光源模塊的制作方法
【專利摘要】一種光源模塊包含一基板、一第一發(fā)光元件、一第二發(fā)光元件以及一第三發(fā)光元件。第一發(fā)光元件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板上，且藍色發(fā)光二極管芯片上并被一第一波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得藍色發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的藍光被轉(zhuǎn)換成具第一波長的光線。第二發(fā)光元件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板上，且藍色發(fā)光二極管芯片上并被一第二波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得藍色發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的藍光被轉(zhuǎn)換成具第二波長的光線。第三發(fā)光元件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片。
【專利說明】光源模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種光源模塊，且特別是有關(guān)于一種具有發(fā)光二極管的光源模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，由于環(huán)保意識的抬頭，節(jié)能減碳儼然成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要趨勢。為了達到節(jié)能的目的，具有低耗電、高效率的發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)燈具逐漸取代傳統(tǒng)的鎢絲燈泡。
[0003]一般而言，具有發(fā)光二極管的光源模塊是先將發(fā)光二極管芯片封裝于封裝結(jié)構(gòu)中，再將多個封裝完成后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)裝設(shè)于基板上以進行照明。
[0004]然而，由于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的尺寸限制以及封裝結(jié)構(gòu)擺放的精度較低、公差較大等因素，使得這些封裝結(jié)構(gòu)之間的間隔過大，而無法密集地擺放。這樣的問題一方面會造成光源模塊在固定面積下所能擺放的封裝結(jié)構(gòu)數(shù)量有限，使得光源模塊的整體尺寸無法縮小，而造成空間及成本的浪費；另一方面由于封裝結(jié)構(gòu)之間的間隔過大，在觀看時此光源模塊將呈現(xiàn)顆粒狀，而無法呈現(xiàn)均勻的光源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此,本發(fā)明的一目的是在于提供一種光源模塊，其可有效克服先前技術(shù)中封裝結(jié)構(gòu)間距過大的問題，一方面可用以縮小光源模塊的尺寸，另一方面可使光源模塊的混光更為均勻。
[0006]為了達到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一實施方式，一種光源模塊包含一基板、一第一發(fā)光兀件、一第二發(fā)光兀件以及一第三發(fā)光兀件。第一發(fā)光兀件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板上，且藍色發(fā)光二極管芯片上并被一第一波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得藍色發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的藍光被轉(zhuǎn)換成具第一波長的光線。第二發(fā)光元件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板上，且藍色發(fā)光二極管芯片上并被一第二波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得藍色發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的藍光被轉(zhuǎn)換成具第二波長的光線。第三發(fā)光元件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片。
[0007]依據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，一種光源模塊包含一基板、一第一發(fā)光元件、一第二發(fā)光兀件、以及一第三發(fā)光兀件。第一發(fā)光兀件包括有一短波長發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板上，且短波長發(fā)光二極管芯片上并被一第一波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得短波長發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第一波長的光線。第二發(fā)光元件包括有一短波長發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板上，且短波長發(fā)光二極管芯片上并被一第二波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得短波長發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第二波長的光線。第三發(fā)光元件包括有一短波長發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板上，且短波長發(fā)光二極管芯片上并被一第三波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得短波長發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第三波長的光線。[0008]通過上述實施方式，本發(fā)明可直接將藍色發(fā)光二極管芯片或短波長發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板上，而無須封裝于封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)。又由于芯片擺放技術(shù)的精度遠高于封裝結(jié)構(gòu)的擺放精度，故上述藍色發(fā)光二極管芯片或短波長發(fā)光二極管芯片可較密集地設(shè)置于基板上，一方面可縮小光源模塊的尺寸，另一方面可使光源模塊的混光更為均勻，從而達到本發(fā)明的目的。
[0009]以上所述僅是用以闡述本發(fā)明所欲解決的問題、解決問題的技術(shù)手段、及其產(chǎn)生的功效等等，本發(fā)明的具體細節(jié)將在下文的實施方式及相關(guān)附圖中詳細介紹。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下:
[0011]圖1繪示依據(jù)本發(fā)明一實施方式的光源模塊的剖面圖；
[0012]圖2繪示圖1的光源模塊的局部剖面圖；
[0013]圖3繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的光源模塊的剖面圖；
[0014]圖4繪示依據(jù)本發(fā)明又一實施方式的光源模塊的剖面圖；
[0015]圖5繪示依據(jù)本發(fā)明再一實施方式的光源模塊的剖面圖；
[0016]圖6繪示圖5的 光源模塊的局部剖面圖。
[0017]圖7繪示依據(jù)本發(fā)明再一實施方式的光源模塊的剖面圖；
[0018]圖8繪示依據(jù)本發(fā)明再一實施方式的光源模塊的剖面圖。
[0019]【主要元件符號說明】
[0020]100:第一發(fā)光元件
[0021]110:藍色發(fā)光二極管芯片
[0022]112:出光面
[0023]120:第一波長轉(zhuǎn)換層
[0024]200:第二發(fā)光元件
[0025]210:藍色發(fā)光二極管芯片
[0026]212:出光面
[0027]220:第二波長轉(zhuǎn)換層
[0028]300:第三發(fā)光元件
[0029]400:基板
[0030]500:間隙
[0031]610:光反射層
[0032]620:光吸收層
[0033]700:第一發(fā)光元件
[0034]710:短波長發(fā)光二極管芯片
[0035]712:出光面
[0036]720:第一波長轉(zhuǎn)換層
[0037]800:第二發(fā)光元件
[0038]810:短波長發(fā)光二極管芯片[0039]812:出光面
[0040]820:第二波長轉(zhuǎn)換層
[0041]900:第三發(fā)光元件
[0042]910:短波長發(fā)光二極管芯片
[0043]912:出光面
[0044]920:第三波長轉(zhuǎn)換層
【具體實施方式】
[0045]以下將以附圖揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員應當了解到，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細節(jié)并非必要的，因此不應用以限制本發(fā)明。此外，為簡化附圖起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。
[0046]圖1繪示依據(jù)本發(fā)明一實施方式的光源模塊的剖面圖。如圖所示，本實施方式的光源模塊包含一基板400、一第一發(fā)光兀件100、一第二發(fā)光兀件200以及一第三發(fā)光兀件300。第一發(fā)光兀件100包括有一藍色發(fā)光二極管芯片110設(shè)置于基板400上,且藍色發(fā)光二極管芯片110上并被一第一波長轉(zhuǎn)換層120覆蓋，使得藍色發(fā)光二極管芯片110所發(fā)出的藍光被轉(zhuǎn)換成具第一波長的光線。第二發(fā)光元件200包括有一藍色發(fā)光二極管芯片210設(shè)置于基板400上，且藍色發(fā)光二極管芯片210上并被一第二波長轉(zhuǎn)換層220覆蓋，使得藍色發(fā)光二極管芯片210所發(fā)出的藍光被轉(zhuǎn)換成具第二波長的光線。第三發(fā)光元件300包括有一藍色發(fā)光二極管芯片。
[0047]具體而言，上述實施方式的藍色發(fā)光二極管芯片110、210及310是直接被設(shè)置于基板400上，而無須封裝于封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)。由于芯片擺放的精度遠高于封裝結(jié)構(gòu)的擺放精度，故這些藍色發(fā)光二極管芯片110、210及310可較密集地設(shè)置于基板400上，一方面可縮小光源模塊的尺寸，另一方面可使光源模塊的混光更為均勻。
[0048]圖2繪示圖1的光源模塊的局部剖面圖。如圖所示，于部分實施方式中，第一發(fā)光元件100的藍色發(fā)光二極管芯片110的出光面112是直接被第一波長轉(zhuǎn)換層120所覆蓋，而第二發(fā)光元件200的藍色發(fā)光二極管芯片210的出光面212是直接被第二波長轉(zhuǎn)換層220所覆蓋。借此，由第一發(fā)光元件100的藍色發(fā)光二極管芯片110所放射的藍光可被第一波長轉(zhuǎn)換層120所轉(zhuǎn)換，而由第二發(fā)光元件200的藍色發(fā)光二極管芯片210所放射的藍光則可由第二波長轉(zhuǎn)換層220所轉(zhuǎn)換。
[0049]舉例而言，第一波長轉(zhuǎn)換層120的面積實質(zhì)上等于第一發(fā)光元件100的藍色發(fā)光二極管芯片Iio的出光面112的面積，第二波長轉(zhuǎn)換層220的面積實質(zhì)等于第二發(fā)光元件200的藍色發(fā)光二極管芯片210的出光面212的面積。換言的，第一波長轉(zhuǎn)換層120可恰好完全地覆蓋藍色發(fā)光二極管芯片Iio的出光面112。相似地，第二波長轉(zhuǎn)換層220可恰好完全地覆蓋藍色發(fā)光二極管芯片210的出光面212。
[0050]于部分實施方式中，第一波長轉(zhuǎn)換層120可為一含紅色熒光粉或紅色染料或紅色色素的光學層，而第二波長轉(zhuǎn)換層220可為一含綠色熒光粉或綠色染料或綠色色素的光學層，因此，第一波長是在紅光波長范圍內(nèi)，第二波長是在綠光的波長范圍內(nèi)。具體而言，第一波長轉(zhuǎn)換層120可將藍色發(fā)光二極管芯片110的藍光轉(zhuǎn)換為紅光，而第二波長轉(zhuǎn)換層220可將藍色發(fā)光二極管芯片210的藍光轉(zhuǎn)換為綠光。另外，第三發(fā)光元件300上方無覆蓋任何波長轉(zhuǎn)換的材料，故可其所放射的藍光不會被轉(zhuǎn)換。通過第一發(fā)光元件100所放射的紅光、第二發(fā)光兀件200所放射的綠光、以及第三發(fā)光兀件300所放射的藍光的混光,本發(fā)明的光源模塊可放射出白光。
[0051]本發(fā)明的第一波長轉(zhuǎn)換層120與第二波長轉(zhuǎn)換層220可通過各種不同制程來制作。舉例而言，可利用微影制程(Photolithography)將第一波長轉(zhuǎn)換層120與第二波長轉(zhuǎn)換層220分別形成于藍色發(fā)光二極管芯片110與藍色發(fā)光二極管芯片210上。具體而言，可將第一波長轉(zhuǎn)換層120的材料(例如:紅色熒光粉或紅色染料或紅色色素)混合于負光阻中，并通過光罩圖案的設(shè)計使第一波長轉(zhuǎn)換層120在曝光顯影后留在第一發(fā)光元件100的藍色發(fā)光二極管芯片110的出光面112上；相似地，亦可將第二波長轉(zhuǎn)換層220的材料(例如:綠色熒光粉或綠色染料或綠色色素)混合于負光阻中，并通過光罩圖案的設(shè)計使第二波長轉(zhuǎn)換層220在曝光顯影后留在第二發(fā)光元件200的藍色發(fā)光二極管芯片210的出光面212上。
[0052]應了解到，上述第一波長轉(zhuǎn)換層120與第二波長轉(zhuǎn)換層220的微影制程僅是用以輔助說明，而非用以限制本發(fā)明。
[0053]請回頭參閱圖1，第一發(fā)光元件100、第二發(fā)光元件200以及第三發(fā)光元件300之間可分別以一間隙500加以隔離。于部分實施方式中，間隙500的尺寸是微米或納米等級。由于傳統(tǒng)光源模塊中封裝結(jié)構(gòu)之間的間距約為幾毫米至幾十毫米之間，而本發(fā)明實施方式的間隙500為微米或納米等級，明顯優(yōu)于傳統(tǒng)光源模塊中封裝結(jié)構(gòu)之間的間距，故不僅可縮小光源模塊的尺寸，更可使光源模塊的混光更為均勻。
[0054]圖3繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的光源模塊的剖面圖。本實施方式與圖1大致相似，主要差異是在于本實施方式可進一步包含多個光反射層610，其是設(shè)置于間隙500中。于本實施方式中，光反射層610是由反射材料所形成,其可反射第一發(fā)光兀件100、第二發(fā)光元件200或第三發(fā)光元件300的光線，用以阻擋這些發(fā)光元件的光線照射到鄰近的發(fā)光元件。舉例而言，若第一發(fā)光元件100可放射紅光，第二發(fā)光元件200可放射綠光，則位于兩者之間的光反射層610可避免第二發(fā)光元件200所放射的部分綠光去激發(fā)第一發(fā)光元件100中的第一波長轉(zhuǎn)換層120而轉(zhuǎn)換為紅光，故可進一步避免第二發(fā)光元件200的綠光強度下降。
[0055]于部分實施方式中，光反射層610的高度是不低于第一波長轉(zhuǎn)換層120、第二波長轉(zhuǎn)換層220、以及第三發(fā)光元件300的藍色發(fā)光二極管芯片，借以進一步確保第一發(fā)光元件100、第二發(fā)光元件200與第三發(fā)光元件300的光線不會照射到鄰近的發(fā)光元件。
[0056]圖4繪示依據(jù)本發(fā)明又一實施方式的光源模塊的剖面圖。本實施方式與圖3大致相似，主要差異是在于本實施方式是以光吸收層620取代光反射層610。具體而言，光吸收層620是設(shè)置于間隙500中。于本實施方式中，光吸收層620是由吸光材料所形成，其可吸收第一發(fā)光兀件100、第二發(fā)光兀件200或第三發(fā)光兀件300的光線,用以阻擋這些發(fā)光兀件的光線照射到鄰近的發(fā)光元件。舉例而言，若第一發(fā)光元件100可放射紅光，第二發(fā)光元件200可放射綠光，則位于兩者之間的光吸收層620可避免第二發(fā)光元件200所放射的部分綠光去激發(fā)第一發(fā)光元件100中的第一波長轉(zhuǎn)換層120而轉(zhuǎn)換為紅光，故可進一步避免第二發(fā)光元件200的綠光強度下降。[0057]于部分實施方式中，光吸收層620的高度是不低于第一波長轉(zhuǎn)換層120、第二波長轉(zhuǎn)換層220、以及第三發(fā)光元件300的藍色發(fā)光二極管芯片，借以進一步確保第一發(fā)光元件100、第二發(fā)光元件200與第三發(fā)光元件300的光線不會照射到鄰近的發(fā)光元件。
[0058]圖5繪示依據(jù)本發(fā)明再一實施方式的光源模塊的剖面圖。如圖所示，本實施方式的光源模塊包含一基板400、一第一發(fā)光兀件700、一第二發(fā)光兀件800、以及一第三發(fā)光兀件900。第一發(fā)光兀件700包括有一短波長發(fā)光二極管芯片710設(shè)置于基板400上,且短波長發(fā)光二極管芯片710上并被一第一波長轉(zhuǎn)換層720覆蓋，使得短波長發(fā)光二極管芯片710所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第一波長的光線。第二發(fā)光兀件800包括有一短波長發(fā)光二極管芯片810設(shè)置于基板400上,且短波長發(fā)光二極管芯片810上并被一第二波長轉(zhuǎn)換層820覆蓋，使得短波長發(fā)光二極管芯片810所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第二波長的光線。第三發(fā)光兀件900包括有一短波長發(fā)光二極管芯片910設(shè)置于基板400上,且短波長發(fā)光二極管芯片910上并被一第三波長轉(zhuǎn)換層920覆蓋,使得短波長發(fā)光二極管芯片910所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第三波長的光線。
[0059]具體而言，上述實施方式的短波長發(fā)光二極管芯片710、810及910是直接被設(shè)置于基板400上，而無須封裝于封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)。
[0060]于部分實施方式中，短波長發(fā)光二極管芯片710、810及910的第四波長是位于紫外光的波長范圍內(nèi)。舉例而言，短波長發(fā)光二極管芯片710、810、910的第四波長可小于400納米(nm)。
[0061]于部分實施方式中，第一波長轉(zhuǎn)換層720為一含紅色熒光粉或紅色染料或紅色色素的光學層，該第二波長轉(zhuǎn)換層820為一含綠色熒光粉或綠色染料或綠色色素的光學層，而該第三波長轉(zhuǎn)換層920為一含藍色熒光粉或藍色染料或藍色色素的光學層，因此，第一波長為紅光的波長范圍內(nèi)，第二波長是在綠光的波長范圍內(nèi)，第三波長是在藍光的波長范圍內(nèi)。由于短波長發(fā)光二極管芯片710、810及910的第四波長是位于紫外光的波長范圍內(nèi)，故可激發(fā)第一波長轉(zhuǎn)換層720、第二波長轉(zhuǎn)換層820及第三波長轉(zhuǎn)換層920，而分別產(chǎn)生紅光、綠光及藍光。
[0062]圖6繪示圖5的光源模塊的局部剖面圖。于部分實施方式中，第一發(fā)光元件700的短波長發(fā)光二極管芯片710的出光面712是直接被第一波長轉(zhuǎn)換層720所覆蓋，第二發(fā)光元件800的短波長發(fā)光二極管芯片810的出光面812是直接被第二波長轉(zhuǎn)換層820所覆蓋，而第三發(fā)光元件900的短波長發(fā)光二極管芯片910的出光面912是直接被第三波長轉(zhuǎn)換層920所覆蓋。
[0063]舉例而言，第一波長轉(zhuǎn)換層720的面積、第二波長轉(zhuǎn)換層820的面積及第三波長轉(zhuǎn)換層920的面積實質(zhì)上等于短波長發(fā)光二極管芯片710的出光面712、短波長發(fā)光二極管芯片810的出光面812及短波長發(fā)光二極管芯片910的出光面912的面積。換言的，第一波長轉(zhuǎn)換層720可恰好完全地覆蓋短波長發(fā)光二極管芯片710的出光面712。相似地，第二波長轉(zhuǎn)換層820可恰好完全地覆蓋短波長發(fā)光二極管芯片810的出光面812，而第三波長轉(zhuǎn)換層920可恰好完全地覆蓋短波長發(fā)光二極管芯片910的出光面912。
[0064]類似于圖1的實施方式，本實施方式的第一波長轉(zhuǎn)換層720、第二波長轉(zhuǎn)換層820及第三波長轉(zhuǎn)換層920可通過各種不同制程來制作。舉例而言，可利用微影制程(Photolithography)將第一波長轉(zhuǎn)換層720、第二波長轉(zhuǎn)換層820及第三波長轉(zhuǎn)換層920分別形成于短波長發(fā)光二極管芯片710、810及910上。具體而言，可將第一波長轉(zhuǎn)換層720的材料(例如:紅色熒光粉或紅色染料或紅色色素)混合于負光阻中，并通過光罩圖案的設(shè)計使第一波長轉(zhuǎn)換層720在曝光顯影后留在第一發(fā)光元件700的短波長發(fā)光二極管芯片710的出光面712上；相似地，可將第二波長轉(zhuǎn)換層820的材料(例如:綠色熒光粉或綠色染料或綠色色素)混合于負光阻中，并通過光罩圖案的設(shè)計使第二波長轉(zhuǎn)換層820在曝光顯影后留在第二發(fā)光元件800的短波長發(fā)光二極管芯片810的出光面812上；亦相似地，可將第三波長轉(zhuǎn)換層920的材料(例如:藍色熒光粉或藍色染料或藍色色素)混合于負光阻中，并通過光罩圖案的設(shè)計使第三波長轉(zhuǎn)換層920在曝光顯影后留在第三發(fā)光元件900的短波長發(fā)光二極管芯片910的出光面912上。
[0065]應了解到，上述第一波長轉(zhuǎn)換層720、第二波長轉(zhuǎn)換層820與第三波長轉(zhuǎn)換層920的微影制程僅是用以輔助說明，而非用以限制本發(fā)明。
[0066]于部分實施方式中，短波長發(fā)光二極管芯片710、810、及910的第四波長是位于藍光的波長范圍內(nèi)。舉例而言，此短波長發(fā)光二極管芯片710、810、及910的第四波長范圍是于400nm至490nm之間。當短波長發(fā)光二極管芯片710、810、及910的第四波長是位于藍光的波長范圍內(nèi)時，第一波長轉(zhuǎn)換層720可為一含紅色熒光粉或紅色染料或紅色色素的光學層，第二波長轉(zhuǎn)換層820可為一含綠色熒光粉或綠色染料或綠色色素的光學層，而第三波長轉(zhuǎn)換層920可為一含黃色熒光粉或黃色染料或黃色色素的光學層。
[0067]請回頭參閱圖5，于部分實施方式中，第一發(fā)光元件700、第二發(fā)光元件800以及第三發(fā)光兀件900之間分別以一間隙500加以隔離。于部分實施方式中，間隙500的尺寸是微米或納米等級，此間隙500的大小明顯小于傳統(tǒng)光源模塊中封裝結(jié)構(gòu)之間的間距，故不僅可縮小光源模塊的尺寸，更可使光源模塊的混光更為均勻。
[0068]圖7繪示依據(jù)本發(fā)明再一實施方式的光源模塊的剖面圖。本實施方式與圖5大致相似，主要差異是在于本實施方式還包含多個光反射層610,其是設(shè)置于間隙500中。光反射層610是由反射材料所形成，其可反射第一發(fā)光元件700、第二發(fā)光元件800或第三發(fā)光元件900的光線，用以阻擋這些發(fā)光元件的光線照射到鄰近的發(fā)光元件。
[0069]于部分實施方式中，光反射層610的高度是不低于第一波長轉(zhuǎn)換層720、第二波長轉(zhuǎn)換層820、以及第三波長轉(zhuǎn)換層920，以進一步確保穿透過第一波長轉(zhuǎn)換層720、第二波長轉(zhuǎn)換層820及第三波長轉(zhuǎn)換層920的光線不會照射到鄰近的發(fā)光元件。
[0070]圖8繪示依據(jù)本發(fā)明再一實施方式的光源模塊的剖面圖。本實施方式與圖7大致相似，主要差異是在于本實施方式是利用光吸收層620來取代光反射層610。具體而言，本實施方式的光源模塊可包含多個光吸收層620，其是設(shè)置于間隙500中。光吸收層620是由吸光材料所形成，其可吸收第一發(fā)光元件700、第二發(fā)光元件800或第三發(fā)光元件900的光線，用以阻擋這些發(fā)光元件的光線照射到鄰近的發(fā)光元件。
[0071]于部分實施方式中，光吸收層620的高度是不低于第一波長轉(zhuǎn)換層720、第二波長轉(zhuǎn)換層820、以及第三波長轉(zhuǎn)換層920，以進一步確保穿透過第一波長轉(zhuǎn)換層720、第二波長轉(zhuǎn)換層820及第三波長轉(zhuǎn)換層920的光線不會照射到鄰近的發(fā)光元件。
[0072]雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種光源模塊，其特征在于，包含: 一基板； 一第一發(fā)光元件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該基板上，且該藍色發(fā)光二極管芯片上并被一第一波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得該藍色發(fā)光二極管所發(fā)出的藍光被轉(zhuǎn)換成具第一波長的光線； 一第二發(fā)光元件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該基板上，且該藍色發(fā)光二極管芯片上并被一第二波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得該藍色發(fā)光二極管所發(fā)出的藍光被轉(zhuǎn)換成具第二波長的光線；以及 一第三發(fā)光兀件包括有一藍色發(fā)光二極管芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源模塊，其特征在于，該第一發(fā)光兀件的該藍色發(fā)光二極管芯片的出光面是直接被該第一波長轉(zhuǎn)換層所覆蓋，而該第二發(fā)光元件的該藍色發(fā)光二極管芯片的出光面是直接被該第二波長轉(zhuǎn)換層所覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光源模塊，其特征在于，該第一波長轉(zhuǎn)換層的面積及該第二波長轉(zhuǎn)換層的面積等于該藍色發(fā)光二極管芯片的該出光面面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源模塊，其特征在于，該第一發(fā)光兀件、該第二發(fā)光兀件以及該第三發(fā)光元件之間分別以一間隙加以隔離。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光源模塊，其特征在于，該間隙的尺寸是微米或納米等級。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源模塊,其特征在于,還包含多個光反射層,設(shè)置于該些間隙中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所 述的光源模塊，其特征在于，該些光反射層的高度是不低于該第一波長轉(zhuǎn)換層、該第二波長轉(zhuǎn)換層、以及該第三發(fā)光元件的該藍色發(fā)光二極管芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源模塊，其特征在于，還包含多個光吸收層，設(shè)置于該些間隙中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光源模塊，其特征在于，該些光吸收層的高度是不低于該第一波長轉(zhuǎn)換層、該第二波長轉(zhuǎn)換層、以及該第三發(fā)光元件的該藍色發(fā)光二極管芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項權(quán)利要求所述的光源模塊，其特征在于，該第一波長轉(zhuǎn)換層為一含紅色熒光粉或紅色染料或紅色色素的光學層，而該第二波長轉(zhuǎn)換層為一含綠色熒光粉或綠色染料或綠色色素的光學層。
11.一種光源模塊,其特征在于,包含: 一基板； 一第一發(fā)光元件包括有一短波長發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該基板上，且該短波長發(fā)光二極管上并被一第一波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得該短波長發(fā)光二極管所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第一波長的光線； 一第二發(fā)光元件包括有一短波長發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該基板上，且該短波長發(fā)光二極管上并被一第二波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得該短波長發(fā)光二極管所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第二波長的光線；以及 一第三發(fā)光元件包括有一短波長發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該基板上，且該短波長發(fā)光二極管上并被一第三波長轉(zhuǎn)換層覆蓋，使得該短波長發(fā)光二極管所發(fā)出的第四波長光線被轉(zhuǎn)換成具第三波長的光線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光源模塊，其特征在于，該短波長發(fā)光二極管芯片的第四波長是位于紫外光的波長范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光源模塊，其特征在于，該短波長發(fā)光二極管芯片的第四波長是小于400nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光源模塊，其特征在于，該第一發(fā)光兀件的該短波長發(fā)光二極管芯片的出光面是直接被該第一波長轉(zhuǎn)換層所覆蓋，該第二發(fā)光元件的該短波長發(fā)光二極管芯片的出光面是直接被該第二波長轉(zhuǎn)換層所覆蓋，而該第三發(fā)光元件的該短波長發(fā)光二極管芯片的出光面是直接被該第三波長轉(zhuǎn)換層所覆蓋。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光源模塊，其特征在于，該第一波長轉(zhuǎn)換層的面積、該第二波長轉(zhuǎn)換層的面積及該第三波長轉(zhuǎn)換層的面積分別等于該第一發(fā)光元件的該短波長發(fā)光二極管芯片、該第二發(fā)光元件的該短波長發(fā)光二極管芯片、及該第三發(fā)光元件的該短波長發(fā)光二極管芯片的該出光面的面積。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光源模塊，其特征在于，該第一發(fā)光兀件、該第二發(fā)光兀件以及該第三發(fā)光元件之間分別以一間隙加以隔離。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光源模塊，其特征在于，該間隙的尺寸是微米或納米等級。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光源模塊，其特征在于，還包含多個光反射層，設(shè)置于該些間隙中。
19.如請求項根據(jù)權(quán)利要求18所述項所述的光源模塊，其特征在于，該些光反射層的高度是不低于該第一波長轉(zhuǎn)換層、該第二波長轉(zhuǎn)換層、以及該第三波長轉(zhuǎn)換層。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光源模塊，其特征在于，還包含多個光吸收層，設(shè)置于該些間隙中。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光源模塊，其特征在于，該些光吸收層的高度是不低于該第一波長轉(zhuǎn)換層、該第二波長轉(zhuǎn)換層、以及該第三波長轉(zhuǎn)換層。
22.根據(jù)權(quán)利要求11至21中任一項權(quán)利要求所述的光源模塊，其特征在于，該第一波長轉(zhuǎn)換層為一含紅色熒光粉或紅色染料或紅色色素的光學層，該第二波長轉(zhuǎn)換層為一含綠色熒光粉或綠色染料或綠色色素的光學層，而該第三波長轉(zhuǎn)換層為一含藍色熒光粉或藍色染料或藍色色素的光學層。
23.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光源模塊，其特征在于，該短波長發(fā)光二極管芯片的第四波長是位于藍光的波長范圍內(nèi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的光源模塊，其特征在于，該短波長發(fā)光二極管芯片的第四波長范圍是于400nm至490nm之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求23至24中任一項權(quán)利要求所述的光源模塊，其特征在于，該第一波長轉(zhuǎn)換層為一含紅色熒光粉或紅色染料或紅色色素的光學層，該第二波長轉(zhuǎn)換層為一含綠色熒光粉或綠色染料或綠色色素的光學層，而該第三波長轉(zhuǎn)換層為一含黃色熒光粉或黃色染料或黃色色素的光學層。
【文檔編號】H01L33/48GK103453352SQ201210408845
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月4日
【發(fā)明者】田運宜, 蔡培崧, 梁建欽 申請人:隆達電子股份有限公司