封裝基板及其制作方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及芯片封裝體制作方法
【專利摘要】一種封裝基板，其包括銅箔基板、濺鍍銅層、多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)、介電層及導(dǎo)電線路層，所述濺鍍銅層形成于所述銅箔基板表面，所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)形成于所述濺鍍銅層遠(yuǎn)離所述銅箔基板的表面，所述介電層位于所述導(dǎo)電線路層合所述濺鍍銅層之間，所述介電層內(nèi)形成有與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，所述導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條導(dǎo)電線路及與所述多條導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)連接墊，每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接墊相互電導(dǎo)通。本發(fā)明還提供該封裝基板的制作方法及封裝結(jié)構(gòu)及芯片封裝體制作方法。
【專利說(shuō)明】封裝基板及其制作方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及芯片封裝體制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種封裝基板及其制作方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及芯片封裝體的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]封裝基板可為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐、散熱、組裝等功效，以實(shí)現(xiàn)多引腳化，縮小封裝產(chǎn)品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的目的。
[0003]在采用封裝基板對(duì)芯片進(jìn)行封裝的過(guò)程中，當(dāng)封裝基板的厚度較小時(shí)，需要采用硬性的承載板進(jìn)行支撐?，F(xiàn)有技術(shù)中，通常同時(shí)制作正反兩個(gè)基板同時(shí)進(jìn)行封裝，而將承載板設(shè)置在兩個(gè)基板之間。為了能夠使得封裝后得到的正反兩面的芯片封裝體相互分離，通常需要采用一種特殊的銅箔作為承載板與封裝基板相連接的部分。所述特殊的銅缽為兩層銅箔之間夾設(shè)一層膠層的結(jié)構(gòu)，并且兩層銅箔的厚度不同。這種銅箔的價(jià)格昂貴，增加了芯片封裝的成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]因此，有必要提供一種封裝基板及其制作方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及芯片封裝體的制作方法，以降低芯片封裝的成本。
[0005]一種封裝基板，其包括銅箔基板、濺鍍銅層、多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)、介電層及導(dǎo)電線路層，所述濺鍍銅層形成于所述銅箔基板表面，所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)形成于所述濺鍍銅層遠(yuǎn)離所述銅箔基板的表面，所述介電層位于所述導(dǎo)電線路層合所述濺鍍銅層之間，所述介電層內(nèi)形成有與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，所述導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條導(dǎo)電線路及與所述多條導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)連接墊，每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接墊相互電導(dǎo)通。
[0006]一種封裝基板的制作方法，包括步驟:提供第一銅箔基板、膠片及第二銅箔基板，并將膠片壓合在第一銅箔基板與第二銅箔基板之間得到承載基板，所述承載基板具有相對(duì)的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成第一濺鍍銅層，在所述第二表面形成第二濺鍍銅層；在所述第一濺鍍銅層上電鍍形成多個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)，在所述第二濺鍍銅層上電鍍形成多個(gè)第二導(dǎo)電接點(diǎn)；在所述多個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)及第一濺鍍銅層上壓合第一介電層及第一導(dǎo)電層，在多個(gè)所述第二導(dǎo)電接點(diǎn)及第二濺鍍銅層上壓合第二介電層及第二導(dǎo)電層；在第一介電層及第一導(dǎo)電層內(nèi)形成與多個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一導(dǎo)電盲孔，并將第一導(dǎo)電層制作形成第一導(dǎo)電線路層，所述第一導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)第一導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條第一導(dǎo)電線路及與所述多條第一導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)第一連接墊，使得每個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的第一連接墊相互電導(dǎo)通，在第二介電層及第二導(dǎo)電層內(nèi)形成多個(gè)第二導(dǎo)電盲孔，并將第二導(dǎo)電層制作形成多根第二導(dǎo)電線路及多個(gè)第二連接墊，每個(gè)第二導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電盲孔及第二導(dǎo)電線路與第二連接墊相互電導(dǎo)通，從而獲得多層基板；以及在第一銅箔基板及第二銅箔基板之間對(duì)所述多層基板進(jìn)行分割，并去除第一銅箔基板與第二銅箔基板之間的膠片，從而得到兩個(gè)相互分離的封裝基板。
[0007]—種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括銅箔基板、濺鍍銅層、多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)、介電層、導(dǎo)電線路層、防焊層及芯片，所述濺鍍銅層形成于所述銅箔基板表面，所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)形成于所述濺鍍銅層遠(yuǎn)離所述銅箔基板的表面，所述介電層位于所述導(dǎo)電線路層合所述濺鍍銅層之間，所述介電層內(nèi)形成有與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn) 對(duì)應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，所述導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條導(dǎo)電線路及與所述多條導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)連接墊，每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接墊相互電導(dǎo)通，所述防焊層覆蓋所述多條導(dǎo)電線路的表面以及從導(dǎo)線線路層暴露出的介電層的表面，并暴露出所述多個(gè)連接墊，每個(gè)連接墊表面形成有金層，所述芯片設(shè)置于防焊層表面，并通過(guò)鍵合線與每個(gè)連接墊表面的所述金層電連接。
[0008]一種芯片封裝體的制作方法，包括步驟:提供所述的封裝基板；
在封裝基板上封裝一個(gè)芯片，使得芯片與導(dǎo)電線路層的連接墊電連接；將封裝基板中的銅箔基板從濺鍍銅層表面分離；去除每個(gè)封裝基板中的濺鍍銅層，以暴露出所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；以及在封裝基板中的每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)上均形成一個(gè)焊球，從而得到芯片封裝體。
[0009]一種芯片封裝體的制作方法，包括步驟:提供所述的封裝結(jié)構(gòu)；
將封裝結(jié)構(gòu)中的銅箔基板從濺鍍銅層表面分離；去除濺鍍銅層，以暴露出所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；以及在封裝結(jié)構(gòu)中的每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)上均形成一個(gè)焊球，從而得到芯片封裝體。
[0010]一種芯片封裝體的制作方法，包括步驟:提供兩個(gè)銅箔基板及一個(gè)膠片，并將膠片壓合在所述兩個(gè)銅箔基板之間得到承載基板，所述承載基板具有相對(duì)的兩個(gè)濺鍍表面；在每個(gè)濺鍍表面均濺鍍形成一層濺鍍銅層；在每層濺鍍銅層上通過(guò)電鍍形成多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；
在承載基板的兩側(cè)各壓合一層介電層及一層導(dǎo)電層，并使得所述介電層與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)、濺鍍銅層相接觸；在每側(cè)的介電層及導(dǎo)電層內(nèi)形成與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)—對(duì)應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，并將導(dǎo)電層制作形成導(dǎo)電線路層，所述導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條導(dǎo)電線路及與所述多條導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)連接墊，使得每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接墊相互電導(dǎo)通，從而獲得多層基板；在兩個(gè)銅箔基板之間對(duì)所述多層基板進(jìn)行分割，并去除兩個(gè)銅箔基板之間的膠片，從而得到兩個(gè)相互分離的封裝基板，每個(gè)封裝基板均包括一個(gè)所述銅箔基板、一層濺鍍?cè)谒鲢~箔基板表面的所述濺鍍銅層、多個(gè)位于濺鍍銅層表面的所述導(dǎo)電接點(diǎn)、一層壓合于所述濺鍍銅層表面的所述介電層及一層壓合于所述介電層表面的所述導(dǎo)電線路層；在每個(gè)封裝基板上封裝一個(gè)芯片，使得芯片與導(dǎo)電線路層的連接墊電連接；將每個(gè)封裝基板中的銅箔基板從濺鍍銅層表面分離；去除每個(gè)封裝基板中的濺鍍銅層，以暴露出所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；以及
在每個(gè)封裝基板中的每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)上均形成一個(gè)焊球，從而得到芯片封裝體。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案提供的封裝基板進(jìn)行制作過(guò)程中，通過(guò)在承載基板的表面形成濺鍍銅層，并利用濺鍍銅層具有可電鍍性和可剝離性，在濺鍍銅層上電鍍形成導(dǎo)電圖形以進(jìn)行后續(xù)的封裝基板的制作。在封裝基板封裝芯片過(guò)程中，可以容易地將封裝基板中的支撐部分去除。因此，本技術(shù)方案提供的封裝基板及芯片封裝體的制作方法，可以避免使用價(jià)格較為昂貴的特殊銅箔結(jié)構(gòu)，從而降低了封裝基板及芯片封裝體的制作成本。本技術(shù)方案提供的封裝基板具有體積小，易于制作的特點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的第一銅箔基板、第一銅箔、膠片、第二銅箔及第二銅箔基板的剖面示意圖。
[0013]圖2是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的壓合第一銅箔基板、第一銅箔、膠片、第二銅箔及第二銅箔基板后得到承載基板的剖面示意圖。
[0014]圖3是圖2中承載基板的兩個(gè)表面分別形成第一濺鍍銅層和第二濺鍍銅層后的剖面示意圖。
[0015]圖4是圖2中的承載基板中形成第一工具孔后的剖面示意圖。
[0016]圖5是圖4的第一濺鍍銅層上形成第一光致抗蝕劑圖形，在第二濺鍍銅層上形成第二光致抗蝕劑圖形后的剖面示意圖。
[0017]圖6是圖5在第一光致抗蝕劑圖形中形成第一導(dǎo)電圖形，在第二光致抗蝕劑圖形中形成第二導(dǎo)電圖形后的剖面示意圖。
[0018]圖7是圖6去除第一光致抗蝕劑圖形和第二光致抗蝕劑圖形后的剖面示意圖。
[0019]圖8是圖7的第一導(dǎo)電圖形上壓合第一介電層和第一導(dǎo)電層并在第二導(dǎo)電圖形上壓合第二介電層和第二導(dǎo)電層后的剖面示意圖。
[0020]圖9是圖8的第一介電層和第一導(dǎo)電層中形成第一導(dǎo)電盲孔，在第二介電層和第二導(dǎo)電層中形成第二導(dǎo)電盲孔的剖面示意圖。
[0021 ] 圖10是圖9中的第一導(dǎo)電層制作形成第一導(dǎo)電線路層，第二導(dǎo)電層制作形成第二導(dǎo)電線路層后得到多層基板的剖面示意圖。
[0022]圖11是圖10的第一導(dǎo)電線路上形成第一防焊層，第一連接墊上形成第一金層，第二導(dǎo)電線路上形成第二防焊層，第二連接墊上形成第二金層后的剖面示意圖。
[0023]圖12是切割圖11的多層基板的剖面示意圖。
[0024]圖13是圖12切割多層基板后得到的第一封裝基板和第二封裝基板的剖面示意圖。
[0025]圖14是圖13的封裝基板封裝芯片后的剖面示意圖。
[0026]圖15是圖14的封裝基板去除第一銅箔基板后的剖面示意圖。
[0027]圖16是圖15的封裝基板去除第一濺鍍銅層后的剖面示意圖。
[0028]圖17是本技術(shù)方案提供的封裝后得到的芯片封裝體的剖面示意圖。
[0029]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種封裝基板的制作方法，包括步驟: 提供第一銅箔基板、膠片及第二銅箔基板，并將膠片壓合在第一銅箔基板與第二銅箔基板之間得到承載基板，所述承載基板具有相對(duì)的第一表面和第二表面； 在所述第一表面形成第一濺鍍銅層，在所述第二表面形成第二濺鍍銅層； 在所述第一濺鍍銅層上電鍍形成多個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)，在所述第二濺鍍銅層上電鍍形成多個(gè)第二導(dǎo)電接點(diǎn)； 在所述多個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)及第一濺鍍銅層上壓合第一介電層及第一導(dǎo)電層，在多個(gè)所述第二導(dǎo)電接點(diǎn)及第二濺鍍銅層上壓合第二介電層及第二導(dǎo)電層； 在第一介電層及第一導(dǎo)電層內(nèi)形成與多個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一導(dǎo)電盲孔，并將第一導(dǎo)電層制作形成第一導(dǎo)電線路層，所述第一導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)第一導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條第一導(dǎo)電線路及與所述多條第一導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)第一連接墊，使得每個(gè)第一導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的第一連接墊相互電導(dǎo)通，在第二介電層及第二導(dǎo)電層內(nèi)形成多個(gè)第二導(dǎo)電盲孔，并將第二導(dǎo)電層制作形成多根第二導(dǎo)電線路及多個(gè)第二連接墊，每個(gè)第二導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電盲孔及第二導(dǎo)電線路與第二連接墊相互電導(dǎo)通，從而獲得多層基板；以及 在第一銅箔基板及第二銅箔基板之間對(duì)所述多層基板進(jìn)行分割，并去除第一銅箔基板與第二銅箔基板之間的膠片，從而得到兩個(gè)相互分離的封裝基板。
2. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，在第一銅箔基板及第二銅箔基板之間對(duì)所述多層基板進(jìn)行分割之前，還包括步驟: 在第一導(dǎo)電線路層上形成第一防焊層，以使得第一防焊層覆蓋所述多條第一導(dǎo)電線路的表面以及從第一導(dǎo)線線路層暴露出的第一介電層的表面，并暴露出所述多個(gè)第一連接墊； 在第二導(dǎo)電線路層上形成第二防焊層，以使得第二防焊層覆蓋所述多條第二導(dǎo)電線路的表面以及從第二導(dǎo)電線路層暴露出的第二介電層的表面，并暴露出所述多個(gè)第二連接墊。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，在形成第一防焊層之后，還在第一連接墊表面形成第一金層，在形成第二防焊層之后，還在第二連接墊表面形成第二金層。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，在提供第一銅箔基板、膠片及第二銅箔基板時(shí)，還提供第一銅箔和第二銅箔，所述第一銅箔基板、膠片及第二銅箔基板的橫截面積相同，所述第一銅箔、第二銅箔的橫截面積相同，且第一銅箔的橫截面積小于膠片的橫截面積，所述膠片包括中心區(qū)及環(huán)繞中心區(qū)的邊緣區(qū)，所述中心區(qū)的橫截面積等于第一銅箔的橫截面積；在將膠片壓合在第一銅箔基板和第二銅箔基板之間時(shí)，同時(shí)將第一銅箔壓合在膠片與第一銅箔基板之間，將第二銅箔壓合在于膠片與第二銅箔基板之間，所述第一銅箔和第二銅箔均與膠片的中心區(qū)相接觸，且使得第一銅箔在第一銅箔基板表面的正投影、第二銅箔在第一銅箔基板表面的正投影均與中心區(qū)在第一銅箔基板表面的正投影重疊，從而使得第一銅箔基板和第二銅箔基板僅通過(guò)膠片的邊緣區(qū)粘結(jié)于一起。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述承載基板包括產(chǎn)品區(qū)及環(huán)繞產(chǎn)品區(qū)的廢料區(qū)，所述產(chǎn)品區(qū)與膠片的中心區(qū)相對(duì)應(yīng)，且所述產(chǎn)品區(qū)在第一銅箔基板表面的正投影位于所述中心區(qū)在第一銅箔基板表面的正投影之內(nèi)，在第一銅箔基板及第二銅箔基板之間對(duì)所述多層基板進(jìn)行分割時(shí)，沿著產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界線對(duì)多層基板進(jìn)行切割，以使得產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)相分離，并使得產(chǎn)品區(qū)中的第一銅箔基板與第一銅箔自然脫離，產(chǎn)品區(qū)中的第二銅箔基板與第二銅箔自然脫離，去除產(chǎn)品區(qū)中自然脫離的第一銅箔、第二銅箔以及其間的膠片，從而得到相互分離的兩個(gè)封裝基板。
6.一種封裝基板，其包括銅箔基板、濺鍍銅層、多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)、介電層及導(dǎo)電線路層，所述濺鍍銅層形成于所述銅箔基板表面，所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)形成于所述濺鍍銅層遠(yuǎn)離所述銅箔基板的表面，所述介電層位于所述導(dǎo)電線路層合所述濺鍍銅層之間，所述介電層內(nèi)形成有與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，所述導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條導(dǎo)電線路及與所述多條導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)連接墊，每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接墊相互電導(dǎo)通。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝基板，其特征在于，在導(dǎo)電線路層上形成第一防焊層，以使得第一防焊層覆蓋所述多條導(dǎo)電線路 的表面以及從導(dǎo)電線路層暴露出的介電層的表面，并暴露出所述多個(gè)連接墊，所述連接墊上形成有金層。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝基板，其特征在于，所述濺鍍銅層的厚度為0.1微米至I微米。
9.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括銅箔基板、濺鍍銅層、多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)、介電層、導(dǎo)電線路層、防焊層及芯片，所述濺鍍銅層形成于所述銅箔基板表面，所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)形成于所述濺鍍銅層遠(yuǎn)離所述銅箔基板的表面，所述介電層位于所述導(dǎo)電線路層合所述濺鍍銅層之間，所述介電層內(nèi)形成有與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，所述導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條導(dǎo)電線路及與所述多條導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)連接墊，每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接墊相互電導(dǎo)通，所述防焊層覆蓋所述多條導(dǎo)電線路的表面以及從導(dǎo)線線路層暴露出的介電層的表面，并暴露出所述多個(gè)連接墊，每個(gè)連接墊表面形成有金層，所述芯片設(shè)置于防焊層表面，并通過(guò)鍵合線與每個(gè)連接墊表面的所述金層電連接。
10.一種芯片封裝體的制作方法，包括步驟: 提供如權(quán)利要求6所述的封裝基板； 在封裝基板上封裝一個(gè)芯片，使得芯片與導(dǎo)電線路層的連接墊電連接； 將封裝基板中的銅箔基板從濺鍍銅層表面分離； 去除每個(gè)封裝基板中的濺鍍銅層，以暴露出所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；以及 在封裝基板中的每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)上均形成一個(gè)焊球，從而得到芯片封裝體。
11.一種芯片封裝體的制作方法，包括步驟: 提供如權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)； 將封裝結(jié)構(gòu)中的銅箔基板從濺鍍銅層表面分離； 去除濺鍍銅層，以暴露出所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；以及 在封裝結(jié)構(gòu)中的每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)上均形成一個(gè)焊球，從而得到芯片封裝體。
12.一種芯片封裝體的制作方法，包括步驟: 提供兩個(gè)銅箔基板及一個(gè)膠片，并將膠片壓合在所述兩個(gè)銅箔基板之間得到承載基板，所述承載基板具有相對(duì)的兩個(gè)濺鍍表面； 在每個(gè)濺鍍表面均濺鍍形成一層濺鍍銅層； 在每層濺鍍銅層上通過(guò)電鍍形成多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)； 在承載基板的兩側(cè)各壓合一層介電層及一層導(dǎo)電層，并使得所述介電層與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)、濺鍍銅層相接觸； 在每側(cè)的介電層及導(dǎo)電層內(nèi)形成與多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)—對(duì)應(yīng)的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，并將導(dǎo)電層制作形成導(dǎo)電線路層，所述導(dǎo)電線路層包括與多個(gè)導(dǎo)電盲孔一一電導(dǎo)通的多條導(dǎo)電線路及與所述多條導(dǎo)電線路一一電連接的多個(gè)連接墊，使得每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電盲孔、一條對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電線路與一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接墊相互電導(dǎo)通，從而獲得多層基板； 在兩個(gè)銅箔基板之間對(duì)所述多層基板進(jìn)行分割，并去除兩個(gè)銅箔基板之間的膠片，從而得到兩個(gè)相互分離的封裝基板，每個(gè)封裝基板均包括一個(gè)所述銅箔基板、一層濺鍍?cè)谒鲢~箔基板表面的所述濺鍍銅層、多個(gè)位于濺鍍銅層表面的所述導(dǎo)電接點(diǎn)、一層壓合于所述濺鍍銅層表面的所述介電層及一層壓合于所述介電層表面的所述導(dǎo)電線路層； 在每個(gè)封裝基板上封裝一個(gè)芯片，使得芯片與導(dǎo)電線路層的連接墊電連接； 將每個(gè)封裝基板中的銅箔基板從濺鍍銅層表面分離； 去除每個(gè)封裝基板中的濺鍍銅層，以暴露出所述多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；以及 在每個(gè)封裝基板中的每個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)上均形成一個(gè)焊球，從而得到芯片封裝體。
13.如權(quán)利要求1 0至12任一項(xiàng)所述的芯片封裝體的制作方法，其特征在于，將芯片封裝于封裝基板包括步驟: 將芯片絕緣的貼合于封裝基板； 在所述芯片的每個(gè)電極墊與對(duì)應(yīng)的一個(gè)連接墊之間形成鍵合線；以及在芯片及封裝基板上形成封裝材料，使得所述芯片、鍵合線及封裝基板的第一導(dǎo)電線路層完全被封裝材料覆蓋。
14.如權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的芯片封裝體的制作方法，其特征在于，采用微蝕的方式將介電層粘附的濺鍍銅層去除。
【文檔編號(hào)】H01L23/00GK103579009SQ201210272752
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月2日
【發(fā)明者】胡竹青, 許詩(shī)濱, 周鄂東 申請(qǐng)人:富葵精密組件(深圳)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司