專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖I為現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的電路結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，第一 TFT8的源極13連接信號線1，第一 TFT8的柵極12連接掃描線3，第一 TFT8的漏極14連接第二 TFT9的柵極12，第二 TFT9的源極13連接電流供應(yīng)線2，漏極14連接有機(jī)發(fā)光層16，用信號線I不同電平的電壓通過第一 TFT8的漏極14控制第二 TFT9的柵極12的開度大小，從而控制第二TFT9的漏極14的電流大小，實(shí)現(xiàn)不同亮度的顯示。目前OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)的結(jié)構(gòu)由下到上依次為透明電極、有機(jī)發(fā)光層和共通電極，其中透明電極作為陽極，共通電極作為陰極，如為底發(fā)光架構(gòu)，由于下方TFT (薄膜晶體管)等遮擋，會有開ロ率不足的情況，如為頂發(fā)光架構(gòu)，則須以厚度極薄的金屬作為共通電極，會有因阻值較高導(dǎo)致電流不足的現(xiàn)象，兩種架構(gòu)都會限制OLED的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足，本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法，解決底發(fā)光開ロ率不足以及頂發(fā)光共通電極導(dǎo)電性差的問題。技術(shù)方案為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明米用的第一種技術(shù)方案為ー種有機(jī)發(fā)光ニ極管顯示器，包括基板主體；信號線，位于基板主體上；電流供應(yīng)線，位于基板主體上；第一 TFT，第一 TFT包括第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層、第一 TFT源極、第一 TFT漏極、第一 TFT柵極；第二 TFT，第二 TFT包括第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層、第二 TFT源極、第二 TFT漏極、第二 TFT柵極；共通電極，位于第一 TFT與第二 TFT之間；有機(jī)發(fā)光層，位于共通電極之上；透明電極，位于有機(jī)發(fā)光層之上、且透明電極連接到第二 TFT的漏扱。進(jìn)ー步地，所述第一 TFT源極與第一 TFT漏極分別位于第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)，且第一 TFT源極與第一 TFT漏極與第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層是一體的結(jié)構(gòu)；所述第二TFT源極與第二 TFT漏極分別位于第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)，且第二 TFT源極與第二TFT漏極與第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層是一體的結(jié)構(gòu)。進(jìn)ー步地，還包括第一 TFT源極連接線，連接第一 TFT源極與信號線；第一 TFT漏極連接線，連接第一 TFT漏極與第二 TFT柵極；以及
第二 FTF源極連接線，連接第二 TFT源極與電流供應(yīng)線。所述氧化物半導(dǎo)體層的材料優(yōu)選銦鎵鋅氧化物。為保護(hù)有機(jī)發(fā)光層處的共通電極，在所述共通電極和有機(jī)發(fā)光層之間可設(shè)有掃描線金屬，以免在蝕刻掃描線金屬的時候也蝕刻掉共通電極(因?yàn)樵谖g刻掃描線金屬的時候有機(jī)發(fā)光層尚未形成，此時的共通電極上表面的大部分區(qū)域是裸露的)。本發(fā)明采用的第二種技術(shù)方案為ー種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，包括如下步驟(I)提供一基板，在所述基板上形成信號線、電流供應(yīng)線、共通電極，共通電極位于所述信號線和電流供應(yīng)線之間；(2)在所述基板上形成第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層和第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層；(3)在所述信號線、電流供應(yīng)線、共通電極、氧化物半導(dǎo)體層上形成絕緣層；(4)在所述絕緣層上形成信號線接觸孔、第一 TFT源極接觸孔、第一 TFT漏極接觸孔、第二 TFT源極接觸孔、第二 TFT漏極接觸孔、共通電極接觸孔、電流供應(yīng)線接觸孔；(5)采用化學(xué)方式使露出的第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)露出的接觸孔和第二TFT氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)接觸孔的位置均成為具有導(dǎo)體特性并透明的電極，所述具有導(dǎo)體特性并透明的電極作為第一 TFT源極與第一 TFT漏極以及第ニ TFT源極與第二 TFT漏極；(6)在形成上述圖案的基板上形成掃描線金屬層，該掃描線金屬層作為掃描線、連接第一 TFT源極與信號線的第一 TFT源極連接線、第一 TFT柵極、第二 TFT柵極、連接第一TFT漏極與第二 TFT柵極的第一 TFT漏極連接線、連接第二 TFT的源極與電流供應(yīng)線的第二TFT源極連接線；(7)在形成上述圖案的基板上形成有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層位于共通電極的接觸孔之上；(8)形成覆蓋有機(jī)發(fā)光層的透明電極并通過第二 TFT漏極接觸孔連接第二 TFT漏扱。所述絕緣層的材料可為ニ氧化硅或氮化硅或ニ氧化硅與氮化硅的組合。進(jìn)ー步地，在形成掃描線金屬層時用掃描線金屬覆蓋裸露的共通電極，以免在蝕刻形成掃描線時也將共通電極蝕刻掉。所述步驟(8)中，還包括在形成透明電極之前，在掃描線金屬層上增加一層絕緣層，并在該絕緣層上形成第二 TFT漏極接觸孔，再制作覆蓋有機(jī)發(fā)光層的透明電極并通過該漏極接觸孔連接第二 TFT漏扱。所述步驟(5)的化學(xué)方式優(yōu)選離子注入或退火處理方式。有益效果本發(fā)明以IGZO(鋼鎵鋅氧化物)作為有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的TFT，提出ー個以底層金屬形成共通電極作為陰極，在共通電極上形成有機(jī)發(fā)光層，最后以透明電極覆蓋有機(jī)發(fā)光層作為陽極，構(gòu)成一個頂發(fā)光的OLED結(jié)構(gòu)，可以改善底發(fā)光開ロ率不足以 及頂發(fā)光共通電極導(dǎo)電性差的問題，從而提升有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā)光效率。


圖I為現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2(A)為本發(fā)明形成底層金屬圖形的示意圖2 (B)為圖2 (A)的A-A ’剖面圖；圖3⑷為本發(fā)明形成IGZO層的示意圖；圖3 (B)為圖3 (A)的B-B ’剖面圖；圖4(A)為本發(fā)明形成絕緣層和接觸孔的示意圖；圖4(B)為圖4(A)的C-C，剖面圖；圖5(A)為本發(fā)明形成掃描線金屬層的示意圖；圖5 (B)為圖5 (A)的D-D，剖面圖；圖6(A)為本發(fā)明形成有機(jī)發(fā)光層的示意圖；、圖6 (B)為圖6 (A)的E-E ’剖面圖；圖7(A)為本發(fā)明形成透明電極的示意圖；圖7 (B)為圖7 (A)的F-F ’剖面圖；圖8為本發(fā)明增加絕緣層的示意圖。圖中，I、信號線，2、電流供應(yīng)線，5、共通電極，8、第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層，13、第一 TFT源極，14、第一 TFT漏極，12、第一 TFT柵極，9、第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層，23、第二 TFT源極，24、第二 TFT漏極，121、第二 TFT柵極121，7、第一絕緣層，71、第二絕緣層，10、信號線接觸孔，11、掃描線，151、第一 TFT源極連接線151，152、第二 TFT漏極連接線，153、第二 TFT源極連接線，16、有機(jī)發(fā)光層，17、透明電極，18、第一 TFT源極接觸孔，19、第一 TFT漏極接觸孔，28、第二 TFT源極接觸孔，29、第二 TFT漏極接觸孔，20、共通電極接觸孔，21、電流供應(yīng)線接觸孔。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)ー步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖2至圖8所示，本發(fā)明ー種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包含基板主體(未圖示)，基板主體上的底層金屬作為信號線I、電流供應(yīng)線2與共通電極5，基板上的第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8作為第一 TFT的半導(dǎo)體層，第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9作為第二 TFT的半導(dǎo)體層，有機(jī)發(fā)光層16在共通電極5上形成，第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8、位于其兩側(cè)且一體結(jié)構(gòu)的第一 TFT源極13與第一 TFT漏極14形成第一 TFT，第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9、位于其兩側(cè)且一體結(jié)構(gòu)的第二 TFT源極23與第二 TFT漏極24形成第二 TFT，掃描線金屬11亦作為連接第一 TFT與信號線I、第二 TFT與電流供應(yīng)線2之用，透明電極17經(jīng)由第二 TFT漏極接觸孔19連接到第二 TFT漏極24并覆蓋有機(jī)發(fā)光層16。為保護(hù)有機(jī)發(fā)光層16處的共通電極5，可以在掃描線金屬制程時用掃描線金屬覆蓋裸露的共通電極5。存儲電容(未圖示)可由位于絕緣層上下的掃描線金屬與共通電極5形成。掃描線金屬與透明電極17之間可增加第二層絕緣層71并使透明電極17通過第二 TFT漏極接觸孔19連接第二 TFT漏極24，如此可保護(hù)掃描線金屬并且降低掃描線金屬發(fā)生短路的情況。下面結(jié)合各圖具體描述如圖2㈧和圖2(B)所示，在基板上形成垂直方向的信號線I和電流供應(yīng)線2，信號線I和相應(yīng)的電流供應(yīng)線2相鄰，同時在信號線I和電流供應(yīng)線2之間形成共通電極5。這里信號線I、電流供應(yīng)線2和共通電極5都是利用底層金屬形成的，且共通電極5作為本有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的陰極。如圖3(A)和圖3(B)所示，在基板上形成第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8和第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9,該氧化物為IGZ0(indium gallium zinc oxide,銦鎵鋅氧化物)。如圖4⑷和圖4(B)所示，在信號線I、電流供應(yīng)線2、共通電極5、第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8和第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9上形成ニ氧化硅材料(不限于ニ氧化硅，還可以是SiOx，SiNx等材料，也可以是具平坦性的有機(jī)樹脂材料)的絕緣層(保護(hù)層)7，再在絕緣層7上形成信號線接觸孔10、第一 TFT源極接觸孔18、第一 TFT漏極接觸孔19、第二 TFT源極接觸孔28、第二 TFT漏極接觸孔29、共通電極接觸孔20、電流供應(yīng)線接觸孔21。接下來利用離子注入或退火的方式使露出的第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8和第二TFT氧化物半導(dǎo)體層9導(dǎo)電性增強(qiáng)，使它們的兩端具有導(dǎo)電性增強(qiáng)并具有透明特性的電極， 由于第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8兩側(cè)具有第一 TFT源極接觸孔18與第一 TFT漏極接觸孔19，通過離子注入或退火的方式使得第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8在第一 TFT源極接觸孔18的位置形成第一 TFT源極13、第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8在第一 TFT漏極接觸孔19形成第一 TFT漏極14，第一 TFT源極13與第一 TFT漏極14都是導(dǎo)電性增強(qiáng)并具有透明特性的電扱，即 第一 TFT源極與第一 TFT漏極與第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層是一體的結(jié)構(gòu)；同樣由于第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9兩側(cè)具有第二 TFT源極接觸孔28與第二 TFT漏極接觸孔29，通過離子注入或退火的方式使得第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9在第二 TFT源極接觸孔28的位置形成第二 TFT源極23、第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9在第二 TFT漏極接觸孔29形成第一TFT漏極24，第二 TFT源極23與第二 TFT漏極24都是導(dǎo)電性增強(qiáng)并具有透明特性的電極，即第二 TFT源極與第二 TFT漏極與第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層是一體的結(jié)構(gòu)。由于第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8和第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9的中間都是半導(dǎo)體，那么使得第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8與其兩端的第一 TFT源極13與第一 TFT漏極14、第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9與其兩端的第二 TFT源極23與第二 TFT漏極24形成電學(xué)上的斷路。如圖5(A)和圖5(B)所示，在絕緣層7上采用掃描線金屬層形成水平方向的掃描線11、第一 TFT源極連接線151、第一 TFT柵極12、第一 TFT漏極連接線152、第二 TFT柵極121、第二 FTF源極連接線153，其中，第一 TFT源極連接線151連接第一 TFT源極13與信號線1，第一 TFT漏極連接線152連接第一 TFT漏極14與第二 TFT柵極121，第二 TFT源極連接線153連接第二 TFT源極23與電流供應(yīng)線2。為保護(hù)共通電極5，在形成掃描線金屬層時用掃描線金屬(未圖示)覆蓋裸露的共通電極5，以免在蝕刻形成掃描線金屬時也將共通電極5蝕刻棹。如圖6(A)和圖6(B)所示，在共通電極接觸孔20上形成有機(jī)發(fā)光層16。如圖7 (A)和圖7⑶所示，制作覆蓋有機(jī)發(fā)光層16的透明電極17，該透明電極17通過第二 TFT漏極接觸孔29連接第二 TFT漏極24，該透明電極17通過覆蓋有機(jī)發(fā)光層16作為本有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的陽極。本發(fā)明通過以底層金屬的共通電極5作為陰極，在共通電極5上形成有機(jī)發(fā)光層16,最后以透明電極17覆蓋有機(jī)發(fā)光層16作為陽極,構(gòu)成一個頂發(fā)光之OLED結(jié)構(gòu),可以改善底發(fā)光開ロ率不足以及頂發(fā)光共通電極導(dǎo)電性的問題。
由于柵極12下方的絕緣層7的保護(hù)，該絕緣層7正下方的第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層8和第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層9由于通過離子注入或退火的方式使得它們?nèi)匀槐３职雽?dǎo)體的屬性，保證其左側(cè)的第一 TFT源極14/第二 TFT漏極24與其右側(cè)的第一 TFT漏極14/第二 TFT源極23之間是電學(xué)上的斷路。進(jìn)ー步地，如圖8所示，為了保護(hù)掃描線金屬并且降低發(fā)生短路的概率，在形成透 明電極17之前，在掃描線金屬層上增加一第二層絕緣層71，并在該第二絕緣層71上形成第ニ TFT漏極接觸孔29，再制作覆蓋有機(jī)發(fā)光層16的透明電極17并通過第二 TFT漏極接觸孔29連接第二 TFT漏極24。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括基板主體；信號線，位于基板主體上；電流供應(yīng)線，位于基板主體上；第一 TFT，第一 TFT包括第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層、第一 TFT源極、第一 TFT漏極、第一 TFT柵極；第二 TFT，第二 TFT包括第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層、第二 TFT源極、第二 TFT漏極、第二 TFT柵極；共通電極，位于第一 TFT與第二 TFT之間；有機(jī)發(fā)光層，位于共通電極之上；透明電極，位于有機(jī)發(fā)光層之上、且透明電極連接到第二 TFT的漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于所述第一TFT源極與第 一 TFT漏極分別位于第一 TFT氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)，且第一 TFT源極與第一 TFT漏極與第一TFT氧化物半導(dǎo)體層是一體的結(jié)構(gòu)；所述第二 TFT源極與第二 TFT漏極分別位于第二 TFT 氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)，且第二 TFT源極與第二 TFT漏極與第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層是一體 的結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于還包括第一 TFT源極連接線，連接第一 TFT源極與信號線；第一 TFT漏極連接線，連接第一 TFT漏極與第二 TFT柵極；以及 第二 FTF源極連接線，連接第二 TFT源極與電流供應(yīng)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于所述氧化物半導(dǎo)體層的 材料為銦鎵鋅氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于在所述共通電極和有機(jī) 發(fā)光層之間設(shè)有掃描線金屬。
6.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，包括如下步驟(1)提供一基板，在所述基板上形成信號線、電流供應(yīng)線、共通電極，共通電極位于所述 信號線和電流供應(yīng)線之間；(2)在所述基板上形成第一TFT氧化物半導(dǎo)體層和第二 TFT氧化物半導(dǎo)體層；(3)在所述信號線、電流供應(yīng)線、共通電極、氧化物半導(dǎo)體層上形成絕緣層；(4)在所述絕緣層上形成信號線接觸孔、第一TFT源極接觸孔、第一TFT漏極接觸孔、第二TFT源極接觸孔、第二 TFT漏極接觸孔、共通電極接觸孔、電流供應(yīng)線接觸孔；(5)采用化學(xué)方式使露出的第一TFT氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)露出的接觸孔和第二 TFT氧 化物半導(dǎo)體層兩側(cè)接觸孔的位置均成為具有導(dǎo)體特性并透明的電極，所述具有導(dǎo)體特性并 透明的電極作為第一 TFT源極與第一 TFT漏極以及第二 TFT源極與第二 TFT漏極；(6)在形成上述圖案的基板上形成掃描線金屬層，該掃描線金屬層作為掃描線、連接第 一 TFT源極與信號線的第一 TFT源極連接線、第一 TFT柵極、第二 TFT柵極、連接第一 TFT 漏極與第二 TFT柵極的第一 TFT漏極連接線、連接第二 TFT的源極與電流供應(yīng)線的第二 TFT 源極連接線；(7)在形成上述圖案的基板上形成有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層位于共通電極的接觸孔之(8)形成覆蓋有機(jī)發(fā)光層的透明電極并通過第二 TFT漏極接觸孔連接第二 TFT漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于所述絕 緣層的材料為二氧化硅或氮化硅或二氧化硅與氮化硅的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于在形成 掃描線金屬層時用掃描線金屬覆蓋裸露的共通電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于所述步 驟(8)中，還包括在形成透明電極之前，在掃描線金屬層上增加一層絕緣層，并在該絕緣 層上形成第二 TFT漏極接觸孔，再制作覆蓋有機(jī)發(fā)光層的透明電極并通過該漏極接觸孔連 接第二 TFT漏極。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于所述步 驟(5)的化學(xué)方式為離子注入或退火處理方式。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括基板主體；信號線，位于基板主體上；電流供應(yīng)線，位于基板主體上；第一TFT，第一TFT包括第一TFT氧化物半導(dǎo)體層、第一TFT源極、第一TFT漏極、第一TFT柵極；第二TFT，第二TFT包括第二TFT氧化物半導(dǎo)體層、第二TFT源極、第二TFT漏極、第二TFT柵極；共通電極，位于第一TFT與第二TFT之間；有機(jī)發(fā)光層，位于共通電極之上；透明電極，位于有機(jī)發(fā)光層之上、且透明電極連接到第二TFT的漏極。本發(fā)明還公開了一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法。本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)底發(fā)光開口率不足以及頂發(fā)光共通電極導(dǎo)電性差的問題。
文檔編號H01L27/32GK102664187SQ201210171440
公開日2012年9月12日 申請日期2012年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月29日
發(fā)明者洪孟逸 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司