專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
下面的描述涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置以及ー種制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，更具體地說，涉及ー種制造簡(jiǎn)單并且包括耐腐蝕性提高且電阻降低的焊盤部分的有機(jī)發(fā)光顯示裝置以及ー種制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
在基底上制造諸如有機(jī)發(fā)光顯示裝置和液晶顯示器(LCD)的平板顯示器，所述基底上形成有包括薄膜晶體管(TFT)、電容器以及將TFT連接到電容器的布線的圖案。通常，為了形成包括TFT等的精細(xì)圖案，通過使用繪制有精細(xì)圖案的掩模來將精細(xì)圖案轉(zhuǎn)印到用 于制造平板顯示器的基底上。然而，在使用掩模來轉(zhuǎn)印圖案的過程中，首先制備繪制有所需圖案的掩模。因此，隨著使用掩模的エ藝的數(shù)量増加，制備所用掩模的制造成本増加。此外，由于上述復(fù)雜的エ藝而使制造エ藝復(fù)雜，并且增加了制造時(shí)間，導(dǎo)致制造成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的一方面提出了一種制造簡(jiǎn)單并包括提高了耐腐蝕性并降低了電阻的焊盤部分的有機(jī)發(fā)光顯示裝置以及制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括薄膜晶體管(TFT)，包括有源層和與有源層絕緣的柵極，所述柵極包括下柵極和上柵扱，TFT還包括均與柵極絕緣并接觸有源層的源極和漏極；有機(jī)發(fā)光器件，電連接到TFT并包括形成在與形成有下柵極的層相同的層中的像素電極、包括發(fā)射層的中間層和對(duì)向電極，其中，像素電極、中間層和對(duì)向電極順序地堆疊；焊盤電極，電結(jié)合到TFT或有機(jī)發(fā)光器件，并且包括形成在與形成有下柵極的層相同的層中的第一焊盤電極、形成在與形成有上柵極的層相同的層中的第二焊盤電極和包括透明導(dǎo)電氧化物的第三焊盤電極，其中，第一焊盤電極、第二焊盤電極和第三焊盤電極順序地堆疊。有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括覆蓋柵極和焊盤電極的至少ー個(gè)絕緣層，其中，絕緣層具有不暴露焊盤電極的邊緣并且暴露焊盤電極的至少中心部分的孔。焊盤電極的經(jīng)所述孔暴露的部分可電連接到供應(yīng)電流的驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置。源極和漏極可布置在所述至少一個(gè)絕緣層的上表面上。第三焊盤電極可包括多晶氧化銦錫(p-ITO)。下柵極、像素電極和第一焊盤電極可包括透明導(dǎo)電氧化物。上柵極和第二焊盤電極可包括從銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、Moff 和銅(Cu)中選擇的至少ー種。有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括電容器，所述電容器包括形成在與形成有有源層的層相同的層中的下電容器電極和形成在與形成有柵極的層相同的層中的上電容器電極，電容器電結(jié)合到TFT。根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施例，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟第一掩模エ藝，在基底上形成薄膜晶體管(TFT)的有源層；第二掩模エ藝，在有源層的上表面上順序地堆疊第一絕緣層、第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層，然后將第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層圖案化以形成柵極(包括用作下柵極的第一導(dǎo)電層和用作上柵極的第二導(dǎo)電層)、第一電極圖案(包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層)和焊盤電極(包括用作第一焊盤電極的第一導(dǎo)電層、用作第二焊盤電極的第二導(dǎo)電層和用作第三焊盤電極的第三導(dǎo)電層)；第三掩模エ藝，在柵極、第一電極圖案和焊盤電極的上表面上形成第二絕緣層，然后通過將第一絕緣層和第二絕緣層圖案化來形成暴露有源層的一部分的第 一孔，并通過將第二絕緣層圖案化來形成暴露第一電極圖案和焊盤電極的至少一部分的第二孔；第四掩模エ藝，形成經(jīng)所述第一孔接觸有源層的源極和漏極，并由第一電極圖案形成像素電極；第五掩模エ藝，形成暴露像素電極的至少一部分的像素限定層。第二掩模エ藝可包括在有源層的上表面上順序地堆疊第一絕緣層、第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層；通過使用半色調(diào)掩模形成第一感光層圖案，第一感光層圖案在對(duì)應(yīng)于柵極和第一電極圖案的第一區(qū)域中具有第一厚度，并且在對(duì)應(yīng)于焊盤電極的第二區(qū)域中具有大于第一厚度的第二厚度；通過使用第一感光層圖案作為掩模來形成柵極、第一電極圖案和焊盤電極，在柵極、第一電極圖案和焊盤電極中順序地堆疊第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層中的每個(gè)；通過將第一感光層圖案去除第一厚度那么多來形成在第二區(qū)域中具有第三厚度的第二感光層圖案；通過使用第二感光層圖案作為掩模去除位于第一區(qū)域的上部中的第三導(dǎo)電層，以形成柵極、第一電極圖案和焊盤電極，所述柵極包括用作下柵極的第一導(dǎo)電層和用作上柵極的第二導(dǎo)電層，第一電極圖案包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，焊盤電極包括用作第一焊盤電極的第一導(dǎo)電層、用作第二焊盤電極的第二導(dǎo)電層和用作第三焊盤電極的第三導(dǎo)電層。所述方法還可包括在第二掩模エ藝之后且在第三掩模エ藝之前，通過使第三焊盤電極退火來產(chǎn)生多晶氧化銦錫(P-ITO)。所述方法還可包括在第二掩模エ藝之后且在第三掩模エ藝之前，通過對(duì)有源層摻雜雜質(zhì)來形成源區(qū)和漏區(qū)。在第三掩模エ藝中，第二孔可形成在第二絕緣層中，從而不暴露焊盤電極的邊緣并且暴露焊盤電極的至少中心部分。焊盤電極的經(jīng)第二孔暴露的部分可電連接到供應(yīng)電流的驅(qū)動(dòng)器1C，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置。第四掩模エ藝可包括在第二絕緣層上形成第四導(dǎo)電層；通過將第四導(dǎo)電層圖案化來形成源極和漏扱；通過去除構(gòu)成第一電極圖案的第二導(dǎo)電層來形成包括第一導(dǎo)電層的像素電極。第一掩模エ藝還可包括在與形成有有源層的層相同的層中形成下電容器電極。第ニ掩模エ藝還可包括在下電容器電極的上表面上形成上電容器電極。所述方法還可包括在第五掩模エ藝之后，在像素電極的上表面上形成包括發(fā)射層的中間層和對(duì)向電極。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，在附圖中圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；圖2是沿圖I中的線11-11’截取的剖視圖；圖3至圖14是描述制造圖2中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式由于本發(fā)明允許各種變化和大量的實(shí)施例，所以將在附圖中示出具體的實(shí)施例并在說明書中對(duì)這些具體的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。然而，這并不意圖將本發(fā)明限制為實(shí)踐的具體形式，而應(yīng)當(dāng)理解的是，未脫離本發(fā)明的精神和技術(shù)范圍的全部改變、等同物和替代物均包括在本發(fā)明中。在以下對(duì)本發(fā)明的描述中，對(duì)于那些被認(rèn)為會(huì)使本發(fā)明的特征不清楚的公開的技術(shù)，將不會(huì)提供詳細(xì)的描述。雖然可使用諸如“第一”、“第二”等這樣的術(shù)語來描述各種組件，但是這些組件不是必須受到上述術(shù)語的限制。上述術(shù)語僅用于將ー個(gè)組件與另ー組件區(qū)分開來。在本說明書中使用的術(shù)語僅用于描述特定的實(shí)施例，而不意圖限制本發(fā)明。除非在上下文中具有清楚的區(qū)別，否則以單數(shù)使用的表述包括了復(fù)數(shù)的表述。在本說明書中，應(yīng)當(dāng)理解的是，諸如“包括”或“具有”等的術(shù)語意圖表示存在說明書中公開的特征、數(shù)量、步驟、動(dòng)作、組件、部分或它們的組合，并且不意圖排除可以存在或可以添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、數(shù)量、步驟、動(dòng)作、組件、部分或它們的組合的可能性?，F(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的平面圖。參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光顯示裝置I包括具有多個(gè)發(fā)光像素的第一基底10和通過密封附著到第一基底10的第二基底20。薄膜晶體管(TFT)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和電容器Cst等可形成在第一基底10上。第一基底10可以是低溫多晶硅(LTPS)基底、玻璃基底或塑料基底等。第二基底20可以是設(shè)置在第一基底10上以保護(hù)形成在第一基底10上的TFT、發(fā)光像素等免受:外部濕氣、空氣等的影響的包封基底。第~■基底20被設(shè)置為面向第一基底10，第一基底10和第二基底20通過沿第二基底20的邊緣設(shè)置的密封構(gòu)件90結(jié)合在一起。第二基底20可以是玻璃基底、塑料基底或不銹鋼(SUS)基底。第一基底10包括其中發(fā)射光的顯示區(qū)DA和圍繞顯示區(qū)DA的非顯示區(qū)NDA。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，密封構(gòu)件90布置在圍繞顯示區(qū)DA的非顯示區(qū)NDA中并使第一基底10與
第二基底20結(jié)合。如上所述，0LED、驅(qū)動(dòng)OLED的TFT以及電連接到OLED和TFT的布線形成在第一基底10的顯示區(qū)DA中。非顯示區(qū)NDA可包括焊盤區(qū)400，從顯示區(qū)DA的布線延伸的焊盤電極410位于焊盤區(qū)400中。圖2是沿圖I中的線11-11’截取的剖視圖。參照?qǐng)D2，有機(jī)發(fā)光顯示裝置I包括發(fā)光區(qū)100、晶體管區(qū)200、存儲(chǔ)區(qū)300和焊盤區(qū) 400。晶體管區(qū)200包括用作驅(qū)動(dòng)裝置的TFT。TFT包括有源層212、柵極210、源極218s和漏極218d。柵極210包括下柵極214和形成在下柵極214的上表面上的上柵極215。下柵極214可由透明導(dǎo)電材料形成。上柵極215可由低電阻金屬形成。作為柵絕緣層的第一絕緣層13設(shè)置在柵極210和有源層212之間，以使柵極210與有源層212絕緣。摻雜有高濃度雜質(zhì)的源區(qū)212s和漏區(qū)212d分別形成在有源層212的兩個(gè)邊緣上，井分別連接到源極218s和漏極218d。存儲(chǔ)區(qū)300包括電容器Cst。電容器Cst電連接到TFT并存儲(chǔ)施加到TFT的信號(hào)。電容器Cst包括下電容器電極312和上電容器電極310,并且作為介電層的第一絕緣層13 設(shè)置在下電容器電極312和上電容器電極310之間。下電容器電極312可形成在與其上形成有TFT的有源層212的層相同的層上。下電容器電極312由半導(dǎo)體材料形成，并摻雜有雜質(zhì)以增大導(dǎo)電率。另ー方面，上電容器電極310包括第一上電容器電極314,由與用于形成TFT的下柵極214的材料相同的材料形成在與其上形成有下柵極214的層相同的層上；第二上電容器電極315，由與用于形成TFT的上柵極215的材料相同的材料形成在與其上形成有上柵極215的層相同的層上。發(fā)光區(qū)100包括OLED。OLED通過供應(yīng)到OLED的兩個(gè)電極的電流而發(fā)射光。OLED包括連接到TFT的源極218s或漏極218d的像素電極114、形成為面向像素電極114的對(duì)向電極119以及設(shè)置在像素電極114和對(duì)向電極119之間的中間層118。像素電極114可由透明導(dǎo)電材料形成，或者可由與用于形成下柵極214等的材料相同的材料形成，并且像素電極114可形成在與其上形成有下柵極214等的層相同的層上。焊盤區(qū)400包括焊盤電極410。雖然未示出，但是焊盤電極410可通過布線電連接到TFT或0LED。焊盤電極410電連接到供應(yīng)電流的驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置I。因此，焊盤電極410接收來自驅(qū)動(dòng)器IC的電流并通過布線將電流傳輸至均位于顯示區(qū)DA(見圖I)中的TFT或0LED。焊盤電極410包括第一焊盤電極414、形成在第ー焊盤電極414的上表面上的第二焊盤電極415和形成在第二焊盤電極415的上表面上的第三焊盤電極416。第一焊盤電極414由與用于形成下柵極214的材料相同的材料形成在與形成有下柵極214的層相同的層中。第二焊盤電極415由與用于形成上柵極215的材料相同的材料形成在與形成有上柵極215的層相同的層中。第三焊盤電極416包括透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。第三焊盤電極416可由多晶氧化銦錫(p-ITO)形成。這是由于第三焊盤電極416可在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的過程中用作蝕刻停止件，并且提高了最終產(chǎn)品的焊盤區(qū)的耐腐蝕性。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，焊盤電極410包括順序地堆疊在彼此的頂部上的第一焊盤電極414、第二焊盤電極415和第三焊盤電極416，其中，第一焊盤電極414包括透明導(dǎo)電氧化物，第二焊盤電極415包括低電阻金屬，第三焊盤電極416包括p-ITO。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，電壓通過具有低電阻的第二焊盤電極415施加到圖I中的顯示區(qū)DA，從而改善了電阻分散電阻并降低了施加電壓過程中的整體電阻。另外，由于耐腐蝕并且難以蝕刻的第三焊盤電極416存在于第二焊盤電極415的上表面上，所以第三焊盤電極416保護(hù)比第三焊盤電極416容易被腐蝕的第二焊盤電極415，從而提高焊盤區(qū)400的耐腐蝕性。圖3至圖14是描述圖2中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的制造方法的剖視圖?，F(xiàn)在將示意性地描述圖2中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的制造方法。首先，如圖3所示，在第一基底10上形成輔助層11。第一基底10可由包含SiO2作為主要組分的透明玻璃材料形成。然而，第一基底10不限于此。第一基底10可以是由各種材料(例如，透明塑料、金屬等)形成的任何基底。輔助層11 (例如，障礙層、阻擋層和/或緩沖層)可形成在第一基底10的上表面上，以減少或防止雜質(zhì)離子的擴(kuò)散以及濕氣或外部空氣的滲入，并使第一基底10的上表面平坦化?？筛鶕?jù)各種合適的沉積方法(例如，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、大氣壓CVD (APCVD)和/或低壓CVD (LPCVD))中的任意方法利用例如SiO2和/或SiNx來形成輔助層11。
然后，如圖4所示，在輔助層11的上表面上形成TFT的有源層212和下電容器電極312。具體地說，首先在輔助層11的上表面上形成非晶硅層，然后使非晶硅層晶化以產(chǎn)生多晶硅層?？梢允褂弥T如快速熱退火(RTA)、固相晶化(SPC)、準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、金屬誘導(dǎo)晶化(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向晶化(MILC)和順序橫向固化(SLS)的各種方法中的任意方法來使非晶硅晶化。通過利用使用第一掩模的掩模エ藝來將多晶硅層圖案化以形成TFT的有源層212和下電容器電極312。雖然在本實(shí)施例中有源層212和下電容器電極312彼此分開，但是有源層212和下電容器電極312可以一體地形成。然后，如圖5所示，在其上已形成有有源層212和下電容器電極312的第一基底10的整個(gè)表面上順序地形成第一絕緣層13、第一導(dǎo)電層14、第二導(dǎo)電層15和第三導(dǎo)電層16?？赏ㄟ^根據(jù)合適的方法(例如PECVD、APCVD和/或LPCVD)沉積諸如SiNx或SiOx的無機(jī)絕緣材料來獲得第一絕緣層13。第一絕緣層13設(shè)置在TFT的有源層212和柵極210之間以用作TFT的柵絕緣層，并且設(shè)置在上電容器電極310和下電容器電極312之間以用作電容器Cst的介電層。第一導(dǎo)電層14可包括從諸如IT0、IZ0、Zn0和In2O3的透明材料中選擇的至少ー種材料。然后，可將第一導(dǎo)電層14圖案化以形成像素電極114、下柵極214、第一上電容器電極314和第一焊盤電極414。由于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I是朝向基底發(fā)光的底部發(fā)射型，所以像素電極114需要被形成為透明電極。因此，用于形成像素電極114的第一導(dǎo)電層14可由TCO形成。第二導(dǎo)電層15可包括從銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、MoW 和銅(Cu)中選擇的至少ー種。第二導(dǎo)電層15可具有三層結(jié)構(gòu)，S卩，Mo-Al-Mo結(jié)構(gòu)。然后，第二導(dǎo)電層15可被圖案化以形成上柵極215、第二上電容器電極315和第二焊盤電極415。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于柵極210和焊盤電極410需要平穩(wěn)地傳輸電流，所以僅由具有相對(duì)高的電阻的第一導(dǎo)電層14形成柵極210和焊盤電極410會(huì)帶來問題。因此，應(yīng)當(dāng)形成由具有比用于形成第一導(dǎo)電層14的低電阻金屬的電阻低的電阻的低電阻金屬形成的第二導(dǎo)電層15，以允許TFT和焊盤電極410執(zhí)行它們各自的功能。
第三導(dǎo)電層16可包括從諸如ITO、IZO、ZnO和In2O3的透明材料中選擇的至少ー種。然后，可僅在焊盤電極410中保留第三導(dǎo)電層16并因此可將第三導(dǎo)電層16圖案化以形成第三焊盤電極416。第三導(dǎo)電層16可由非晶ITO(a-ITO)形成，然后可通過退火將其轉(zhuǎn)變?yōu)閜-ITO。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以在形成第一絕緣層13、第一導(dǎo)電層14、第二導(dǎo)電層15和第三導(dǎo)電層16之后，并且在形成第二絕緣層17之前，可以使第三焊盤電極416退火來產(chǎn)生多晶氧化銦錫。可利用熱、紫外線(UV)和/或激光來執(zhí)行退火。即使未執(zhí)行退火，也可以在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的過程中通過熱處理和UV處理來使a-ITO晶化。由于第三導(dǎo)電層16轉(zhuǎn)變?yōu)閜-ITO，與比電阻值大于大約1000 Q cm的a-ITO相比，第三導(dǎo)電層16的比電阻值降低至大約250 Q cm和大約300 Q cm之間。p-ITO的蝕刻速度降低至a_IT0的蝕刻速度的大約1/10或更低。p-ITO的蝕刻速度不僅相對(duì)于作為用于濕蝕刻ITO的蝕刻劑的HCl和HNO3的水溶液降低，也相對(duì)于氫氟酸(HF)溶液、硝酸(HNO3)溶液和こ酸(CHCH00H)溶液降低。換言之，包括P-ITO的第三焊盤電極可在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的過程中用作蝕刻停止件，并且即使在該エ藝之后被曝光也不容易被侵蝕。參照?qǐng)D5至圖9，在第一基底10上形成用于形成像素電極114的第一電極圖案 110、上電容器電極310、柵極210和焊盤電極410。具體地說，可根據(jù)利用半色調(diào)掩模M的掩模エ藝將順序地堆疊在第一基底10的整個(gè)表面上的第一導(dǎo)電層14、第二導(dǎo)電層15和第三導(dǎo)電層16圖案化。首先，參照?qǐng)D5，利用半色調(diào)掩模M將第一導(dǎo)電層14、第二導(dǎo)電層15和第三導(dǎo)電層16圖案化。半色調(diào)掩模M也被稱作衍射掩摸，并且包括用于阻擋光的阻擋區(qū)Mb、用于僅透射一部分光的半透射區(qū)Ma和用于透射全部光的透射區(qū)Me。將感光層30涂覆在第三導(dǎo)電層16的上表面上并且感光層30具有第二厚度t2，將半色調(diào)掩模M的阻擋區(qū)Mb布置在將要形成焊盤電極410的焊盤區(qū)400中，將半色調(diào)掩模M的半透射區(qū)Ma布置在將要形成柵極210的晶體管區(qū)200、已經(jīng)形成有上電容器電極310的存儲(chǔ)區(qū)300以及將要形成像素電極114的發(fā)光區(qū)100中。接下來，使獲得的結(jié)構(gòu)經(jīng)受諸如UV的光并使其顯影。參照?qǐng)D6，感光層30的對(duì)應(yīng)于透射區(qū)Mc的部分被完全去除，對(duì)應(yīng)于半透射區(qū)Ma的感光層31a保留并具有第一厚度tl，對(duì)應(yīng)于阻擋區(qū)Mb的感光層31b保留得像原來一祥，SP，保留并具有第二厚度t2。由于一定量的光投射至半透射區(qū)Ma，所以第一厚度tl小于第二厚度t2。例如，第二厚度t2可以是大于第一厚度tl的第三導(dǎo)電層16的厚度。為了便于解釋，將圖6中示出的感光層圖案稱作第一感光層圖案31。然后，參照?qǐng)D7，通過使用第一感光層圖案31作為掩模經(jīng)蝕刻來將第一導(dǎo)電層14、第二導(dǎo)電層15和第三導(dǎo)電層16圖案化，從而形成均具有三個(gè)導(dǎo)電層的第一電極圖案110a、柵極210a、上電容器電極310a和焊盤電極410a。然后，參照?qǐng)D8，通過灰化將第一感光層圖案31去除第一厚度tl那么多。因此，在用于形成第一電極圖案110、柵極210和上電容器電極310的區(qū)域中的感光層圖案31a被完全去除，并且在焊盤電極410的上表面上僅保留具有第三厚度t3的感光層圖案32。作為從第二厚度t2去掉第一厚度tl的結(jié)果獲得第三厚度t3，為了便于解釋，將圖8中的感光層圖案32稱作第二感光層圖案32。然后，參照?qǐng)D9，通過使用第二感光層圖案32作為掩模經(jīng)蝕刻來去除第三導(dǎo)電層16的分別對(duì)應(yīng)于均具有三個(gè)導(dǎo)電層的電極圖案110a、柵極210a和上電容器電極310a的上部的部分。因此，產(chǎn)生了具有用作下柵極214的第一導(dǎo)電層14和用作上柵極215的第二導(dǎo)電層15的柵極210以及具有作為下層以成為像素電極114的第一導(dǎo)電層14和作為上層115的第二導(dǎo)電層15的第一電極圖案110。在焊盤區(qū)中，保留了具有用作第一焊盤電極414的第一導(dǎo)電層14、用作第二焊盤電極415的第二導(dǎo)電層15和用作第三焊盤電極416的第三導(dǎo)電層16的焊盤電極410。柵極210被形成為與有源層212的中心對(duì)準(zhǔn)，通過使用柵極210作為自對(duì)準(zhǔn)掩模用n型或p型雜質(zhì)對(duì)有源層212進(jìn)行摻雜，以在有源層212的對(duì)應(yīng)于柵極210的兩側(cè)的邊緣上形成源區(qū)212s和漏區(qū)212d，并在源區(qū)212s和漏區(qū)212d之間形成溝道區(qū)212c。雜質(zhì)可以是硼⑶離子或磷(P)離子。然后，如圖10所示，在已經(jīng)形成有柵極210的第一基底10的整個(gè)表面上形成第二絕緣層17。
第二絕緣層17通過使用諸如旋涂的方法由從由聚酰亞胺、聚酰胺(PA)、亞克カ樹月旨、苯并環(huán)丁烯(BCB)和酚醛樹脂組成的組中選擇的至少ー種有機(jī)絕緣材料形成。第二絕緣層17被形成為具有足夠的厚度，例如，比第一絕緣層13厚，并且第二絕緣層17被用作TFT的柵極210與源極218s和漏極218d之間的層間絕緣層。第二絕緣層17可不僅由上述有機(jī)絕緣材料形成，也可由諸如上面描述的用于形成第一絕緣層13的無機(jī)材料的無機(jī)絕緣材料形成?？蛇x地，可通過交替地形成有機(jī)絕緣材料和無機(jī)絕緣材料來形成第二絕緣層17。然后，如圖11所示，第二絕緣層17被圖案化以形成層間絕緣層17，層間絕緣層17包括暴露第一電極圖案110的孔(第三孔H3和第四孔H4)H3和H4、暴露有源層212的源區(qū)212s和漏區(qū)212d的部分的接觸孔(第一孔Hl和第二孔H2)以及暴露焊盤電極410的孔(第五孔H5)。具體地說，根據(jù)使用第三掩模的掩模エ藝來將第二絕緣層17圖案化，從而形成孔H1、H2、H3、H4和H5。第一孔Hl和第二孔H2分別暴露源區(qū)212s和漏區(qū)212d的部分，第三孔H3和第四孔H4暴露構(gòu)成第一電極圖案110的上部(例如，上層115)的第二導(dǎo)電層15的至少部分。第五孔H5暴露構(gòu)成焊盤電極410的上部(例如，第三焊盤電極416)的第三導(dǎo)電層16的至少部分。如圖11所示，第五孔H5被形成為不暴露焊盤電極410的側(cè)表面，從而保護(hù)側(cè)表面免受外部沖擊的影響，從而保護(hù)焊盤電極不被腐蝕或者防止焊盤電極被腐蝕。接下來，如圖12所示，在第一基底10的整個(gè)表面上形成第四導(dǎo)電層18，以覆蓋層間絕緣層17。第四導(dǎo)電層18可由用于形成第一導(dǎo)電層14、第二導(dǎo)電層15和第三導(dǎo)電層16的導(dǎo)電材料中選擇的材料形成，然而第四導(dǎo)電層18不限于此，并且可由任何各種其它合適的導(dǎo)電材料形成。將選擇的導(dǎo)電材料沉積成足以填充孔HI、H2、H3、H4和H5的充足厚度。然后，如圖13所示，將圖12中的第四導(dǎo)電層18圖案化，以形成源極218s和漏極218d，暴露并形成像素電極114。具體地說，根據(jù)使用第四掩模的掩模エ藝將圖12中的第四導(dǎo)電層18圖案化，從而形成源極218s和漏極218d。
從源極218s和漏極218d中選擇的一個(gè)電極(本實(shí)施例為漏極218d)被形成為通過第三孔H3接觸像素電極114，其中，第三孔H3位于作為與圖12中的將形成像素電極114的第一電極圖案110的上部對(duì)應(yīng)的上層115的第二導(dǎo)電層15(在圖6中)的邊緣區(qū)域中。在形成源極218s和漏極218d的同時(shí)暴露并形成像素電極114。然后，本發(fā)明不限于此，可在形成源極218s和漏極218d之后經(jīng)另外的蝕刻暴露并形成像素電極114。具體地說，圖12中的第一電極圖案110通過去除經(jīng)第四孔H4暴露的第二導(dǎo)電層15來暴露像素電極114。因此，下柵極214和像素電極114由相同的層形成，因此，下柵極214和像素電極114由相同的材料形成。由于上電容器電極310被第二絕緣層17覆蓋，所以上電容器電極310沒有被暴露，然而本發(fā)明不限于此。例如，可在圖11中的第二絕緣層17中形成暴露上電容器電極310的一部分或全部的孔，并且可在圖13中將通過該孔暴露的上電容器電極310的第二導(dǎo)電層15去除。在構(gòu)成上電容器電極310的第二導(dǎo)電層15被去除之后，可額外執(zhí)行對(duì)下電容器電極312摻雜雜質(zhì)的エ藝，以改善下電容器電極312的導(dǎo)電性。 然后，如圖14所示，在第一基底10上形成像素限定層(PDL) 19。更具體地說，在其上已經(jīng)形成有像素電極114以及源極218s和漏極218d的第一基底10的整個(gè)表面上形成第三絕緣層19。第三絕緣層19可通過使用諸如旋涂的方法由從由聚酰亞胺、聚酰胺(PA)、亞克カ樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)和酚醛樹脂組成的組中選擇的至少ー種有機(jī)絕緣材料形成。第三絕緣層19可由從Si02、SiNx, A1203、CuOx, Tb4O7, Y2O3> Nb2O5和Pr2O3組成的組中選擇的無機(jī)絕緣材料形成，而不是由上述的有機(jī)絕緣材料形成。第三絕緣層19可通過將有機(jī)絕緣材料與無機(jī)絕緣材料交替而具有多層結(jié)構(gòu)。第三絕緣層19可根據(jù)情況而形成在焊盤區(qū)400中或不形成在焊盤區(qū)400中。即使第三絕緣層19形成在焊盤區(qū)400中，也可根據(jù)使用第五掩模的掩模エ藝進(jìn)一歩形成暴露焊盤電極410的孔。根據(jù)使用第五掩模的掩模エ藝使第三絕緣層19圖案化，從而形成暴露像素電極114的中心部分的第六孔H6。按這種方式限定像素。然后，如圖2所示，在暴露像素電極114的第六孔H6中形成包括發(fā)射層的中間層118和對(duì)向電極119?？赏ㄟ^堆疊有機(jī)發(fā)射層(EML)和從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)組成的組中選擇的至少ー個(gè)功能層來形成中間層118。
有機(jī)發(fā)射層可由低分子量有機(jī)材料或高分子量有機(jī)聚合物形成。當(dāng)有機(jī)發(fā)射層由低分子量有機(jī)材料形成時(shí)，通過在有機(jī)發(fā)射層的面向像素電極114的表面上堆疊空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)等，并在有機(jī)發(fā)射層的面向?qū)ο螂姌O119的表面上堆疊電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等來獲得中間層118。如果需要，可堆疊各種其它合適的層?？捎糜谛纬捎袡C(jī)發(fā)射層的有機(jī)材料的示例包括任意各種合適的材料，例如銅酞菁(CuPc)、N，N- —(萘-I-基)-N、N' - ニ苯基聯(lián)苯胺(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。另ー方面，當(dāng)有機(jī)發(fā)射層由高分子量有機(jī)材料形成時(shí)，可通過在有機(jī)發(fā)射層的面向像素電極114的表面上僅堆疊空穴傳輸層(HTL)來形成中間層118?？赏ㄟ^噴墨印刷或旋涂在像素電極114的上表面上由聚-(2，4)-こ烯-ニ氧基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)等形成空穴傳輸層(HTL)。諸如聚苯撐こ烯(PPV)和聚芴的高分子量有機(jī)材料可被用作可用于形成有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)材料。可通過諸如噴墨印刷、旋涂或使用激光的熱轉(zhuǎn)印法的傳統(tǒng)方法來形成顏色圖案。對(duì)向電極119可形成在第一基底10的整個(gè)表面上，以作為共電極。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I中，像素電極114用作陽 極，對(duì)向電極119用作陰極。可選地，像素電極114可用作陰極，對(duì)向電極119可用作陽極。當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置I是朝向第一基底10顯示圖像的底部發(fā)射型時(shí)，像素電極114是透明電極,對(duì)向電極119是反射電極。反射電極可通過薄地沉積諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或它們的組合的具有低逸出功的金屬來形成?？赏ㄟ^干蝕刻和/或濕蝕刻來實(shí)現(xiàn)形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置所執(zhí)行的每個(gè)掩模エ藝過程中對(duì)堆疊的層的去除。根據(jù)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的底部發(fā)射型顯示裝置，在基底的最底部部分中形成與像素電極分開的金屬層，而不改變使用的掩模的數(shù)量。因此，提高了像素電極的發(fā)光效率，并且確保了柵極的蝕刻特性，從而在顯示裝置的顯示質(zhì)量、エ藝簡(jiǎn)化和失誤減少方面得以改
茲雖然在上述實(shí)施例中示出了有機(jī)發(fā)光顯示裝置，但是本發(fā)明不限于此，可使用包括液晶顯示器(LCD)的各種合適的顯示裝置。雖然在上述實(shí)施例中示出了單個(gè)TFT和單個(gè)電容器，但是這種示出僅僅是為了便于解釋，本發(fā)明不限于此。只要不增加使用的掩模エ藝的數(shù)量，就可包括多個(gè)TFT和多個(gè)電容器。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，簡(jiǎn)單地制造了有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括提高了耐腐蝕性且降低了電阻的焊盤部分，從而改善了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括 薄膜晶體管，包括有源層和與有源層絕緣的柵極，所述柵極包括下柵極和上柵極，薄膜晶體管還包括均與柵極絕緣并接觸有源層的源極和漏極； 有機(jī)發(fā)光器件，電連接到薄膜晶體管并包括形成在與形成有下柵極的層相同的層中的像素電極、包括發(fā)射層的中間層和對(duì)向電極，其中，像素電極、中間層和對(duì)向電極順序地堆置; 焊盤電極，電結(jié)合到薄膜晶體管或有機(jī)發(fā)光器件，并且包括形成在與形成有下柵極的層相同的層中的第一焊盤電極、形成在與形成有上柵極的層相同的層中的第二焊盤電極和包括透明導(dǎo)電氧化物的第三焊盤電極，其中，第一焊盤電極、第二焊盤電極和第三焊盤電極順序地堆疊。
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括覆蓋柵極和焊盤電極的至少一個(gè)絕緣層，其中，絕緣層具有不暴露焊盤電極的邊緣并且暴露焊盤電極的至少中心部分的孔。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，焊盤電極的經(jīng)所述孔暴露的部分電連接到用于供應(yīng)電流的驅(qū)動(dòng)器集成電路，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，源極和漏極布置在所述至少一個(gè)絕緣層的上表面上。
5.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第三焊盤電極包括多晶氧化銦錫。
6.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，下柵極、像素電極和第一焊盤電極包括透明導(dǎo)電氧化物。
7.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，上柵極和第二焊盤電極包括從Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW 和 Cu 中選擇的至少一種。
8.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括電容器，所述電容器包括形成在與形成有有源層的層相同的層中的下電容器電極和形成在與形成有柵極的層相同的層中的上電容器電極，電容器電結(jié)合到薄膜晶體管。
9.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟 第一掩模工藝，在基底上形成薄膜晶體管的有源層； 第二掩模工藝，在有源層的上表面上順序地堆疊第一絕緣層、第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層，然后將第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層圖案化以形成柵極、第一電極圖案和焊盤電極，所述柵極包括用作下柵極的第一導(dǎo)電層和用作上柵極的第二導(dǎo)電層，第一電極圖案包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，焊盤電極包括用作第一焊盤電極的第一導(dǎo)電層、用作第二焊盤電極的第二導(dǎo)電層和用作第三焊盤電極的第三導(dǎo)電層； 第三掩模工藝，在柵極、第一電極圖案和焊盤電極的上表面上形成第二絕緣層，然后通過將第一絕緣層和第二絕緣層圖案化來形成暴露有源層的一部分的第一孔，并通過將第二絕緣層圖案化來形成暴露第一電極圖案和焊盤電極的至少一部分的第二孔； 第四掩模工藝，形成經(jīng)所述第一孔接觸有源層的源極和漏極，并由第一電極圖案形成像素電極； 第五掩模工藝，形成暴露像素電極的至少一部分的像素限定層。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第二掩模工藝包括在有源層的上表面上順序地堆疊第一絕緣層、第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層； 通過使用半色調(diào)掩模形成第一感光層圖案，第一感光層圖案在對(duì)應(yīng)于柵極和第一電極圖案的第一區(qū)域中具有第一厚度并且在對(duì)應(yīng)于焊盤電極的第二區(qū)域中具有大于第一厚度的第二厚度； 通過使用第一感光層圖案作為掩模來形成柵極、第一電極圖案和焊盤電極，在柵極、第一電極圖案和焊盤電極中順序地堆疊第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層中的每個(gè)；通過將第一感光層圖案去除第一厚度那么多來形成在第二區(qū)域中具有第三厚度的第二感光層圖案； 通過使用第二感光層圖案作為掩模去除位于第一區(qū)域的上部中的第三導(dǎo)電層，以形成柵極、第一電極圖案和焊盤電極。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，在第二掩模工藝之后且在第三掩模工藝之前，還包括通過使第三焊盤電極退火來產(chǎn)生多晶氧化銦錫的步驟。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，在第二掩模工藝之后且在第三掩模工藝之前，還包括通過對(duì)有源層摻雜雜質(zhì)來形成源區(qū)和漏區(qū)的步驟。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在第三掩模工藝中，第二孔形成在第二絕緣層中，從而不暴露焊盤電極的邊緣并且暴露焊盤電極的至少中心部分。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，焊盤電極的經(jīng)第二孔暴露的部分電連接到供應(yīng)電流的驅(qū)動(dòng)器集成電路，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第四掩模工藝包括 在第二絕緣層上形成第四導(dǎo)電層； 通過將第四導(dǎo)電層圖案化來形成源極和漏極； 通過去除構(gòu)成第一電極圖案的第二導(dǎo)電層來形成包括第一導(dǎo)電層的像素電極。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其中， 第一掩模工藝還包括在與形成有有源層的層相同的層中形成下電容器電極， 第二掩模工藝還包括在下電容器電極的上表面上形成上電容器電極。
17.如權(quán)利要求9所述的方法，在第五掩模工藝之后，還包括在像素電極的上表面上形成包括發(fā)射層的中間層和對(duì)向電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括TFT，包括有源層、包括下柵極和上柵極的柵極以及與柵極絕緣并接觸有源層的源極和漏極；有機(jī)發(fā)光器件，電連接到TFT并包括形成在與形成有下柵極的層相同的層中的像素電極；焊盤電極，電結(jié)合到TFT或有機(jī)發(fā)光器件，并且包括形成在與形成有下柵極的層相同的層中的第一焊盤電極、形成在與形成有上柵極的層相同的層中的第二焊盤電極和包括透明導(dǎo)電氧化物的第三焊盤電極，第一焊盤電極、第二焊盤電極和第三焊盤電極順序地堆疊。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102856506SQ201210051720
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月28日
發(fā)明者崔鐘炫, 吳在煥 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司