專利名稱：用于cmos圖像傳感器的內(nèi)插板封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子器件的封裝，更具體地說涉及光學(xué)半導(dǎo)體器件的封裝。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件的趨勢是更小的集成電路(IC)器件(也稱作芯片)、以更小的封裝體封裝(其保護(hù)芯片而同時提供片外信號連接性)。一個實例是圖像傳感器，其是包括將入射光變換成電信號的光電檢測器(其準(zhǔn)確地反映具有良好空間分辨率的入射光的強(qiáng)度和顏色信息)的IC器件。在圖像傳感器的晶片級封裝方案的開發(fā)后面存在不同的驅(qū)動力。例如，降低的形狀因數(shù)(即增加的密度，用來實現(xiàn)最高容量/體積比)克服了空間限制并且能夠?qū)崿F(xiàn)更小的相機(jī)模塊方案?？梢砸愿痰幕ミB長度來實現(xiàn)增加的電性能，這可以改善電性能并且因此改善器件速度，并且這大大減小了芯片功耗。異構(gòu)集成允許集成不同的功能層(例如高分辨率和低分辨率圖像傳感器的集成、具有其處理器的圖像傳感器的集成等)。可以通過僅封裝那些已知良好的芯片(即僅封裝已知良好的管芯一 K⑶)來實現(xiàn)每單元封裝的成本減少。目前，板上芯片(C0B—其中裸片被直接安裝在印刷電路板上)和謝爾卡斯(Shellcase)晶片級CSP (其中晶片被層疊在兩個玻璃薄片之間)是用來構(gòu)造圖像傳感器模塊(例如用于移動器件照相機(jī)、光學(xué)鼠標(biāo)等)的主流的封裝和裝配工藝。然而，隨著使用較高像素圖像傳感器，由于針對封裝8和12英寸圖像傳感器晶片的投資支出、裝配限制、尺寸限制(該要求是對于較低剖面器件的)以及產(chǎn)率問題，COB和Shellcase WLCSP裝配變得愈加困難。例如，Shellcase WLCSP技術(shù)包括在晶片被單體化成獨(dú)立的封裝芯片之前在晶片上封裝圖像傳感器，意味著來自每個晶片的有缺陷的那些芯片在它們可被測試之前仍然被封裝(其抬高了成本)。另外，標(biāo)準(zhǔn)WLP封裝是扇入封裝，其中芯片面積等于封裝面積，因此限制了 I/O連接的數(shù)目。最后，標(biāo)準(zhǔn)WLP封裝是裸管芯封裝，其在測試處理、組裝和SMT過程中可能是復(fù)雜的。存在對用于諸如已經(jīng)被單體化和測試的圖像傳感器的芯片的改進(jìn)的封裝和封裝技術(shù)的需要，并且其提供節(jié)省成本和可靠的低剖面封裝解決方案(即提供必要的機(jī)械支持和電連接性)。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個方面中，圖像傳感器封裝包括裝卸器組件、傳感器芯片和基板組件。裝卸器組件包括具有相對的第一和第二表面的晶體裝卸器和形成到第一表面中的腔體，和均通過所述晶體裝卸器從第一表面延伸到第二表面的多個導(dǎo)電元件。傳感器芯片設(shè)置在腔體中并且包括具有前和后相對表面的基板、形成在前表面處的多個光電檢測器、和形成在前表面處、電耦合到光電檢測器的多個接觸焊盤?；褰M件包括:基板，所述基板具有相對的頂和底表面并且對至少一個范圍的光波長是光學(xué)透明的；和形成在底表面上的多個導(dǎo)電跡線?；灞辉O(shè)置在腔體上并且被結(jié)合到晶體裝卸器和傳感器芯片使得接觸焊盤中的每一個電連接到導(dǎo)電跡線中的至少一個，并且所述導(dǎo)電跡線中的每一個電連接到導(dǎo)電元件中的至少一個。本發(fā)明的另一方面是封裝傳感器芯片的方法，所述傳感器芯片包括具有前和后相對表面的基板、形成在前表面處的多個光電檢測器、和形成在前表面處、電稱合到光電檢測器的多個接觸焊盤。所述方法包括:提供具有相對的第一和第二表面的晶體裝卸器；將腔體形成到第一表面中；形成均通過所述晶體裝卸器從第一表面延伸到第二表面的多個導(dǎo)電元件；提供具有相對的頂和底表面的基板，其中基板對至少一個范圍的光波長是光學(xué)透明的；在底表面上形成多個導(dǎo)電跡線；將傳感器芯片插入腔體中；將基板結(jié)合到晶體裝卸器和傳感器芯片使得基板被設(shè)置在腔體上，并且接觸焊盤中的每一個被電連接到所述導(dǎo)電跡線中的至少一個并且導(dǎo)電跡線中的每一個被電連接到導(dǎo)電元件中的至少一個。在本發(fā)明的另一方面中，形成多個圖像傳感器封裝的方法包括:提供具有相對的第一和第二表面的晶體裝卸器；將多個腔體形成到第一表面中；形成均通過所述晶體裝卸器從第一表面延伸到第二表面的多個導(dǎo)電兀件；提供具有相對的頂和底表面的基板，其中基板對至少一個范圍的光波長是光學(xué)透明的；在底表面上形成多個導(dǎo)電跡線；提供多個傳感器芯片(其中傳感器芯片中的每一個包括具有前和后相對表面的基板、形成在前表面處的多個光電檢測器、和形成在前表面處、電耦合到光電檢測器的多個接觸焊盤)；將傳感器芯片插入腔體中；將基板結(jié)合到晶體裝卸器和傳感器芯片使得基板被設(shè)置在腔體上，并且接觸焊盤中的每一個被電連接到所述導(dǎo)電跡線中的至少一個并且導(dǎo)電跡線中的每一個被電連接到導(dǎo)電元件中的至少一個；以及切割晶體裝卸器和基板以形成分開的封裝，所述分開的封裝均包括腔體中的一個和傳感器芯片中的一個。通過閱讀說明書、權(quán)利要求和附圖本發(fā)明的其它目的和特征將變得明顯。


圖1A-1E是依次示出形成裝卸器組件的步驟的截面?zhèn)纫晥D。圖2A-2C是依次示出形成透明基板組件的步驟的截面?zhèn)纫晥D。圖3A-3D是依次示出單體化圖像傳感器芯片的步驟的截面?zhèn)纫晥D。圖4是示出裝卸器組件、透明基板組件和圖像傳感器芯片的集成的截面?zhèn)纫晥D。圖5是示出被集成的裝卸器組件、透明基板組件和圖像傳感器芯片的截面?zhèn)纫晥D。圖6A是單體化前被集成的裝卸器組件、透明基板組件和圖像傳感器芯片的截面?zhèn)纫晥D。圖6B是單體化后被集成的裝卸器組件、透明基板組件和圖像傳感器芯片的截面?zhèn)纫晥D。圖7是被集成的裝卸器組件、透明基板組件和圖像傳感器芯片的替換實施例的截面?zhèn)纫晥D，其中所述透明基板組件包括在它的頂表面整體形成的透鏡。
具體實施例方式本發(fā)明是微電子器件、尤其是圖像傳感器的封裝。本發(fā)明采用其部件的模塊化來增加產(chǎn)率、降低成本并且改善合格率。對于封裝設(shè)計存在三個主要部件，其利用晶片級技術(shù)形成:
1.具有預(yù)先形成的電路的裝卸器組件2；
2.具有預(yù)先形成的電路的光學(xué)透明基板組件4；
3.被單體化的圖像傳感器芯片6。每個部件分開制作、分開保存并且分開測試。僅已知好的部件允許用于封裝的集成。裝卸器組件2的形成在圖1A-1E中示出，并且從晶體裝卸器10開始，所述晶體裝卸器10分別包括頂和底表面12和14，如圖1A中所示。通孔16被形成得在頂和底表面12和14之間延伸?？梢酝ㄟ^利用激光、通過等離子體刻蝕工藝、通過噴砂工藝、通過機(jī)械研磨工藝、或通過任何其它類似的方法來形成通孔16。優(yōu)選地，通過光刻等離子體刻蝕來形成通孔16，所述光刻等離子體刻蝕包括在裝卸器10上形成光致抗蝕劑層、圖案化光致抗蝕劑層以暴露裝卸器10的選擇部分、并且然后執(zhí)行等離子體刻蝕工藝(例如BOSCH工藝，其利用SF6和C4F8氣體的組合)來除去裝卸器10的暴露部分以形成通孔16。然后在通孔16的側(cè)壁和裝卸器10的表面12/14上沉積隔離(介電)層18。介電層18可以是氧化硅、氮化硅、環(huán)氧基、聚酰亞胺、樹脂、FR4、或任何其它適合的介電材料。優(yōu)選地，介電層18是至少0.1Mffl厚，并且利用任何常規(guī)的介電層沉積技術(shù)(其是本領(lǐng)域中眾所周知的)形成。所得到的結(jié)構(gòu)在圖1B中示出。導(dǎo)電材料(例如Cu，Ti/Cu, Ti/Al, Cr/Cu, Cr/Al和/或任何其它眾所周知的導(dǎo)電材料)被形成在介電層18上，利用導(dǎo)電材料填充通孔16或者給通孔16加襯里。然后使用光刻步驟來除去在頂和底表面12/14的一部分上的導(dǎo)電材料的部分，留下導(dǎo)電元件或跡線20，所述導(dǎo)電元件或跡線20通過通孔16延伸并且終止于在頂和底表面12/14處的導(dǎo)電焊盤22。所得到的結(jié)構(gòu)在圖1C中示出。隨后腔體24被形成到裝卸器10的頂表面12中?？梢酝ㄟ^利用激光、通過等離子體刻蝕工藝、通過噴砂工藝、通過機(jī)械研磨工藝、或通過任何其它類似的方法來形成腔體
24。優(yōu)選地，通過執(zhí)行光刻等離子體刻蝕工藝形成腔體24，所述光刻等離子體刻蝕工藝除去頂表面12上的介電層18的選擇部分、以及裝卸器12的暴露部分。所述等離子體刻蝕可以是各向異性的、錐形的、各向同性的、或其組合。所得到的結(jié)構(gòu)在圖1D中示出。隨后在裝卸器10上沉積隔離(介電)層26 (包括在腔體24內(nèi)的表面上)，之后是暴露導(dǎo)電焊盤22的刻蝕工藝。介電層26可以是氧化硅、氮化硅、環(huán)氧基、聚酰亞胺、樹脂、FR4、或任何其它適合的介電材料，并且可以利用任何常規(guī)的介電層沉積技術(shù)(其是本領(lǐng)域中眾所周知的)形成。SMT (表面安裝)互連28隨后形成在導(dǎo)電焊盤22上。SMT互連可以是BGA類型，并且可以利用焊料合金的絲網(wǎng)印刷工藝、或通過植球工藝、或通過電鍍工藝形成。BGA (球柵陣列)互連是通常通過焊接或部分熔融金屬球到接合焊盤上形成的、用于與對等導(dǎo)體形成物理和電接觸的圓形導(dǎo)體?？商鎿Q地，SMT互連28可以是導(dǎo)電金屬柱(例如銅)。最終的裝卸器組件2結(jié)構(gòu)在圖1E中示出。光學(xué)透明的基板組件4的形成在圖2A-2C中示出，并且從分別具有頂和底表面32和34的光學(xué)透明基板30開始，如圖2A中所示?；?0可以由多晶陶瓷(例如氧化鋁陶瓷、氮氧化招、I丐鈦礦(perovskyte )、多晶乾招石槽石等)、單晶陶瓷、非晶材料(例如無機(jī)玻璃和聚合物)、玻璃陶瓷(例如硅酸鹽基)等制成，并且對至少一個范圍的光波長是光學(xué)透明的。隔離(介電)層36沉積在底表面34上，利用圖案化光刻工藝選擇性地除去其部分。介電層36可以是氧化硅、氮化硅、環(huán)氧基、聚酰亞胺、樹脂、FR4、或任何其它適合的介電材料。優(yōu)選地，介電層由順應(yīng)材料形成，以防止由透明基板30 (例如 3到7 xlO —6 K —O和將形成在介電層36 (例如 10到20 xlO — 6 K —O上的電路的CTE的差引起的應(yīng)力。介電層36優(yōu)選是至少20 Mffl厚，并且利用常規(guī)的介電層沉積技術(shù)(其是本領(lǐng)域中眾所周知的)形成，之后是光刻工藝。所得到的結(jié)構(gòu)在圖2Β中示出。然后在底表面34上(并且在介電層36上)形成導(dǎo)電層。該導(dǎo)電層可以是Cu，Ti/Cu, Cu/Au, Ti/Cu/Au, Al/Ni/Cu和/或任何其它眾所周知的導(dǎo)電材料。然后執(zhí)行光刻步驟以選擇性地除去導(dǎo)電層的部分，留下設(shè)置在介電層36上的導(dǎo)電材料的多個分立跡線38。然后通過在底表面34上(并且在跡線38上)形成導(dǎo)電材料來在跡線38上形成導(dǎo)電接觸焊盤40/41，之后是光刻步驟。最后所得到的光學(xué)透明的基板組件4的結(jié)構(gòu)在圖2C中示出。單體化的圖像傳感器芯片6的形成在圖3A-3D中示出，并且從具有前表面43的晶片42開始，在所述前表面43上已經(jīng)形成了多個傳感器44。每個傳感器包括多個光電檢測器46 (和支持電路)、以及接觸焊盤48。光電檢測器46 (和支持電路)和接觸焊盤48被形成在晶片42的面向上的(前)表面處，如圖3A中所示。接觸焊盤48被電連接到光電檢測器46 (和/或它們的支持電路)，用于提供片外信號發(fā)送。每個光電檢測器46將光能轉(zhuǎn)換成電壓信號?？梢园ǜ郊与娐穪矸糯箅妷骸⒑?或?qū)⑺D(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。濾色器和/或微透鏡50可以安裝在光電檢測器46上。這種類型的傳感器在本領(lǐng)域中是眾所周知的，在此不再進(jìn)一步描述。切割帶52安裝在圖像傳感器晶片42的背面上。切割帶52可以是由PVC、聚烯烴、聚乙烯、陶瓷或晶體襯底材料制成的任何帶或載體，利用粘合劑將管芯固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。切割?2通常在多種厚度(例如從25到1000 Mm)以及多種粘合強(qiáng)度可用，其是針對各種芯片尺寸和材料設(shè)計的。隨后執(zhí)行淺劃片線區(qū)域(劃道)的部分切割(預(yù)切割)。部分切割包括切割劃片線(即溝、溝道、槽、縫等)到晶片42的前表面43中?？梢岳们懈钿?、激光器或刻蝕工藝來完成該切割步驟。優(yōu)選地，利用具有25到50 Mm寬的切割刀刃的切割鋸?fù)瓿汕懈畈襟E，其中劃片線的深度延伸不超過晶片42的厚度的30%。所得到的結(jié)構(gòu)在圖3B中示出。然后臨時(犧牲)保護(hù)層56被安裝到晶片42的正面上，并且從晶片42的背面除去切割帶52，如圖3C中所示。臨時保護(hù)層56可以由PVC、聚烯烴、聚乙烯、陶瓷或晶體襯底材料制成，在除去切割帶后利用粘合劑將管芯固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。然后，?yōu)選使用晶片研磨和/或硅刻蝕工藝，從背面減薄晶片42直到已經(jīng)完成管芯分離(即傳感器44被分開使得每一個在它自己的管芯上)為止。然后除去保護(hù)層56，留下最后的圖像傳感器芯片6，如圖3D中所示。然后一個一個單獨(dú)地測試傳感器44，使得僅已知良好的傳感器芯片6被封裝?？商鎿Q地，可以在傳感器芯片6從保護(hù)層56被除去之前測試傳感器44，其中僅已知良好的傳感器芯片6從保護(hù)層56被除去并且被放在托盤中用于將來的組裝。分開形成的裝卸器組件2、透明組件基板4、和圖像傳感器芯片6然后如圖4中所示地被集成在一起，由此傳感器芯片6被設(shè)置在腔體24中。特別地，圖像傳感器芯片6被結(jié)合到透明基板組件4使得圖像傳感器芯片6的接觸焊盤48與透明基板組件4的導(dǎo)電焊盤40電接觸。透明基板組件4被結(jié)合到裝卸器組件2使得透明基板組件4的導(dǎo)電焊盤41與裝卸器組件2的導(dǎo)電焊盤22電接觸?？梢允紫葓?zhí)行圖像傳感器芯片6到光學(xué)透明的基板組件4的結(jié)合，之后是那些結(jié)合的部件到裝卸器組件2的結(jié)合。可替換地，圖像傳感器芯片6可以被組裝到裝卸器2的腔體24里面，之后是透明基板組件4的附著。結(jié)合可以包括導(dǎo)電焊盤40/41和對應(yīng)的導(dǎo)電焊盤22或?qū)?yīng)的接觸焊盤48之間的導(dǎo)電膠、或任何其它眾所周知的金屬到金屬的接合技術(shù)?？梢栽谇惑w24的底表面和晶片42的后表面之間采用可選的粘合劑層。最后組裝的結(jié)構(gòu)在圖5中示出。優(yōu)選地，多個裝卸器組件2形成在單個晶體裝卸器10上，并且多個透明基板組件4形成在單個透明基板30上。上述集成因此可以在裝卸器10和基板30被單體化成單獨(dú)的裝卸器組件2和透明基板組件4之前執(zhí)行、或者在之后執(zhí)行。如果在單體化之前執(zhí)行集成，則預(yù)單體化結(jié)構(gòu)在圖6A中示出，并且單體化后的結(jié)構(gòu)在圖6B中示出。圖5的被組裝的封裝結(jié)構(gòu)的透明基板組件4和裝卸器組件2為傳感器芯片6提供保護(hù)，并且提供扇出陣列電連接。在運(yùn)行過程中，傳感器44通過透明基板30接收入射光。通過對應(yīng)的導(dǎo)電焊盤40、對應(yīng)的導(dǎo)電跡線38、對應(yīng)的導(dǎo)電焊盤41、對應(yīng)的導(dǎo)電跡線20、以及最后通過對應(yīng)的表面安裝28，由圖像傳感器芯片6上的接觸焊盤48中的每一個提供片外導(dǎo)電性。為了易于制作并且確保在集成前去掉任何有缺陷的部件(即僅已知良好的部件到達(dá)最后的集成)，所述三個主要部件(裝卸器組件2、透明基板組件4、和圖像傳感器6)中的每一個被分開制作，因此增加了產(chǎn)率和合格率,并且降低了成本。圖7示出替換實施例，其中透明基板30的頂表面32是非平面的，使得它對于進(jìn)入基板30的光充當(dāng)透鏡。透鏡基板30和傳感器44的有源表面之間的距離被固定，并且可以在組裝期間通過改變介電材料層36、導(dǎo)電跡線38和/或?qū)щ姾副P40/41的厚度來進(jìn)行優(yōu)化。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于上面描述和此處示出的(一個或多個)實施例，而是涵蓋落在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的任何和所有變型。例如，此處對于本發(fā)明的引用并不旨在限制任何權(quán)利要求或權(quán)利要求術(shù)語的范圍，而是相反僅引用可以被一個或多個權(quán)利要求覆蓋的一個或多個特征。上述的材料、工藝和數(shù)值示例僅是示例性的，且不應(yīng)認(rèn)為限制了權(quán)利要求。而且，從權(quán)利要求和說明書顯見，并不是所有方法步驟必須以示出或要求保護(hù)的確切順序執(zhí)行，而是以允許本發(fā)明的圖像傳感器封裝的適當(dāng)形成的任何順序單獨(dú)或同時執(zhí)行。單層材料可以形成為這種或類似材料的多層，且反之亦然。應(yīng)當(dāng)注意，如這里使用的術(shù)語“上方”和“上”均包括性地包括“直接位于…上”(沒有布置于其間的中間材料、元件或空間)和“間接位于…上”(有布置于其間的中間材料、元件或空間)。同樣，術(shù)語“鄰近”包括“直接鄰近”(沒有布置于其間的中間材料、元件或空間)和“間接鄰近”(有布置于其間的中間材料、元件或空間)，“安裝到”包括“直接安裝到”(沒有布置于其間的中間材料、元件或空間)和“間接安裝到”(有布置于其間的中間材料、元件或空間)，且“電耦合”包括“直接電耦合到”(其間沒有把元件電連接在一起的中間材料或元件)和“間接電耦合到”(其間有把元件電連接在一起的中間材料或元件)。例如，“在基板上方”形成元件可以包括直接在基板上形成元件，其間沒有中間材料/元件，也可以在基板上間接形成元件， 其間具有一個或多個中間材料/元件。
權(quán)利要求
1.一種圖像傳感器封裝，包括: 裝卸器組件，所述裝卸器組件包括: 具有相對的第一和第二表面的晶體裝卸器，其中所述裝卸器包括形成到第一表面中的腔體，以及 多個導(dǎo)電元件，所述多個導(dǎo)電元件均通過所述晶體裝卸器從第一表面延伸到第二表面； 設(shè)置在腔體中的傳感器芯片，其中所述傳感器芯片包括: 具有如和后相對表面的基板， 形成在前表面處的多個光電檢測器，和 形成在前表面處的多個接觸焊盤，所述多個接觸焊盤被電耦合到光電檢測器；以及 基板組件，所述基板組件包括: 具有相對的頂和底表面的基板，其中所述基板對至少一個范圍的光波長是光學(xué)透明的，和 形成在底表面上的多個導(dǎo)電跡線， 其中基板被設(shè)置在腔體上并且被結(jié)合到晶體裝卸器和傳感器芯片使得: 接觸焊盤中的每一個電連接到導(dǎo)電跡線中的至少一個,并且 所述導(dǎo)電跡線中的每一個電連 接到導(dǎo)電元件中的至少一個。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，其中對于接觸焊盤中的每一個，進(jìn)一步包括: 第一導(dǎo)電焊盤，所述第一導(dǎo)電焊盤設(shè)置在接觸焊盤和所述至少一個導(dǎo)電跡線之間并且電連接所述接觸焊盤和所述至少一個導(dǎo)電跡線。
3.如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器封裝，其中對于導(dǎo)電跡線中的每一個，進(jìn)一步包括: 第二導(dǎo)電焊盤，所述第二導(dǎo)電焊盤設(shè)置在導(dǎo)電跡線和所述至少一個導(dǎo)電元件之間并且電連接所述導(dǎo)電跡線和所述至少一個導(dǎo)電元件。
4.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，進(jìn)一步包括: 多個表面安裝互連，所述多個表面安裝互連均設(shè)置在晶體裝卸器的第二表面上，并且均電連接到導(dǎo)電元件中的一個。
5.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，其中所述傳感器芯片進(jìn)一步包括: 安裝在光電檢測器上的多個濾色器和微透鏡。
6.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，其中設(shè)置在光電檢測器上的基板頂表面的一部分是非平面的。
7.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，其中所述多個導(dǎo)電跡線通過順應(yīng)介電材料與基板絕緣。
8.一種封裝傳感器芯片的方法，所述傳感器芯片包括具有前和后相對表面的基板、形成在前表面處的多個光電檢測器、和形成在前表面處的多個接觸焊盤，所述多個接觸焊盤被電耦合到光電檢測器，所述方法包括: 提供具有相對的第一和第二表面的晶體裝卸器； 將腔體形成到第一表面中； 形成均通過所述晶體裝卸器從第一表面延伸到第二表面的多個導(dǎo)電元件； 提供具有相對的頂和底表面的基板，其中所述基板對至少一個范圍的光波長是光學(xué)透明的； 在底表面上形成多個導(dǎo)電跡線； 將傳感器芯片插入腔體中； 將基板結(jié)合到晶體裝卸器和傳感器芯片使得: 基板被設(shè)置在腔體上， 接觸焊盤中的每一個被電連接到所述導(dǎo)電跡線中的至少一個，并且 導(dǎo)電跡線中的每一個被電連接到導(dǎo)電元件中的至少一個。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在將傳感器芯片插入腔體中之前并且在將基板結(jié)合到晶體裝卸器之前執(zhí)行基板到傳感器芯片的結(jié)合。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在將基板結(jié)合到晶體裝卸器和傳感器芯片之前將傳感器芯片插入腔體中。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括: 形成多個表面安裝互連，所述多個表面安裝互連均設(shè)置在晶體裝卸器的第二表面上，并且均電連接到導(dǎo)電元件中的一個。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中設(shè)置在光電檢測器上的基板頂表面的一部分是非平面的。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括: 在底表面上形成順應(yīng)介電材料，其中所述多個導(dǎo)電跡線通過所述順應(yīng)介電材料與基板絕緣。
14.一種形成多個圖像傳感器封裝的方法，所述方法包括: 提供具有相對的第一和第二表面的晶體裝卸器； 將多個腔體形成到第一表面中； 形成均通過所述晶體裝卸器從第一表面延伸到第二表面的多個導(dǎo)電元件； 提供具有相對的頂和底表面的基板，其中所述基板對至少一個范圍的光波長是光學(xué)透明的； 在底表面上形成多個導(dǎo)電跡線； 提供多個傳感器芯片，其中傳感器芯片中的每一個包括: 具有如和后相對表面的基板， 形成在前表面處的多個光電檢測器，以及 形成在前表面處的多個接觸焊盤，所述多個接觸焊盤電耦合到光電檢測器； 將傳感器芯片插入腔體中； 將基板結(jié)合到晶體裝卸器和傳感器芯片使得: 基板被設(shè)置在腔體上， 接觸焊盤中的每一個被電連接到所述導(dǎo)電跡線中的至少一個，并且導(dǎo)電跡線中的每一個被電連接到導(dǎo)電元件中的至少一個；以及切割晶體裝卸器和基板以形成分開的封裝，所述分開的封裝均包括所述腔體中的一個和所述傳感器芯片中的一個。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中在將傳感器芯片插入腔體中之前并且在將基板結(jié)合到晶體裝卸器之前執(zhí)行基板到傳感器芯片的結(jié)合。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中在將基板結(jié)合到晶體裝卸器和傳感器芯片之前執(zhí)行將傳感器芯片插入腔體中。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括: 形成多個表面安裝互連，所述多個表面安裝互連均設(shè)置在晶體裝卸器的第二表面上，并且均電連接到導(dǎo)電元件中的一個。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中設(shè)置在傳感器芯片上的基板頂表面的部分是非平面的。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括: 在底表面上形成順應(yīng)介電材料，其中所述多個導(dǎo)電跡線通過所述順應(yīng)介電材料與基板 絕緣。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于CMOS圖像傳感器的內(nèi)插板封裝及其制造方法。一種圖像傳感器封裝及其制造方法，所述圖像傳感器封裝包括具有通過其延伸的導(dǎo)電元件的晶體裝卸器、設(shè)置在裝卸器的腔體中的圖像傳感器芯片、以及設(shè)置在腔體上并且被結(jié)合到裝卸器和圖像傳感器芯片的透明基板。所述透明基板包括導(dǎo)電跡線，所述導(dǎo)電跡線將傳感器芯片的接觸焊盤電連接到裝卸器的導(dǎo)電元件，以便通過基板的導(dǎo)電跡線和裝卸器的導(dǎo)電元件提供片外信號發(fā)送。
文檔編號H01L27/146GK103137632SQ20121001209
公開日2013年6月5日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月21日
發(fā)明者V.奧加涅相 申請人:奧普蒂茲公司