一種薄膜晶體管和陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種薄膜晶體管和陣列基板及其制造方法。本發(fā)明的薄膜晶體管包括基板和依次覆蓋在基板上的柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、保護(hù)層、歐姆接觸層、源電極和漏電極，其中，半導(dǎo)體層上方的保護(hù)層有兩個(gè)過孔，過孔處的半導(dǎo)體層覆蓋有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極通過過孔處的歐姆接觸層與所述半導(dǎo)體層連接。本發(fā)明中的源電極和漏電極通過保護(hù)層上的過孔與半導(dǎo)體層連接，因此在對(duì)溝道區(qū)的歐姆接觸層進(jìn)行過刻時(shí)不會(huì)觸及半導(dǎo)體層，這樣就可以減小半導(dǎo)體層的厚度，從而提高薄膜晶體管的開關(guān)特性。本發(fā)明的陣列基板包括上述薄膜晶體管，具備上述優(yōu)點(diǎn)；而通過本發(fā)明的陣列基板制造方法制造的陣列基板，也具備上述優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】一種薄膜晶體管和陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種薄膜晶體管和陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)由于具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)而備受關(guān)注，在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位，被廣泛的應(yīng)用到各行各業(yè)中。對(duì)于TFT-LCD來說，陣列基板的制造工藝決定了其產(chǎn)品的性能、良率和成本。為了能夠有效的降低TFT-LCD的制造成本、提高良率，TFT-LCD陣列基板的制造工藝已從開始的七次掩模工藝發(fā)展到采用灰度掩模板技術(shù)的四次工藝。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中采用四次掩模工藝形成TFT-1XD陣列基板的制造方法中，薄膜晶體管(TFT)溝道形成的步驟包括:首先采用干刻或濕刻工藝刻蝕掉溝道處的金屬層，再采用干刻工藝刻蝕掉溝道處的歐姆接觸層，為了保證溝道處的歐姆接觸層完全被去除掉，一般都需要進(jìn)行過刻，刻蝕掉一部分半導(dǎo)體層，所以半導(dǎo)體層的厚度一般做的比較厚。而厚的半導(dǎo)體層又會(huì)使TFT的關(guān)態(tài)電流增大，從而影響TFT的開關(guān)特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種可以克服現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體層較厚而造成的TFT關(guān)態(tài)電流過大從而影響TFT的開關(guān)性能的薄膜晶體管和陣列基板及其制造方法。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，包括基板和依次覆蓋在基板上的柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、保護(hù)層、歐姆接觸層、源電極和漏電極；半導(dǎo)體層上方的保護(hù)層有兩個(gè)過孔，過孔處的半導(dǎo)體層覆蓋有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極通過過孔處的歐姆接觸層與所述半導(dǎo)體層連接。
[0008]進(jìn)一步地，所述柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的形狀一致。
[0009]進(jìn)一步地，所述源電極、漏電極與所述歐姆接觸層的形狀一致。
[0010]本發(fā)明還提供了一種包括上述任一種薄膜晶體管的陣列基板，該陣列基板還包括鈍化層、像素電極、柵線和數(shù)據(jù)線，所述像素電極與所述漏電極連接，所述柵線與所述柵極連接；所述數(shù)據(jù)線與所述源電極連接。
[0011]一種制作上述陣列基板的方法，包括如下步驟:
[0012]S1、在基板上形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形；
[0013]S2、形成保護(hù)層的圖形，所述保護(hù)層在與所述半導(dǎo)體層相對(duì)的位置形成有兩個(gè)過孔；
[0014]S3、形成包括歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖形，其中，所述過孔處的半導(dǎo)體層上形成有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極與所述歐姆接觸層連接；[0015]S4、形成鈍化層的圖形，其中所述鈍化層包括柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔的圖形；
[0016]S5、形成像素電極的圖形。
[0017]其中，步驟SI具體包括:
[0018]S101、在基板上依次形成柵極金屬薄膜、柵極絕緣層薄膜和半導(dǎo)體層薄膜；
[0019]S102、形成一層光刻膠；
[0020]S103、采用灰度掩?；虬肷{(diào)掩摸工藝進(jìn)行曝光顯影，使柵極區(qū)域的光刻膠完全保留，柵線區(qū)域的光刻膠部分保留，其余部分的光刻膠完全去除；
[0021]S104、經(jīng)過多步刻蝕形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形，剝離掉剩余的光刻膠。
[0022]其中，步驟S2具體包括:
[0023]S201、在完成步驟SI的基板上形成一層保護(hù)層薄膜；
[0024]S202、形成一層光刻膠；
[0025]S203、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使保護(hù)層上過孔位置的光刻膠完全去除，其余部分的光刻膠完全保留；
[0026]S204、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的保護(hù)層，形成保護(hù)層過孔；剝離掉剩余的光刻膠。
[0027]其中，步驟S3具體包括:
[0028]S301、在完成步驟S2的基板上連續(xù)形成摻雜半導(dǎo)體薄膜和漏源金屬薄膜；
[0029]S302、形成一層光刻膠；
[0030]S303、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極區(qū)域的光刻膠完全保留；其余部分的光刻膠完全去除；
[0031]S304、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的漏源金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，形成包括歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖形；剝離掉剩余的光刻膠。
[0032]其中，步驟S4具體包括:
[0033]S401、在完成步驟S3的基板上形成鈍化層薄膜；
[0034]S402、形成一層光刻膠；
[0035]S403、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使柵線接口過孔、數(shù)據(jù)線接口過孔和像素電極區(qū)域的光刻膠完全去除，其余部分的光刻膠完全保留；
[0036]S404、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層薄膜，形成鈍化層的圖形，所述鈍化層包括柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔的圖形。
[0037]其中，所述步驟S5具體為:
[0038]在完成步驟S404的基板上形成一層透明導(dǎo)電薄膜，采用離地剝離工藝去除光刻膠，附著在光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜也一起被去除，形成像素電極的圖形。
[0039](三)有益效果
[0040]上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明的薄膜晶體管中的源電極和漏電極通過保護(hù)層上的過孔與歐姆接觸層及半導(dǎo)體層連接，需要過刻位置的歐姆接觸層下方為保護(hù)層，因此在對(duì)溝道區(qū)的歐姆接觸層進(jìn)行過刻時(shí)不會(huì)觸及半導(dǎo)體層，這樣就可以減小制作過程中半導(dǎo)體層的厚度，從而提高薄膜晶體管的開關(guān)特性。使用上述薄膜晶體管的陣列基板，必然具備上述優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1是本發(fā)明實(shí)施例完成第一次掩模工藝后結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0042]圖2a是本發(fā)明實(shí)施例第一次掩模工藝中沉積柵極金屬薄膜、柵極絕緣層薄膜和半導(dǎo)體薄膜后的示意圖；
[0043]圖2b是本發(fā)明實(shí)施例第一次掩模工藝中曝光顯影后的示意圖；
[0044]圖2c是本發(fā)明實(shí)施例第一次掩模工藝中刻蝕后的示意圖；
[0045]圖3是本發(fā)明實(shí)施例完成第二次掩模工藝后結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖4a是本發(fā)明實(shí)施例第二次掩模工藝中沉積保護(hù)層薄膜后的示意圖；
[0047]圖4b是本發(fā)明實(shí)施例第二次掩模工藝中曝光顯影后的示意圖；
[0048]圖4c是本發(fā)明實(shí)施例第二次掩模工藝中刻蝕后的示意圖；
[0049]圖5是本發(fā)明實(shí)施例完成第三次掩模工藝后結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖6a是本發(fā)明實(shí)施例第三次掩模工藝中沉積摻雜半導(dǎo)體薄膜后的示意圖；
[0051]圖6b是本發(fā)明實(shí)施例第三次掩模工藝中曝光顯影后的示意圖；
[0052]圖6c是本發(fā)明實(shí)施例第三次掩模工藝中刻蝕后的示意圖；
[0053]圖7是本發(fā)明實(shí)施例完成第四次掩模工藝后結(jié)構(gòu)示意圖。
[0054]圖8a是本發(fā)明實(shí)施例第四次掩模工藝中沉積鈍化層薄膜后的示意圖；
[0055]圖Sb是本發(fā)明實(shí)施例第四次掩模工藝中曝光顯影后的示意圖；
[0056]圖Sc是本發(fā)明實(shí)施例第四次掩模工藝中刻蝕后的示意圖；
[0057]圖8d是本發(fā)明實(shí)施例第四次掩模工藝中沉積透明導(dǎo)電薄膜后的示意圖；
[0058]其中，1:基板；2:柵極；3:柵極絕緣層；4:半導(dǎo)體層；5:保護(hù)層；6:歐姆接觸層；7:源電極；8:漏電極；9:鈍化層；10:像素電極；11:過孔；100:透明導(dǎo)電薄膜；101:光刻膠完全保留區(qū)域；103:光刻膠完全去除區(qū)域；200:柵極金屬薄膜；300:柵絕緣層薄膜；400:半導(dǎo)體層薄膜；500:保護(hù)層薄膜；600:摻雜半導(dǎo)體薄膜；700:漏源金屬薄膜；900:鈍化層薄膜。
【具體實(shí)施方式】
[0059]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0060]實(shí)施例一
[0061]本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，其結(jié)構(gòu)如圖5所示?；錓 (如玻璃基板或塑料基板等)上依次覆蓋有柵極2、柵極絕緣層3、半導(dǎo)體層4、保護(hù)層5、歐姆接觸層6、源電極7和漏電極8。半導(dǎo)體層4上方的保護(hù)層5上有兩個(gè)過孔11 (如圖3所示)，摻雜半導(dǎo)體在過孔11處的半導(dǎo)體層4上形成歐姆接觸層6 ;源電極7和漏電極8通過過孔11處的歐姆接觸層6與半導(dǎo)體層4連接。
[0062]優(yōu)選地，如圖5所示，柵極2、柵極絕緣層3和半導(dǎo)體層4的形狀一致。此時(shí)，柵極
2、柵極絕緣層3和半導(dǎo)體層4可以在一次構(gòu)圖工藝(掩摸工藝)中形成，有利于節(jié)省工藝時(shí)間和工藝成本。當(dāng)然，柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的形狀也可以不一致，此時(shí)將需要通過多次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)。
[0063]優(yōu)選地，源電極7、漏電極8與歐姆接觸層6的形狀一致。此時(shí)，源電極7、漏電極8與歐姆接觸層6可以在一次構(gòu)圖工藝(掩摸工藝)中形成，有利于節(jié)省工藝時(shí)間和工藝成本。當(dāng)然，源電極7、漏電極8與歐姆接觸層6的形狀也可以不一致，此時(shí)將需要通過多次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)。
[0064]實(shí)施例二
[0065]本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括實(shí)施例一所述的薄膜晶體管。除薄膜晶體管之外，還包括鈍化層、像素電極、柵線和數(shù)據(jù)線，像素電極與薄膜晶體管的漏電極連接，柵線與薄膜晶體管的柵極連接；數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的源電極連接。
[0066]具體而言，本實(shí)施例的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)，如圖7所示?；錓 (如玻璃基板或塑料基板等)上依次覆蓋有柵極2、柵極絕緣層3、半導(dǎo)體層4、保護(hù)層5、歐姆接觸層6、源電極7、漏電極8、鈍化層9和像素電極10。半導(dǎo)體層4上方的保護(hù)層5上有兩個(gè)過孔11 (如圖3所示)，摻雜半導(dǎo)體在過孔11處的半導(dǎo)體層4上形成歐姆接觸層6 ;源電極7和漏電極8通過過孔11位置處的歐姆接觸層6與半導(dǎo)體層4連接。像素電極10與漏電極8連接。
[0067]其中，像素電極10與漏電極8的連接方式，可以為像素電極10直接覆蓋在保護(hù)層和漏電極8上并與漏電極8連接(如圖7所示)；也可以為通過鈍化層9上的過孔與漏電極8連接；或采用其他可行的方式。
[0068]本發(fā)明實(shí)施例米用的薄膜晶體管，可以為實(shí)施例一所述的任意一種。為描述方便，圖7中并未示出柵線、數(shù)據(jù)線等圖形。
[0069]實(shí)施例三
[0070]本實(shí)施例提供制造實(shí)施例二所述的陣列基板的方法，具體工藝步驟如下:
[0071]S1、在基板上形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形；
[0072]S2、形成保護(hù)層的圖形，所述保護(hù)層在與所述半導(dǎo)體層相對(duì)的位置形成有兩個(gè)過孔；
[0073]S3、形成包括歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖形，其中，所述過孔處的半導(dǎo)體層上形成有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極與所述歐姆接觸層連接；
[0074]S4、形成鈍化層的圖形，其中所述鈍化層包括柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔的圖形；
[0075]S5、形成像素電極的圖形。
[0076]本發(fā)明實(shí)施例中，步驟S1-S5的各個(gè)步驟，均可以根據(jù)實(shí)際需要選取相應(yīng)的具體實(shí)現(xiàn)方法來完成，在此不作限定。
[0077]下面，以一種采用四次掩模工藝完成上述制造過程的【具體實(shí)施方式】為例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例上述工藝步驟進(jìn)行說明。本實(shí)施例采用四次掩模工藝制作包括上述實(shí)施例中薄膜晶體管的陣列基板，具體制造工藝步驟的示意圖如圖1至圖8d所示:
[0078]S1、在基板上形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形。
[0079]圖1是本發(fā)明實(shí)施例完成第一次掩模工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖。具體工藝制作方法如下:
[0080]S101、在基板上依次形成柵極金屬薄膜、柵極絕緣層薄膜和半導(dǎo)體層薄膜。比如，具體實(shí)現(xiàn)方式可以為:在玻璃基板I上采用磁控濺射方法沉積一層厚度為1000人?7000人的柵極金屬薄膜200之后，再采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法依次沉積厚度為1000人~6000人的柵極絕緣層薄膜300和厚度為400人?1500人的半導(dǎo)體層薄膜400，
如圖2a所示。其中柵極金屬薄膜200可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)，柵極絕緣層薄膜300可以采用氮化硅，氧化硅或氮氧化硅等，半導(dǎo)體層薄膜400可以采用非晶硅等；
[0081]S102、在完成步驟SlOl的玻璃基板上旋涂一層光刻膠；也可采用其他方式形成光刻膠。
[0082]S103、第一次掩模工藝:采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域101、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域103，光刻膠完全保留區(qū)域101對(duì)應(yīng)柵極區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)柵線區(qū)域(附圖中未顯示柵線區(qū)域以及與柵線區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠部分保留區(qū)域)，光刻膠完全去除區(qū)域103對(duì)應(yīng)上述區(qū)域之外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域101的光刻膠沒有變化，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠變薄，光刻膠完全去除區(qū)域103的光刻膠被完全去除，如圖2b所示；
[0083]S104、經(jīng)過多步刻蝕形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形，剝離掉剩余的光刻膠。比如，具體實(shí)現(xiàn)方式可以為:采用干刻工藝依次刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域103的半導(dǎo)體層薄膜400和柵極絕緣層薄膜300，再采用濕刻工藝刻蝕掉暴漏出來的柵極金屬薄膜200，如圖2c所示。灰化處理后，光刻膠完全保留區(qū)域101的光刻膠變薄，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，采用干刻工藝依次刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的半導(dǎo)體層薄膜400和柵極絕緣層薄膜300。剝離光刻膠后，形成柵線(圖中未顯示)、柵極2、柵極絕緣層3和半導(dǎo)體層4的圖形，如圖1所示。
[0084]S2、形成保護(hù)層的圖形，所述保護(hù)層在與所述半導(dǎo)體層相對(duì)的位置形成有兩個(gè)過孔。
[0085]圖3是本發(fā)明實(shí)施例完成第二次掩模工藝后結(jié)構(gòu)示意圖，具體工藝制作方法如下:
[0086]S201、在完成步驟SI的基板上形成一層保護(hù)層薄膜。比如，具體實(shí)現(xiàn)方式可以為:在完成步驟S104的基板上采用PECVD方法沉積一層厚度為1000人?6000人的保護(hù)層薄膜500，如圖4a所示。其中保護(hù)層薄膜500可以采用氮化硅，氧化硅或氮氧化硅等；
[0087]S202、形成一層光刻膠。比如，在完成步驟S201的玻璃基板上旋涂一層光刻膠；
[0088]S203、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使保護(hù)層上過孔位置的光刻膠完全去除，其余部分的光刻膠完全保留。比如，具體實(shí)現(xiàn)方式可以為，采用普通掩模工藝，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域101和光刻膠完全去除區(qū)域103，光刻膠完全去除區(qū)域103對(duì)應(yīng)保護(hù)層過孔區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域101對(duì)應(yīng)上述圖形之外的區(qū)域，顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域101的光刻膠沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域103的光刻膠被完全去除，如圖4b所示；
[0089]S204、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域103的保護(hù)層薄膜500，如圖4c所示；
[0090]剝離光刻膠后，形成保護(hù)層過孔11，如圖3所示。
[0091]S3、形成包括歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖形，其中，所述過孔處的半導(dǎo)體層上形成有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極與所述歐姆接觸層連接。[0092]圖5是本發(fā)明實(shí)施例完成第三次掩模工藝后結(jié)構(gòu)示意圖，具體工藝制作方法如下:
[0093]S301、在完成步驟S2的基板上連續(xù)形成摻雜半導(dǎo)體薄膜和漏源金屬薄膜。比如，具體實(shí)現(xiàn)方式可以為:在完成步驟S204的基板上采用PECVD方法沉積一層厚度為400人?1000人的摻雜半導(dǎo)體薄膜600后，再采用磁控濺射方法沉積一層厚度為1000人?7000人的漏源金屬薄膜700，如圖6a所示，其中漏源金屬薄膜7OO可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)；
[0094]S302、在完成步驟S301的玻璃基板上旋涂一層光刻膠；
[0095]S303、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極區(qū)域的光刻膠完全保留；其余部分的光刻膠完全去除。比如，具體實(shí)現(xiàn)方式可以為:采用普通掩模工藝，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域101和光刻膠完全去除區(qū)域103，光刻膠完全保留區(qū)域101對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域103對(duì)應(yīng)上述圖形之外的區(qū)域，顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域101的光刻膠沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域103的光刻膠被完全去除，如圖6b所示；
[0096]S304、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域103的漏源金屬薄膜700和摻雜半導(dǎo)體薄膜600，如圖6c所示；
[0097]剝離光刻膠后，形成歐姆接觸層6、數(shù)據(jù)線(圖中未顯示)、源電極7、漏電極8，如圖5所示。
[0098]S4、形成鈍化層的圖形，其中所述鈍化層包括柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔的圖形。
[0099]圖7是本發(fā)明實(shí)施例完成第四次掩模工藝后結(jié)構(gòu)示意圖，具體工藝制作方法如下:
[0100]S401、在完成步驟S3的基板上形成鈍化層薄膜。比如，具體實(shí)現(xiàn)方式可以為:在完成步驟S3O4的基板上采用PECVD方法沉積一層厚度為1000人?6000人的鈍化層薄膜900，如圖8a所示。其中鈍化層薄膜900可以采用氮化硅，氧化硅或氮氧化硅等；
[0101]S402、在完成步驟401的玻璃基板上旋涂一層光刻膠；
[0102]S403、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使柵線接口過孔、數(shù)據(jù)線接口過孔和像素電極區(qū)域的光刻膠完全去除，其余部分的光刻膠完全保留。比如，具體的實(shí)現(xiàn)方式可以為:采用普通掩模工藝，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域101和光刻膠完全去除區(qū)域103，光刻膠完全去除區(qū)域103對(duì)應(yīng)柵線接口過孔、數(shù)據(jù)線接口過孔和像素電極區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域101對(duì)應(yīng)上述圖形之外的區(qū)域，顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域101的光刻膠沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域103的光刻膠被完全去除，如圖8b所示；
[0103]S404、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域103的鈍化層薄膜900，形成鈍化層圖形、柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔，如圖8c所示；本步驟保留剩余的光刻膠。
[0104]S5、形成像素電極的圖形。
[0105]在完成步驟S404的基板上采用磁控濺射方法沉積一層厚度為?IGGG人的透明導(dǎo)電薄膜100，如圖8d所示，其中透明導(dǎo)電薄膜100可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料，采用離地剝離工藝去除步驟S404剩余的光刻膠，附著在光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜也一起被去除，形成像素電極10圖形，像素電極10與漏電極8連接。[0106]即完成上述實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的制作。
[0107]本實(shí)施例中步驟SlOl?S104采用灰度掩模工藝，通過一次掩模工藝在基板上行成了柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形。如果不考慮制作成本，當(dāng)然也可以通過多次掩模工藝依次形成柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形。雖然這樣做會(huì)增加工藝復(fù)雜性、提高制作成本，但依然可以制作出本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)。
[0108]本發(fā)明的薄膜晶體管中的源電極和漏電極通過保護(hù)層上的過孔與歐姆接觸層及半導(dǎo)體層連接，需要過刻位置的歐姆接觸層下方為保護(hù)層，因此在對(duì)溝道區(qū)的歐姆接觸層進(jìn)行過刻時(shí)不會(huì)觸及半導(dǎo)體層，這樣就可以減小半導(dǎo)體層的厚度，從而提高薄膜晶體管的開關(guān)特性。本發(fā)明中使用上述薄膜晶體管的陣列基板以及通過本發(fā)明的陣列基板制造方法制造的陣列基板，也具備上述優(yōu)點(diǎn)。
[0109]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括基板和依次覆蓋在基板上的柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、保護(hù)層、歐姆接觸層、源電極和漏電極，其特征在于，半導(dǎo)體層上方的保護(hù)層有兩個(gè)過孔，過孔處的半導(dǎo)體層覆蓋有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極通過過孔處的歐姆接觸層與所述半導(dǎo)體層連接。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的形狀一致。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源電極、漏電極與所述歐姆接觸層的形狀一致。
4.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，還包括鈍化層、像素電極、柵線和數(shù)據(jù)線，所述像素電極與所述漏電極連接，所述柵線與所述柵極連接；所述數(shù)據(jù)線與所述源電極連接。
5. 一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: S1、在基板上形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形； S2、形成保護(hù)層的圖形，所述保護(hù)層在與所述半導(dǎo)體層相對(duì)的位置形成有兩個(gè)過孔； S3、形成包括歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖形，其中，所述過孔處的半導(dǎo)體層上形成有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極與所述歐姆接觸層連接； S4、形成鈍化層的圖形，其中所述鈍化層包括柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔的圖形； S5、形成像素電極的圖形。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟SI具體包括: S101、在基板上依次形成柵極金屬薄膜、柵極絕緣層薄膜和半導(dǎo)體層薄膜； S102、形成一層光刻膠； S103、采用灰度掩?；虬肷{(diào)掩摸工藝進(jìn)行曝光顯影，使柵極區(qū)域的光刻膠完全保留，柵線區(qū)域的光刻膠部分保留，其余部分的光刻膠完全去除； 5104、經(jīng)過多步刻蝕形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形，剝離掉剩余的光刻膠。
7.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括: S201、在完成步驟SI的基板上形成一層保護(hù)層薄膜； S202、形成一層光刻膠； S203、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使保護(hù)層上過孔位置的光刻膠完全去除，其余部分的光刻膠完全保留； S204、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的保護(hù)層，形成保護(hù)層過孔；剝離掉剩余的光刻膠。
8.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟S3具體包括: S301、在完成步驟S2的基板上連續(xù)形成摻雜半導(dǎo)體薄膜和漏源金屬薄膜； S302、形成一層光刻膠； S303、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極區(qū)域的光刻膠完全保留；其余部分的光刻膠完全去除； S304、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的漏源金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，形成包括歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖形；剝離掉剩余的光刻膠。
9.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟S4具體包括: S401、在完成步驟S3的基板上形成鈍化層薄膜； S402、形成一層光刻膠； S403、采用普通掩模工藝進(jìn)行曝光顯影，使柵線接口過孔、數(shù)據(jù)線接口過孔和像素電極區(qū)域的光刻膠完全去除，其余部分的光刻膠完全保留； S404、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層薄膜，形成鈍化層的圖形，所述鈍化層包括柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔的圖形。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟S5具體為: 在完成步驟S404的基板上形成一層透明導(dǎo)電薄膜，采用離地剝離工藝去除光刻膠，附著在光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜也一起被去除，形成像素電極的圖形。
【文檔編號(hào)】H01L29/45GK103489918SQ201210189705
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月8日
【發(fā)明者】孫雙 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司