專利名稱：陶瓷電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷電子部件，尤其涉及陶瓷電子部件中具備的外部電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著攜帶式電話機(jī)和攜帶式音樂播放器等電子設(shè)備的小型化和薄型化， 搭載在電子設(shè)備上的陶瓷電子部件的小型化和薄型化也得到急速發(fā)展。通常，陶瓷電子部件安裝于搭載在電子設(shè)備內(nèi)部的配線基板上，但隨著陶瓷電子部件的小型化和薄型化，陶瓷電子部件的本身強(qiáng)度存在下降的傾向。例如，在日本特開2009-146732號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)的圖I中記載的那種陶瓷電子部件中具有如下結(jié)構(gòu)，即，使用具有特定組成的導(dǎo)電性糊劑，通過燒焊形成外部電極的基底層，并在其上形成鍍敷層，但是，在安裝時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力容易在包括鍍敷層的外部電極的前端部分集中，存在以該部分為起點(diǎn)而在陶瓷電子部件上產(chǎn)生裂縫的情況。以下，參照?qǐng)D15 進(jìn)一步具體地進(jìn)行說明。圖15是圖解表示作為以往的陶瓷電子部件的一例的層疊陶瓷電容器I的剖視圖， 是用于說明在安裝時(shí)因施加的應(yīng)力而引起的問題的圖。層疊陶瓷電容器I所具備的陶瓷體2具有相互對(duì)置的第一主面3及第二主面4，第二主面4朝向安裝面?zhèn)?。在陶瓷體2的各端部形成有外部電極5及6。在向配線基板(未圖示)安裝該層疊陶瓷電容器I時(shí)，通過安裝器的吸附頭(未圖示)吸附第一主面3，并安放在配線基板的焊盤上，但如圖15所示，在第一主面3上施加有因安放時(shí)的慣性產(chǎn)生的應(yīng)力，因此形成著力點(diǎn)7。并且，形成在層疊陶瓷電容器I的兩端的第一外部電極及第二外部電極5及6與配線基板的觸點(diǎn)成為支點(diǎn)8及9。其結(jié)果是，安裝面上的外部電極5及6的各自的向主面4彎入的彎入部的前端部分(用虛線包圍的部分)成為作用點(diǎn)10及11，容易以該部分為起點(diǎn)在陶瓷體2的內(nèi)部產(chǎn)生裂縫。該現(xiàn)象在陶瓷體2的主面3及4與安裝面平行的情況下容易發(fā)生，其中，層疊陶瓷電容器I的高度方向的尺寸越薄則越容易發(fā)生該現(xiàn)象。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I日本特開2009-146732號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠解決上述這樣的問題的陶瓷電子部件的外部電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明涉及一種陶瓷電子部件，其具備陶瓷體，其具有相互對(duì)置的第一主面及第二主面、相互對(duì)置的第一側(cè)面及第二側(cè)面、相互對(duì)置的第一端面及第二端面，且第二主面朝向安裝面?zhèn)?；第一外部電極，其配置在陶瓷體的第一端面?zhèn)鹊奈恢蒙锨疫_(dá)到至少第二主面上；第二外部電極，其配置在陶瓷體的第二端面?zhèn)鹊奈恢蒙锨疫_(dá)到至少第二主面上，第一外部電極與第二外部電極以在第二主面上隔著規(guī)定的間隙區(qū)域相互對(duì)置的方式配置，為了解決上述技術(shù)問題，所述陶瓷電子部件的特征在于具備如下的結(jié)構(gòu)。即，第一外部電極及第二外部電極包括基底層和覆蓋基底層的由至少一層構(gòu)成的 Cu鍍層，在第一外部電極及第二外部電極中，當(dāng)基底層的間隙區(qū)域側(cè)的端部位置上的Cu鍍層的厚度為t、從基底層的間隙區(qū)域側(cè)的端部到Cu鍍層的間隙區(qū)域側(cè)的端部的距離為d時(shí)， 滿足O. I彡t/d彡O. 5ο關(guān)于對(duì)上述厚度t及距離d進(jìn)行的測(cè)定，利用研磨機(jī)與側(cè)面平行地對(duì)作為試料的陶瓷電子部件實(shí)施研磨，直至將第一側(cè)面及第二側(cè)面間連結(jié)的方向上的尺寸變?yōu)?/2，可以利用帶測(cè)長(zhǎng)功能的顯微鏡等測(cè)定呈現(xiàn)在該研磨剖面上的Cu鍍層的厚度t、距離d。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，在第一外部電極及第二外部電極中，Cu鍍層的厚度比基底
層的厚度厚。此外，也可以構(gòu)成為第一外部電極及第二外部電極的剖面形狀分別形成為，從第一端面及第二端面?zhèn)仍匠蜷g隙區(qū)域側(cè)而前端越變細(xì)。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在陶瓷體的朝向安裝面?zhèn)鹊牡诙髅嬷?，如由O. I彡t/d彡O. 5表示的那樣，通過延長(zhǎng)Cu鍍層，能夠加長(zhǎng)基底層的端部與鍍敷層的端部的距離，其結(jié)果是，不會(huì)使向外部電極的在第二主面上的前端部分的應(yīng)力集中于一點(diǎn)，而能夠使其分散，從而能夠抑制在安裝時(shí)產(chǎn)生的裂縫。此外，通過使Cu鍍層的前端延伸，還能夠縮短外部電極間的距離，因此能夠增加對(duì)安裝時(shí)的應(yīng)力的強(qiáng)度，抑制在安裝時(shí)產(chǎn)生的裂縫。


圖I是表示基于本發(fā)明的第一實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器21的外觀的立體圖。圖2是表示圖I所示的層疊陶瓷電容器21的第二側(cè)面30側(cè)的側(cè)視圖。圖3是圖I的沿線A-A的剖視圖。圖4是表示圖I所示的層疊陶瓷電容器21所具備的陶瓷體22的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5是將圖3的部分B放大表示的剖視圖。圖6是表示基于本發(fā)明的第二實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器21a的、與圖3對(duì)應(yīng)的首1J視圖。圖7是表示基于本發(fā)明的第三實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器21b的、與圖3對(duì)應(yīng)的首1J視圖。圖8是表示基于本發(fā)明的第四實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器21c的一部分的剖視圖。圖9是表示基于本發(fā)明的第五實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器21d的、與圖2對(duì)應(yīng)的側(cè)視圖。圖10是表示圖9所示的層疊陶瓷電容器21d的、與圖3對(duì)應(yīng)的剖視圖。圖11是表示圖9所示的層疊陶瓷電容器21d所具備的陶瓷體22的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的、 與圖4對(duì)應(yīng)的俯視圖。
圖12是表示基于本發(fā)明的第六實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器21e的、與圖2對(duì)應(yīng)的側(cè)視圖。圖13是表示圖12所示的層疊陶瓷電容器21e的、與圖3對(duì)應(yīng)的剖視圖。圖14是表示圖12所示的層疊陶瓷電容器21e所具備的陶瓷體22的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的、 與圖4對(duì)應(yīng)的俯視圖。圖15是表示作為以往的層疊陶瓷電子部件的一例的層疊陶瓷電容器I的剖視圖， 是用于說明在安裝時(shí)施加的應(yīng)力所引起的問題的圖。符號(hào)說明21、21a、21b、21c、21d、21e 層疊陶瓷電容器22陶瓷體
23第一外部電極
24第二外部電極
25第一內(nèi)部電極
26第二內(nèi)部電極
27第一主面
28第二主面
29第一側(cè)面
30第二側(cè)面
31第一端面
32第二端面
33陶瓷層
34間隙區(qū)域
35基底層
36Cu鍍層
具體實(shí)施例方式[第一實(shí)施方式]參照?qǐng)DI至圖5說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的層疊陶瓷電容器21。層疊陶瓷電容器21具備陶瓷體22、外部電極23及24、內(nèi)部電極25及26。以下， 將層疊陶瓷電容器21的結(jié)構(gòu)的詳細(xì)情況分為(I)陶瓷體、(2)外部電極、(3)內(nèi)部電極而加以說明，然后，對(duì)(4)制造方法進(jìn)行說明。(I)陶瓷體如圖I等所示，陶瓷體22具有相互對(duì)置的第一主面27及第二主面28、相互對(duì)置的第一側(cè)面29及第二側(cè)面30、相互對(duì)置的第一端面31及第二端面32。在安裝層疊陶瓷電容器21時(shí)，第二主面28朝向安裝面?zhèn)榷惭b在配線基板(未圖示)上。陶瓷體22優(yōu)選在角部及棱部施加圓角處理。如圖3所示，陶瓷體22具有由層疊的多個(gè)陶瓷層33構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。作為構(gòu)成陶瓷層33的陶瓷材料，例如可以使用以BaTi03、CaTiO3> SrTiO3> CaZrO3等為主要成分的電介體陶瓷。此外，也可以使用向所述主要成分中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類元素化合物等副成分而成的材料。陶瓷體22經(jīng)過燒成工序獲得，各陶瓷層33的燒成后的厚度優(yōu)選為O. 5 10 μ m。在形成有后述的外部電極23及24的陶瓷體22、即層疊陶瓷電容器I中，如圖I所示，當(dāng)將第一及第二端面31及32之間連結(jié)的方向上的尺寸為L(zhǎng)、將第一及第二側(cè)面29及 30之間連結(jié)的方向上的尺寸為W、將第一及第二主面27及28之間連結(jié)的方向上的尺寸為 T時(shí)，優(yōu)選為滿足T彡W < L，1/5W彡T彡1/2W，T ( O. 3mm的薄型化結(jié)構(gòu)。具體而言，優(yōu)選
O.Imm < T < O. 3mm, O. 4mm ^ L ^ 1mm, O. 2mm < W < 0. 5mm。需要說明的是，在該實(shí)施方式中，作為陶瓷電子部件的示例列舉了層疊陶瓷電容器21，因此作為構(gòu)成陶瓷層33的陶瓷使用了電介體陶瓷，但如果使用PZT系陶瓷等壓電體陶瓷，則能夠得到作為壓電部件發(fā)揮功能的陶瓷電子部件，如果使用尖晶石系陶瓷等半導(dǎo)體陶瓷，則能夠得到作為熱敏電阻發(fā)揮功能的陶瓷電子部件，如果使用鐵素體等磁性體陶瓷，則能夠得到作為電感發(fā)揮功能的陶瓷電子部件。此外，在該實(shí)施方式中，陶瓷體22具有由多個(gè)陶瓷層33構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)，但在不構(gòu)成層疊型的陶瓷電子部件時(shí)，陶瓷體也可以不具有內(nèi)部電極，不構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)而采用單層結(jié)構(gòu)。(2)外部電極第一外部電極23配置在陶瓷體22的第一端面31側(cè)的位置上且達(dá)到至少第二主面28上，第二外部電極24配置在陶瓷體22的第二端面32側(cè)的位置上且達(dá)到至少第二主面28上。并且，第一外部電極23和第二外部電極24在第二主面28上配置成隔著規(guī)定的間隙區(qū)域34而相互對(duì)置。更具體而言，第一外部電極23形成到第一主面27、第一端面31及第二主面28上， 在第一端面31上與第一內(nèi)部電極25電連接。另一方面，第二外部電極24形成到第一主面 27、第二端面32及第二主面28上，在第二端面32上與第二內(nèi)部電極26電連接。在該實(shí)施方式中，如圖I及圖2可知，優(yōu)選第一外部電極及第二外部電極23及24 實(shí)質(zhì)上并未形成在第一側(cè)面及第二側(cè)面29及30上。因此，在圖I所示的W方向上，能夠?qū)崿F(xiàn)層疊陶瓷電容器21的小型化。對(duì)于第一外部電極23而言，如圖5所示，第一外部電極及第二外部電極23及24 均具有基底層35和覆蓋基底層35的由至少一層構(gòu)成的Cu鍍層36。作為構(gòu)成基底層35的導(dǎo)電成分，例如可以使用Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金屬或Ag-Pd 合金等包含一種以上所述金屬的合金?；讓?5包括無(wú)機(jī)結(jié)合材料。無(wú)機(jī)結(jié)合材料是用于提高相對(duì)于陶瓷體22的密接強(qiáng)度的成分。在基底層35通過與陶瓷體22同時(shí)燒成而形成的情況下，作為無(wú)機(jī)結(jié)合材料可以使用與包含在陶瓷體22中的陶瓷材料相同的陶瓷材料或主要成分相同的陶瓷材料。另一方面，在基底層35通過涂敷導(dǎo)電性糊劑而燒焊形成的情況下，作為無(wú)機(jī)結(jié)合材料例如可以使用玻璃成分。基底層35中的無(wú)機(jī)結(jié)合材料的含有量?jī)?yōu)選在40體積％ 60體積％的范圍內(nèi)。基底層35通常以從第一主面27經(jīng)由第一端面或第二端面31或32而到達(dá)第二主面28的方式形成，但也可以僅在第一主面及第二主面27及28上形成，甚至可以僅在第二主面27上形成。在如后者那樣基底層35未在端面31或32上形成時(shí)，Cu鍍層36直接與第一內(nèi)部電極或第二內(nèi)部電極25或26電連接。Cu鍍層36也可以由多層構(gòu)成。前述的基底層35的厚度可以為O. I 20μπι左右，但Cu鍍層36無(wú)論是由一層構(gòu)成還是由多層構(gòu)成，其厚度都優(yōu)選比基底層35的厚度厚。 具體而言，Cu鍍層36的厚度為I 15 μ m。雖然未圖示，但也可以根據(jù)需要在Cu鍍層36上進(jìn)一步形成上層鍍敷層。作為構(gòu)成上層鍍敷層的導(dǎo)電成分，例如可以使用由Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi及Zn構(gòu)成的組中選出的一種金屬或含有該金屬的合金。上層鍍敷層的厚度優(yōu)選為I 15μπι。此外，上層鍍敷層也可以由多層構(gòu)成。優(yōu)選，上層鍍敷層為Ni鍍敷層及Sn鍍敷層的雙層結(jié)構(gòu)。 如上所述，第一外部電極23和第二外部電極24在第二主面28上配置成隔著規(guī)定的間隙區(qū)域34相互對(duì)置。在該實(shí)施方式中，第一外部電極23和第二外部電極24在第一主面27上也配置成隔著規(guī)定的間隙區(qū)域相互對(duì)置。在本發(fā)明中，如圖5所示，在基底層35的間隙區(qū)域34(參照?qǐng)D3)側(cè)的端部位置上的Cu鍍層36的厚度為t、從基底層35的間隙區(qū)域34側(cè)的端部到Cu鍍層36的間隙區(qū)域 34側(cè)的端部的距離為d時(shí)，滿足O. I彡t/d彡O. 5的條件。由此，因?yàn)槟軌驕p小基底層35的間隙區(qū)域34側(cè)的端部位置上的Cu鍍層36的厚度t，并同時(shí)加長(zhǎng)基底層35的端部與Cu鍍層36的前端的距離d，因此在安裝時(shí)不會(huì)使對(duì)基底層35的端部作用的應(yīng)力和對(duì)Cu鍍層36的前端作用的應(yīng)力集中到一點(diǎn)上，而能夠使應(yīng)力分散，從而能夠抑制在安裝時(shí)產(chǎn)生的裂縫。此外，通過使Cu鍍層36的前端延伸，從而能夠縮短外部電極23及24間的距離，因此能夠增加對(duì)安裝時(shí)的應(yīng)力的強(qiáng)度，能夠抑制安裝時(shí)產(chǎn)生的裂縫。滿足上述這樣的條件、即減小上述厚度t并伸長(zhǎng)上述距離d的目的例如可以通過使用于Cu鍍層36的電鍍液的金屬離子濃度比通常低來(lái)實(shí)現(xiàn)。通常，在形成鍍敷層時(shí)，在陶瓷體的主面及端面形成的基底層附近，為了形成鍍敷層而使金屬離子的消耗量增加，存在金屬離子濃度變稀的傾向。另一方面，在陶瓷體的間隙區(qū)域附近，由于不存在基底層，因此金屬離子的消耗量比形成有基底層的部分少，存在金屬離子濃度比較濃的傾向。該傾向在金屬離子濃度低的電鍍液中更加顯著。此外，在形成鍍敷層時(shí)，因電場(chǎng)在基底層的間隙區(qū)域側(cè)的端部位置比基底層的主面及端面部分容易集中， 因此在電場(chǎng)容易集中的基底層的間隙區(qū)域側(cè)的端部位置，鍍敷層優(yōu)先析出。由上述兩個(gè)理由可知，在利用金屬離子濃度低的電鍍液來(lái)形成鍍敷層時(shí)，在形成在陶瓷體的主面及端面上的基底層附近，金屬離子少，電場(chǎng)也低，因此成為鍍敷層難以形成的狀態(tài)。另一方面，在基底層的端部，與形成在陶瓷體的主面及端面上的基底層附近相比， 電場(chǎng)高且金屬離子的濃度也高，因此金屬離子的供給量比形成在陶瓷體的主面及端面上的基底層附近多。其結(jié)果是，在鍍敷層中，能夠抑制厚度t的增加，并且能夠加長(zhǎng)距離d。Cu鍍層36具有越分別從陶瓷體22的端面31及32接近間隙區(qū)域34側(cè)的端部則前端越細(xì)的形狀。關(guān)于第一外部電極23，如圖5所示，也可以將外部電極23及24的各自的一部分、 更具體而言將基底層35的一部分埋入陶瓷體22的內(nèi)部。此時(shí)，當(dāng)位于主面28上的外部電極23的厚度為t0、外部電極23的一部分埋入陶瓷體22中的部分的厚度為tl時(shí)，優(yōu)選 (1/10) t0 ≤ tl ≤ (2/5) t0ο
若tl小于(1/10) t0，則外部電極23與陶瓷體22的密接性過低，存在外部電極23 容易產(chǎn)生剝離、可靠性變低的情況。此外，若tl小于(1/I0)t0，則外部電極23的未埋入的部分的厚度過大，可能無(wú)法充分實(shí)現(xiàn)層疊陶瓷電容器21的薄型化。另一方面，若tl大于(2/5) t0，則層疊陶瓷電容器21的可靠性可能下降。更具體而言，在將外部電極23埋入陶瓷體22的主面28時(shí)，對(duì)內(nèi)部電極25或26施加大的應(yīng)力，可能損傷內(nèi)部電極25或26，造成無(wú)法得到期望的容量或產(chǎn)生短路等。需要說明的是，在該實(shí)施方式中，t0例如為10 50 μ m左右。(3)內(nèi)部電極如圖3所示，多個(gè)第一內(nèi)部電極25及多個(gè)第二內(nèi)部電極26隔著陶瓷層33相互對(duì)置，并同時(shí)沿陶瓷體22的層疊方向交替排列。在圖4中，第一內(nèi)部電極25用實(shí)線表示，第二內(nèi)部電極26用虛線表示。如圖4及圖3所不,第一內(nèi)部電極25以在第一端面31與第一外部電極23電連接的方式引出，另一方面，第二內(nèi)部電極26以在第二端面32與第二外部電極24電連接的方式引出。作為構(gòu)成內(nèi)部電極25及26的導(dǎo)電成分，例如可以使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag_Pd合金、 Au等。此外，內(nèi)部電極25及26的各厚度優(yōu)選為O. 3 2. O μ m。(4)制造方法層疊陶瓷電容器21例如以下方式制造。(4)-1.準(zhǔn)備用于成為陶瓷層33的陶瓷生片(green sheet)、內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊劑及外部電極的基底層用的導(dǎo)電性糊劑。在陶瓷生片及內(nèi)部電極用及外部電極的基底層用的各導(dǎo)電性糊劑中含有粘合物及溶劑，可以使用公知的有機(jī)粘合物和有機(jī)溶劑。(4)-2.在陶瓷生片上例如通過絲網(wǎng)印刷等以規(guī)定的圖案印刷導(dǎo)電性糊劑，形成用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電性糊劑膜。(4) -3.將規(guī)定張數(shù)的未印刷有導(dǎo)電性糊劑膜的外層用陶瓷生片層疊，在其上依次層疊印刷有用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電性糊劑膜的陶瓷生片，并在其上層疊規(guī)定張數(shù)的外層用陶瓷生片，由此制作主(mother)層疊體。(4) -4.在主層疊體的兩主面上通過絲網(wǎng)印刷等形成用于成為外部電極的基底層的導(dǎo)電性糊劑膜。(4) -5.將主層疊體利用靜水壓擠壓等手段沿層疊方向擠壓。此時(shí)，在埋入基底層時(shí)，其埋入量例如可以通過變更擠壓量、擠壓壓力、在擠壓時(shí)與主層疊體接觸的構(gòu)件的硬度或彈性率來(lái)調(diào)整。例如，在對(duì)置的模具和主層疊體的兩主面的各自之間未夾有橡膠等彈性體的狀態(tài)下擠壓主層疊體時(shí)，基底層的埋入量變大。相對(duì)于此，在對(duì)置的模具和主層疊體的兩主面的各自之間夾有橡膠等彈性體的狀態(tài)下進(jìn)行擠壓時(shí)，埋入量相對(duì)變小。并且，能夠通過變更彈性體的彈性率等對(duì)埋入量進(jìn)行微調(diào)整。
(4) -6.將主層疊體切斷成規(guī)定的尺寸，切出生陶瓷體。此時(shí)，也可以通過轉(zhuǎn)筒研磨等在生陶瓷體的角部或棱部施加圓角處理。(4)-7.根據(jù)需要，在生陶瓷體的兩端面都例如通過浸潰法等涂敷導(dǎo)電性糊劑。由此，在陶瓷體的兩端面上都形成用于成為外部電極的基底層的導(dǎo)電性糊劑膜。(4)-8.燒成生陶瓷體。雖然燒成溫度也根據(jù)使用的陶瓷材料和導(dǎo)電材料來(lái)確定，但優(yōu)選為900 1300°C。由此，同時(shí)燒成陶瓷生片、內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊劑及外部電極的基底層用的導(dǎo)電性糊劑，能夠得到處于燒結(jié)后狀態(tài)的陶瓷體22。(4)-9.根據(jù)需要，對(duì)陶瓷體22進(jìn)行轉(zhuǎn)筒研磨等研磨。(4)-10.然后，實(shí)施鍍敷處理，形成覆蓋外部電極的基底層的Cu鍍層。在進(jìn)行鍍敷處理時(shí)， 也可以采用電解鍍敷及無(wú)電解鍍敷中的任一種。需要說明的是，在無(wú)電解鍍敷中，為了提高鍍敷析出速度，需要利用催化劑等進(jìn)行前序處理，從而存在工序復(fù)雜化的缺點(diǎn)。因此，通常優(yōu)選采用電解鍍敷。在進(jìn)行鍍敷處理時(shí)，優(yōu)選使用轉(zhuǎn)筒鍍敷法。(4)-11.接下來(lái)，根據(jù)需要在Cu鍍層上形成上層鍍敷層。如上所述，由此完成層疊陶瓷電容器21。接下來(lái)，為了確認(rèn)基于本發(fā)明的效果，對(duì)根據(jù)上述第一實(shí)施方式實(shí)施的實(shí)施例進(jìn)行說明。在實(shí)驗(yàn)中使用的層疊陶瓷電容器滿足以下這樣的設(shè)計(jì)條件。燒成后的陶瓷層的厚度1. 4μπι構(gòu)成陶瓷層的陶瓷材料=BaTiO3內(nèi)部電極的層疊數(shù)23張容量IOOnF額定電壓6.3V層疊陶瓷電容器整體的尺寸LXWXT = ImmXO. 5臟Χ0· 15臟陶瓷體的厚度108μπι外部電極的基底層厚度5. Oym的Ni膜外部電極的Cu鍍層形成一層間隙區(qū)域側(cè)的端部位置上的厚度t為7 μ m的Cu鍍
層燒成條件以最高溫度1200°C保持兩小時(shí)。通過共用上述的設(shè)計(jì)條件并同時(shí)向降低電鍍液的金屬離子濃度的方向進(jìn)行控制， 分別制作出樣品I 7的層疊陶瓷電容器各20個(gè)，如表I所示，樣品I 7的從外部電極的基底層的間隙區(qū)域側(cè)的端部到Cu鍍層的間隙區(qū)域側(cè)的端部的距離d在11. 7 70. O μ m 的范圍內(nèi)變化。需要說明的是，對(duì)Cu鍍層所涉及的上述的厚度t及距離d如以下方式進(jìn)行了測(cè)定。將作為樣品的層疊陶瓷電容器利用研磨機(jī)(UNION光學(xué)株式會(huì)社制“GP-101”)與 LT面平行地實(shí)施研磨直至W方向的尺寸變?yōu)?/2，利用光學(xué)顯微鏡(株式會(huì)社尼康制 “MEASURESCOPE MM-10")對(duì)呈現(xiàn)在該研磨剖面上的Cu鍍層測(cè)定了上述厚度t及距離d。上述厚度t及距離d是平均值化后得到的值，即，對(duì)在樣品I 7各制作出20個(gè)的樣品的研磨剖面上呈現(xiàn)的四個(gè)基底層的間隙區(qū)域側(cè)的端部的厚度t及距離d分別進(jìn)行測(cè)定，最后將它們?nèi)堪凑諛悠稩 7進(jìn)行平均值化計(jì)算。為了評(píng)價(jià)得到的樣品，對(duì)各樣品的層疊陶瓷電容器的抗折強(qiáng)度進(jìn)行了測(cè)定。需要說明的是，關(guān)于測(cè)定方法采用在日本特開2010-237197號(hào)公報(bào)中記載的方法。具體而言，將按壓件壓抵到載置于載物臺(tái)上的層疊陶瓷電容器的主面的中央處，以使載荷逐漸變高的方式施加力，利用AE(聲發(fā)射(Acoustic Emission))傳感器檢測(cè)陶瓷電容器損壞時(shí)的載荷, 并將此時(shí)的載荷值作為抗折強(qiáng)度。在樣品I 7中，分別對(duì)20個(gè)值進(jìn)行測(cè)定，并將按照樣品I 7進(jìn)行平均值化計(jì)算后的結(jié)果在表I中示出。表I
權(quán)利要求
1.一種陶瓷電子部件，其具備陶瓷體，其具有相互對(duì)置的第一主面及第二主面、相互對(duì)置的第一側(cè)面及第二側(cè)面、相互對(duì)置的第一端面及第二端面，且所述第二主面朝向安裝面?zhèn)龋坏谝煌獠侩姌O，其配置在所述陶瓷體的所述第一端面?zhèn)鹊奈恢蒙锨疫_(dá)到至少所述第二主面上；第二外部電極，其配置在所述陶瓷體的所述第二端面?zhèn)鹊奈恢蒙锨疫_(dá)到至少所述第二主面上，所述第一外部電極與所述第二外部電極配置成在所述第二主面上隔著規(guī)定的間隙區(qū)域而相互對(duì)置，所述第一外部電極及所述第二外部電極包括基底層和覆蓋所述基底層的由至少一層構(gòu)成的Cu鍍層，在所述第一外部電極及所述第二外部電極中，當(dāng)所述基底層的所述間隙區(qū)域側(cè)的端部位置上的所述Cu鍍層的厚度為t、從所述基底層的所述間隙區(qū)域側(cè)的端部到所述Cu鍍層的所述間隙區(qū)域側(cè)的端部的距離為d時(shí)，滿足O. I彡t/d彡O. 5。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷電子部件，其特征在于，在所述第一外部電極及第二外部電極中，所述Cu鍍層的厚度比所述基底層的厚度厚。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陶瓷電子部件，其特征在于，所述第一外部電極及第二外部電極的剖面形狀分別形成為從所述第一端面及第二端面?zhèn)仍匠蛩鲩g隙區(qū)域側(cè)而前端越變細(xì)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陶瓷電子部件，尤其對(duì)于薄型的陶瓷電子部件而言能夠抑制在安裝時(shí)或使用時(shí)施加應(yīng)力而產(chǎn)生的裂縫。第一及第二外部電極(23、24)在陶瓷體(22)的朝向安裝面?zhèn)鹊闹髅?28)上以隔著規(guī)定的間隙區(qū)域相互對(duì)置的方式配置。外部電極(23、24)包括基底層(35)和覆蓋基底層的Cu鍍層(36)。當(dāng)基底層(35)的間隙區(qū)域側(cè)的端部位置上的Cu鍍層(36)的厚度為t、從基底層(35)的間隙區(qū)域側(cè)的端部到Cu鍍層(36)的間隙區(qū)域側(cè)的端部的距離為d時(shí)，滿足0.1≤t/d≤0.5。如此，通過伸長(zhǎng)Cu鍍層(36)，從而能夠使向外部電極(23、24)的在主面(28)上的前端部分的應(yīng)力集中得到分散，能夠抑制在安裝時(shí)或使用時(shí)產(chǎn)生的裂縫。
文檔編號(hào)H01G4/232GK102610388SQ20121002071
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月21日
發(fā)明者佐藤浩司, 小川誠(chéng), 真田幸雄, 西坂康弘 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所