專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2011年9月2日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2011-0089208號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，其公開內(nèi)容通過引用整體并入本文。
背景技術(shù)：
顯示技術(shù)的發(fā)展已使顯示設(shè)備成為便攜式且薄的平板顯示裝置。發(fā)明內(nèi)容
各實(shí)施方式可以通過提供有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備來實(shí)現(xiàn)，其包括襯底，包括顯示區(qū)； 封裝部件，面對(duì)所述襯底；薄膜晶體管，在所述襯底的所述顯示區(qū)上，所述薄膜晶體管面對(duì)所述封裝部件，并且所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極；有機(jī)發(fā)光裝置，在所述顯示區(qū)上，所述有機(jī)發(fā)光裝置電連接到所述薄膜晶體管，并且所述有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極、第二電極以及插在所述第一電極與所述第二電極之間的中間層，并且所述中間層包括有機(jī)發(fā)射層；密封部件，在所述襯底與所述封裝部件之間，所述密封部件包圍所述顯示區(qū)；內(nèi)部電路單元，在所述顯示區(qū)與所述密封部件之間；鈍化層，在所述薄膜晶體管上并且延伸為覆蓋所述內(nèi)部電路單元；像素限定層，在所述鈍化層上；以及吸附劑，在所述襯底與所述封裝部件之間，所述吸附劑與所述內(nèi)部電路單元至少部分地交疊。
所述鈍化層可包括無機(jī)材料。所述吸附劑還可位于所述密封部件與所述顯示區(qū)之間。所述吸附劑可在所述鈍化層上。所述吸附劑可與所述像素限定層接觸。所述吸附劑可包括 Ba、Ca、Mg、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Ta、Th、Ce、Al 以及 Ni 中的至少一種。
所述像素限定層可包括有機(jī)材料。所述中間層可與所述鈍化層隔開，并且所述中間層可與所述像素限定層接觸。所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括柵絕緣層，在所述有源層與所述柵電極之間；以及層間絕緣層，在所述柵電極上。所述源電極和漏電極可形成在所述層間絕緣層上。
所述第一電極可形成在所述柵絕緣層上。所述層間絕緣層可具有包括至少兩個(gè)絕緣層的層疊結(jié)構(gòu)。所述層間絕緣層可通過交替地層疊無機(jī)材料和有機(jī)材料而形成。所述第一電極可形成在多個(gè)絕緣層中的非最上層絕緣層的一個(gè)絕緣層上。
所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括在所述襯底上的電容器。所述電容器可包括第一電容器電極，與所述有源層在同一層上，并且包括與所述有源層相同的材料，以及第二電容器電極，與所述柵電極在同一層上，并且包括與所述第一電極相同的材料。所述第二電容器電極可具有比所述第一電容器電極更小的尺寸。
所述第一電極可包括透射傳導(dǎo)材料。所述透射傳導(dǎo)材料包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(Ιη203)、氧化銦鎵(IGO)以及氧化鋁鋅(AZO)中的至少一種。
所述第一電極可通過相繼層疊透射傳導(dǎo)材料和半透射金屬層而形成。所述第一電極可包括在所述半透射金屬層之下的第二透射傳導(dǎo)材料。所述半透射金屬層可包括Ag。所述中間層可與所述薄膜晶體管為非交疊關(guān)系，并且與所述薄膜晶體管間隔開。
各實(shí)施方式還可以通過提供制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括 在襯底的顯示區(qū)上形成包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極的薄膜晶體管；在所述顯示區(qū)上形成有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置電連接到所述薄膜晶體管，并且所述有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極、第二電極以及插于所述第一電極與所述第二電極之間的中間層，并且所述中間層包括有機(jī)發(fā)射層；在所述襯底與封裝部件之間形成密封部件，所述密封部件包圍所述顯示區(qū)，并且所述薄膜晶體管位于所述襯底與所述封裝部件之間；在所述顯示區(qū)與所述密封部件之間形成內(nèi)部電路單元；在所述薄膜晶體管上形成鈍化層，所述鈍化層延伸為覆蓋所述內(nèi)部電路單元；在所述鈍化層上形成像素限定層；以及形成與所述內(nèi)部電路單元至少部分交疊的吸附劑。
所述鈍化層和所述像素限定層可分別具有與所述第一電極的上表面對(duì)應(yīng)的開口。 在形成所述像素限定層的所述開口之后可形成所述鈍化層的所述開口。所述鈍化層的所述開口可被所述像素限定層覆蓋。


通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施方式，各特征將對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員變得明顯，在附圖中
圖I示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖2示出了沿圖I的線II-II獲取的截面圖3示出了圖2中的部分A的放大圖4示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖5示出了沿圖4的線V-V獲取的截面圖6A至6F示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式，用于相繼描繪在制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法中的各階段的視圖。
具體實(shí)施方式
下文中將參照附圖更加充分地描述示例性實(shí)施方式；然而，示例性實(shí)施方式可以以不同形式實(shí)施，而且不應(yīng)該被解釋為受本文所闡明的實(shí)施方式的限制。相反地，提供這些實(shí)施方式以使得該公開的內(nèi)容會(huì)全面和完整，并且將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
在附圖中，層和區(qū)域的尺寸可以被夸大以用于使視圖清楚。還應(yīng)該理解，當(dāng)一層或一個(gè)元件被稱為“在”另一層或襯底“上”時(shí)，其可以直接在另一層或襯底上，或者它們之間可以存在多個(gè)層。而且，應(yīng)該理解，當(dāng)一層被稱為“在”另一層“下”時(shí)，其能夠直接在另一層下，或者它們之間可以存在一個(gè)或多個(gè)層。此外，還應(yīng)該理解，當(dāng)一層被稱為“在”兩層“之間”時(shí)，其能夠?yàn)閮蓪又g唯一的一層，或者它們之間還可以存在一個(gè)或多個(gè)層。在整個(gè)說明中，相同的參考標(biāo)號(hào)指的是相同的元件。
例如“其中的至少一個(gè)”的措辭在一列元素之后時(shí)修飾整列元素，而不修飾該列中的單個(gè)元素。
圖I示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖，圖2示出了沿圖I的線II-II獲取的截面圖，圖3示出了圖2中的部分A的放大圖。
參見圖I至3，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100包括襯底101、封裝部件102、薄膜晶體管 TFT、有機(jī)發(fā)光裝置120、密封部件150、內(nèi)部電路單元160、鈍化層118、像素限定層119以及吸附劑170。
薄膜晶體管TFT可包括有源層112、柵電極114以及源電極和漏電極116和117。 有機(jī)發(fā)光裝置120可包括第一電極121、第二電極122以及中間層123。
將詳細(xì)地描述這些元件中的每一個(gè)。
在襯底101上形成顯示區(qū)101a。顯示區(qū)IOla上可形成多個(gè)子像素，子像素中的每一個(gè)均可包括發(fā)出可見光的有機(jī)發(fā)光裝置120以及連接到有機(jī)發(fā)光裝置120的至少一個(gè)薄膜晶體管TFT。
在襯底101的一側(cè)可形成焊盤區(qū)101b，從而與顯示區(qū)IOla隔開，例如沿水平方向。 在焊盤區(qū)IOlb上可安裝有諸如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元的集成電路(IC)芯片和多個(gè)焊盤。
襯底101可以是透明玻璃襯底，其中二氧化硅(SiO2)被用作主要成分。然而，實(shí)施方式不限于此，例如，還可以使用透明塑料襯底。就這一點(diǎn)而言，用于形成襯底101的塑料材料可以包括各種有機(jī)材料中的至少一種。
襯底101上可設(shè)有密封部件150，密封部件150可以圍繞顯示區(qū)IOla延伸。例如， 密封部件150可以完全包圍顯示區(qū)101a。密封部件150可以由各種材料形成，并且可以使襯底101與封裝部件102接合。
在顯示區(qū)IOla與密封部件150之間可設(shè)有內(nèi)部電路單元160，例如，內(nèi)部電路單元 160可以完全包圍顯示區(qū)101a。密封部件150可以完全包圍內(nèi)部電路單元160。內(nèi)部電路單元160例如可以為掃描驅(qū)動(dòng)單元或者發(fā)射控制驅(qū)動(dòng)單元。圖I中的內(nèi)部電路單元160可以包圍顯示區(qū)IOla的所有側(cè)面，例如，完全包圍顯示區(qū)101a。然而，實(shí)施方式不限于此，例如，內(nèi)部電路單元160可以形成為對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)IOla的一側(cè)或者面對(duì)顯示區(qū)IOla的兩側(cè)。
在顯示區(qū)IOla的薄膜晶體管TFT上可設(shè)有鈍化層118，鈍化層118可以延伸以覆蓋內(nèi)部電路單元160。此外，鈍化層118可以形成為與密封部件150接觸。因此，可增大襯底101與封裝部件102之間的結(jié)合力。鈍化層118包括例如無機(jī)材料。
在鈍化層118上可形成有像素限定層119。像素限定層119可以與內(nèi)部電路單元 160的上表面的一部分交疊。此外，像素限定層119可以接觸吸附劑170。像素限定層119 可包括有機(jī)材料，例如，基于聚酰亞胺的聚合物、丙烯聚合物和/或烯烴基聚合物。
像素限定層119可以限定形成有機(jī)發(fā)光裝置120的中間層123的區(qū)域。稍后將描述這一點(diǎn)。
襯底101與封裝部件102之間可設(shè)有吸附劑170。吸附劑170可以降低外部水分和氧氣損害有機(jī)發(fā)光裝置120、薄膜晶體管TFT以及其它薄膜的可能性和/或防止外部水分和氧氣損害有機(jī)發(fā)光裝置120、薄膜晶體管TFT以及其它薄膜。
吸附劑170可以與襯底101和封裝部件102之間的空間中存在的水分或氧氣進(jìn)行反應(yīng)，從而有效地去除水分和氧氣。因此，吸附劑170降低了水分和氧氣損害有機(jī)發(fā)光裝置 120、薄膜晶體管TFT以及其它薄膜的可能性和/或防止水分和氧氣損害有機(jī)發(fā)光裝置120、 薄膜晶體管TFT以及其它薄膜。
吸附劑170 包括 Ba、Ca、Mg、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Ta、Th、Ce、Al 以及 Ni 中的至少一種。例如，吸附劑170可以包括合金或氧化物，該合金或氧化物包含至少一種上述材料。
吸附劑170可以與內(nèi)部電路單元160的至少一部分交疊。例如，吸附劑170可以處于內(nèi)部電路單元160之上以及內(nèi)部電路單元160上的鈍化層118和像素限定層119的一部分之上。吸附劑170例如包括如上所述的金屬或金屬氧化物。如果吸附劑170與內(nèi)部電路單元160交疊，例如直接在內(nèi)部電路單元160上交疊，則吸附劑170中所包含的材料會(huì)滲透進(jìn)內(nèi)部電路單元160中，從而會(huì)使內(nèi)部電路單元160中產(chǎn)生短路或者會(huì)引起其它損害。然而，根據(jù)示例性實(shí)施方式，由于鈍化層118覆蓋內(nèi)部電路單元160，所以從根本上可防止吸附劑170中所包含的材料滲透進(jìn)內(nèi)部電路單元160。例如，當(dāng)鈍化層118包括無機(jī)材料時(shí)， 吸附劑170中所包含的材料難以滲透進(jìn)鈍化層118，因而內(nèi)部電路單元160可以得到有效的保護(hù)。
將參照?qǐng)D3更詳細(xì)地描述顯示區(qū)101a。襯底101上可以形成有緩沖層111。緩沖層111例如可包括SiO2和/或SiNx。緩沖層111可提供襯底101上的平坦表面，并且可降低水分和雜質(zhì)滲透進(jìn)襯底101的可能性和/或防止水分和雜質(zhì)滲透進(jìn)襯底101。
在緩沖層111上可形成有源層112。有源層112包括半導(dǎo)體材料，例如，非晶硅或者多晶娃。
在有源層112上可以形成有柵絕緣層113，在柵絕緣層113的預(yù)定區(qū)域中可以形成有柵電極114。柵絕緣層113可以使有源層112與柵電極114之間絕緣，并且柵絕緣層113 可包括有機(jī)材料或無機(jī)材料，例如，SiNx或Si02。
柵電極114可以由金屬形成，例如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al以及Mo，或者可以由金屬合金形成，例如Al:Nd和Mo:W。然而，實(shí)施方式不限于此。柵電極114可以由考慮例如粘附性、表面平滑度、電阻以及可加工性的各種材料形成。柵電極114可以與發(fā)送電信號(hào)的柵極線(未示出)連接。
在柵電極114上可以形成有層間絕緣層115。層間絕緣層115和柵絕緣層113可以形成為暴露有源層112的源區(qū)域和漏區(qū)域，并且源電極和漏電極116和117可以與有源層112的暴露區(qū)域接觸。
源電極和漏電極116和117可包括金屬，例如，Au、Pd、Pt、Ni、Rh、Ru、Ir以及Os，或者Al和Mo的金屬合金，例如，Al:Nd和Mo:W。然而，實(shí)施方式不限于此。
鈍化層118可以形成為覆蓋源電極和漏電極116和117。如上所述，鈍化層118 可以是無機(jī)絕緣層，其包括例如Si02、SiNx、SiON、A1203、TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2、鈦酸鋇鍶 (BST)，以及鋯鈦酸鉛(PZT)等中的至少一種。然而，實(shí)施方式不限于此，例如，鈍化層118可包括各種無機(jī)材料。
鈍化層118可以形成為暴露漏電極117，有機(jī)發(fā)光裝置120可以形成為連接到被暴露的漏電極117。有機(jī)發(fā)光裝置120可包括第一電極121、第二電極122以及中間層123。 特別地，第一電極121可以接觸漏電極117。
中間層123可包括有機(jī)發(fā)射層，當(dāng)電壓被施加到第一電極121與第二電極122之間時(shí)，有機(jī)發(fā)射層發(fā)出可見光。
像素限定層119例如可利用絕緣材料形成在第一電極121上。如上所述，像素限定層119可包括有機(jī)材料。在像素限定層119中可形成開口，以暴露第一電極121。中間層123可以形成在被暴露的第一電極121上。接下來，第二電極122可以形成為連接到中間層123。
第一電極121和第二電極122可以分別具有陽(yáng)極和陰極的極性。第一電極121和第二電極122的極性可以顛倒。
在第二電極122上可設(shè)有封裝部件102。在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100中，根據(jù)示例性的實(shí)施方式，封裝部件102可設(shè)在襯底101上。通過利用密封部件150，襯底101和封裝部件102可以彼此接合。這種結(jié)構(gòu)可降低有機(jī)發(fā)光裝置120、薄膜晶體管TFT和其它薄膜被例如外部沖擊、水分和氧氣損害的可能性和/或防止有機(jī)發(fā)光裝置120、薄膜晶體管TFT和其它薄膜被例如外部沖擊、水分和氧氣損害。
在襯底101和封裝部件102之間可設(shè)有吸附劑170。吸附劑170可去除滲透進(jìn)襯底101與封裝部件102之間的空間的水分和氧氣，從而有效地保護(hù)有機(jī)發(fā)光裝置120、薄膜晶體管TFT以及其它薄膜不被水分和氧氣損害。
而且，當(dāng)形成了覆蓋薄膜晶體管TFT的鈍化層118時(shí)，鈍化層118可延伸以覆蓋內(nèi)部電路單元160。特別地，鈍化層118可包括無機(jī)材料。因此，即使當(dāng)吸附劑170與內(nèi)部電路單元160交疊時(shí)，也可以從根本上防止用于形成吸附劑170的材料(例如，金屬或金屬氧化物)滲透進(jìn)內(nèi)部電路單元160并損害內(nèi)部電路單元160。
因此，由于吸附劑170可以形成為不與內(nèi)部電路單元160水平地隔開，而是形成為與內(nèi)部電路單元160交疊，例如，位于內(nèi)部電路單元160之上，所以顯示區(qū)IOla與密封部件 150之間的空間可減小。因此，可以有效地利用有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的襯底101上的空間。
此外，像素限定層119可以形成為與內(nèi)部電路單元160的上表面交疊，以使得可以有效地降低和/或有效地防止內(nèi)部電路單元160被鈍化層118和像素限定層119的層疊結(jié)構(gòu)損害內(nèi)部電路單元160的可能性。
而且，像素限定層119可以形成為與吸附劑170接觸，從而可以有效地降低和/或防止水分和氧氣通過有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的側(cè)面而滲透。也就是說，吸附劑170、像素限定層119以及鈍化層118可以相繼排列，以充當(dāng)?shù)挚顾趾脱鯕獾钠琳稀?br> 圖4示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖，圖5 示出了沿圖4的線V-V獲取的截面圖。
參見圖4至5，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200包括襯底201、封裝部件202、薄膜晶體管 TFT、有機(jī)發(fā)光裝置217、密封部件250、內(nèi)部電路單元260、鈍化層218、像素限定層219、吸附劑270以及電容器214。
薄膜晶體管TFT可包括有源層203、柵電極205以及源電極和漏電極207和208。 有機(jī)發(fā)光裝置217可包括第一電極210、第二電極216以及中間層212。
襯底201可包括顯示區(qū)201a。在顯示區(qū)201a上可形成有多個(gè)子像素，子像素中的每一個(gè)均可包括發(fā)出可見光的有機(jī)發(fā)光裝置217以及連接到有機(jī)發(fā)光裝置217的至少一個(gè)薄膜晶體管TFT。
在襯底201的一側(cè)形成焊盤區(qū)201b，以與顯示區(qū)201a隔開。在焊盤區(qū)201b上可安裝有諸如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元的集成電路(IC)芯片以及多個(gè)焊盤。
繞襯底201上的顯示區(qū)201a可設(shè)有密封部件250，例如，密封部件250可完全包圍襯底201上的顯示區(qū)201a。密封部件250可以由各種材料形成，并且可以使襯底201與封裝部件202接合。
在顯示區(qū)201a與密封部件250之間可設(shè)有內(nèi)部電路單元260。內(nèi)部電路單元260 可以完全包圍顯示區(qū)201a，而密封部件250可以完全包圍內(nèi)部電路單元260。內(nèi)部電路單元260例如可以為掃描驅(qū)動(dòng)單元或者發(fā)射控制驅(qū)動(dòng)單元。圖4中的內(nèi)部電路單元260可以包圍顯示區(qū)201a的所有側(cè)面，但是實(shí)施方式不限于此。也就是說，內(nèi)部電路單元260可以形成為對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)201a的一側(cè)或者面對(duì)顯示區(qū)201a的兩側(cè)。
圖5中示出的內(nèi)部電路單元260包括電路單元有源層261、電路單元柵電極262、 電路單元源電極263以及電路單元漏電極264。然而，內(nèi)部電路單元260藉此例示，而且實(shí)施方式不限于此。例如，內(nèi)部電路單元260也可以具有各種結(jié)構(gòu)。
在顯示區(qū)201a的薄膜晶體管TFT上可設(shè)有鈍化層218，鈍化層218可以延伸以覆蓋內(nèi)部電路單元260。鈍化層218可以形成為與密封部件250接觸。鈍化層218可包括無機(jī)材料。
在鈍化層218上可形成有像素限定層219。像素限定層219可以限定形成有機(jī)發(fā)光裝置217的中間層212的區(qū)域。
在襯底201與封裝部件202之間設(shè)有吸附劑270。吸附劑270與內(nèi)部電路單元260 的至少一部分交疊。以上已描述用于形成吸附劑270的材料，因而此處將省略對(duì)吸附劑270 的詳細(xì)描述。
將參照?qǐng)D5更詳細(xì)地描述顯示區(qū)201a。在襯底201上可形成有緩沖層215。緩沖層215不僅可以與顯示區(qū)201a對(duì)應(yīng)，而且可以與密封部件250對(duì)應(yīng)。
在緩沖層215上可形成有源層203。在緩沖層215上可形成第一電容器電極211。 第一電容器電極211可以由與有源層203相同的材料形成。此外，在緩沖層215上可形成電路單元有源層261，例如，電路單元有源層261可以由與有源層203相同的材料形成。
在緩沖層215上可以形成柵絕緣層204，以覆蓋有源層203和第一電容器電極 211。柵絕緣層204還可以形成為覆蓋顯示區(qū)201a和電路單元有源層261，以對(duì)應(yīng)于包括密封部件250的區(qū)域。
在柵絕緣層204上可形成柵電極205、第一電極210以及第二電容器電極213。 柵電極205可包括第一傳導(dǎo)層205a和第二傳導(dǎo)層205b。第一傳導(dǎo)層205a可包括透射傳導(dǎo)材料，透射傳導(dǎo)材料的示例包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦 (Ιη203)、氧化銦鎵(IGO)以及氧化鋁鋅(AZO)中的至少一種。第二傳導(dǎo)層205b可以利用金屬或金屬合金形成在第一傳導(dǎo)層205a上,例如Mo、MoW以及招基合金,但是實(shí)施方式不限于此。
第一電極210可包括透射傳導(dǎo)材料，并且可以由與第一傳導(dǎo)層205a相同的材料形成。在第一電極210的預(yù)定區(qū)域上可設(shè)有傳導(dǎo)單元210a，并且傳導(dǎo)單元210a可以由與第二傳導(dǎo)層205b相同的材料形成。
此外，第一電極210可以具有多層結(jié)構(gòu)來替代單層結(jié)構(gòu)。透射傳導(dǎo)層可以形成在包括例如Ag的金屬的半透射金屬層上。也就是說，第一電極210例如可具有ITO/Ag結(jié)構(gòu)。 就這一點(diǎn)而言，也可以使用IZ0、Zn0、ln203、IGO以及AZO中的至少一種來替代ΙΤ0。
第一電極210還可以具有三層結(jié)構(gòu)，例如，IT0/Ag/IT0結(jié)構(gòu)。就這一點(diǎn)而言，還可以使用izo、ZnO、In2O3> IGO以及AZO中的至少一種來替代ΙΤ0。
因此，產(chǎn)生于中間層212中的可見光可在第一電極210與第二電極216之間共振。 因此，潛在地導(dǎo)致改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的發(fā)光效率。
柵電極205的第一傳導(dǎo)層205a也可以具有如第一電極210的雙層或者三層結(jié)構(gòu)。 第二電容器電極213可包括第一層213a和第二層213b。第一層213a可以由與第一傳導(dǎo)層 205a相同的材料,第二層213b可以由與第二傳導(dǎo)層205b相同的材料形成。第一層213a也可以具有如第一電極210的雙層或者三層結(jié)構(gòu)。
第二層213b可以形成在第一層213a上，以具有比第一層213a更小的尺寸。此外， 第二電容器電極213可以與第一電容器電極211交疊，以具有比第一電容器電極211更小的尺寸。
在柵絕緣層204上可以形成內(nèi)部電路單元260的電路單元柵電極262。電路單元柵電極262可如柵電極205那樣包括兩個(gè)層262a和262b，并且兩個(gè)層262a和262b可以分別由與柵電極205的第一和第二傳導(dǎo)層205a和205b相同的材料形成。
在第一電極210、柵電極205以及第二電容器電極213上可形成層間絕緣層206。 層間絕緣層206可包括各種絕緣材料，例如有機(jī)材料或無機(jī)材料。層間絕緣層206可以形成為不僅對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)201a，還對(duì)應(yīng)于密封部件250，以覆蓋電路單元柵電極262。
雖然本文未示出，但是層間絕緣層206可具有多層結(jié)構(gòu)。例如，層間絕緣層206可具有包括至少兩層的層疊結(jié)構(gòu)，例如無機(jī)/有機(jī)層。因此，可以改善層間絕緣層206的絕緣及保護(hù)效果。就這一點(diǎn)而言，構(gòu)成層間絕緣層206的無機(jī)層例如可以包括硅氧化物或者硅氮化物。
如果層間絕緣層206具有多層結(jié)構(gòu)，那么第一電極210可以形成在層間絕緣層206 的多個(gè)絕緣層中非最上層絕緣層的一個(gè)絕緣層上。
因此，柵電極205和第二電容器電極213可以形成在與其上形成有第一電極210 的層不同的層上。因此，在形成柵電極205和第二電容器電極213時(shí)，不會(huì)損害第一電極 210。
在層間絕緣層206上可以形成源電極和漏電極207和208。源電極和漏電極207 和208可以形成為連接到有源層203。
此外，源電極和漏電極207和208中的一個(gè)可以電連接到第一電極210。在圖5中， 漏電極208可以電連接到第一電極210。特別地，漏電極208可以與傳導(dǎo)單元210a接觸。
在層間絕緣層206上可以形成電路單元源電極263和電路單元漏電極264，以連接到電路單元有源層261。電路單元源電極263和電路單元漏電極264可以分別由與源電極 207或漏電極208相同的材料形成。
在層間絕緣層206上可以形成鈍化層218，以覆蓋薄膜晶體管TFT和電容器214。 鈍化層218可以具有與第一電極210的上表面對(duì)應(yīng)的開口 218a。鈍化層218可以形成在電路單元源電極263和電路單元漏電極264上。也就是說，鈍化層218可以形成為覆蓋內(nèi)部電路單元260。此外，鈍化層218可以形成為與密封部件250對(duì)應(yīng)，例如，在密封部件250 之下。
在鈍化層218上可以形成像素限定層219。像素限定層219可以形成為具有與第一電極210的上表面對(duì)應(yīng)的開口 219a，并且中間層212可以形成在通過像素限定層219的開口 219a所暴露的第一電極210上。更具體地，像素限定層219的開口 219a可對(duì)應(yīng)于鈍化層218的開口 218a，并且像素限定層219的開口 219a可具有比鈍化層218的開口 218a 更小的尺寸。因此，鈍化層218的開口 218a可以用像素限定層219覆蓋。因而，中間層212 可以不接觸鈍化層218，而可接觸像素限定層219。
像素限定層219可包括如上所述的有機(jī)材料。像素限定層219可以與內(nèi)部電路單元260的上表面的一部分交疊，并且像素限定層219可以與吸附劑270接觸。
在中間層212上可形成有第二電極216。在第二電極216上可設(shè)有封裝部件202。
在根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200中，封裝部件202可設(shè)在襯底201 上，并且通過利用密封部件250，襯底201和封裝部件202可以彼此接合。這種結(jié)構(gòu)可以降低有機(jī)發(fā)光裝置217、薄膜晶體管TFT以及其它薄膜被例如外部沖擊、水分和氧氣損害的可能性和/或防止有機(jī)發(fā)光裝置217、薄膜晶體管TFT以及其它薄膜被例如外部沖擊、水分和氧氣損害。
此外，吸附劑270可以設(shè)在襯底201與封裝部件202之間。吸附劑270可以去除滲透進(jìn)襯底201與封裝部件202之間的空間的水分和氧氣，從而有效地防止有機(jī)發(fā)光裝置 217、薄膜晶體管TFT以及其它薄膜被例如水分和氧氣損害。
此外，當(dāng)形成了覆蓋薄膜晶體管TFT的鈍化層218時(shí)，鈍化層218可以延伸以覆蓋內(nèi)部電路單元260。因此，即使吸附劑270與內(nèi)部電路單元260交疊，也可以從根本上防止用于形成吸附劑270的材料(例如金屬或金屬氧化物)滲透進(jìn)內(nèi)部電路單元260并損害內(nèi)部電路單元260。
因此，由于內(nèi)部電路單元260可以得到穩(wěn)固的保護(hù)，并且吸附劑270可以形成為與內(nèi)部電路單元260交疊，所以可以減少顯示區(qū)201a與密封部件250之間的空間。此外，由于柵電極205和電容器214可以利用相同的材料形成在同一層上，所以可以有效地減少有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的厚度。而且，由于第一電極210可以包括半透射金屬層，所以產(chǎn)生于中間層212中的可見光在第一電極210與第二電極216之間共振，這可以改善有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的發(fā)光效率。
圖6A至6F示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式，用于相繼描繪在制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法中的各階段視圖。具體地，圖6A至6F描繪了在制造圖4和5所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備200的方法中的各階段。
參見圖6A，可以在襯底201上形成緩沖層215、有源層203、第一電容器電極211、 以及電路單元有源層261。更具體地，可以在襯底201上形成緩沖層215，在緩沖層215上形成有源層203，有源層203可以形成在顯示區(qū)201a上，以具有預(yù)定的圖案?？梢詫⒌谝浑娙萜麟姌O211形成為例如沿水平方向與有源層203隔開?？梢詫㈦娐穯卧性磳?61形成為例如沿水平方向與顯示區(qū)201a隔開。
可以在緩沖層215上形成柵絕緣層204，以覆蓋有源層203和第一電容器電極 211?？梢詫沤^緣層204形成為不僅覆蓋顯示區(qū)201a，還覆蓋電路單元有源層261。
接下來，參見圖6B，可以在柵絕緣層204上形成包括第一和第二傳導(dǎo)層205a和 205b的柵電極205、包括第一和第二層262a和262b的電路單兀柵電極262,以及包括第一和第二層213a和213b的第二電容器電極213。還可以形成第一電極210和傳導(dǎo)單元210a。
可以同時(shí)形成柵電極205、第一電極210以及傳導(dǎo)單元210a的圖案。
第一電極210、柵電極205的第一傳導(dǎo)層205a、第二電容器電極213的第一層213a以及電路單元柵電極262的第一層262a可以包括透射傳導(dǎo)材料。透射傳導(dǎo)材料的示例可包括氧化銦錫(ITO )、氧化銦鋅(IZO )、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3 )、氧化銦鎵(IG0)以及氧化鋁鋅(AZO)中的至少一種。
第一電極210、柵電極205的第一傳導(dǎo)層205a、第二電容器電極213的第一層213a 以及電路單元柵電極262的第一層262a可具有多層結(jié)構(gòu)來替代單層結(jié)構(gòu)。透射傳導(dǎo)層可以形成在包括例如Ag的金屬的半透射金屬層上。例如，傳導(dǎo)材料層205c可具有ITO/Ag結(jié)構(gòu)。就這一點(diǎn)而言，還可以使用IZ0、Zn0、ln203、IGO以及AZO中的至少一種來替代ΙΤ0。
第一電極210、柵電極205的第一傳導(dǎo)層205a、第二電容器電極213的第一層213a 以及電路單元柵電極262的第一層262a可具有三層結(jié)構(gòu)，例如，ITO/Ag/1TO結(jié)構(gòu)。就這一點(diǎn)而言，還可以使用IZO、ZnO、ln203、IGO以及AZO來替代ΙΤ0。
接下來，可以在箭頭所示的方向上注入摻雜物D。摻雜物可以是各種元素，例如，第 3族元素如硼(B)或者第5族元素如磷(P)。
接下來，參見圖6C，可以在傳導(dǎo)單元210a、柵電極205以及第二電容器電極213上形成層間絕緣層206。就這一點(diǎn)而言，可以通過去除層間絕緣層206的一部分來形成開口， 以與傳導(dǎo)單元210a的預(yù)定區(qū)域?qū)?yīng)?？梢匀コ龑娱g絕緣層206的一部分，以暴露第二電容器電極213的第二層213b的上表面的預(yù)定區(qū)域。
可以去除層間絕緣層206和柵絕緣層204的一部分，以暴露有源層203、電路單元有源層261以及第一電容器電極211的預(yù)定區(qū)域。
接下來，參見圖6D，可以去除傳導(dǎo)單元210a通過層間絕緣層206中的開口所暴露的區(qū)域，以暴露第一電極210。可以去除第二電容器電極213的第二層213b通過層間絕緣層206的開口所暴露的區(qū)域，以暴露第二電容器電極213的第一層213a。
可以將源電極和漏電極207和208形成為連接到有源層203，可以將電路單元源電極263和電路單元漏電極264形成為連接到電路單元有源層261。由此可制備薄膜晶體管 TFT和內(nèi)部電路單元260。
接下來，可在箭頭所示的方向上將摻雜物D注入第一電容器電極211。也就是說， 可以通過第二電容器電極213的第一層213a將摻雜物D注入第一電容器電極211。
接下來，參見圖6E，可以在層間絕緣層206上形成鈍化層218，以覆蓋薄膜晶體管 TFT和電容器214。
鈍化層218可具有與第一電極210的上表面對(duì)應(yīng)的開口 218a?？梢栽陔娐穯卧措姌O263和電路單元漏電極264上形成鈍化層218。也就是說，可以將鈍化層218形成為覆蓋內(nèi)部電路單元260。
可以在鈍化層218上形成像素限定層219?？梢詫⑾袼叵薅▽?19形成為具有與第一電極210的上表面對(duì)應(yīng)的開口 219a，并且像素限定層219的開口 219a可以與鈍化層 218的開口 218a對(duì)應(yīng)，以具有比鈍化層218的開口 218a小的尺寸。因此，鈍化層218的開口 218a可以被像素限定層219覆蓋。
像素限定層219可以與內(nèi)部電路單元260的上表面的一部分交疊。
可以無需利用單獨(dú)的掩模而利用像素限定層219的開口 219a來形成鈍化層218 的開口 218a。例如，可以相繼層疊用于形成鈍化層218的材料以及用于形成像素限定層219 的材料。接下來，可以對(duì)用于形成像素限定層219的材料進(jìn)行構(gòu)圖，以形成像素限定層219的開口 219a。接下來，可以通過像素限定層219的開口 219a來蝕刻用于形成鈍化層218的材料，以形成鈍化層218的開口 218a。就這一點(diǎn)而言，鈍化層218可以通過像素限定層219 的開口 219a部分地暴露?？梢酝ㄟ^熱處理使像素限定層219的一部分熔化，以流進(jìn)鈍化層 218的開口 218a，以使得鈍化層218的開口 218a可以被像素限定層219覆蓋，并且鈍化層 218可不被像素限定層219的開口 219a暴露。
也就是說，如圖6E所示，像素限定層219的開口 219a的尺寸小于與第一電極210 對(duì)應(yīng)的、鈍化層218的開口 218a的尺寸，并且鈍化層218的開口 218a可以與像素限定層 219的開口 219a隔開。
接下來，參見圖6F，可以在第一電極210上形成中間層212，可以在中間層212上形成第二電極216，以制備有機(jī)發(fā)光裝置217。
可以繞襯底201上的顯示區(qū)201a設(shè)置密封部件250。可以將封裝部件202設(shè)置為面對(duì)襯底201，并且可通過利用密封部件250將襯底201和封裝部件202彼此接合。
可以在襯底201與封裝部件202之間設(shè)置吸附劑270。吸附劑270可以與內(nèi)部電路單元160中的至少一部分交疊?？梢栽阝g化層218上形成吸附劑270?？梢詫⑽絼?70 形成為與像素限定層219接觸。
如上所述,根據(jù)以上不例性實(shí)施方式中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備可以具有出色的耐用性以及襯底上的較高的空間利用性。
通過總結(jié)與回顧，在平板裝置之中，作為自發(fā)射型顯示設(shè)備的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有寬視角、高對(duì)比度以及快速的響應(yīng)速度，因而被視為下一代顯示設(shè)備。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括第一電極、第二電極以及中間層。中間層包括當(dāng)電壓施加到第一和第二電極時(shí)發(fā)出可見光的有機(jī)發(fā)射層。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括多個(gè)像素以及驅(qū)動(dòng)像素的電路單元。構(gòu)成有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的多個(gè)薄膜以及電路單元容易受到外部水分和氧氣的侵害。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的耐用性可能惡化。
相比較而言，例如以上所闡述的示例性實(shí)施方式的各實(shí)施方式涉及具有出色的耐用性和襯底上較高的空間利用性的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，以及制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
本文已經(jīng)公開了示例性實(shí)施方式，而且雖然采用了具體術(shù)語(yǔ)，但是這些術(shù)語(yǔ)僅旨在一般意義和描述意義上進(jìn)行解釋，而不是為了限制的目的。在一些實(shí)施例中，自提交本申請(qǐng)起對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)顯而易見的是，關(guān)于具體的實(shí)施方式所描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)地使用，或者與關(guān)于其它的實(shí)施方式所描述的特征、特性和/或元件結(jié)合地使用，除非特別地另有所指。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以在形式和細(xì)節(jié)中作出各種變化而不偏離本發(fā)明的精神和范圍，本發(fā)明的精神和范圍由所附的權(quán)利要求書闡述。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備，包括 襯底，包括顯示區(qū)； 封裝部件，面對(duì)所述襯底； 薄膜晶體管，在所述襯底的所述顯示區(qū)上，所述薄膜晶體管面對(duì)所述封裝部件，并且所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極； 有機(jī)發(fā)光裝置，在所述顯示區(qū)上，所述有機(jī)發(fā)光裝置電連接到所述薄膜晶體管，并且所述有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極、第二電極以及插在所述第一電極與所述第二電極之間的中間層，并且所述中間層包括有機(jī)發(fā)射層； 密封部件，在所述襯底與所述封裝部件之間，所述密封部件包圍所述顯示區(qū)； 內(nèi)部電路單元，在所述顯示區(qū)與所述密封部件之間； 鈍化層，在所述薄膜晶體管上并且延伸為覆蓋所述內(nèi)部電路單元； 像素限定層，在所述鈍化層上；以及 吸附劑，在所述襯底與所述封裝部件之間，所述吸附劑與所述內(nèi)部電路單元至少部分地交疊。
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述鈍化層包括無機(jī)材料。
3.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述吸附劑還位于所述密封部件與所述顯示區(qū)之間。
4.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述吸附劑在所述鈍化層上。
5.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述吸附劑與所述像素限定層接觸。
6.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述吸附劑包括Ba、Ca、Mg、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Ta、Th、Ce、Al以及Ni中的至少一種。
7.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述像素限定層包括有機(jī)材料。
8.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述中間層與所述鈍化層隔開，并且所述中間層與所述像素限定層接觸。
9.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括 柵絕緣層，在所述有源層與所述柵電極之間；以及 層間絕緣層，在所述柵電極上，所述源電極和漏電極在所述層間絕緣層上。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極在所述柵絕緣層上。
11.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述層間絕緣層具有包括至少兩個(gè)絕緣層的層疊結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述層間絕緣層包括交替地層疊于其中的無機(jī)材料和有機(jī)材料。
13.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極在多個(gè)絕緣層中的非最上層絕緣層的一個(gè)絕緣層上。
14.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括在所述襯底上的電容器，其中所述電容器包括 第一電容器電極，與所述有源層在同一層上，并且包括與所述有源層相同的材料，以及 第二電容器電極，與所述柵電極在同一層上，并且包括與所述第一電極相同的材料。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二電容器電極具有比所述第一電容器電極更小的尺寸。
16.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備，其中所述第一電極包括透射傳導(dǎo)材料。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述透射傳導(dǎo)材料包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵以及氧化鋁鋅中的至少一種。
18.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括相繼層疊于其中的透射傳導(dǎo)材料和半透射金屬層。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括在所述半透射金屬層之下的第二透射傳導(dǎo)材料。
20.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述半透射金屬層包括Ag。
21.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述中間層與所述薄膜晶體管為非交疊關(guān)系，并且與所述薄膜晶體管間隔開。
22.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括 在襯底的顯示區(qū)上形成包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極的薄膜晶體管； 在所述顯示區(qū)上形成有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置電連接到所述薄膜晶體管，并且所述有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極、第二電極以及插于所述第一電極與所述第二電極之間的中間層，并且所述中間層包括有機(jī)發(fā)射層； 在所述襯底與封裝部件之間形成密封部件，所述密封部件包圍所述顯示區(qū)，并且所述薄膜晶體管位于所述襯底與所述封裝部件之間； 在所述顯示區(qū)與所述密封部件之間形成內(nèi)部電路單元； 在所述薄膜晶體管上形成鈍化層，所述鈍化層延伸為覆蓋所述內(nèi)部電路單元； 在所述鈍化層上形成像素限定層；以及 形成與所述內(nèi)部電路單元至少部分交疊的吸附劑。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中分別在所述鈍化層和所述像素限定層中形成與所述第一電極的上表面對(duì)應(yīng)的開口，在形成所述像素限定層的所述開口之后形成所述鈍化層的所述開口。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述鈍化層的所述開口被所述像素限定層覆蓋。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括薄膜晶體管，在襯底的顯示區(qū)上，所述薄膜晶體管面對(duì)封裝部件；有機(jī)發(fā)光裝置，在所述顯示區(qū)上，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括具有有機(jī)發(fā)射層的中間層；密封部件，在所述襯底與所述封裝部件之間并且包圍所述顯示區(qū)；內(nèi)部電路單元，在所述顯示區(qū)與所述密封部件之間；鈍化層，延伸為覆蓋所述內(nèi)部電路單元；像素限定層，在所述鈍化層上；以及吸附劑，在所述襯底與所述封裝部件之間，并且所述吸附劑與所述內(nèi)部電路單元至少部分地交疊。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102983150SQ201210156950
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月2日
發(fā)明者許成權(quán), 康起寧, 崔鍾炫 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司