專利名稱：一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件在封裝之前，是將晶片焊接于導(dǎo)線框架的焊片區(qū)，導(dǎo)線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用導(dǎo)線框架。 現(xiàn)有技術(shù)中，將晶片焊接于導(dǎo)線框架的焊盤區(qū)，大多采用銀膠或者錫膏，采用銀膠或者錫膏焊接晶片的步驟一般包括I、導(dǎo)線框架貼膜在導(dǎo)線框架背面貼一張膠膜，來克服塑封成型時(shí)散熱板區(qū)域被溢出的膠體影響散熱的問題；2、銀膠(或錫膏)焊片在室溫25。C左右進(jìn)行點(diǎn)膠，然后進(jìn)行固晶作業(yè)；3、銀膠(或錫膏)烘烤在175° C的高溫烤箱內(nèi)固化3小時(shí)；4、晶片焊線在220° C的軌道溫度下進(jìn)行超聲波焊接，使晶片與導(dǎo)線框架連接線路導(dǎo)通；5、塑封成型塑封料在175° C的溫度下熔化，透過模具閉合擠壓，使塑封料灌入型腔，把晶片與導(dǎo)線框架的功能區(qū)域灌封，從而保護(hù)產(chǎn)品不受破壞和氧化?，F(xiàn)有技術(shù)的焊接晶片的步驟比較繁瑣、由于制程時(shí)間長(zhǎng)而導(dǎo)致生產(chǎn)效率低，該制程使用銀膠或者錫膏的成本也較高、性能一般。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，該方形扁平無引腳封裝焊片的方法由于縮短晶片焊接的周期從而提高生產(chǎn)效率，還可降低制作成本，提高產(chǎn)品性能。本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。提供一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟
I)錫線焊片；2)晶片焊線；3)導(dǎo)線框架貼膜；4)塑封成型。優(yōu)選的，步驟I)的錫線焊片，具體步驟如下
導(dǎo)線框架的焊片區(qū)放入錫線后，被自動(dòng)送入軌道的高溫區(qū)預(yù)熱至錫線被熔化為液態(tài)錫時(shí)，然后利用壓膜頭根據(jù)晶片的尺寸將液態(tài)錫壓膜成型，接著導(dǎo)線框架被輸送至軌道的固晶區(qū)進(jìn)行吸晶片固晶，固晶完成后導(dǎo)線框架被輸送至軌道的冷卻區(qū)進(jìn)行冷卻，最后經(jīng)過軌道的室溫區(qū)被送至料盒出料。更優(yōu)選的，步驟I)中錫線的用量根據(jù)晶片尺寸來決定，在線徑為O. 5mm的錫線條件下，晶片尺寸為Ixlmm時(shí)錫線用量為lmm，晶片尺寸為2x2mm時(shí)錫線用量為2. 3mm,晶片尺寸為3x3mm時(shí)錫線用量為3. Imm,晶片尺寸為4x4mm時(shí)錫線用量為5mm,晶片尺寸為5x5mm時(shí)用量為6mm。另一優(yōu)選的，軌道的高溫區(qū)的溫度變化為軌道長(zhǎng)度每隔100± 10mm，軌道溫度變化依次為 300±10° C，360±10° C，360±10° C，370±10° C，375±10° C。更優(yōu)選的，錫線在375±10° C的溫度時(shí)在導(dǎo)線框架上熔化成液態(tài)。另一優(yōu)選的,壓膜頭的溫度為420±30° C。另一優(yōu)選的， 軌道的固晶區(qū)的溫度為375±10° C。另一優(yōu)選的,軌道的冷卻區(qū)的溫度為先360± 10° C,后290±10° C,兩個(gè)溫度設(shè)在軌道長(zhǎng)度相隔為100± IOmm處。另一優(yōu)選的，軌道的室溫區(qū)為供應(yīng)氮?dú)舛栊詺怏w的密閉裝置。另一優(yōu)選的，步驟3)的導(dǎo)線框架貼膜，具體為在導(dǎo)線框架背面貼一張膠膜。本發(fā)明的有益效果如下
本發(fā)明通過使用錫線來焊接晶片，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了制作步驟，從而縮短了產(chǎn)品制作周期；錫線的成本比銀膠或錫膏的成本低，并且錫線在散熱和導(dǎo)電性能上比銀膠或錫膏更優(yōu)越，因此，本發(fā)明由于縮短晶片焊接的周期從而提高生產(chǎn)效率，還可降低制作成本，提聞廣品性能。
具體實(shí)施例方式結(jié)合以下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。本實(shí)施例的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟
I)錫線焊片；2)晶片焊線；3)導(dǎo)線框架貼膜；4)塑封成型。本發(fā)明通過使用錫線來焊接晶片，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了制作步驟，從而縮短了產(chǎn)品制作周期；錫線的成本比銀膠或錫膏的成本低，并且錫線在散熱和導(dǎo)電性能上比銀膠或錫膏更優(yōu)越，因此，本發(fā)明由于縮短晶片焊接的周期從而提高生產(chǎn)效率，還可降低制作成本，提聞廣品性能。具體的，步驟I)的錫線焊片，具體步驟如下
導(dǎo)線框架的焊片區(qū)放入錫線后，被自動(dòng)送入軌道的高溫區(qū)預(yù)熱至錫線被熔化為液態(tài)錫時(shí)，然后利用壓膜頭根據(jù)晶片的尺寸將液態(tài)錫壓膜成型，接著導(dǎo)線框架被輸送至軌道的固晶區(qū)進(jìn)行吸晶片固晶，固晶完成后導(dǎo)線框架被輸送至軌道的冷卻區(qū)進(jìn)行冷卻，最后經(jīng)過軌道的室溫區(qū)被送至料盒出料。具體的，步驟I)中錫線的用量根據(jù)晶片尺寸來決定，在線徑為O. 5mm的錫線條件下，晶片尺寸為Ixlmm時(shí)錫線用量為lmm，晶片尺寸為2x2mm時(shí)錫線用量為2. 3mm,晶片尺寸為3x3mm時(shí)錫線用量為3. Imm,晶片尺寸為4x4mm時(shí)錫線用量為5mm,晶片尺寸為5x5mm時(shí)用量為6mm。具體的，軌道高溫區(qū)的溫度變化為軌道長(zhǎng)度每隔100± 10mm，軌道溫度變化依次為 300±10° C，360±10° C，360±10° C，370±10° C，375±10° C。具體的，錫線在375±10° C的溫度時(shí)在導(dǎo)線框架上熔化成液態(tài)。具體的，壓膜頭的溫度為420±30° C。具體的，軌道的固晶區(qū)的溫度為375±10° C。具體的，軌道的冷卻區(qū)的溫度為先360±10° C，后290±10° C，兩個(gè)溫度設(shè)在軌道長(zhǎng)度相隔為100± IOmm處。具體的，軌道的室溫區(qū)為供應(yīng)氮?dú)舛栊詺怏w的密閉裝置?？煞乐巩a(chǎn)品氧化。
具體的，步驟3)的導(dǎo)線框架貼膜，具體為在導(dǎo)線框架背面貼一張膠膜?，F(xiàn)有技術(shù)是先在導(dǎo)線框架貼膜，來克服塑封成型時(shí)散熱板區(qū)域溢膠而影響散熱，本發(fā)明的貼膜制程選擇在焊線后完成是避免膠膜在錫線焊片制程因?yàn)檐壍罍囟冗^高造成膠膜無法承受而導(dǎo)致膠膜粘度下降，達(dá)不到防止溢膠作用。膠膜最大承受溫度為220° C。本發(fā)明的2)晶片焊線和4)塑封成型兩個(gè)制程與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理 解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于包括以下依次進(jìn)行的步驟 I)錫線焊片；2)晶片焊線；3)導(dǎo)線框架貼膜；4)塑封成型。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于步驟I)的錫線焊片，具體步驟如下 導(dǎo)線框架的焊片區(qū)放入錫線后，被自動(dòng)送入軌道的高溫區(qū)預(yù)熱至錫線被熔化為液態(tài)錫時(shí)，然后利用壓膜頭根據(jù)晶片的尺寸將液態(tài)錫壓膜成型，接著導(dǎo)線框架被輸送至軌道的固晶區(qū)進(jìn)行吸晶片固晶，固晶完成后導(dǎo)線框架被輸送至軌道的冷卻區(qū)進(jìn)行冷卻，最后經(jīng)過軌道的室溫區(qū)被送至料盒出料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于步驟I)中錫線的用量根據(jù)晶片尺寸來決定，具體為在線徑為O. 5mm的錫線條件下，晶片尺寸為Ixlmm時(shí),錫線用量為Imm,晶片尺寸為2x2mm時(shí)錫線用量為2. 3mm,晶片尺寸為3x3mm時(shí)錫線用量為3. Imm,晶片尺寸為4x4mm時(shí)錫線用量為5mm,晶片尺寸為5x5mm時(shí)用量為6mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于軌道的高溫區(qū)的溫度變化為軌道長(zhǎng)度每隔100± 10mm，軌道溫度變化依次為300±10° C，360±10° C，360±10° C，370±10° C，375±10° C。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于錫線在375±10° C的溫度時(shí)在導(dǎo)線框架上熔化成液態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于壓膜頭的溫度為420±30° C。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于軌道的固晶區(qū)的溫度為375±10° C。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于軌道的冷卻區(qū)的溫度為先360±10° C，后290±10° C，兩個(gè)溫度設(shè)在軌道長(zhǎng)度相隔為100± IOmm處。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于軌道的室溫區(qū)為供應(yīng)氮?dú)舛栊詺怏w的密閉裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其特征在于步驟3)的導(dǎo)線框架貼膜，具體為在導(dǎo)線框架背面貼一張膠膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種方形扁平無引腳封裝焊片的方法，其步驟依次包括1)錫線焊片；2)晶片焊線；3)導(dǎo)線框架貼膜；4)塑封成型，通過使用錫線來焊接晶片，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了制作步驟,從而縮短了產(chǎn)品制作周期；錫線的成本比銀膠或錫膏的成本低，并且錫線在散熱和導(dǎo)電性能上比銀膠或錫膏更優(yōu)越，因此，本發(fā)明由于縮短晶片焊接的周期從而提高生產(chǎn)效率，還可降低制作成本，提高產(chǎn)品性能。
文檔編號(hào)H01L21/50GK102856216SQ201210340580
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月14日
發(fā)明者韓福彬 申請(qǐng)人:杰群電子科技(東莞)有限公司