專利名稱：薄膜電容器元件、薄膜電容器和所述薄膜電容器元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜電容器元件、薄膜電容器和所述薄膜電容器元件的制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及包括層合體的薄膜電容器元件，所述層合體包括至少ー層電介質(zhì)膜和至少ー層金屬蒸鍍膜；這樣的薄膜電容器元件的制造方法；以及通過使用這樣的薄膜電容器元件獲得的薄膜電容器。
背景技術(shù)：
常規(guī)地，將薄膜電容器用于各種電器設(shè)備中。存在兩種類型的薄膜電容器疊堆式、薄膜電容器和纏繞式薄膜電容器。例如JP-A-10-208972公開了通過疊堆層合體(金屬化膜)而獲得的疊堆式薄膜電容器，該層合體各自包括由樹脂膜形成的電介質(zhì)膜和作為該電介質(zhì)膜上的電極膜的金屬蒸鍍膜。例如JP-A-2008-91605公開了通過使上述層合體彼此疊堆的同時纏繞該層合體而獲得的纏繞式薄膜電容器。目前，電器設(shè)備越來越要求具有較小尺寸和較高性能。伴隨此要求，同樣越來越要求薄膜電容器具有較小尺寸和較高電容，同時獲得足夠高的耐受電壓。然而，在常規(guī)薄膜電容器中，難以獲得足夠的性能來滿足此類要求。通常在常規(guī)薄膜電容器中，例如將由聚丙烯或聚對苯ニ甲酸こニ醇酯制成的樹脂膜用作構(gòu)成薄膜電容器元件的層合體的電介質(zhì)膜。聚丙烯和聚對苯ニ甲酸こニ醇酯抗高電壓，但相對介電常數(shù)低。因此，在提高薄膜電容器元件(通過疊堆或纏繞各自包括由聚丙烯或聚對苯ニ甲酸こニ醇酯制成的樹脂膜和樹脂膜上的金屬蒸鍍膜的層合體而獲得)的電容的嘗試中，應該提高要使用的樹脂膜的量。也就是說，在例如包括聚丙烯膜或聚對苯ニ甲酸こニ醇酯膜作為電介質(zhì)膜的常規(guī)薄膜電容器中，難以實現(xiàn)較小尺寸和較高性能兩者。在這種情況下，JP-A-3-50709公開了ー種薄膜電容器，其包括例如氧化鋁的陶瓷基板或作為電介質(zhì)膜的氣相沉積聚合物膜。通過沉積聚合多個氟化的或氟烷基化的芳香族単體在陶瓷基板上形成氣相沉積聚合物膜。這樣的氣相沉積聚合物膜質(zhì)量良好，雜質(zhì)較少，且厚度足夠小。因而，相比由樹脂膜形成的電介質(zhì)膜，氣相沉積聚合物膜的耐受電壓較高且相對介電常數(shù)較高。因此，可以應用形成氣相沉積聚合物膜作為常規(guī)電容器中的電介質(zhì)膜的技木，即，可以將氣相沉積聚合物膜用作薄膜電容器的電介質(zhì)膜，以獲得尺寸較小且電容較高的薄膜電容器。然而，本發(fā)明人進行的研究掲示了，即使將通過沉積聚合多氟化的或氟烷基化的多種芳香族単體而獲得的氣相沉積聚合物膜用作薄膜電容器的電介質(zhì)膜，也難以滿足近來對薄膜電容器的較高電容的要求。此外，在一些情況下，氣相沉積聚合物膜的沉積速率(每小時的沉積量)開始變慢，導致生產(chǎn)率降低。

發(fā)明內(nèi)容
基于上文所述的情況進行了本發(fā)明，因此本發(fā)明的目的是提供ー種薄膜電容器元件和薄膜電容器，其尺寸較小且電容較高，同時獲得高水平的足夠的耐受電壓，并且可以有效地進行制造。本發(fā)明的另ー個目的是提供一種有利地制造這樣的薄膜電容器元件的方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人使用多種氟化的或氟烷基化的芳香族單體進行了JP-A-3-50709中公開的沉積聚合，并考察了在包括陶瓷基板和形成于該陶瓷基板上的氣相沉積聚合物膜的常規(guī)電容器中造成低沉積速率和電容不足的原因。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，氣相沉積聚合物膜的沉積速率受單體的分子量影響，并且決定電容器的電容的氣相沉積聚合物膜的相對介電常數(shù)在很大程度上受單體的分子結(jié)構(gòu)影響?；诖耸聦崳景l(fā)明人進行了進ー步研究并且發(fā)現(xiàn)，通過沉積聚合多個具有特殊分子結(jié)構(gòu)且分子量小的単體，可以以高沉積速率形成相對介電常數(shù)得到改善的氣相沉積聚合物膜。因此，基于上文所述情況已進行了本發(fā)明，因此本發(fā)明的第一個方面提供了ー種薄膜電容器元件，所述薄膜電容器元件包括層合體，所述層合體包括至少ー層電介質(zhì)膜和至少ー層金屬蒸鍍膜，其中所述至少一層電介質(zhì)膜中的至少ー層為通過沉積聚合多種單體而形成的氣相沉積聚合物膜，所述多種単體各自具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述多種単體各自具有位于連接基團的對位的官能團，并且所述多種單體經(jīng)由所述官能團聚合。優(yōu)選地，所述至少一層氣相沉積聚合物膜的偶極通過經(jīng)受熱處理、紫外線處理、電子束處理、磁處理、電場處理、和等離子體處理中的至少ー種處理而被取向。優(yōu)選地，所述至少一層氣相沉積聚合物膜為聚脲樹脂膜。當所述至少一層氣相沉積聚合物膜為聚脲樹脂膜時，優(yōu)選的是所述多種單體包括芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酷。優(yōu)選地，通過在富含芳香族ニ胺的氣氛下聚合芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯而獲得所述至少一層氣相沉積聚合物膜，所述氣氛中芳香族ニ胺蒸氣壓高于芳香族ニ異氰酸酯蒸氣壓。此外，優(yōu)選地，所述芳香族ニ胺為4，4’_ ニ氨基ニ苯基甲烷，所述芳香族ニ異氰酸酯為4，4’ - ニ苯基甲烷ニ異氰酸酷。本發(fā)明的第二個方面提供了包括具有上文所述結(jié)構(gòu)的薄膜電容器元件的薄膜電容器。本發(fā)明的第三個方面提供了制造包括層合體的薄膜電容器元件的方法，所述層合體包括至少ー層電介質(zhì)膜和至少ー層金屬蒸鍍膜，所述方法包括下述步驟(a)獲得層合體，使得所述至少ー層金屬蒸鍍膜和所述至少ー層電介質(zhì)膜各自被交替地設(shè)置；以及(b)使用所述層合體獲得薄膜電容器元件，其中所述至少一層電介質(zhì)膜中的至少ー層為通過沉積聚合多種單體而形成的氣相沉積聚合物膜，所述多種単體各自具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述多種単體各自具有位于連接基團的對位的官能團，并且所述多種單體經(jīng)由所述官能團聚合。優(yōu)選地，所述方法還包括對所述至少ー層氣相沉積聚合物膜進行熱處理、紫外線處理、電子束處理、磁處理、電場處理和等離子體處理中的至少ー種的步驟。優(yōu)選地，所述多種単體包括芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酷，并且通過沉積聚合所述芳香族ニ胺和所述芳香族ニ異氰酸酯而形成由聚脲樹脂膜形成的所述至少一層氣相沉積聚合物膜。當將芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯用作所述多種單體時，優(yōu)選地，通過在富含芳香族ニ胺的氣氛下聚合芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯而形成所述至少ー層氣相沉積聚合物膜，所述氣氛中芳香族ニ胺蒸氣壓高于芳香族ニ異氰酸酯蒸氣壓。此外，優(yōu)選地，所述芳香族ニ胺為4，4’- ニ氨基ニ苯基甲烷，所述芳香族ニ異氰酸酯為4，4’- ニ苯基甲烷ニ異氰酸酷。 在根據(jù)本發(fā)明的薄膜電容器中，至少ー層電介質(zhì)膜中的至少ー層為氣相沉積聚合 物膜。通過在真空中沉積聚合而形成所述氣相沉積聚合物膜。因而，所述氣相沉積聚合物膜可以具有優(yōu)良的質(zhì)量且雜質(zhì)很少，并且可以具有足夠小的厚度。相應地，包括這樣的氣相沉積聚合物膜的電介質(zhì)膜的耐受電壓和相對介電常數(shù)可高于僅包括樹脂膜的電介質(zhì)膜的耐受電壓和相對介電常數(shù)。此外，通過沉積聚合芳香族單體而形成所述氣相沉積聚合物膜，所述芳香族単體各自具有通過連接基團相連接的兩個苯環(huán)。因而，進ー步有效地改善了所述氣相沉積聚合物膜的相對電介質(zhì)常數(shù)。此外，由于有利地降低了芳香族単體的分子量，所以有利地改善了所述氣相沉積聚合物膜的沉積速率。因此，根據(jù)本發(fā)明的薄膜電容器元件可以具有較小尺寸和較高電容，同時獲得足夠高的耐受電壓。此外，可以通過改善氣相沉積聚合物膜的沉積速率而有效地改善生產(chǎn)率。根據(jù)本發(fā)明的薄膜電容器可以具有與所述薄膜電容器元件獲得的基本上相同的優(yōu)勢。根據(jù)本發(fā)明的薄膜電容器元件的制造方法，可以以優(yōu)良的生產(chǎn)率有利地制造具有上文所述的優(yōu)良特性的薄膜電容器元件。


當結(jié)合考慮附圖時，通過閱讀本發(fā)明優(yōu)選實施方式的下述詳細說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征、優(yōu)勢以及技術(shù)和エ業(yè)重要性將得到更好地理解，附圖中圖I為示出根據(jù)本發(fā)明的薄膜電容器元件的一個實施例的部分放大截面圖；以及圖2為示出用于制造圖I所示的薄膜電容器的設(shè)備的示意圖。
具體實施例方式為進ー步說明本發(fā)明，將參照附圖以本發(fā)明的具體實施方式
進行描述。首先，圖I以豎直截面示出了根據(jù)本發(fā)明的薄膜電容器元件的一個實施方式。如圖I所示，本實施方式的薄膜電容器元件10包括金屬化膜15，該金屬化膜15包括金屬蒸鍍膜14a和樹脂膜12，該樹脂膜12作為金屬蒸鍍膜14a表面上的電介質(zhì)膜。薄膜電容器元件10在金屬化膜15上還包括處于金屬蒸鍍膜14a側(cè)的相對側(cè)(樹脂膜12的另ー個表面)上的金屬蒸鍍膜14b以及金屬蒸鍍膜14b上的氣相沉積聚合物膜16。也就是說，在本實施方式中，薄膜電容器元件10為層合體，其按順序包括金屬蒸鍍膜14a、樹脂膜12、金屬蒸鍍膜14b和氣相沉積聚合物膜16。更具體地，樹脂膜12由聚丙烯制成的雙軸拉伸膜形成，且具有約I至10 μ m的小厚度。樹脂膜12可以是可構(gòu)成常規(guī)薄膜電容器的電介質(zhì)膜的任何已知樹脂膜。所述樹脂膜可以由例如聚對苯ニ甲酸こニ醇酯、聚苯硫醚或聚萘ニ甲酸こニ醇酯制成。所述樹脂膜并非必須由雙軸拉伸膜形成。此處，金屬蒸鍍膜14a、14b由鋁制成。相應的金屬蒸鍍膜14a、14b構(gòu)成了使用層合體10制造的薄膜電容器的內(nèi)電極，且通過常規(guī)エ藝形成于樹脂膜12的相應表面上。具體而言，金屬蒸鍍膜14a、14b通過常規(guī)已知的真空沉積エ藝形成于樹脂膜12的相應表面上，所述常規(guī)已知的真空沉積エ藝與PVD和CVD為同一類別，所述PVD和CVD通過使用常規(guī)已知的金屬材料作為形成薄膜電容器的內(nèi)電極的沉積材料。因而，金屬蒸鍍膜14a、14b并非必須由鋁制成，而是可以由例如鋅制成。將金屬蒸鍍膜14a、14b的膜阻抗調(diào)節(jié)為約I至50 Ω /cm2,并且依據(jù)例如膜阻抗而適當?shù)卮_定其厚度。
氣相沉積聚合物膜16由聚脲樹脂膜形成。氣相沉積聚合物膜16通過常規(guī)真空沉積聚合形成于金屬蒸鍍膜14a上。因而，氣相沉積聚合物膜16可具有高質(zhì)量和很少雜質(zhì)以及足夠小于樹脂膜的厚度。因此，包括薄膜電容器元件10的薄膜電容器可以具有較小尺寸和較高電容。盡管氣相沉積聚合物膜16的厚度不特別受限，但是優(yōu)選的是其厚度為約O. 001至10 μ m。由于難以形成厚度小于O. 001 μ m的氣相沉積聚合物膜16,所以氣相沉積聚合物膜16的厚度為O. OOlym或更大是實用的。此外，厚度大于10 μ m的氣相沉積聚合物膜16無法足夠縮小包括氣相沉積聚合物膜16作為電介質(zhì)的薄膜電容器的尺寸。氣相沉積聚合物膜16的種類不特別受限，只要其為可以通過真空沉積而形成的樹脂膜即可。代替聚脲樹脂膜，氣相沉積聚合物膜16可以由聚酰胺樹脂膜、聚酰亞胺樹脂膜、聚酰胺酰亞胺樹脂膜、聚酯樹脂膜、聚甲亞胺樹脂膜或聚氨酯樹脂膜形成。在所列出的樹脂膜中，優(yōu)先地使用相對介電常數(shù)高于樹脂膜12的樹脂膜。通過使用這樣的樹脂膜形成氣相沉積聚合物膜16，可以有效地提高薄膜電容器的電容。構(gòu)成氣相沉積聚合物膜的聚脲樹脂獲得了高于樹脂膜12的相對介電常數(shù)，并且在単體的聚合(ニ異氰酸酯和ニ胺)時不需要熱處理。此外，在加成聚合反應中形成聚脲樹脂，所述加成聚合反應無需去除水、醇等。所以，不需要用于單體聚合時的熱處理的設(shè)備(設(shè)施)，并且可以降低成本。此外，可以有效地避免由熱處理期間生成的熱造成的樹脂膜12變形。并且，無需從其中進行聚合反應的真空室中去除水、醇等(水、醇在聚合反應期間消除)。因此，不需要用于去除所消除的水或醇的設(shè)備，這同樣降低了成本。此外，由于聚脲樹脂具有優(yōu)良的防潮性，可以穩(wěn)定地獲得氣相沉積聚合物膜16的高耐受電壓。在本實施方式中，具體而言，在聚脲樹脂中，氣相沉積聚合物膜16由芳香族聚脲樹脂形成。通過沉積聚合芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺而形成由芳香族聚脲樹脂膜形成的氣相沉積聚合物膜16，所述芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺各自具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)。此外，在本實施方式中，將由下式(化學式I)表示的4，4’ - ニ苯基甲烷ニ異氰酸酷(MDI)用作所述芳香族ニ異氰酸酷，將由下式(化學式2)表示的4，4’_ ニ氨基ニ苯基甲烷(MDA)用作所述芳香族ニ胺。由于通過沉積聚合芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺而形成氣相沉積聚合物膜16，所以改善了氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)和沉積速率。化學式I
〇CN~~^CH2( ^~NCO化學式2
H2N~/~VcH2 イト NH2更具體描述地，具有苯環(huán)的芳香族単體具有平面分子結(jié)構(gòu)，因此其結(jié)構(gòu)比具有直鏈結(jié)構(gòu)或脂環(huán)結(jié)構(gòu)的単體穩(wěn)定。通過沉積聚合此類芳香族単體(即MDI和MDA)而形成的·氣相沉積聚合物膜16被密集地層合于樹脂膜12上的金屬蒸鍍膜14b上的平面中。因而，提高了氣相沉積聚合物膜16的密度，從而改善了氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)。由于形成氣相沉積聚合物膜16的MDI和MDA中的每ー個具有兩個苯環(huán)，MDI和MDA中的每ー個的分子量小于具有三個或更多個苯環(huán)的芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺中的每ー個的分子量。因而，在通過沉積聚合MDI和MDA而形成氣相沉積聚合物膜16時，由于其分子量較小，相比其中使用各自具有三個或更多個苯環(huán)的芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺的情況，MDI和MDA中的每ー個的蒸發(fā)速率得到有效改善。因此，改善了氣相沉積聚合物膜16的沉積速率。通常，相比芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺，具有直鏈結(jié)構(gòu)或脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酯和ニ胺中的每ー個的分子結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。具體而言，具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酯和ニ胺中的每ー個具有彎曲的結(jié)構(gòu)，且經(jīng)歷較大的空間位阻。因而，如果使用具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酯或具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ胺、通過沉積聚合而形成氣相沉積聚合物膜16，則不可避免地使得氣相沉積聚合物膜16的密度小，且相對介電常數(shù)也不會得到進ー步改善。此外，僅具有一個苯環(huán)或直接(無連接基團)相連接的兩個苯環(huán)的芳香族ニ異氰酸酯或芳香族ニ胺具有下述限制分子中的原子團僅能夠圍繞聚合ニ異氰酸酯和ニ胺的官能團運動。因而，可能難以使分子結(jié)構(gòu)變直。另ー方面，各自具有經(jīng)由連接基團相連接的兩個苯環(huán)的為芳香族ニ異氰酸酯的MDI和為芳香族ニ胺的MDA，具有穩(wěn)定的分子結(jié)構(gòu)。此外，由于允許原子團圍繞分子中的官能團和連接基團運動，可以顯著地使分子結(jié)構(gòu)變直。通過沉積聚合MDI和MDA而形成的氣相沉積聚合物膜16可以形成于樹脂膜12上的金屬蒸鍍膜14b上，使得其緊密地層合于其上。因此，改善了氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)。此外，從上文的化學式I和2顯而易見，形成氣相沉積聚合物膜16的為芳香族ニ異氰酸酯的MDI和為芳香族ニ胺的MDA，分別具有異氰酸酯基團(-NC0)和氨基(-NH2)，作為處于連接基團[甲基(-CH2-)]的對位上的官能團。換而言之，MDI和MDA各自具有位于連接基團的對位的官能團，并且經(jīng)由這些官能團聚合MDI和MDA。因而，MDI和MDA的分子結(jié)構(gòu)可以基本上在直線上。因此，進一歩改善了氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)。用于形成由芳香族聚脲樹脂膜形成的氣相沉積聚合物膜16的芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺不特別限于MDI和DMA?？梢允褂闷渲袃蓚€苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的任何芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺。芳香族ニ胺的實例包括雙(4-氨基苯基)硫醚、4，4’-ニ氨基ニ苯基醚和4，4’ - ニ氨基苯基砜。在上述芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺中，優(yōu)選具有甲基(-CH2-)、醚基(-O-)或硫醚基(-S-)作為使用的連接基團的物質(zhì)。尤其是，優(yōu)選使用具有甲基(-CH2-)作為連接基團的物質(zhì)。通過使用這樣的芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺，由沉積的芳香族聚脲制成的氣相沉積聚合物膜16可具有改善的相對介電常數(shù)，且可以提高氣相沉積聚合物膜16的沉積速率。在使用具有上文所述結(jié)構(gòu)的薄膜電容器元件10制造纏繞式薄膜電容器吋，首先纏繞薄膜電容器元件10 —次或多次，使得氣相沉積聚合物膜16位于最內(nèi)部，由此獲得卷?？梢栽诖衰ㄋ囍惺褂靡?guī)定的芯。然后，使外電極形成于獲得的卷的每個側(cè)面上，并將外部端附接至該外電扱。然后，根據(jù)需要，在規(guī)定的盒中密封該層合體，由此獲得預期的纏繞式薄膜電容器。
可以使用多個薄膜電容器元件10而獲得薄膜電容器。在這種情況下，由多個薄膜電容器兀件10構(gòu)成作為薄膜電容器的基礎(chǔ)兀件的層合體,并且首先,疊堆薄膜電容器兀件10，使得ー個薄膜電容器元件10中的金屬蒸鍍膜14a和另ー個薄膜電容器元件10中的氣相沉積聚合物膜16彼此接觸。然后，一次或多次纏繞獲得的層合體以獲得卷。接下來，使外電極形成于獲得的卷(纏繞式薄膜電容器元件)的每個側(cè)面上，并將外部端附接至該外電極。然后，根據(jù)需要，在規(guī)定的盒中密封層合體，由此獲得預期的纏繞式薄膜電容器?？梢允褂帽∧る娙萜髟?0制造疊堆式薄膜電容器。同樣在這種情況下，由多種薄膜電容器兀件10構(gòu)成作為薄膜電容器的基礎(chǔ)兀件的層合體，并且首先，疊堆薄膜電容器元件10以獲得層合體，使得ー個薄膜電容器元件10中的金屬蒸鍍膜14a和另ー個薄膜電容器元件10中的氣相沉積聚合物膜16彼此接觸。然后，使外電極形成于層合體的每個側(cè)面上，并將外部端附接至該外電扱。然后，根據(jù)需要，在規(guī)定的盒中密封該層合體，由此獲得預期的疊堆式薄膜電容器。通過例如示于圖2的制造設(shè)備18制造上文所述的薄膜電容器元件10。下文將詳細描述薄膜電容器元件10的制造設(shè)備18。如圖2所示，制造設(shè)備18包括具有規(guī)定尺寸的真空室20。在真空室20中設(shè)置隔斷壁22，使得真空室20的內(nèi)部空間被分成兩個。隔斷壁22限定了真空室20中的第一真空部分24和第二真空部分26。將排氣管28、28各自連接至第一真空部分24和第二真空部分26，使得相應的真空部分24、26的內(nèi)部空間與外部連通。在排氣管28、28上分別設(shè)置了真空泵30、30。通過操作真空泵30、30，使得第一真空部分24和第二真空部分26中的每ー個都處于真空狀態(tài)。此外，可以單獨地控制真空泵30、30。因而，可以改變第一真空部分24和第二真空部分26
的真空度。在真空室20的第一真空部分24中，設(shè)置進料輥32和卷取輥34，在進料輥32上，安裝膜卷36，該膜卷36通過纏繞其中金屬蒸鍍膜14a形成于樹脂膜12的ー個表面上的金屬化膜15而獲得。在卷取輥34上，以可去除的方式纏繞從安裝在進料輥32的膜卷36上解下的金屬化膜15的頂端部分。通過例如電機(未示出)旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動卷取輥34。通過這種設(shè)置方式，從膜卷36上解下的金屬化膜15經(jīng)卷取輥34的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動而被卷取輥34卷取。在第一真空部分24中，設(shè)置了罐輥38。罐輥38由例如鐵的金屬制成的圓柱形主體形成，并且通過例如電機(未示出)旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動。將罐輥38的一部分通過隔斷壁22提供的窗ロ 40暴露于第二真空部分26中。將從膜卷36上解下的金屬化膜15以金屬化膜15與罐輥38緊密接觸的方式纏繞于罐輥38的外周表面上，然后纏繞在 的周向中的ー個方向(在以圖2中的箭頭所示的方向A上)行迸，同時使設(shè)置于金屬蒸鍍膜14a的相對側(cè)的樹脂膜12的表面暴露于真空室20。然后，將金屬化膜15送至卷取輥34且被卷取輥34卷取。在罐輥38的內(nèi)部，設(shè)置了冷卻機構(gòu)42。冷卻機構(gòu)42具有已知結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中通過例如冷卻介質(zhì)的循環(huán)而冷卻罐輥35的外周表面。通過與被冷卻機構(gòu)42冷卻的罐輥38的外周表面接觸，將纏繞于罐輥38上的金屬化膜15冷卻。圍繞真空室20中的罐輥38，設(shè)置用于形成金屬蒸鍍膜44的裝置、用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置、紅外輻射裝置48和等離子體輻射裝置50，且設(shè)置成在罐輥38的周向上成ー線。以說明書的順序，從在罐輥38的旋轉(zhuǎn)下行進的金屬化膜15行進方向上的上游方向至下游方向，設(shè)置這4個裝置44、46、48、50。在4個裝置44、46、48、50中，僅將用于形成金屬蒸鍍膜44的裝置設(shè)置在第二真空部分26中，將其它裝置46、48、50設(shè)置在第一真空部分24中。用于形成金屬蒸鍍膜44的裝置包括加熱器54和用于儲存沉積材料(未示出)的儲存罐52，所述沉積材料包括金屬，例如鋁。將用于形成金屬蒸鍍膜44的裝置構(gòu)造成通過使用加熱器54蒸發(fā)儲存罐52中的沉積材料而生成金屬蒸氣，并且使金屬蒸氣沉積在纏繞于罐輥38上的金屬化膜15上。因此，在樹脂膜12的與金屬蒸鍍膜14a側(cè)相反的ー側(cè)上，形成金屬蒸鍍膜14b。用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置包括殼56。將殼56的內(nèi)部作為混合室58。殼56包括通向罐輥38的外周表面的出ロ 60，由此通過出ロ 60使混合室58與第一真空部分連通。此外，在殼56中設(shè)置了第一和第二加熱器64a、64b以及用于容納液體狀態(tài)的單體的第一和第二單體罐62a、62b。將用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置構(gòu)造成通過使用第一和第二加熱器64a、64b蒸發(fā)各自容納在第一和第二單體罐62a、62b中的兩種單體而生成兩種單體蒸氣。在將該兩種単體蒸氣在混合室58中混合后，將經(jīng)混合的兩種單體蒸氣從出ロ 60吹到纏繞于罐輥38上的金屬化膜15上。因而，使該兩種単體蒸氣沉積于金屬化膜15的與金屬蒸鍍膜14a相對側(cè)的樹脂膜12上，并且在其上聚合以形成氣相沉積聚合物膜16。紅外輻射裝置48具有用于生成紅外線的常規(guī)已知結(jié)構(gòu)，并且可以將生成的紅外線發(fā)射于罐輥38的外周表面上。因此，使行進且同時被纏繞于罐輥38上的金屬化膜15可以經(jīng)受紅外輻射的熱處理。等離子體輻射裝置50具有用于生成等離子體(例如氬氣等離子體)的常規(guī)已知結(jié)構(gòu)，并且可以將生成的等離子體發(fā)射于罐輥38的外周表面上。因此，使行進且同時被纏繞于罐輥38上的金屬化膜15可以經(jīng)受等離子體輻射的等離子體處理。此處，將從等離子體輻射裝置50發(fā)射的等離子體和從紅外輻射裝置48發(fā)射的紅外線靶向在罐輥38的外周表面的相同位置處。因而，在纏繞于罐輥38上的金屬化膜15的一部分上同時進行熱處理和等離子體處理。在用具有上文所述結(jié)構(gòu)的制造設(shè)備18 (如圖2所示)制造薄膜電容器元件10吋，初始時將膜卷36安裝在進料輥32的外部。然后，在將金屬化膜15從膜卷36上解下并且纏繞于罐輥38上之后，將金屬化膜15的端部附接至進料輥34。與將金屬化膜15纏繞到罐輥38上的操作同時、或其之前或之后，開動設(shè)置在罐輥38中的冷卻機構(gòu)42以冷卻罐輥38的外周表面。因而，冷卻纏繞于罐輥38上的金屬化膜
15。用冷卻機構(gòu)42冷卻金屬化膜15的冷卻溫度并不特別受限。通常，該溫度為約-15至30°C，這是由于可以穩(wěn)定地進行將在下文描述的蒸氣沉積聚合過程。與將金屬化膜15纏繞于罐輥38上的操作分開地，將鋁沉積材料容納在用于形成 金屬蒸鍍膜44的裝置的儲存罐52中。此外，將規(guī)定量的具有特定分子結(jié)構(gòu)的芳香族ニ異氰酸酯(例如MDI)以液體狀態(tài)容納在用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置的第一單體罐62a中。此外，將規(guī)定量的具有特定分子結(jié)構(gòu)的芳香族ニ胺(例如MDA)以液體狀態(tài)容納在第二單體罐62b中。然后，開動真空泵30、30，以降低真空室20的第一和第二真空部分24、26中的壓力，使得它們處于真空狀態(tài)。因此，將第一真空部分24中的壓カ調(diào)節(jié)到約KT1至lOOPa，將第二真空部分26中的壓カ調(diào)節(jié)到約10_2至5Pa，低于第一真空部分24。此外，開動用于形成金屬蒸鍍膜44的裝置的加熱器54以及用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置的第一和第ニ加熱器64a、64b，以分別加熱和蒸發(fā)儲存罐52的鋁沉積材料以及第一和第二單體罐62a、62b中的芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺。然后，旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動電機以在圖2中的箭頭A所示方向上旋轉(zhuǎn)罐輥35。同時，旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動卷取輥34。因而，使從膜輥36上解下的金屬化膜15在圖2中的箭頭A所示方向上行迸，并且由卷取輥34卷取從罐輥38輸送的金屬化膜15。通過罐輥38的旋轉(zhuǎn)，使纏繞于罐輥38上的金屬化膜15的一部分進入第二真空部分26。在其中，將通過用于形成金屬蒸鍍膜44的裝置生成的鋁蒸氣噴涂于金屬化膜15的與罐輥38側(cè)相對的ー側(cè)的表面(暴露于真空室20的表面)上。因此，在金屬化膜15的與金屬蒸鍍膜14a相対的ー側(cè)上形成金屬蒸鍍膜14b。在上述操作過程中，由于第二真空部分26的內(nèi)壓低于第一真空部分24的內(nèi)壓，有利地防止通過用于形成金屬蒸鍍膜44的裝置生成的鋁蒸氣從第二真空部分26進入第一真空部分24。此外，由于通過與被冷卻機構(gòu)42冷卻的罐輥38的外周表面接觸而冷卻金屬化膜15，可以有利地防止高溫鋁蒸氣與樹脂膜接觸或附著于樹脂膜，并且有利地防止樹脂膜被熱損壞。通過罐輥38的旋轉(zhuǎn)，使金屬化膜15上沉積金屬蒸鍍膜14b的那部分從第二真空部分26進入第一真空部分24，由此沉積于設(shè)置用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置的區(qū)域中。然后，將在用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置的殼56的混合室58中混合的芳香族ニ異氰酸酯蒸氣和芳香族ニ胺蒸氣沉積在形成于金屬化膜15上的金屬蒸鍍膜14b上，以進行自聚合。因此，使由芳香族聚脲樹脂膜形成的氣相沉積聚合物膜16形成于金屬蒸鍍膜14b上。由此獲得了預期的薄膜電容器元件10。優(yōu)選地，在用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置的混合室58內(nèi)部處于富含芳香族ニ胺的氣氛的同吋，進行氣相沉積聚合物膜16的形成，所述氣氛中芳香族ニ胺蒸氣壓高于芳香族ニ異氰酸酯蒸氣壓。換而言之，在富含芳香族ニ胺的氣氛下進行沉積聚合。因此，有利地改善了氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)。這可能基于下述原因。在富含芳香族ニ胺的氣氛下，芳香族ニ胺的分子數(shù)大于芳香族ニ異氰酸酯的分子數(shù)。相比通過在其中芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯的組成比率為I : I的氣氛下沉積聚合形成的芳香族聚脲，通過在這樣的狀態(tài)下沉積聚合芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯而形成的芳香族聚脲具有較短的分子鏈(低聚狀態(tài))。相比具有長分子鏈的芳香族聚脲膜中的分子，具有較短分子鏈的芳香族聚脲膜中的分子可以更自由地運動，從而得到更為活躍的分子運動。因此，通過沉積聚合芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯而形成的氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)可以更高。在富含芳香族ニ胺的氣氛下，芳香族ニ異氰酸酯的分子數(shù)大于芳香族ニ胺的分子數(shù)。在這樣的狀態(tài)下，異氰酸酯基團更易于與空氣中的濕氣反應。因而，在將含有芳香族ニ異氰酸酯的單體罐設(shè)置于真空室20的外部的情況下，相比在富含芳香族ニ胺的氣氛下通過沉積聚合芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯而形成的氣相沉積聚合物膜16的相對介電常·數(shù)，在富含芳香族ニ異氰酸酯的氣氛下通過沉積聚合芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯而形成的氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)未得到如此改善。易于提供富含芳香族ニ胺的氣氛，例如通過用用于形成氣相沉積聚合物膜46的裝置的第二加熱器64b將第二單體罐62b中的芳香族ニ胺的熱溫度調(diào)節(jié)為高于用第一加熱器64a調(diào)節(jié)的第一單體罐62a中的芳香族ニ異氰酸酯的熱溫度。盡管芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯在富含芳香族ニ胺的氣氛中的組成比率并不特別受限，優(yōu)選的是芳香族ニ胺的量高于芳香族ニ異氰酸酯的量，但低于芳香族ニ異氰酸酯的量的4倍。在芳香族ニ胺的量是芳香族ニ異氰酸酯的量的4倍的氣氛中，ニ胺的量太多，因此芳香族ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯未得到充分聚合。這可能導致難以形成由芳香族聚脲樹脂制成的氣相沉積聚合物膜16。然后，通過罐輥38的旋轉(zhuǎn)，使金屬化膜15上沉積金屬蒸鍍膜14b和氣相沉積聚合物膜16的那部分行進至紅外輻射裝置48發(fā)射紅外線和等離子體輻射裝置50發(fā)射等離子體的位置。接下來，同時將紅外線和等離子體從紅外輻射裝置48和等離子體輻射裝置50發(fā)射至氣相沉積聚合物膜16。相應地，同時在氣相沉積聚合物膜16上進行熱處理和等離子體處理。例如，在160°C下用紅外輻射進行熱處理10分鐘。通過該熱處理和等離子體處理而改善氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)。這可能是由于通過熱處理和等離子體處理使氣相沉積聚合物膜16中的偶極取向于相同方向上(極性)，以使得提高氣相沉積聚合物膜16中的極化。通過熱處理和等離子體處理進行氣相沉積聚合物膜16的后處理，以便幫助取向氣相沉積聚合物膜16中的偶扱。相應地，氣相沉積聚合物膜16的后處理可以是除了同時進行熱處理和等離子體處理之外的任何處理，只要獲得相同結(jié)果即可。例如，可以初始進行熱處理和等離子體處理中的ー種，然后可對氣相沉積聚合物膜16進行其另ー種。此外，替代熱處理和等離子體處理，可以進行紫外線處理、電子束處理、磁處理和電場處理中的一種。此外，可以同時或單獨進行熱處理、等離子體處理、紫外線處理、電子束處理、磁處理和電場處理中的至少兩種。
當進行紫外線處理和電子束處理吋，圍繞罐輥38設(shè)置紫外線輻射裝置和電子束輻射裝置。通過使用這些裝置將紫外線和電子束施加到氣相沉積聚合物膜16上，進行紫外線處理和電子束處理。當進行磁處理時，例如，將獲得的薄膜電容器元件10設(shè)置在由線圈等產(chǎn)生的磁場中預定的時間。當進行電場處理時，例如，通過將規(guī)定電壓施加至設(shè)置方式為使得獲得的薄膜電容器元件10在其之間的兩個電極，將薄膜電容器元件10設(shè)置在電場氣氛中預定的時間。在完成氣相沉積聚合物膜16的后處理后，通過罐輥38的旋轉(zhuǎn)將獲得的薄膜電容器元件10從罐輥38送至卷取輥34。因此，獲得了由薄膜電容器元件10的卷構(gòu)成的膜卷
66ο如上文所述，在本實施方式的薄膜電容器元件10中，除樹脂膜12之外，使具有小 厚度的氣相沉積聚合物膜16形成為電介質(zhì)膜。通過沉積聚合芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺而形成氣相沉積聚合物膜16，所述芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺各自具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)。因而，在氣相沉積聚合物膜16中，有利地改善了相對介電常數(shù)且提高了沉積速率，同時獲得了足夠的電壓。因此，根據(jù)本實施方式的薄膜電容器元件10具有較小尺寸和較高電容，同時獲得高水平的足夠高的耐受電壓。此外，通過改善氣相沉積聚合物膜16的沉積速率，可以有效
改善生產(chǎn)率。此外，在薄膜電容器元件10中，在富含芳香族ニ胺的氣氛下，聚合各自具有位于連接基團的對位的官能團的為芳香族ニ異氰酸酯的MDI和為芳香族ニ胺的MDA，以形成氣相沉積聚合物膜16。此外，使氣相沉積聚合物膜16經(jīng)受熱處理和等離子體處理，以將氣相沉積聚合物膜16中的偶極取向于相同方向。因此，充分地改善了氣相沉積聚合物膜16的相對介電常數(shù)。因而，在薄膜電容器元件10中，進ー步有效地改善了電容。下文，詳細描述本發(fā)明人進行的實驗，以證實根據(jù)本發(fā)明的薄膜電容器元件具有上文所述的優(yōu)良特性。首先，進行了下述實驗以證實通過沉積聚合各自具有根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的芳香族ニ異氰酸酯和芳香族ニ胺而形成的氣相沉積聚合物膜具有高相對介電常數(shù)和高沉積速率。初始時，提供規(guī)定量的MDI作為具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的芳香族ニ異氰酸酷。此外，提供規(guī)定量的每ー種MDA，即雙(氨基苯基)硫醚和4，4’_ ニ氨基ニ苯基醚，作為具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的芳香族ニ胺。此外，提供了可商業(yè)購得的金屬化膜，其包括聚丙烯膜和在該聚丙烯膜表面上的鋁氣相沉積膜，并且提供了用于制造具有常規(guī)結(jié)構(gòu)的氣相沉積聚合物膜的設(shè)備。在將金屬化膜設(shè)置在用于制造氣相沉積聚合物膜的設(shè)備中后，使真空室的內(nèi)部處于真空狀態(tài)。然后，將MDI蒸氣和MDA蒸氣導入真空室中，并在金屬化膜的鋁氣相沉積膜上聚合，由此在鋁氣相沉積膜上形成由芳香族聚脲膜形成的氣相沉積聚合物膜，因此獲得了層合膜。將此層合膜稱為樣本I。除了將MDI和雙(4-氨基苯基)硫醚用作單體外，通過和樣本I的層合膜的形成過程相同的過程，制造了另ー個層合膜，其包括由與樣本I的層合膜的氣相沉積聚合物膜不同類型的芳香族聚脲樹脂膜形成的氣相沉積聚合物膜。將此層合膜稱為樣本2。除了將MDI和4，4’ - ニ氨基ニ苯基醚用作單體外，通過和樣本I的層合膜的形成過程相同的過程，制造了又一個層合膜，其包括由與樣本I的層合膜的氣相沉積聚合物膜又一不同類型的芳香族聚脲樹脂膜形成的氣相沉積聚合物膜。將此層合膜稱為樣本3。通過常規(guī)方法測量形成于樣本I至3的每ー個層合膜中的氣相沉積聚合物膜的相對介電常數(shù)。其結(jié)果示于下表I。在排出壓カ為IPa、沉積時間為5分鐘且芳香族ニ胺蒸氣壓和芳香族ニ異氰酸酯蒸氣壓中的每ー個均為2Pa下，形成樣本I至3的每ー個層合膜中的氣相沉積聚合物膜。
然后，如表I所示制備ニ胺和ニ異氰酸酯的組合。一個組合α包括為芳香族的ニ胺和芳香族的ニ異氰酸酷，但是它們中的一者不具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)，而ー個組合β包括ニ胺和ニ異氰酸酷，其中它們中的至少ー個不是芳香族。組合α包括下述組合(a)具有其中兩個苯環(huán)直接相連接的結(jié)構(gòu)的ニ胺和具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酯的組合(將在之后進ー步描述的樣本4) ；(b)具有其中三個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的ニ胺和具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酯的組合(將在之后進ー步描述的樣本5);和(c)具有其中四個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的ニ胺和具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酯的組合(將在之后進ー步描述的樣本6)。組合β包括下述組合(a)具有直鏈結(jié)構(gòu)的ニ胺和具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酯的組合(將在之后描述的樣本7和8) ；(b)具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ胺和具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酯的組合(將在之后描述的樣本9) ；(c)具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯的組合(將在之后描述的樣本10、11、13、14);和(d)具有直鏈結(jié)構(gòu)的ニ胺和芳香族ニ異氰酸酯的組合(將在之后描述的樣本12)。在11個金屬化膜中的每ー個的表面上，使用上文所述組合中的ニ胺和ニ異氰酸酯而形成由具有各種分子結(jié)構(gòu)的聚脲樹脂膜形成的氣相沉積聚合物膜，以獲得11個層合膜。將該11個層合膜稱為樣本4至14。在和樣本I的氣相沉積聚合物膜相同的條件下，形成樣本4至14的氣相沉積聚合物膜。如下表I所示，在樣本中使用下述ニ胺和ニ異氰酸酯將1，5_ ニ氨基萘用作具有其中兩個苯環(huán)直接相連接的結(jié)構(gòu)的ニ胺；將1，3_雙(4-氨基苯氧基)苯用作具有其中三個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的ニ胺；將雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜用作具有其中四個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)的ニ胺；和將1，8-ニ氨基辛烷、1『-ニ甲基-1，6_ ニ氨基己烷和1，12-ニ氨基十二烷用作具有直鏈結(jié)構(gòu)的ニ胺；將1，3_雙(氨基甲基)環(huán)己烷(順式、反式混合物)和4，4'-亞甲基雙(環(huán)己胺)(異構(gòu)體混合物)用作具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的二胺；以及將MDA用作芳香族ニ胺。將1，3_雙(異氰酸甲酯基)環(huán)己烷用作具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的ニ異氰酸酷。除了 MDI之外，將間苯ニ甲撐ニ異氰酸酯和1，4_苯ニ異氰酸酯用作芳香族ニ異氰酸酷。在樣本I至14的層合膜中，在其制造過程中考察樣本I至6的每ー個層合膜的氣相沉積聚合物膜的沉積速率。與此單獨地，在制造樣本I至14的層合膜后，使用常規(guī)已知方法測量形成在每ー個層合膜中的氣相沉積聚合物膜的相對介電常數(shù)。其結(jié)果同樣示于下表I。表I
權(quán)利要求
1.一種薄膜電容器元件，所述薄膜電容器元件包括層合體，所述層合體包括至少一層電介質(zhì)膜和至少一層金屬蒸鍍膜， 其中，所述至少一層電介質(zhì)膜中的至少一層為通過沉積聚合多種單體而形成的氣相沉積聚合物膜，所述多種單體各自具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求I所述的薄膜電容器元件，其中，所述多種單體各自具有位于所述連接基團的對位的官能團，并且所述多種單體經(jīng)由所述官能團聚合。
3.如權(quán)利要求I所述的薄膜電容器元件，其中，所述至少一層氣相沉積聚合物膜的偶極通過經(jīng)受熱處理、紫外線處理、電子束處理、磁處理、電場處理和等離子體處理中的至少一種處理而被取向。
4.如權(quán)利要求I所述的薄膜電容器元件，其中，所述至少一層氣相沉積聚合物膜為聚脲樹脂膜。
5.如權(quán)利要求I所述的薄膜電容器元件，其中，所述多種單體包括芳香族二胺和芳香族二異氰酸酯。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜電容器元件，其中，通過在富含芳香族二胺的氣氛下使所述芳香族二胺和所述芳香族二異氰酸酯聚合，由此形成所述至少一層氣相沉積聚合物膜，所述氣氛中芳香族二胺蒸氣壓高于芳香族二異氰酸酯蒸氣壓。
7.如權(quán)利要求5所述的薄膜電容器元件，其中，所述芳香族二胺為4，4’- 二氨基二苯基甲烷，所述芳香族二異氰酸酯為4，4’ - 二苯基甲烷二異氰酸酯。
8.一種薄膜電容器，包括權(quán)利要求I所述的薄膜電容器元件。
9.一種薄膜電容器元件的制造方法，所述薄膜電容器元件包括層合體，所述層合體包括至少一層電介質(zhì)膜和至少一層金屬蒸鍍膜，所述方法包括下述步驟 交替設(shè)置所述至少一層金屬蒸鍍膜和所述至少一層電介質(zhì)膜，形成層合體；以及 使用所述層合體獲得薄膜電容器元件， 其中所述至少一層電介質(zhì)膜中的至少一層為通過沉積聚合多種單體而形成的氣相沉積聚合物膜，所述多種單體各自具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜電容器元件的制造方法，其中，所述多種單體各自具有位于連接基團的對位的官能團，并且所述多種單體經(jīng)由所述官能團聚合。
11.如權(quán)利要求9所述的薄膜電容器元件的制造方法，所述方法還包括下述步驟對所述至少一層氣相沉積聚合物膜進行熱處理、紫外線處理、電子束處理、磁處理、電場處理和等離子體處理中的至少一種處理。
12.如權(quán)利要求9所述的薄膜電容器元件的制造方法，其中，所述多種單體包括芳香族二胺和芳香族二異氰酸酯，由聚脲樹脂膜形成的所述至少一層氣相沉積聚合物膜是通過沉積聚合所述芳香族二胺和所述芳香族二異氰酸酯而形成的。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜電容器元件的制造方法，其中，通過在富含芳香族二胺的氣氛下使所述芳香族二胺和所述芳香族二異氰酸酯聚合，由此形成所述至少一層氣相沉積聚合物膜，所述氣氛中芳香族二胺蒸氣壓高于芳香族二異氰酸酯蒸氣壓。
14.如權(quán)利要求12所述的薄膜電容器元件的制造方法，其中，所述芳香族二胺為4，4’- 二氨基二苯基甲烷，所述芳香族二異氰酸酯為4，4’，-二苯基甲烷二異氰酸酯。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜電容器元件，其具有較小尺寸和較高電容，同時可以確保高水平的足夠的耐受電壓，且可以高效制造。所述薄膜電容器元件包括層合體，所述層合體包括至少一層電介質(zhì)膜和至少一層金屬蒸鍍膜。所述至少一層電介質(zhì)膜包括至少一層氣相沉積聚合物膜。通過沉積聚合多種單體而形成所述至少一層氣相沉積聚合物膜，所述多種單體各自具有其中兩個苯環(huán)經(jīng)由連接基團相連接的結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01G4/18GK102737843SQ20121011262
公開日2012年10月17日 申請日期2012年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月13日
發(fā)明者伊藤薰, 寺島旭人, 早川宗孝 申請人:小島沖壓工業(yè)株式會社