專利名稱：有機薄膜晶體管陣列基板及其制備方法和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機薄膜晶體管陣列基板及其制備方法。
背景技術(shù)：
有機薄膜晶體管(OTFT)是采用有機半導(dǎo)體為有源層的邏輯單元器件，具有適合大面積加工、適用于柔性基板、工藝成本低等優(yōu)點，在平板顯示、傳感器、存儲卡、射頻識別標(biāo)簽等領(lǐng)域顯現(xiàn)出應(yīng)用前景。因此，有機薄膜晶體管的研究與開發(fā)在國際上受到廣泛關(guān)注。有機薄膜晶體管陣列基板包括源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、像素電極、柵電極和柵線、
有機半導(dǎo)體層、柵絕緣層、鈍化層等。在制備有機薄膜晶體管陣列基板的過程中，需要形成源電極和數(shù)據(jù)線的圖形層、漏電極的圖形層、像素電極的圖形層、柵電極和柵線的圖形層、有機半導(dǎo)體層、柵絕緣層和鈍化層。每一層的形成都需要經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝，構(gòu)圖工藝中則需要使用到掩模板。例如，在形成源電極和數(shù)據(jù)線的圖形層時，首先在陣列基板上形成一層金屬薄膜，在金屬薄膜上旋涂一層光刻膠，然后使用掩模板對光刻膠進行曝光和顯影，再對陣列基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠去除區(qū)域的金屬薄膜，最后將剩余的光刻膠進行剝離。至此，通過曝光顯影、刻蝕、剝離等操作，在陣列基板上形成了源電極和數(shù)據(jù)線的圖形層。其他圖形層的形成過程均類似?，F(xiàn)有技術(shù)中，有機薄膜晶體管陣列基板上的每一層的形成都需要經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝，由于每次構(gòu)圖工藝均需要把掩模板圖形轉(zhuǎn)移到薄膜圖形上，而每一層圖形都需要精確的覆蓋在另一層薄膜圖形上，因此在有機薄膜晶體管陣列基板的制作過程中，所用到的掩模板數(shù)量較多，使得生產(chǎn)效率較低，導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種有機薄膜晶體管陣列基板及其制備方法，用于提聞有機薄I吳晶體管陣列基板的制備效率。(二)技術(shù)方案為了達到上述目的，本發(fā)明一方面提供一種有機薄膜晶體管OTFT陣列基板制造方法，該方法包括通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成像素電極的圖形層、以及位于像素電極的圖形層之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層；通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上的有機半導(dǎo)體層、以及覆蓋在有機半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；通過一次構(gòu)圖工藝在形成有柵絕緣層的基板上形成柵電極與柵線的圖形層。另一方面，本發(fā)明還提供一種按照上述的方法制備的有機薄膜晶體管OTFT陣列基板。該OTFT陣列基板上的柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極的圖形層和0TFT，所述OTFT包括位于像素電極的圖形層之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層、覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上的有機半導(dǎo)體層、覆蓋在有機半導(dǎo)體層上的柵絕緣層、覆蓋在柵絕緣層和像素電極的圖形層上的柵電極與柵線的圖形層。再一方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的有機薄膜晶體管OTFT陣列基板。(三)有益效果上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點采用三次構(gòu)圖工藝制備有機薄膜晶體管陣列基板，簡化了制作工藝，降低了制作成本，縮短了制作時間，提高了制作效率。


圖Ia為本發(fā)明實施例提供的方法流程示意圖；圖Ib為本發(fā)明實施例的具體實現(xiàn)流程示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例中形成透明導(dǎo)電薄膜與金屬薄膜后的截面圖；圖2b為本發(fā)明實施例中第一次構(gòu)圖工藝中通過半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板曝光顯影之后的OTFT的截面圖；圖2c為本發(fā)明實施例中第一次構(gòu)圖工藝中第一次刻蝕之后的OTFT的截面圖；圖2d為本發(fā)明實施例中第二次構(gòu)圖工藝中對光刻膠進行灰化后的OTFT的截面圖；圖2e為本發(fā)明實施例中第一次構(gòu)圖工藝中第二次刻蝕之后的OTFT的截面圖；圖2f為本發(fā)明實施例中第一次構(gòu)圖工藝中剝離掉光刻膠之后的OTFT的界面圖；圖2g為本發(fā)明實施例中第一次構(gòu)圖工藝中剝離掉光刻膠之后的OTFT的平面圖；圖3a為本發(fā)明實施例中制備了有機半導(dǎo)體層、柵絕緣層薄膜后的截面圖；圖3b為本發(fā)明實施例中第二次構(gòu)圖工藝掩模板曝光顯影之后的OTFT的截面圖；圖3c為本發(fā)明實施例中第二次構(gòu)圖工藝刻蝕之后的OTFT的截面圖；圖3d為本發(fā)明實施例中圖3c在A-A向的截面圖；圖4a為本發(fā)明實施例中第三次構(gòu)圖工藝之后的OTFT的截面圖；圖4b為本發(fā)明實施例中第三次構(gòu)圖工藝之后的OTFT的平面圖。
具體實施例方式為了提高有機薄膜晶體管陣列基板的制備效率，本發(fā)明實施例提供兩種有機薄膜晶體管陣列基板制造方法及其相應(yīng)的有機薄膜晶體管陣列基板，本發(fā)明通過四次構(gòu)圖工藝，完成陣列基板的制備。參見圖la，本發(fā)明實施例提供的有機薄膜晶體管陣列基板制造方法，該方法包括步驟101 :通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成像素電極的圖形層、以及位于像素電極的圖形層之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層；步驟102 :通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上的有機半導(dǎo)體層、以及覆蓋在有機半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；步驟103 :通過一次構(gòu)圖工藝在形成柵絕緣層的基板上形成柵電極與柵線的圖形層。步驟101中，通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成像素電極的圖形層、以及位于像素電極的圖形層之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層，其具體實現(xiàn)如下在基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，在透明導(dǎo)電薄膜上形成金屬薄膜；在金屬薄膜上旋涂光刻膠，使用掩模板對光刻膠進行曝光顯影，得到光刻膠去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域；所述掩模板可以為半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板等；這里，可以有兩個光刻膠完全保留區(qū)域，一個光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層，另一個光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)漏電極的圖形層。兩個光刻膠完全保留區(qū)域之間留有溝道區(qū)域。光刻膠部分保留區(qū)域位于對應(yīng)漏電極的圖形層的光刻膠完全 保留區(qū)域的一側(cè)，并與該光刻膠完全保留區(qū)域相連。對基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜與金屬薄膜；對基板上的光刻膠進行灰化，以去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；對基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的金屬薄膜，得到像素電極的圖形層；將光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠進行剝離，得到源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層。步驟102中，通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上的有機半導(dǎo)體層、以及覆蓋在有機半導(dǎo)體層上的柵絕緣層，其具體實現(xiàn)如下在形成有源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層、漏電極的圖形層和像素電極的圖形層的基板上形成機半導(dǎo)體層薄膜；在形成有源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層、漏電極的圖形層、像素電極的圖形層和機半導(dǎo)體層薄膜的基板上形成柵絕緣層薄膜；在柵絕緣層薄膜上旋涂光刻膠，使用掩模板對光刻膠進行曝光顯影，得到光刻膠去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域與源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層、漏電極的圖形層相對；對基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的柵絕緣層薄膜和有機半導(dǎo)體層薄膜；將光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠進行剝離，得到有機半導(dǎo)體層和柵絕緣層的圖形層。較佳的，在形成柵絕緣層薄膜之后、并且在柵絕緣層薄膜上旋涂光刻膠之前，可以在第一設(shè)定溫度下將基板烘干設(shè)定時間，在第二設(shè)定溫度下將基板烘干設(shè)定時間，第二設(shè)定溫度大于第一設(shè)定溫度。例如，第一設(shè)定溫度小于100攝氏度，第二設(shè)定溫度大于130攝氏度。步驟103中，通過一次構(gòu)圖工藝在形成柵絕緣層的基板上形成柵電極與柵線的圖形層。其具體實現(xiàn)如下在形成有柵絕緣層的基板上形成柵極金屬薄膜；在柵極金屬薄膜上旋涂光刻膠，使用掩模板對光刻膠進行曝光顯影，得到光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域；對基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域柵極金屬薄膜；將光刻膠進行剝離，得到柵電極與柵線的圖形層。如圖4a所示，本發(fā)明實施例提供一種按照上述方法制備的有機薄膜晶體管OTFT陣列基板，該OTFT陣列基板上的柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極的圖形層3和0TFT，所述OTFT包括位于像素電極的圖形層3之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層2a和漏電極的圖形層2b、覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層2a和漏電極的圖形層2b上的有機半導(dǎo)體層4、覆蓋在有機半導(dǎo)體層4上的柵絕緣層5、覆蓋在柵絕緣層5之上的柵電極與柵線的圖形層7。本實施例中，有機半導(dǎo)體層的材料為并五苯、并四苯、酞菁銅、酞菁氧釩、氟代酞菁銅、聚(3-己基噻吩)中的一種。
所述柵電極與柵線的圖形層的材料為金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鋁(Al )、鎘(Gr)、Au漿、Ag漿、Cu漿、聚(3，4-乙撐二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T/PSS)中的一種。柵絕緣層的材料為五氧化二鉭(Ta205)、二氧化鈦(Ti02)、二氧化鋯(Zr02)、三氧化二鋁(A1203)、氮化硅(SiNX)、氧化硅(Si02)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚氨酯、酚醛樹脂、聚偏氟乙烯中的任意一種或兩種。源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層的材料為Au、Ag、Cu、Mo、Gr、Al、Au漿、Ag漿、Cu漿、PED0T/PSS中的一種?；宓牟牧蠟椴ＡЩ蛩芰?。有機半導(dǎo)體層薄膜形成的方法包括熱沉積，旋涂，打印等。柵電極薄膜形成的方式包括濺射、電子束蒸發(fā)、熱沉積、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、納米壓印以及微接觸印刷中的任一種。源漏電極薄膜形成的方法包括濺射、電子束蒸發(fā)、熱沉積、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、納米壓印以及微接觸印刷中的任一種。本實施例的目的在于提供一種有機薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，采用三次構(gòu)圖工藝，使得源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和像素電極的圖形層在一次溝通中實現(xiàn)，同時有機半導(dǎo)體層與柵絕緣層在一次構(gòu)圖中實現(xiàn)，柵線與柵電極層在一次構(gòu)圖中實現(xiàn)，通過三次構(gòu)圖工藝降低了制作成本，提高了制作效率。為了實現(xiàn)上述目的，本實施例提供了一種有機薄膜晶體管陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，柵線與數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極與有機薄膜晶體管，所述有機薄膜晶體管為頂柵底接觸構(gòu)型，源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層、漏電極的圖形層以及像素電極的圖形層在絕緣襯底上，有機半導(dǎo)體層在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上，柵絕緣層在有機半導(dǎo)體層上，柵電極位于柵絕緣層上。參見圖lb，實施例的具體實現(xiàn)方法如下步驟111、在基板上先形成一層透明導(dǎo)電薄膜，然后再形成一層金屬薄膜，通過第一次構(gòu)圖工藝形成源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層、漏電極的圖形層、以及像素電極的圖形層；步驟112、在完成步驟111的基板上制備有機半導(dǎo)體層、柵絕緣層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成有機半導(dǎo)體層、柵絕緣層；
步驟113、在完成步驟112的基板上形成柵極金屬薄膜，通過第三次構(gòu)圖工藝形成柵電極與柵線的圖形層。具體的，步驟111中，首先在玻璃基板I上利用濺射的方法形成一層透明導(dǎo)電薄膜2，然后在透明導(dǎo)電薄膜上形成金屬薄膜3，圖2a為本實施例形成透明導(dǎo)電薄膜與金屬薄膜后的截面圖。接著旋涂一層光刻膠8，采用半色調(diào)或者灰色調(diào)掩模板對光刻膠8進行曝光顯影，如圖2b所示為本實施例第一次構(gòu)圖工藝中通過半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板曝光顯影之后的OTFT的截面圖。在圖2b中，區(qū)域A為光刻膠去除區(qū)域，區(qū)域B為光刻膠部分保留區(qū)域，區(qū)域C為光刻膠完全保留區(qū)域。光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成源電極與數(shù)據(jù)線，漏電極的圖形區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成像素電極的圖形區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于光刻膠完全保留區(qū)域與光刻膠部分保留區(qū)域之外的區(qū)域，用于形成溝道區(qū)域。對于圖2b所示的陣列基板進行第一次刻蝕，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜與金屬薄膜。圖2c所示為本實施例第一次構(gòu)圖工藝中第一次刻蝕之后的OTFT的截面圖。接著對圖2c所示的陣列基板上的光刻膠進行灰化，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠被去除掉。如圖2d所示為本實施例第二次構(gòu)圖工藝中對光刻膠進行灰化后的OTFT的截面圖。然后對圖2d所示的陣列基板進行第二次刻蝕，刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的金屬薄膜，得到像素電極的圖形層，如圖2e所示為本實施例第一次構(gòu)圖工藝中第二次刻蝕之后的OTFT的截面圖。剝離掉光刻膠后，得到源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層2a、漏電極的圖形層2b、像素電極的圖形層3，如圖2f所示為本實施例第一次構(gòu)圖工藝中剝離掉光刻膠之后的OTFT的界面圖。圖2g所示為本實施例第一次構(gòu)圖工藝中剝離掉光刻膠之后的OTFT的平面圖。步驟112中，在完成步驟111的基板上，利用真空蒸發(fā)的方式制備酞菁氧釩有機半導(dǎo)體層薄膜4，薄膜厚度為50nm ;接著利用旋涂的方式制備聚乙烯苯酚(PVP)柵絕緣層薄膜5，并在小于100°C的溫度下烘干20分鐘，大于130°C的溫度下烘干20分鐘，薄膜厚度為550nm。圖3a為本實施例制備了有機半導(dǎo)體層、柵絕緣層薄膜后的截面圖。然后，旋涂一層光刻膠8，利用掩模板對光刻膠8進行曝光顯影，如圖3b所示為本實施例第二次構(gòu)圖工藝掩模板曝光顯影之后的OTFT的截面圖。在圖3b中，區(qū)域A為光刻膠完全保留區(qū)域，區(qū)域B為光刻膠去除區(qū)域。光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成有機半導(dǎo)體與柵絕緣層的圖形區(qū)域。對于圖3b所示的玻璃基板進行刻蝕，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的絕緣層薄膜與有機半導(dǎo)體層薄膜。圖3c所示為本實施例第二次構(gòu)圖工藝刻蝕之后的OTFT的截面圖，圖3d所示為本實施例第二次構(gòu)圖工藝刻蝕之后的OTFT的平面圖。步驟113中，在完成步驟112的基板上形成柵極金屬薄膜，在形成完柵極金屬薄膜之后，通過第三次構(gòu)圖工藝形成柵電極與柵線的圖形層7。如圖4a所示為本實施例第三次構(gòu)圖工藝之后的OTFT的截面圖，圖4b所示為對應(yīng)的平面圖。本實施例采用三次構(gòu)圖工藝，通過將源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和像素電極的圖形層在一次構(gòu)圖中形成、有機半導(dǎo)體層與柵絕緣層在一次構(gòu)圖中形成，柵極與柵線在一次頭圖工藝中形成簡化了制作工藝，降低了制作成本，縮短了制作時間，提高了制作效率。本發(fā)明還提供一種有機薄膜晶體管陣列基板，本發(fā)明實施例所提供的有機薄膜晶體管陣列基板是利用上述實施例說明的陣列基板的制造方法制得的陣列基板，如圖4a所示，該陣列基板上的柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極的圖形層3和有機薄膜晶體管，所述有機薄膜晶體管包括位于像素電極的圖形層3之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖、形層2a和漏電極的圖形層2b、覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層2a和漏電極的圖形層2b上的有機半導(dǎo)體層4、覆蓋在有機半導(dǎo)體層4上的柵絕緣層5、覆蓋在柵絕緣層5之上的柵電極與柵線的圖形層7。本發(fā)明提供的有機薄膜晶體管陣列基板采用三次構(gòu)圖工藝，通過將源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和像素電極的圖形層在一次構(gòu)圖中形成、有機半導(dǎo)體層與柵絕緣層在一次構(gòu)圖中形成，柵極與柵線在一次頭圖工藝中形成簡化了制作工藝，降低了制作成本，縮短了制作時間，提高了制作效率。本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括由上述有機薄膜晶體管制備方法制得的有機薄膜晶體管陣列基板，該顯示裝置采用的上述有機薄膜晶體管陣列基板采用三次構(gòu)圖工藝，通過將源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和像素電極的圖形層在一次構(gòu)圖中形成、有機半導(dǎo)體層與柵絕緣層在一次構(gòu)圖中形成，柵極與柵線在一次頭圖工藝中形成簡化了制作工藝，降低了制作成本，縮短了制作時間，提高了制作效率。需要說明的是本發(fā)明所提供的顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液 晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，該方法包括 通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成像素電極的圖形層、以及位于像素電極的圖形層之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層； 通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上的有機半導(dǎo)體層、以及覆蓋在有機半導(dǎo)體層上的柵絕緣層； 通過一次構(gòu)圖工藝在形成有柵絕緣層的基板上形成柵電極與柵線的圖形層。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成像素電極的圖形層、以及位于像素電極的圖形層之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層包括 在基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，在透明導(dǎo)電薄膜上形成金屬薄膜； 在金屬薄膜上旋涂光刻膠，使用掩模板對光刻膠進行曝光顯影，得到光刻膠去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域； 對基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜與金屬薄膜； 對基板上的光刻膠進行灰化，以去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠； 對基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的金屬薄膜，得到像素電極的圖形層； 將光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠進行剝離，得到源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩模板為半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上的有機半導(dǎo)體層、以及覆蓋在有機半導(dǎo)體層上的柵絕緣層包括 形成覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上的有機半導(dǎo)體層薄膜；形成覆蓋在有機半導(dǎo)體層薄膜上的柵絕緣層薄膜； 在柵絕緣層薄膜上旋涂光刻膠，使用掩模板對光刻膠進行曝光顯影，得到光刻膠去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域； 對基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的柵絕緣層薄膜和有機半導(dǎo)體層薄膜； 將光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠進行剝離，得到有機半導(dǎo)體層的圖形層和柵絕緣層的圖形層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在形成柵絕緣層薄膜之后、并且在柵絕緣層薄膜上旋涂光刻膠之前，該方法進一步包括 在第一設(shè)定溫度下將基板烘干設(shè)定時間，在第二設(shè)定溫度下將基板烘干設(shè)定時間，第二設(shè)定溫度大于第一設(shè)定溫度。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，通過一次構(gòu)圖工藝在形成有柵絕緣層的基板上形成柵電極與柵線的圖形層包括 在形成有柵絕緣層的基板上形成柵極金屬薄膜； 在柵極金屬薄膜上旋涂光刻膠，使用掩模板對光刻膠進行曝光顯影，得到光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域； 對基板進行刻蝕，以刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域柵極金屬薄膜； 將光刻膠進行剝離，得到柵電極與柵線的圖形層。
7.—種有機薄膜晶體管陣列基板,其特征在于，由上述權(quán)利要求1-6任一所述的方法制得。
8.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括上述權(quán)利要求7所述的有機薄膜晶體管陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種有機薄膜晶體管陣列基板及其制備方法，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，用于提高有機薄膜晶體管陣列基板的制備效率。本發(fā)明中，通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成像素電極的圖形層、以及位于像素電極的圖形層之上的源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層；通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋在源電極與數(shù)據(jù)線的圖形層和漏電極的圖形層上的有機半導(dǎo)體層、以及覆蓋在有機半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；通過一次構(gòu)圖工藝在形成有柵絕緣層的基板上形成柵電極與柵線的圖形層。采用本發(fā)明，提高了有機薄膜晶體管陣列基板的制備效率。
文檔編號H01L51/05GK102779785SQ20121026059
公開日2012年11月14日 申請日期2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月25日
發(fā)明者張學(xué)輝 申請人:京東方科技集團股份有限公司