發(fā)光二極管及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明揭露一種發(fā)光二極管及其制造方法，發(fā)光二極管依序包含基板、第一型半導(dǎo)體層、結(jié)構(gòu)層、發(fā)光層、第二型半導(dǎo)體層、第一型接觸墊、透明導(dǎo)電層及第二型接觸墊。其中，結(jié)構(gòu)層是由一具梯形側(cè)壁的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)以及多個(gè)納米柱自梯形側(cè)壁向外延伸的規(guī)則排列的納米柱所構(gòu)成。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光二極管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有納米柱狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light emitting diodes, LEDs)因?yàn)榫哂惺褂脡勖L(zhǎng)且體積小的特點(diǎn)，使得近年來(lái)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于照明設(shè)備。然而，若要取代目前的照明設(shè)備，仍需要進(jìn)一步改進(jìn)發(fā)光效率，以制造更高亮度的發(fā)光二極管。
[0003]對(duì)于發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)而言，制造方法為連續(xù)式的磊晶形成，故多重量子井層的結(jié)構(gòu)為一平臺(tái)結(jié)構(gòu)，使得發(fā)光效果受限于與基板的相同面積。已知技術(shù)中，在多重量子井層形成納米結(jié)構(gòu)，以增加表面積，提高發(fā)光二極管的亮度。然而，因?yàn)榧{米結(jié)構(gòu)散亂無(wú)序，導(dǎo)致光型散亂，發(fā)光效果仍然不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]因此，本發(fā)明的一方面是在提供一種發(fā)光二極管，其結(jié)構(gòu)包含基板、緩沖層、結(jié)構(gòu)層、透明導(dǎo)電層，第一型接觸墊及第二型接觸墊。其中基板表面形成一緩沖層，且包括第一區(qū)域及第二區(qū)域。第一型半導(dǎo)體層包括第一部分及第二部分分別為在第一區(qū)域和第二區(qū)域。結(jié)構(gòu)層位于緩沖層上的第二區(qū)域，且此結(jié)構(gòu)層包含第一型半導(dǎo)體層的第二部分、發(fā)光層及第二型半導(dǎo)體層，發(fā)光層位于第一型半導(dǎo)體層的第二部分上，第二型半導(dǎo)體層位于發(fā)光層上。上述的結(jié)構(gòu)層是由一具梯形側(cè)壁的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)以及多個(gè)納米柱自梯形側(cè)壁向外延伸的規(guī)則排列的納米柱所構(gòu)成。第一型接觸墊位于第一區(qū)域中的第一型半導(dǎo)體層上。透明導(dǎo)電層位于結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域中的平臺(tái)結(jié)構(gòu)上。第二型接觸墊位于透明導(dǎo)電層上。
[0005]依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的多個(gè)納米柱狀結(jié)構(gòu)的直徑與結(jié)構(gòu)層厚度的比值介于
0.01至I之間，且多個(gè)納米柱的間距為Inm至500nm。
[0006]依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，基板是一藍(lán)寶石基板或一含娃基板，而位于基板上的緩沖層是一未摻雜氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成。
[0007]依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例，第一型半導(dǎo)體層是一 N型半導(dǎo)體層，第二型半導(dǎo)體層是一P型半導(dǎo)體層。其中N型半導(dǎo)體層是由摻有N型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，P型半導(dǎo)體層是由摻有P型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成。第一型半導(dǎo)體層是一 N型氮化鎵層，該第二型半導(dǎo)體層是一 P型氮化鎵層。
[0008]依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，發(fā)光層是一多重量子井層，且是由至少一氮化鎵層以及至少一氮化銦鎵層所組成。
[0009]因此，本發(fā)明的一方面是在提供一種制造發(fā)光二極管的方法，此方法包含如下。提供基板。利用磊晶制程，在基板上依序生長(zhǎng)緩沖層、第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二型半導(dǎo)體層。利用微影蝕刻制程定義第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層，形成一裸露出第一型半導(dǎo)體層的第一區(qū)域，并在第一區(qū)域以外的位置形成一由第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層所構(gòu)成的平臺(tái)。形成多個(gè)等間隔規(guī)則排列的納米罩幕于該平臺(tái)上。形成一梯形硬罩幕該平臺(tái)上，覆蓋預(yù)定形成一發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)位置的納米結(jié)構(gòu)。施以非等向性蝕刻制程，并以第一型半導(dǎo)體層為蝕刻終點(diǎn)，去除未被梯形硬罩幕及納米罩幕所遮蔽的平臺(tái)，使得平臺(tái)形成一具有梯形側(cè)壁的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)及多個(gè)納米柱自梯形側(cè)壁向外延伸的規(guī)則排列的納米柱。去除梯形罩幕及納米罩幕。形成透明導(dǎo)電層于具有梯形側(cè)壁的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)的第二型半導(dǎo)體層上。形成第一型接觸墊于第一區(qū)域的第一型半導(dǎo)層上。形成第二型接觸墊于透明導(dǎo)電層上。
[0010]依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述的形成納米罩幕的方法，可通過(guò)納米壓印或微影蝕刻完成。納米罩幕是由絕緣層所構(gòu)成，且絕緣層可為氧化硅(SiOx)或氮化系硅氮化物(SixNy)。
[0011]依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，蝕刻方法為干蝕刻法或濕蝕刻法。
[0012]依據(jù)本發(fā)明另實(shí)施例,上述的非等向性蝕刻制程為感應(yīng)I禹合等離子(InductivelyCoupled Plasma, ICP)蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻(Reactive 1n Etching, RIE)。
[0013]上述
【發(fā)明內(nèi)容】
旨在提供本發(fā)明的簡(jiǎn)化摘要，以使閱讀者對(duì)本發(fā)明具備基本的理解。此
【發(fā)明內(nèi)容】
并非本發(fā)明的完整概述，且其用意并非在指出本發(fā)明實(shí)施例的重要/關(guān)鍵元件或界定本發(fā)明的范圍。在參閱下文實(shí)施方式后，本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者當(dāng)可輕易了解本發(fā)明的基本精神及其他發(fā)明目的，以及本發(fā)明所采用的技術(shù)手段與實(shí)施方式。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說(shuō)明如下:
[0015]圖1A至圖1I是繪 示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的一種發(fā)光二極管的制造流程剖面示意圖。
[0016]【主要元件符號(hào)說(shuō)明】
[0017]100:發(fā)光二極管150:絕緣層
[0018]110:基板152:納米粒子
[0019]112:緩沖層154:納米罩幕
[0020]114:第一區(qū)域170:梯形硬罩幕
[0021]116:第二區(qū)域172:發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)
[0022]120:第一型半導(dǎo)體層174:梯形側(cè)壁
[0023]122:第一部分180:納米柱狀結(jié)構(gòu)
[0024]124:第二部分190:透明導(dǎo)電層
[0025]126:結(jié)構(gòu)層192:第一型接觸墊
[0026]130:發(fā)光層194:第二型接觸墊
[0027]140:第二型半導(dǎo)體層
[0028]142:平臺(tái)結(jié)構(gòu)
【具體實(shí)施方式】[0029]為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，下文針對(duì)了本發(fā)明的實(shí)施方式與具體實(shí)施例提出了說(shuō)明性的描述；但這并非實(shí)施或運(yùn)用本發(fā)明具體實(shí)施例的唯一形式。以下所揭露的各實(shí)施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實(shí)施例中附加其他的實(shí)施例，而無(wú)須進(jìn)一步的記載或說(shuō)明。
[0030]在以下描述中，將詳細(xì)敘述許多特定細(xì)節(jié)以使讀者能夠充分理解以下的實(shí)施例。然而，可在無(wú)此等特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。在其他情況下，為簡(jiǎn)化附圖，熟知的結(jié)構(gòu)與裝置僅示意性地繪示于圖中。
[0031]請(qǐng)參照?qǐng)D1I，其是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖1I所示，此發(fā)光二極管100包含基板110、緩沖層112、結(jié)構(gòu)層126、透明導(dǎo)電層190、第一型接觸墊192、及第二型接觸墊194。其中基板110表面形成一緩沖層112，且包括第一區(qū)域114及第二區(qū)域116。第一型半導(dǎo)體層120包括第一部分122及第二部分124分別為在第一區(qū)域114和第二區(qū)域116。結(jié)構(gòu)層126位于緩沖層112上的第二區(qū)域116，其中，結(jié)構(gòu)層126包含第一型半導(dǎo)體層120的第二部分124、發(fā)光層130及第二型半導(dǎo)體層140。發(fā)光層130位于第一型半導(dǎo)體層120的第二部分124上。第二型半導(dǎo)體層140位于發(fā)光層130上。上述的結(jié)構(gòu)層126是由一發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)172及多個(gè)納米柱狀結(jié)構(gòu)(納米柱)180構(gòu)成，其中，多個(gè)納米柱180是由梯形側(cè)壁174向外延伸的規(guī)則排列的納米柱180所構(gòu)成。第一型接觸墊192位于第一區(qū)域114中的第一型半導(dǎo)體層120上。透明導(dǎo)電層190位于結(jié)構(gòu)層126的第二區(qū)域116中的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)172上。第二型接觸墊194位于透明導(dǎo)電層190上。
[0032]基板110的材料為藍(lán)寶石基板、含硅基板、玻璃基板、石英基板其他合適的材料或上述的組合。
[0033]緩沖層112是一未摻雜氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，材料為任一II1- V族半導(dǎo)體化合物或I1-VI族半導(dǎo)體化合物。在一實(shí)施例中，緩沖層112為一未摻雜的氮化鎵化合物層。
[0034]結(jié)構(gòu)層126包含第一型半導(dǎo)體120的第二部分124、發(fā)光層130及第二型半導(dǎo)體層140。第一半導(dǎo)體層120是一 N型半導(dǎo)體層，由摻有N型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，材料為任一 II1-V族半導(dǎo)體化合物或I1-VI族半導(dǎo)體化合物。在一實(shí)施例中，第一型半導(dǎo)體層120是一 N型氮化鎵層。
[0035]發(fā)光層130是一多重量子井層(Multiquantum Well ;MQW)。在一實(shí)施例中，多重量子井層是由至少一氮化鎵層以及至少一氮化銦鎵層所組成。
[0036]第二型半導(dǎo)體140層是一 P型半導(dǎo)體層，由摻有P型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，材料為任一 II1-V族半導(dǎo)體化合物或I1-VI族半導(dǎo)體化合物。在一實(shí)施例中，第二型半導(dǎo)體層140是一 P型氮化鎵層。
[0037]在另一實(shí)施例中，上述的多個(gè)納米柱180的直徑與結(jié)構(gòu)層厚度的比值介于0.01至I之間，較佳為0.05至0.1之間。在又一實(shí)施例中，規(guī)則排列的多個(gè)納米柱180的間距為Inm至500nm,較佳為IOnm至IOOnm之間。
[0038]請(qǐng)參照?qǐng)D1A至圖1I，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的一種發(fā)光二極管100的制造流程首1J面不意圖。
[0039]請(qǐng)參照?qǐng)D1A。首先，提供基板110，并利用磊晶制程，在基板110上依序生長(zhǎng)緩沖層112、第一型半導(dǎo)體層120、發(fā)光層130及第二型半導(dǎo)體層140。在一實(shí)施例中，生長(zhǎng)緩沖層112、第一型半導(dǎo)體層120、發(fā)光層130及第二型半導(dǎo)體層140的方法可為化學(xué)氣相沉積或有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積。
[0040]請(qǐng)參照?qǐng)D1B。利用微影蝕刻制程定義第一型半導(dǎo)體層120、發(fā)光層130及第二型半導(dǎo)體層140，形成一裸露出第一型半導(dǎo)體層120的第一區(qū)域114，并在第一區(qū)域114以外的位置形成一由第一型半導(dǎo)體層130、發(fā)光層140以及第二半導(dǎo)體層150所構(gòu)成的平臺(tái)結(jié)構(gòu)142。蝕刻的方法為干式蝕刻(dry etching)或濕式蝕刻(wet etching)。其中，干式蝕刻為非等向性(anisotriic)蝕刻。
[0041]請(qǐng)參考圖1C，先形成一絕緣層150于平臺(tái)結(jié)構(gòu)142上，再涂布多個(gè)納米粒子152規(guī)則排列于絕緣層150上。在一實(shí)施例中，絕緣層150為氧化硅(SiOx)或氮化系硅氮化物(SixNy) ο上述的納米粒子152可為金屬納米球,例如鎳(Ni)金屬納米球,其可依實(shí)際需求，選用酸蝕刻液移除金屬納米球。
[0042]請(qǐng)參照?qǐng)D1D，形成多個(gè)等間隔規(guī)則排列的納米罩幕154于平臺(tái)結(jié)構(gòu)142上。上述的形成納米罩幕154的方法，可通過(guò)納米壓印或微影蝕刻完成，并且去除納米粒子152。在一實(shí)施例中，蝕刻方法反應(yīng)性離子蝕刻法(Reactive ion etching, RIE)。在另一實(shí)施例中，可依實(shí)際需求，任意變化納米罩幕的形狀，以因應(yīng)所需要的光型。
[0043]請(qǐng)參照?qǐng)D1E。使用任何已知的方法形成一梯形硬罩幕170于平臺(tái)結(jié)構(gòu)142上，覆蓋預(yù)定形成一發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)位置的納米結(jié)構(gòu)。
[0044]請(qǐng)參照?qǐng)D1F。施以非等向性蝕刻制程，并以第一型半導(dǎo)體層120為蝕刻終點(diǎn)，去除未被梯形硬罩幕170及納米罩幕154所遮蔽的平臺(tái)，使得平臺(tái)結(jié)構(gòu)142形成一具有梯形側(cè)壁174的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)172及多個(gè)納米柱180自梯形側(cè)壁174向外延伸的規(guī)則排列的納米柱180。其中，納米柱180的高度可以實(shí)際情況調(diào)整，取決于蝕刻時(shí)間，并以第一型半導(dǎo)體層120為蝕刻終點(diǎn)。在一實(shí)施例中，上述的非等向性蝕刻制程為感應(yīng)耦合等離子(Inductively Coupled Plasma, ICP)蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻(Reactive 1nEtching, RIE)。在另一實(shí)施例中，蝕刻速率為約100埃/分鐘至約3000埃/分鐘，較佳為約1500埃/分鐘至約2500埃/分鐘，更佳為約2000埃/分鐘。
[0045]請(qǐng)參照?qǐng)D1G，可使用任何已知的方法去除梯形硬罩幕170及納米罩幕154。在一實(shí)施例中，采用濕蝕刻的方法，利用氫氟酸(HF)和氟化氨(NH4F)的混合溶液,為BOE溶液，用以去除梯形硬罩幕170及納米罩幕154。
[0046]請(qǐng)參照?qǐng)D1H。形成透明導(dǎo)電層190于具有梯形側(cè)壁174的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)172的第二型半導(dǎo)體層140上。
[0047]請(qǐng)參照?qǐng)D1I。形成第一型接觸墊192于第一區(qū)域114的第一型半導(dǎo)層120，以及形成第二型接觸墊194于透明導(dǎo)電層190上。
[0048]依據(jù)上述所揭露的實(shí)施方式，本案提出發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有規(guī)則排列的多個(gè)納米柱狀結(jié)構(gòu)，并且分布范圍包括梯形側(cè)壁和第二導(dǎo)電層上，使得發(fā)光二極管出光一致，而且能增加發(fā)光二極管的亮度，可改善已知發(fā)光二極管的發(fā)光效率不足的問(wèn)題。
[0049]雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，并用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。鑒于從屬權(quán)利要求所定義，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，各種的改變、取代或交替方式，皆不偏離本實(shí)施方式的精神與范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包含: 一基板，其表面形成有一緩沖層，該基板包括有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域； 一第一型半導(dǎo)體層，包括有一第一部分以及一第二部分分別位于該第一區(qū)域和該第二區(qū)域； 一結(jié)構(gòu)層，位于該緩沖層上的該第二區(qū)域，包含: 該第一型半導(dǎo)體層的該第二部分； 一發(fā)光層，其位于該第一型半導(dǎo)體層的該第二部分上；以及 一第二型半導(dǎo)體層，其位于該發(fā)光層上， 其中該結(jié)構(gòu)層是由一具梯形側(cè)壁的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)以及多個(gè)自該梯形側(cè)壁向外延伸的規(guī)則排列的納米柱狀結(jié)構(gòu)所構(gòu)成； 一透明導(dǎo)電層，其位于該結(jié)構(gòu)層的第二區(qū)域中的該發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)上； 一第一型接觸墊，其位于該第一區(qū)域中的該第一部分的該第一型半導(dǎo)體層上；以及 一第二型接觸墊，其位于該透明導(dǎo)電層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，各所述納米柱狀結(jié)構(gòu)的直徑與該結(jié)構(gòu)層厚度的比值介于0.01至I之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光`二極管，其特征在于，所述多個(gè)納米柱的間距為Inm至500nmo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該基板是一藍(lán)寶石基板或一含娃基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該緩沖層是一未摻雜氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一型半導(dǎo)體層是一N型半導(dǎo)體層，該第二型半導(dǎo)體層是一 P型半導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該N型半導(dǎo)體層是由摻有N型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，該P(yáng)型半導(dǎo)體層是由摻有P型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一型半導(dǎo)體層是一N型氮化鎵層，該第二型半導(dǎo)體層是一 P型氮化鎵層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光層是一多重量子井層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該多重量子井層是由至少一氮化鎵層以及至少一氮化銦鎵層所組成。
11.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基板； 利用磊晶制程，在該基板上依序生長(zhǎng)一緩沖層、一第一型半導(dǎo)體層、一發(fā)光層以及一第二型半導(dǎo)體層； 利用微影蝕刻制程定義該第一型半導(dǎo)體層、該發(fā)光層以及該第二型半導(dǎo)體層，形成一裸露出該第一型半導(dǎo)體層的第一區(qū)域，并在該第一區(qū)域以外的位置形成一由該第一型半導(dǎo)體層、該發(fā)光層以及該第二型半導(dǎo)體層所構(gòu)成的平臺(tái)結(jié)構(gòu)； 形成多個(gè)等間隔規(guī)則排列的納米罩幕于該平臺(tái)結(jié)構(gòu)上； 形成一梯形硬罩幕于該平臺(tái)上，覆蓋預(yù)定形成一發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)位置的所述多個(gè)納米罩.; 施以一非等向性蝕刻制程，并以該第一型半導(dǎo)體層為蝕刻終點(diǎn)，去除未被該梯形硬罩幕以及所述多個(gè)納米罩幕所遮蔽的該平臺(tái)結(jié)構(gòu)，使得該平臺(tái)形成一具有梯形側(cè)壁的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)以及多個(gè)納米柱自該梯形側(cè)壁向外延伸的規(guī)則排列的納米柱狀結(jié)構(gòu)； 去除該梯形罩幕以及所述多個(gè)納米罩幕； 形成一透明導(dǎo)電層于該具有梯形側(cè)壁的發(fā)光二極管堆疊結(jié)構(gòu)的該第二型半導(dǎo)體層上； 形成一第一型接觸墊于該第一區(qū)域的該第一型半導(dǎo)層上；以及 形成一第二型接觸墊于該透明導(dǎo)電層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，形成所述多個(gè)納米罩幕的方法，可通過(guò)納米壓印或微影蝕刻完成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，該納米罩幕是由絕緣層所構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，該絕緣層可為氧化硅或氮化系硅氮化物。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，該蝕刻方法為干蝕刻法或濕蝕刻法。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā) 光二極管的制造方法，其特征在于，該非等向性蝕刻制程為感應(yīng)耦合等離子蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻。
【文檔編號(hào)】H01L33/24GK103489978SQ201210407259
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2012年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月7日
【發(fā)明者】余長(zhǎng)治, 唐修穆, 林孟毅 申請(qǐng)人:隆達(dá)電子股份有限公司