缺點(diǎn),延長(zhǎng)器件壽命。
[0042]通過(guò)真空蒸鍍的方法在陰極層上制備保護(hù)層，保護(hù)層的存在可以保護(hù)陰極在后續(xù)操作過(guò)程中免遭破壞。
[0043]優(yōu)選地，采用真空蒸鍍的方法制備保護(hù)層時(shí)真空度為3X10_5~8X10_5Pa，蒸發(fā)速度力O 5 A/s。
[0044]功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地，功能層和發(fā)光層為通過(guò)真空蒸鍍的方法設(shè)置。[0045]在含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜邊緣涂布環(huán)氧樹(shù)脂封裝膠，由紫外線固化的方式干燥硬化封裝膠，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜及基板內(nèi)。
[0046]優(yōu)選地，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化時(shí)，光強(qiáng)為10?15mW/cm2，曝光時(shí)間為300 ?400so
[0047]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0048](I)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件可以有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命；
[0049](2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件防水性能(WVTR)達(dá)到2.5E_5g/m2.day,壽命達(dá)
11,800小時(shí)以上；
[0050](3)本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃為陽(yáng)極基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為陽(yáng)極基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0051](4)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件材料廉價(jià)，封裝方法方式簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0052]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0053]以下所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和調(diào)整，這些改進(jìn)和調(diào)整也視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0054]實(shí)施例1:
[0055]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0056](I)ITO導(dǎo)電玻璃基板I前處理:將ITO導(dǎo)電玻璃基板I依次放入丙酮、乙醇、去離子水、乙醇中，分別超聲清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃基板I進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板I厚度為IOOnm ；
[0057](2)功能層及發(fā)光層的制備:
[0058]空穴注入層2:在ITO導(dǎo)電玻璃基板I上蒸鍍MoO3摻雜NPB得到的混合材料，MoO3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，蒸鍍均采用高真空鍍膜設(shè)備進(jìn)行，蒸鍍時(shí)真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/s,得到空穴注入層2，厚度為IOnm;
[0059]空穴傳輸層3:采用4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，在空穴注入層2上蒸鍍TCTA，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S，蒸發(fā)厚度為40nm ；
[0060]發(fā)光層4:在空穴傳輸層3上蒸鍍發(fā)光層4,發(fā)光層4主體材料米用1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，客體材料質(zhì)量占主體材料的5%，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/s,蒸發(fā)厚度為20nm ；[0061]電子傳輸層5的制備:在發(fā)光層4上蒸鍍4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度為3\10_午&，蒸發(fā)速度為().丨人/5，蒸發(fā)厚度為30nm ；
[0062]電子注入層6的制備:在電子傳輸層5上蒸鍍電子注入材料形成電子注入層6，電子注入層6材質(zhì)為CsN3摻雜Bphen，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.2A/s,蒸發(fā)厚度為20nm ；
[0063](3)陰極層7的制備:在電子注入層6上蒸鍍金屬陰極7，金屬陰極7采用鋁(Al)，厚度為lOOnm，蒸鍍真空度為5父10-^，蒸發(fā)速度為5人/8;
[0064](4)保護(hù)層801的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層7上制備CuPc，真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A/S，厚度為200nm ；
[0065](5)阻擋層的制備:
[0066](a)摻雜氧化物層802的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在保護(hù)層801上制備摻雜氧化物層802，摻雜氧化物層802的材質(zhì)為SiO2摻雜ReO形成的混合材料，ReO在摻雜氧化物層802中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，濺射靶材為SiO2摻雜ReO形成的混合材料，ReO在靶材中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，本底真空度為lX10_3Pa，通入氣體為氬氣(Ar)，Ar流量為15sccm,厚度為 125nm ;；
[0067](b)氧化物層803的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在摻雜氧化物層802上制備氧化物層803，氧化物層的材質(zhì)為SiO2，濺射靶材為SiO2，通入氣體為Ar，Ar流量為lOsccm，本底真空度為I X 10?,厚度為150nm ；
[0068](c)有機(jī)阻擋層804的制備:采用先旋涂后曝光的方法在氧化物層803上制備有機(jī)阻擋層804，有機(jī)阻擋層804的材質(zhì)為·聚四氟乙烯，在惰性氛圍下制作，涂膠厚度為1.5 μ m，然后用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為15mW/cm2，曝光時(shí)間為200s ；
[0069](d)摻雜氧化物層805、808、811，氧化物層806、809、812和有機(jī)阻擋層807、810、813的制備:在步驟(c)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在有機(jī)阻擋層804上制備摻雜氧化物層805，再在摻雜氧化物層805上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層806，在氧化物層806上采用和步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層807，在有機(jī)阻擋層807采用步驟(a)相同的方法和材質(zhì)制備摻雜氧化物層808，在摻雜氧化物層808上采用和步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層809，在氧化物層809上采用步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層810，在有機(jī)阻擋層810采用步驟(a)相同的方法和材質(zhì)制備摻雜氧化物層811，在摻雜氧化物層811上采用和步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備第氧化物層812，在氧化物層812上采用步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層813，最終得到含有4層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層。
[0070](6)含鋁PET膜814的覆蓋:在含鋁PET膜814邊緣涂布封裝膠，用UV光(入=365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為15mW/cm2，曝光時(shí)間為300s ;將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在含鋁PET膜814及玻璃基板I內(nèi)。
[0071]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為4.6E_5，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為l，2033h (T70@1000cd/m2)。
[0072]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO導(dǎo)電玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極層7和封裝層8，封裝層8包括保護(hù)層801，4層摻雜氧化物層 802、805、808、811，4 層氧化物層 803、806、809、812，4 層有機(jī)阻擋層 804、807、810、813和含鋁PET膜814，ITO導(dǎo)電玻璃基板I和含鋁PET膜814通過(guò)封裝膠密封形成封閉空間，空穴注入層2，空穴傳輸層3，發(fā)光層4，電子傳輸層5，電子注入層6，陰極層7，保護(hù)層801，摻雜氧化物層802、805、808、811，氧化物層803、806、809、812和有機(jī)阻擋層804、807、810,813容置在該封閉空間內(nèi)。
[0073]實(shí)施例2:
[0074]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0075](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0076](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備N(xiāo)PB，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S,厚度為300nm ；
[0077](5)阻擋層的制備:
[0078](a)摻雜氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在保護(hù)層上制備摻雜氧化物層，摻雜氧化物層的材質(zhì)為Al2O3摻雜Re2O3形成的混合材料，Re2O3在摻雜氧化物層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，濺射靶材為Al2O3摻雜Re2O3形成的混合材料，Re2O3在濺射靶材中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，本底真空度為2 X10_4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量為lOsccm，厚度為IOOnm ；
[0079](b)氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在摻雜氧化物層上制備氧化物層，氧化物層的材質(zhì)為Al2O3，濺射靶材為Al2O3，通入氣體為Ar，Ar流量為15sccm，本底真空度為2 X l(T4Pa，厚度為IOOnm ；
[0080](c)有機(jī)阻擋層的制備:采用先旋涂后曝光的方法在第二硫化物層上制備有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為甲基丙烯酸樹(shù)脂，在惰性氛圍下制作，涂膠厚度為I μ m，然后用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為10mW/cm2，曝光時(shí)間為150s ；
[0081](d)在步驟(C)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在有機(jī)阻擋層上制備摻雜氧化物層，再在第一硫化物層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在氧化物層上采用和步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層，摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有4層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0082](6)含鋁PET膜的覆蓋:在含鋁PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為llmW/cm2，曝光時(shí)間為350s ;將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在含鋁PET膜及玻璃基板內(nèi)。
[0083]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為3.7E_5，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為l，2256h (T70@1000cd/m2)。
[0084]實(shí)施例3:
[0085]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0086](1)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0087](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備Alq3，真空度為8 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S,厚度為250nm ；
[0088](5)阻擋層的制備:
[0089](a)摻雜氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在保護(hù)層上制備摻雜氧化物層，摻雜氧化物層的材質(zhì)為T(mén)iO2摻雜ReO2形成的混合材料，ReO2在摻雜氧化物層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，濺射靶材為T(mén)iO2摻雜ReO2形成的混合材料，ReO2在靶材中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，本底真空度為lX10_5Pa，通入氣體為Ar，Ar流量為12sccm，厚度為150nm ;
[0090](b)氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在摻雜氧化物層上制備氧化物層，氧化物層的材質(zhì)為T(mén)iO2，濺射靶材為T(mén)iO2，通入氣體為Ar，Ar流量為13sCCm，本底真空度為I X10_5Pa，厚度為120nm ；
[0091](c)有機(jī)阻擋層的制備:采用先旋涂后曝光的方法在第二硫化物層上制備有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為甲基丙烯酸樹(shù)脂，在惰性氛圍下制作，涂膠厚度為1.2 μ m，然后用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為12mW/cm2，曝光時(shí)間為180s ；
[0092](d)在步驟(C)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在有機(jī)阻擋層上制備摻雜氧化物層，再在第一硫化物層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在氧化物層上采用和步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層，摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有4層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0093](6)含鋁PET膜的覆蓋:在含鋁PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為lOmW/cm2，曝光時(shí)間為400s ;將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在含鋁PET膜及玻璃基板內(nèi)。
[0094]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為3.0E_5，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為l，2894h (T70@1000cd/m2)。
[0095]實(shí)施例4:
[0096]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0097](1)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0098](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備SiO，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S，厚度為200nm ；
[0099](5)阻擋層的制備:
[0100](a)摻雜氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在保護(hù)層上制備摻雜氧化物層，摻雜氧化物層的材質(zhì)為ZrO2摻雜Re2O5形成的混合材料，Re2O5在摻雜氧化物層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，本底真空度為2X 10_4Pa，濺射靶材為ZrO2摻雜Re2O5形成的混合材料，Re2O5在靶材中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，通入氣體為Ar，Ar流量為llsccm，厚度為120nm ；
[0101](b)氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在摻雜氧化物層上制備氧化物層，氧化物層的材質(zhì)為ZrO2，濺射靶材為ZrO2，通入氣體為Ar，Ar流量為13sccm，本底真空度為2 X l(T4Pa，厚度為120nm ；
[0102](c)有機(jī)阻擋層的制備:采用先旋涂后曝光的方法在第二硫化物層上制備有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為聚四氟乙烯，在惰性氛圍下制作，涂膠厚度為1.2μπι，然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為12mW/cm2，曝光時(shí)間為180s ；
[0103](d)在步驟(C)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在有機(jī)阻擋層上制備摻雜氧化物層，再在第一硫化物層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在氧化物層上采用和步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層，摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有4層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0104](6)含鋁PET膜的覆蓋:在含鋁PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為15mW/cm2，曝光時(shí)間為300s ;將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在含鋁PET膜及玻璃基板內(nèi)。
[0105]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為5.1E_5，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為1，1879h (T70@1000cd/m2)。
[0106]實(shí)施例5:
[0107]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0108](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0109](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備MgF2，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S,厚度為300nm ；
[0110](5)阻擋層的制備:
[0111](a)摻雜氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在保護(hù)層上制備摻雜氧化物層，摻雜氧化物層的材質(zhì)為HfO2摻雜ReO3形成的混合材料，ReO3在摻雜氧化物層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%,濺射靶材為HfO2摻雜ReO3形成的混合材料，ReO3在濺射靶材中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，本底真空度為2X 10_4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量為lOsccm，厚度為120nm ；
[0112](b)氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在摻雜氧化物層上制備氧化物層，氧化物層的材質(zhì)為HfO2，濺射靶材為HfO2，通入氣體為Ar，Ar流量為llsccm，本底真空度為2 X l(T4Pa，厚度為120nm ；
[0113](c)有機(jī)阻擋層的制備:采用先旋涂后曝光的方法在第二硫化物層上制備有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為甲基丙烯酸樹(shù)脂，在惰性氛圍下制作，涂膠厚度為1.2 μ m，然后用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為13mW/cm2，曝光時(shí)間為190s ；
[0114](d)在步驟(C)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在有機(jī)阻擋層上制備摻雜氧化物層，再在第一硫化物層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在氧化物層上采用和步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層，摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有7層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0115](6)含鋁PET膜的覆蓋:在含鋁PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為15mW/cm2，曝光時(shí)間為300s ;將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在含鋁PET膜及玻璃基板內(nèi)。
[0116]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為2.5E_5，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為l，2987h (T70@1000cd/m2)。
[0117]實(shí)施例6:
[0118]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0119](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0120](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備ZnS，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S,厚度為250nm ；
[0121](5)阻擋層的制備:
[0122](a)摻雜氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在保護(hù)層上制備摻雜氧化物層，摻雜氧化物層的材質(zhì)為T(mén)a2O5摻雜Re2O7形成的混合材料，Re2O7在摻雜氧化物層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%,濺射靶材為T(mén)a2O5摻雜Re2O7形成的混合材料，Re2O7在濺射靶材中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，本底真空度為2 X10_4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量為llsccm，厚度為130nm ；
[0123](b)氧化物層的制備:采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在摻雜氧化物層上制備氧化物層，氧化物層的材質(zhì)為T(mén)a2O5，濺射靶材為T(mén)a2O5，通入氣體為Ar，Ar流量為15sccm，本底真空度為2 X l(T4Pa，厚度為120nm ；
[0124](c)有機(jī)阻擋層的制備:采用先旋涂后曝光的方法在第二硫化物層上制備有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為甲基丙烯酸樹(shù)脂，在惰性氛圍下制作，涂膠厚度為1.2 μ m，然后用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為12mW/cm2，曝光時(shí)間為150s ；
[0125](d)在步驟(C)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在有機(jī)阻擋層上制備摻雜氧化物層，再在第一硫化物層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在氧化物層上采用和步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層，摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有5層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0126](6)含鋁PET膜的覆蓋:在含鋁PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為15mW/cm2，曝光時(shí)間為300s ;將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在含鋁PET膜及玻璃基板內(nèi)。
[0127]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為3.2E_5，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為l ，2800h (T70@1000cd/m2)。
[0128]效果實(shí)施例
[0129]為有效證明本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法的有益效果，提供相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下。
[0130]表1是實(shí)施例1~6有機(jī)電致發(fā)光器件水氧滲透率,表2是實(shí)施例1~6有機(jī)電致發(fā)光器件壽命情況。
[0131]表1.實(shí)施例1飛有機(jī)電致發(fā)光器件水氧滲透率
[0132]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽(yáng)極導(dǎo)電基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發(fā)光層和陰極層容置在該封閉空間內(nèi)，其特征在于，所述封裝層依次包括保護(hù)層、阻擋層和含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜； 所述阻擋層依次包括摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層； 所述摻雜氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿或五氧化二鉭中的一種與錸的氧化物摻雜形成的混合物，所述錸的氧化物在摻雜氧化物層中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30% ;其中，所述錸的氧化物包括一氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸、三氧化錸或七氧化二錸中的一種； 所述氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿或五氧化二鉭； 所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜氧化物層的厚度為100 ~150nmo
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物層的厚度為100~150nmo
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為I~L 5 μ m0
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，所述阻擋層為4~7個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟:· (1)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形；采用真空蒸鍍的方法在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次制備功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層； (2)阻擋層的制備方法如下: (a)采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在保護(hù)層上制備摻雜氧化物層，所述摻雜氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿或五氧化二鉭中的一種與錸的氧化物摻雜形成的混合物，所述錸的氧化物在摻雜氧化物層中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30% ；其中，所述錸的氧化物包括一氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸、三氧化錸或七氧化二錸中的一種； (b)采用非反應(yīng)磁控濺射的方法在摻雜氧化物層上制備氧化物層，所述氧化物層的材質(zhì)為二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿或五氧化二鉭； (C)采用先旋涂后曝光的方法在硫化物層上制備有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹(shù)脂； (3)在含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜邊緣涂布環(huán)氧樹(shù)脂封裝膠，由紫外線固化的方式干燥硬化封裝膠，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述含鋁聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜及基板內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟(a)采用非反應(yīng)磁控濺射方法制備所述摻雜氧化物層時(shí)，通入氣體為氬氣，氣體流量為10~15sccm,濺射時(shí)本底真空度為I X Kr5~I X IO^3Pa0
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟(b)采用非反應(yīng)磁控濺射制備所述氧化物層時(shí)，通入氣體為氬氣，氣體流量為10~15SCCm，濺射時(shí)本底真空度為I X 10_5~I X 10?ο
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟(c)采用先旋涂后曝光的方法制備有機(jī)阻擋層時(shí)制備條件為:在惰性氛圍下，旋涂有機(jī)阻擋層后，用UV光進(jìn)行固化，光強(qiáng)為10~15mW/cm2，曝光時(shí)間為150~200s。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在步驟(C)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在有機(jī)阻擋層上制備摻雜氧化物層，再在所述摻雜氧化物層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述氧化物層上采用和步驟(C)相同的方法和材質(zhì)制備有機(jī)阻擋層，所述摻雜氧化物層、氧化物層和有機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備4~7個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形 成阻擋層。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103855317SQ201210501310
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 馮小明 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司