本發(fā)明涉及成像陣列中使用的像素。更具體地說，本發(fā)明涉及具有可適于在可包括醫(yī)療診斷、無損檢測等的可見和X射線圖像傳感應(yīng)用中使用的較高電荷容量和較高填充因數(shù)的共面像素。發(fā)明背景由多個(gè)傳感器像素100組成的成像陣列在成像技術(shù)中眾所周知。傳感器像素100通常包括切換元件210(諸如薄膜晶體管(TFT))和光電轉(zhuǎn)換元件220(諸如光二極管)。圖1示出傳感器像素100的示意性等效像素電路。光電轉(zhuǎn)換元件220或光傳感器對入射輻射敏感且可以產(chǎn)生許多電荷載子，其中電荷載子的數(shù)量取決于輻射劑量。在由多個(gè)像素組成的成像陣列中，通常在讀出之前跨傳感器的內(nèi)部電容暫時(shí)存儲光產(chǎn)生的載子。額外像素上存儲電容器230可以添加至每個(gè)像素以增加像素的電荷容量Qpix。切換元件210的任務(wù)是維持像素內(nèi)的信號并隨后啟用信號的讀出。關(guān)注的信號通常由保持于像素的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)240處的電荷載子的改變表示，此改變通常表現(xiàn)為浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)240的電勢改變。除了裝置元件210、220、230之外，信號線也對傳感器像素和成像陣列的功能性至關(guān)重要。切換元件210受控于規(guī)定信號電荷釋放過程的時(shí)間和持續(xù)時(shí)間的掃描線250。數(shù)據(jù)線260為釋放的電荷載子提供至讀出電子器件的路徑。偏壓線270為光電轉(zhuǎn)換元件220提供適當(dāng)?shù)钠珘弘妷憾鄠€(gè)傳感器像素可以矩陣樣式平鋪以形成成像陣列。圖2示出可以用于一般輻射探測裝置的3×3像素成像陣列的示意性等效圖。偏壓線270可以在每列中的像素之間共享且連接至傳感器偏壓電路。接地線340可以在平行于掃描線250的每行中的像素之間共享。像素上存儲電容器230的下電極330(未在圖2中標(biāo)記)連接至提供共同接地參考電勢的接地線340。數(shù)據(jù)線260在每列中的像素之間共享且連接至讀出電子器件。掃描線250在每行中的像素之間共享且連接至驅(qū)動(dòng)電子器件。驅(qū)動(dòng)電路在掃描線250上提供適當(dāng)?shù)男盘栆酝ǔ０错樞?、通常一次一行地將存儲于像?00的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)240上的信號釋放至數(shù)據(jù)線260。像素上存儲電容器230的并入解決大多數(shù)信號電荷跨光電轉(zhuǎn)換元件220的內(nèi)部電容存儲的情況下的相關(guān)技術(shù)像素的若干問題。舉例而言，像素上存儲電容器230的添加幫助增加像素電荷容量Qpix。像素的電荷容量規(guī)定在讀出之前可存儲于像素中的光產(chǎn)生的信號電荷的最大量。Qpix可近似為Qpix＝Cpix×Vmax，其中Cpix是光電轉(zhuǎn)換元件220的內(nèi)部電容(下文中指示為Cpd)與像素上存儲電容器230的電容(下文中指示為Cst)之和，且Vmax是像素的正常操作下允許的最大電勢改變。對于像素上存儲電容器230并不存在的情況下的相關(guān)技術(shù)像素，Cpix的量值由Cpd控制。當(dāng)Vmax保持恒定時(shí)，像素上存儲電容器230的添加增加Cpix的量值，使得Qpix增加。增加像素電荷容量可以解決受到高暴露的成像區(qū)域中的限幅問題。美國專利第7,524,711號公開了一種制造用于在間接X射線傳感器中使用的TFT陣列底板的像素上存儲電容器230的方法。圖3A至圖6A圖示TFT陣列底板300的不同制造階段下的像素的自頂向下圖。圖3B至圖6B圖示對應(yīng)于圖3A至圖6A的像素的截面圖。截面圖的切面線A-A’示出于自頂向下圖說明中。應(yīng)注意，圖6A和圖6B中所示的傳感器像素TFT底板結(jié)構(gòu)300并不構(gòu)成圖1中所示的整個(gè)傳感器像素100；其僅僅示出美國專利第7,524,711號中公開的切換元件210和像素上存儲電容器230的制造步驟。像素TFT底板300的制造方法開始于襯底310之上第一金屬層的沉積。接著使用光刻方法圖案化第一金屬層以產(chǎn)生柵極線250、用于TFT210的柵極電極320、像素上存儲電容器230的下電極330和連接每個(gè)傳感器像素100中的下電極330的接地線340。圖3A和圖3B分別圖示第一光刻步驟之后的像素TFT底板300的俯視圖和截面圖。接下來，第一絕緣層410沉積于襯底、柵極線250、柵極電極320、下電極330和接地線340上。依序形成半導(dǎo)體層420和摻雜層430(為了清楚起見，未示出于圖4A中)以覆蓋襯底310且在絕緣層410上。接下來，執(zhí)行光刻以圖案化半導(dǎo)體層和摻雜層來界定柵極電極320上面的島狀物區(qū)域。圖4A和圖4B分別圖示所得結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。之后，第二金屬層被沉積以覆蓋包括島狀物區(qū)域和絕緣層410的襯底；光刻被執(zhí)行以圖案化第二金屬層來形成數(shù)據(jù)線260、上電極510、與上電極510連接的第二電極520、與數(shù)據(jù)線260連接的第三電極530。因此，還移除島狀物區(qū)域的部分來形成間隙。圖5A和圖5B分別圖示所得結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。上電極510、下電極330和介于兩個(gè)電極之間的絕緣層410的部分構(gòu)成像素上存儲電容器230。柵極電極320、第二電極520、第三電極530、島狀物和介于島狀物與柵極電極320之間的絕緣層410的部分構(gòu)成TFT切換元件210。隨后，鈍化層620被沉積而覆蓋包括第二金屬層和島狀物間隙開口的襯底。為了實(shí)現(xiàn)像素上存儲電容器230與光電轉(zhuǎn)換元件220之間的連接，使用另一光刻步驟移除鈍化層620的區(qū)域。這個(gè)孔隙區(qū)域610使上電極510的一部分暴露。圖6A和圖6B分別圖示所得結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。上文描述的像素上存儲電容器230實(shí)施以及美國專利第5,319,206號和美國專利第6,806,472號公開的那些像素上存儲電容器實(shí)施要求獨(dú)立于光電轉(zhuǎn)換元件220對不連接至光電轉(zhuǎn)換元件220的電極加偏壓。施加至每個(gè)像素的這些端子的電壓通常為由圖1中所示的像素示意圖指示的接地參考電勢或共同電勢。結(jié)果，實(shí)施例要求額外布線線路(諸如圖3A至圖6A所示的接地線340)來連接每個(gè)像素中的下電極330。因?yàn)檩^大布線線路計(jì)數(shù)可能減少圖像傳感器的制造產(chǎn)量，所以通常期望減少每個(gè)像素中的布線線路數(shù)量。先前描述的像素上存儲電容器230實(shí)施例還限制由存儲電容器允許的最大面積。參考圖6A，像素上存儲電容器230的上電極510與數(shù)據(jù)線260和TFT的第三電極530同時(shí)沉積。因此，上電極不能跨越超過由其它電極占據(jù)的區(qū)域，否則導(dǎo)致電極之間的短路。結(jié)果，每個(gè)像素中的上電極510的最大面積限于并非由數(shù)據(jù)線260和TFT占據(jù)的面積。類似陳述對像素上存儲電容器230的下電極和掃描線250同樣適用。鑒于絕緣層410的厚度和建造材料未改變，Cst隨著電極面積成比例調(diào)整。因此，當(dāng)在像素內(nèi)盡可能大得制作上電極510和下電極330兩者的面積時(shí)，Cst最大化。請注意，上電極510或下電極330的面積必需小于p2，其中p是像素間距。在不必修改其它像素度量(諸如Cpd)下，這還對最大值Qpix作出上限。發(fā)明概要因此，本申請的一個(gè)方面是全部或部分解決相關(guān)技術(shù)中的至少前述和其它缺點(diǎn)。本申請的另一個(gè)方面是全部或部分提供至少本文描述的優(yōu)點(diǎn)。本申請的另一方面是提供改善像素電荷容量的方法和/或設(shè)備，所述改善可以與射線照相傳感器陣列的制造并行完成且可以防止或減少與不同類型的切換裝置構(gòu)造/類型和/或不同光電轉(zhuǎn)換裝置構(gòu)造/類型的額外掩膜或工藝步驟關(guān)聯(lián)的額外成本。本申請的另一方面是提供在無需減少或犧牲像素填充因數(shù)下增加像素上存儲電容器的方法和/或構(gòu)件。本申請的又一方面是提供在不需要額外布線線路的情況下實(shí)現(xiàn)像素上存儲電容器的并入；因此，改善制造可靠性和/或產(chǎn)量的方法和/或設(shè)備。本申請的另一方面還是提供將像素上存儲電容器的面積增加到超過像素間距或尺寸的限制的方法和/或設(shè)備，這可在沒有相對于像素或傳感陣列(即，不具有像素上存儲電容器)制造工序的額外制造步驟下完成。本發(fā)明的另一方面是提供偏壓線，其被構(gòu)造來連接至像素的至少一側(cè)、至少兩側(cè)、至少三側(cè)或至少每側(cè)上的相鄰像素。在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，像素可以包括：掃描線，其在襯底的第一表面附近；偏壓線，其在所述襯底的所述第一表面與光電轉(zhuǎn)換元件的第一端子之間；切換元件，其在所述襯底的所述第一表面附近且與所述掃描線的至少一部分對準(zhǔn)，其包括第一端子；第二端子；和柵極電極，其電耦接至所述掃描線，其中基于來自所述掃描線的掃描信號電耦接所述第一端子和第二端子；光電轉(zhuǎn)換元件，其在所述襯底的所述第一表面附近，其包括所述第一端子，所述第一端子電耦接至所述偏壓線；和第二端子，所述第二端子電耦接至所述切換元件的所述第一端子；和信號存儲元件，其在所述襯底的所述第一表面附近，其包括：第一端子，所述第一端子電耦接至所述偏壓線；和第二端子，所述第二端子電耦接至所述切換元件的所述第一端子且與所述光電轉(zhuǎn)換元件的至少一部分對準(zhǔn)；和介電層，所述介電層在所述第一端子和所述第二端子附近。在一個(gè)實(shí)施方案中，一種形成包括間接成像像素陣列的數(shù)字射線照相探測器的方法，所述方法可以包括：為所述間接成像像素陣列提供襯底；在所述襯底的第一表面附近的第一金屬層中形成掃描線、偏壓線和切換元件的控制電極；在所述掃描線、所述切換元件的所述控制電極和所述偏壓線之上形成第一絕緣介電層；在所述控制電極的至少一部分之上形成島狀物區(qū)域，所述島狀物區(qū)域包括半導(dǎo)體層；在所述襯底的所述第一表面附近的第二金屬層中形成所述切換元件的第二端子、連接至所述切換元件的所述第二端子的數(shù)據(jù)線、所述切換元件的第一端子和連接至所述切換元件的所述第一端子的光電轉(zhuǎn)換裝置的第二端子，其中基于來自所述掃描線的掃描信號電耦接所述切換元件的所述第一端子和所述第二端子；在所述切換元件的所述第一端子、所述數(shù)據(jù)線和所述切換元件的所述第二端子之上形成第二絕緣介電層，其中所述光電轉(zhuǎn)換裝置的所述第二端子暴露于所述第二絕緣介電層中；在第三金屬層中形成所述光電轉(zhuǎn)換元件的所述第二端子之上的光電轉(zhuǎn)換層堆疊和所述光電轉(zhuǎn)換層堆疊之上的所述光電轉(zhuǎn)換元件的第一端子；且將所述光電轉(zhuǎn)換元件的所述第一端子電連接至所述偏壓線，其中通過電連接步驟所述形成掃描線形成所述襯底的所述第一表面附近的信號存儲元件，所述信號存儲元件包括第一端子，其電耦接至所述偏壓線；第二端子，其電耦接至所述切換元件的所述第一端子；和介電層，其在所述信號存儲元件的所述第一端子和所述第二端子附近。這些對象只借助于說明性實(shí)例給出且這樣的對象可以是本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案的示例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到或了解通過公開的本發(fā)明固有地實(shí)現(xiàn)的其它期望的目的和優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明由權(quán)利要求書定義。附圖簡述因?yàn)閰⒖歼B同附圖考慮時(shí)的示例性實(shí)施方案的以下詳細(xì)描述能更好地理解實(shí)施方案的不同特征，所以可以更充分地理解實(shí)施方案的不同特征。圖1是示出用于在已知成像陣列中利用的傳感器像素的示意性等效電路的圖；圖2是示出用于已知一般輻射探測裝置的3×3像素成像陣列構(gòu)造的圖；圖3A至圖6A是圖示根據(jù)傳統(tǒng)制造工藝的像素底板的自頂向下圖的圖；圖3B至圖6B是分別圖示根據(jù)圖3A至圖6A中所示的傳統(tǒng)制造工藝的像素底板的截面圖的圖；圖7是示出用于根據(jù)本教導(dǎo)的示例性傳感器像素實(shí)施方案的示意性等效電路的圖；圖8是示出根據(jù)本教導(dǎo)的示例性3×3像素成像陣列實(shí)施方案的圖；圖9A至圖16A是圖示根據(jù)本教導(dǎo)的制造工藝的不同制造階段下的示例性像素實(shí)施方案的自頂向下圖的圖；圖9B至圖16B是圖示對應(yīng)于圖9A至圖16A的像素的各自截面圖的圖；圖17是圖示根據(jù)本教導(dǎo)的用于切換元件的示例性活性島狀物實(shí)施方案的替代放置的圖；圖18A是圖示根據(jù)本教導(dǎo)的替代示例性像素實(shí)施方案的中間結(jié)構(gòu)的自頂向下圖的圖；圖18B是圖示對應(yīng)于圖18A的像素的截面圖的圖；圖19A至圖24A是圖示根據(jù)本教導(dǎo)的制造工藝的不同制造階段下的另一個(gè)示例性像素實(shí)施方案的自頂向下圖的圖；圖19B至圖24B是圖示對應(yīng)于圖19A至圖24A的像素的各自截面圖的圖；圖25A至圖28A是圖示根據(jù)本教導(dǎo)的制造工藝的不同制造階段下的又一示例性像素實(shí)施方案的自頂向下圖的圖；圖25B至圖28B是圖示對應(yīng)于圖25A至圖28A的像素的各自截面圖的圖；圖29A至圖36A是圖示根據(jù)本教導(dǎo)的制造工藝的不同制造階段下的又一示例性像素實(shí)施方案的自頂向下圖的圖；圖29B至圖36B是圖示對應(yīng)于圖29A至圖36A的像素的各自截面圖的圖；圖37是圖示根據(jù)本教導(dǎo)的替代示例性像素實(shí)施方案的中間結(jié)構(gòu)的自頂向下圖的圖；和圖38是圖示示出一個(gè)示例性偏壓線布線方案的呈陣列矩陣方式的根據(jù)圖37的3×3不完整像素的平鋪的圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考本申請的示例性實(shí)施方案，其實(shí)例圖示于附圖中。在任何可行的情況下，將遍及圖使用相同參考數(shù)字以指稱相同或相似部分。為了簡單和說明的目的，主要通過參考本教導(dǎo)的示例性實(shí)施方案描述本教導(dǎo)的原理。但是，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將易于認(rèn)識到相同原理可等效地適用于所有類型的安全分布式環(huán)境且可以實(shí)施于所有類型的安全分布式環(huán)境中并且任何這樣的變化并不脫離于本申請的真正精神和范疇。而且，在以下詳細(xì)描述中，參考圖示特定實(shí)施方案的附圖?？梢栽诓幻撾x于本教導(dǎo)的精神和范疇下對這樣的示例性實(shí)施方案進(jìn)行電、機(jī)械、邏輯及結(jié)構(gòu)改變。因此，以下詳細(xì)描述并不視為限制意義且本發(fā)明的范疇由權(quán)利要求書和其等效物所定義。雖然本發(fā)明的廣泛范疇提出的本發(fā)明的數(shù)字范圍和參數(shù)設(shè)置是近似值，但是盡可能精確地報(bào)告特定實(shí)例中提出的數(shù)值。但是，任何數(shù)值固有地包含必然由其各自測試測量中發(fā)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)差導(dǎo)致的某些誤差。而且，將理解本文公開的所有范圍涵蓋歸入本文中的任何和所有子范圍。例如，“小于10”的范圍可以包括最小值-2(包括)與最大值10(包括)之間的任何和所有子范圍，即，具有等于或大于-2的最小值和等于或小于10(例如，1至5)的最大值的任何和所有子范圍。如本文所使用的，間距被定義為給定元件的長度或重復(fù)的間隔。例如，本文使用像素間距來描述像素陣列中的每個(gè)像素之間的重復(fù)距離。成像元件或像素可以包括至少一個(gè)晶體管/切換元件和至少一個(gè)光電二極管/光電轉(zhuǎn)換元件。光電轉(zhuǎn)換元件將來自電磁光譜的至少一部分的電磁輻射(包括伽馬射線至紅外線輻射)轉(zhuǎn)換為電荷。填充因數(shù)是對入射光子敏感的像素面積的百分比。同樣，可以電耦接個(gè)別像素以形成成像陣列。本文使用的術(shù)語重疊被定義為由兩個(gè)元件覆蓋的共同空間。參考討論的制造工藝，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解包括任何類型的堆疊的電裝置的不同層可以各被沉積以形成圖案(例如，由掩膜(例如，先前形成的特征、光刻、其組合等等的掩膜)界定的圖案)、被沉積為非圖案化層(接著被蝕刻(例如，通過掩膜))或其組合。以不同組合使用這些步驟以形成最終期望的結(jié)構(gòu)。因此，為了討論的目的，期望當(dāng)討論像素制造時(shí)，(所結(jié)合的)“以形成”的術(shù)語的使用旨在包括技術(shù)中所知的不同沉積/蝕刻/掩蔽技術(shù)。如本文所使用的金屬和金屬層組合物的實(shí)例可以包括(例如)Al、Cr、Cu、Mo、Nd、Ti、W等等、具有這些元素的部分組合物的金屬合金(例如，MoW、AlNd等等)、其堆疊等等。金屬層的其它實(shí)例可以包括光學(xué)透明導(dǎo)電材料(諸如ITO和IZO)。圖7示出用于根據(jù)本教導(dǎo)的示例性傳感器像素實(shí)施方案的示意性等效像素電路。如圖7中所示，傳感器像素700可以包括切換元件110、光電轉(zhuǎn)換元件120和像素上存儲電容器130。在像素操作的光子收集階段期間，光電轉(zhuǎn)換元件120基于入射光子的數(shù)量產(chǎn)生電荷載子。電荷載子朝著光電轉(zhuǎn)換元件120的端子掃掠。偏壓線170可以為光電轉(zhuǎn)換元件120提供適當(dāng)?shù)钠珘弘妱荨Ｇ袚Q元件110可以置于將光產(chǎn)生的載子保持于浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140附近的高阻抗?fàn)顟B(tài)中。掃描線150可以用于控制切換元件110的狀態(tài)。例如，切換元件可以置于在確立掃描線150時(shí)，允許保持于浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140的電荷載子流動(dòng)至數(shù)據(jù)線160上的低阻抗?fàn)顟B(tài)中。像素上存儲電容器130可以并行耦接至光電轉(zhuǎn)換元件120，其中存儲電容器130的一個(gè)端子可以電連接至浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140且另一個(gè)端子可以電連接至偏壓線170。如圖7中所示，傳感器像素700是方形；但是，根據(jù)本教導(dǎo)的實(shí)施方案并非旨在受限制。因此，示例性像素700可以是圓形、矩形等等且可以可重復(fù)的樣式形成。多個(gè)傳感器像素700可以矩陣樣式平鋪以形成成像陣列。圖8示出根據(jù)本教導(dǎo)的3×3像素成像陣列的示意性等效圖。偏壓線170可以在每列中的像素之間共享且連接至傳感器偏壓電路。請注意，因?yàn)橥ǔＴ诖蠹s相同電壓下對傳感器像素700中的光電轉(zhuǎn)換元件120加偏壓，所以偏壓線170還可以取決于像素布局限制而在每行中的像素之間共享或在像素之任何組合之間共享。數(shù)據(jù)線160可以在每列中的像素之間共享且連接至讀出電子器件。掃描線150可以在每行中的像素之間共享且連接至驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路在掃描線150上提供適當(dāng)?shù)男盘栆砸淮我恍械貙⒋鎯τ谙袼?00的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140上的信號釋放至數(shù)據(jù)線160。例如，可以從單行按順序釋放存儲于像素700的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140上的信號。像素上存儲電容器130的第二端子可以電連接至浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140。像素上存儲電容器的第一端子可以電連接至偏壓線170。與圖2相比較，圖8并不要求用于像素上存儲電容器130的額外接地線340布線。圖9A至圖16A圖示根據(jù)本教導(dǎo)的第一示例性實(shí)施方案的不同制造階段下的代表性像素700的自頂向下圖；圖9B至圖16B圖示分別對應(yīng)于圖9A至圖16A的像素700的截面圖。截面圖的切面線B-B’示出于對應(yīng)的自頂向下圖說明中。應(yīng)注意，根據(jù)本申請的實(shí)施方案，討論的每個(gè)層可以分別直接或間接地形成于先前形成的層上、之上或附近。例如，絕緣層可以包括多于一個(gè)絕緣體且金屬層可以包括多于一個(gè)金屬。此外，其它層(未示出)可以形成于并未直接討論的圖中所示的層之間，但是在半導(dǎo)體處理中眾所周知。第一實(shí)施方案中討論的像素700參考作為切換元件110的后通道蝕刻(BCE)氫化非晶硅(a-Si:H)TFT和作為光電轉(zhuǎn)換元件120的a-Si:Hn-i-p光二極管。但是，光電轉(zhuǎn)換元件120可以是由無機(jī)、有機(jī)半導(dǎo)體材料等等制造的MIS光傳感器、垂直p-n結(jié)光二極管、橫向p-n結(jié)光二極管、光導(dǎo)體、光晶體管中的任何一個(gè)或組合。類似地，切換元件110可以是MOS薄膜晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、全空乏SOI晶體管、部分空乏SOI晶體管、SiOG晶體管、塊狀MOS晶體管、雙極晶體管等等中的任何一個(gè)或組合。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到的，對于采用光電轉(zhuǎn)換元件120的間接X射線探測器，X射線轉(zhuǎn)換屏(諸如CsI或Gd2O2S:Tb)可以定位于光傳感器附近。同樣，對于直接X射線探測器，可以采用X射線敏感型光傳感器(諸如光導(dǎo)體)。X射線敏感型光導(dǎo)體的材料的實(shí)例可以包括非晶硒(a-Se)、CdTe等等。在圖9A和圖9B中，掃描線150、偏壓線170、柵極電極920和像素上存儲電容器130的第一電極930可以形成于襯底910的第一表面之上或附近。掃描線150和偏壓線170的區(qū)域可以形成于相同金屬層中。如果掃描線150和偏壓線170的部分形成于相同金屬層中，那么如圖9A中所示，掃描線150可以大致上平行于偏壓線170的一部分。當(dāng)掃描線150和偏壓線170不在相同金屬層中時(shí)，還可以存在這個(gè)平行構(gòu)造。或者，除了圖9A中所示的構(gòu)造(例如，相同金屬層中的形成)之外，掃描線150可以取而代之大致上橫向于形成于不同金屬層中時(shí)的偏壓線170的一部分。進(jìn)一步來說，在一些實(shí)施方案中，偏壓線170還可以具有平行且橫向于掃描線的部分。此外，偏壓線170的部分和第一電極930可以在襯底910的第一表面與光電轉(zhuǎn)換元件120的第一端子(未在圖9A和圖9B中示出)之間。在圖10A和圖10B中，柵極絕緣層1010(例如，TFT)示出為形成于包括掃描線150、偏壓線170、柵極電極920、像素上存儲電容器的第一電極930的襯底910的整個(gè)表面之上或附近(例如，以覆蓋掃描線150、偏壓線170、柵極電極920、像素上存儲電容器的第一電極930和襯底910的任何暴露的表面)。柵極絕緣層1010可以是技術(shù)中所知的單個(gè)或堆疊的非化學(xué)計(jì)量氮化硅(a-SiNx:H)或其它類型的絕緣層(例如，氧化物等等)。TFT活性層(例如，活性島狀物1020)和摻雜接觸層(例如，摻雜接觸層島狀物1030)可以(例如)通過本征和摻雜a-Si:H的等離子增強(qiáng)化學(xué)沉積(PECVD)在柵極絕緣層1010的形成之后形成于襯底910的整個(gè)表面之上或附近。可以通過圖案化活性層形成TFT活性島狀物1020且通過圖案化摻雜接觸層(例如，通過干法蝕刻的圖案化等等)形成摻雜接觸層島狀物1030。在圖10A中，為了清楚起見，省略摻雜接觸層島狀物1030?？梢圆煌貓?zhí)行這些層的沉積和圖案化。例如，可以通過在圖案化以形成活性島狀物之前連續(xù)地形成層來形成圖10B中所示的柵極絕緣體1010、活性島狀物1020和摻雜接觸層島狀物1030?；蛘撸钚詬u狀物1020和摻雜接觸層島狀物1030的形成可以在圖案化柵極絕緣層1010之后(未示出)。或者，隨著連續(xù)形成柵極絕緣層1010、活性層和摻雜接觸層，可以在活性島狀物的形成之后執(zhí)行柵極絕緣層1010的圖案化。如圖10A中所見，作為切換元件110的a-Si:HTFT(未完整示出)可以形成于襯底910的表面之上，其中a-Si:HTFT的活性區(qū)域在柵極電極920之上或附近?；蛘?，在一些實(shí)施方案中，a-Si:HTFT的活性區(qū)域還可以在掃描線150之上或附近且與掃描線150對準(zhǔn)。一個(gè)示例性替代構(gòu)造示出于圖17中。如圖17中所示的掃描線150的部分可以在活性層(例如，活性島狀物1020)與襯底910的表面之間且被認(rèn)作TFT柵極電極920。由于掃描線150和作為切換元件110的TFT的第二和第三端子(未示出)的寬度，所以圖17中所示的像素700的重疊公差從傳統(tǒng)TFT陣列底板300減少。例如，因?yàn)閽呙杈€向左或向右移位(圖17中)并不影響與活性層的柵極電極對準(zhǔn)，所以可以減少至少一個(gè)方向上(例如，平行于掃描線)的公差?；蛘?，作為切換元件110的a-Si:HTFT(未示出)所覆蓋的掃描線150的部分可以被調(diào)整大小以實(shí)現(xiàn)所期望的通道長度。圖11A和圖11B圖示切換元件110的兩個(gè)端子的示例性形成。如圖11A和圖11B中所示，端子1120可以連接至光電轉(zhuǎn)換元件120(未示出)，且端子1110可以連接至數(shù)據(jù)線160?？梢砸瞥齼蓚€(gè)TFT端子之間的摻雜接觸島狀物1030的區(qū)域且還可以移除活性島狀物1020的部分。數(shù)據(jù)線160還可以形成于這個(gè)金屬層(例如，第二金屬層)中且在圖11A中示出為大致上垂直于掃描線150?；蛘?，數(shù)據(jù)線160可以形成于頂部金屬層(未示出)中，而非如所示的TFT端子金屬層中。像素上存儲電容器的第二電極1130還可以形成于這個(gè)層中。如圖7中所示，因?yàn)殡娺B接TFT的第三電極1120、像素上存儲電容器的第二電極1130和光二極管的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810(未示出)而形成浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140，所以在一些實(shí)施方案中，像素上存儲電容器的第二電極1130可以用作作為光電轉(zhuǎn)換元件120的光二極管的金屬電極。進(jìn)一步來說，可以同時(shí)形成且電連接TFT的第三電極1120和像素上存儲電容器的第二電極1130(例如，如圖11A和圖11B中所示)。像素上存儲電容器的第一電極930、像素上存儲電容器的第二電極1130和介于兩個(gè)電極之間的柵極絕緣層1010可以形成像素上存儲電容器130，其中一個(gè)端子連接至偏壓線170，而另一個(gè)端子連接至傳感器像素700的光電轉(zhuǎn)換元件120(未示出)。柵極電極920、TFT的第二電極1110、TFT的第三電極1120和活性島狀物可以形成作為傳感器像素700的切換元件110的a-Si:HTFT。此處應(yīng)注意，可以通過改變像素上存儲電容器130的電極(例如，930、1130)的面積、柵極絕緣層1010的厚度、形成柵極絕緣層1010的特定層、柵極絕緣層1010的材料屬性的任何組合來實(shí)現(xiàn)期望的Cst。圖12A和圖12B圖示TFT鈍化層的示例性形成(例如，在如圖所示的先前形成的特征的整個(gè)表面上)。鈍化層1210可被圖案化以使像素上存儲電容器的第二電極1130的一部分暴露。對于像素上存儲電容器的第二電極1130還用作光傳感器/光電轉(zhuǎn)換元件120的電極的情況，浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)通孔窗1220可以視情況被制作得較大，大約與像素上存儲電容器的第二電極1130相同大小。這樣的例示性實(shí)施方案示出于圖12A和圖12B中。在像素上存儲電容器的第二電極1130并不用作光電轉(zhuǎn)換元件120的電極的情況下，浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)通孔窗1220可以視情況在不影響像素上存儲電容器的第二電極1130與作為光電轉(zhuǎn)換元件120的光二極管的電極之間的連接性的情況下被制作得較小(例如，＜像素上存儲電容器的第二電極1130的1/2大小、＜第二電極1130的1/4大小、盡可能小)。圖18A和圖18B分別圖示可以電連接至像素上存儲電容器的第二電極1130的光二極管浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極的形成之后的示例性結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。如圖18A和圖18B中所示，浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)通孔窗1220被制作得較小。圖13A和圖13B圖示a-Si:Hn-i-p光二極管堆疊1310的示例性形成。光二極管堆疊可以包括n型摻雜a-Si:H層1320(下文中稱作n層)、較厚本征a-Si:H層1330(下文中稱作i層)和p型摻雜a-Si:H層1340(下文中稱作p層)?？梢园错樞?例如，以連續(xù)的方式)沉積三層，之后用干法蝕刻工藝來界定光二極管堆疊1310區(qū)域。此處應(yīng)注意，還可以按相反順序形成光二極管堆疊1310，其中通常以連續(xù)的方式形成p層1340，接著形成i層1330，然后形成n層1320。接著所得結(jié)構(gòu)將稱作p-i-n光二極管。這樣的差異在技術(shù)中眾所周知且兩個(gè)構(gòu)造經(jīng)常表示為PIN光二極管。如圖13A和圖13B中所示，光二極管堆疊1310區(qū)域可以大約與像素上存儲電容器1130的第二電極同延。圖14A和圖14B圖示光二極管偏壓電極1410的示例性形成。在大部分入射光子首先撞擊光二極管偏壓電極的情況下，通常使用透明導(dǎo)電氧化物(TCO)(諸如ITO)將電極制作得光學(xué)透明(例如，部分透明)。此處應(yīng)注意，還可以不同順序完成光二極管堆疊1310和光二極管偏壓電極1410的形成。在這樣的情況下，按順序沉積光二極管堆疊1310和光二極管偏壓電極1410的層；但是，在光二極管堆疊1310的圖案化之前圖案化光二極管偏壓電極1410。這樣的示例性順序都將產(chǎn)生圖14A和圖14B中所示的結(jié)構(gòu)。圖15A和圖15B作為光電轉(zhuǎn)換元件120的光二極管鈍化層的示例性形成。這樣的鈍化層1510可以形成于像素700的先前形成特征的表面之上。還如圖15A和圖15B中所示，可以形成偏壓線通孔窗1520(例如，干法蝕刻等等)。應(yīng)注意，如果數(shù)據(jù)線160在光二極管鈍化層之后形成的金屬層中布線(未示出)，那么額外通孔窗(未示出)可以被蝕刻以將TFT的第二電極1110連接至數(shù)據(jù)線160。圖16A和圖16B圖示填充包括偏壓線通孔窗1520的先前通孔開口的另一個(gè)金屬層(例如，第三金屬層)的示例性形成。該金屬層可以被圖案化以形成偏壓線170的一部分。應(yīng)注意，被形成來連接圖9A中所示的像素上存儲電容器的第一電極930的偏壓線170部分可以電連接至如圖16A和圖16B中圖示般形成于傳感器偏壓電路(例如，如圖8中所示)外部或通過單個(gè)或多個(gè)布線通孔形成于傳感器陣列的鄰近周邊的偏壓線170部分。單個(gè)或多個(gè)金屬層可存在于偏壓線170部分的連接通孔之間。像素700處理可以繼續(xù)進(jìn)行額外沉積和蝕刻，例如，技術(shù)中眾所周知的鈍化、平面化、抗反射涂層、形成周邊連接等等。應(yīng)注意，可以在上文討論的工藝期間或像素的形成之后形成周邊連接。此外，同樣由所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員理解的是，無機(jī)或有機(jī)介電質(zhì)的額外層可以被沉積和圖案化以用來封裝且改善形成的成像陣列的光學(xué)性能。為了成像陣列墊接合的目的，可以沉積和圖案化額外的導(dǎo)體層。如傳感器像素700的示例性實(shí)施方案中所描述，通過像素上存儲電容器130的添加增加像素電荷容量?？梢耘cBCEa-Si:HTFT工藝或BCPa-Si:HTFT工藝并行形成像素上存儲電容器130；因此，在制造像素700的傳感器陣列時(shí)，無需要求任何額外處理步驟。因此，這樣的示例性實(shí)施方案可以提供在無需與額外掩膜或光刻步驟關(guān)聯(lián)的額外成本下增加像素電荷容量的方法和/或可以確保額外處理步驟不會(huì)引起損失或產(chǎn)量減少。還應(yīng)注意，因?yàn)橄袼厣洗鎯﹄娙萜?30可以置于作為光電轉(zhuǎn)換元件120的光二極管下面，所以像素的填充因數(shù)不受影響。此外，本教導(dǎo)可以降低或去除對用于像素上存儲電容器130的額外接地布線線路的需求。如圖16A和圖16B的第一像素實(shí)施方案中所示，偏壓線170可以視情況在多個(gè)金屬層中布線，兩者可以改善制造可靠性或產(chǎn)量。第二示例性實(shí)施方案描述傳感器像素700的替代例(例如，制造工藝)。這些描述連同說明一起強(qiáng)調(diào)制造工藝的若干差異，所述差異的一些已在第一實(shí)施方案中描述。工藝的這些差異示出本教導(dǎo)并不僅僅適用于一個(gè)特定制造工藝(例如，實(shí)施方案)，而是許多制造工藝(例如，若干實(shí)施方案)，所有制造工藝獲益于本申請的方面。參考圖9A至圖16B描述的第一實(shí)施方案包括像素上存儲電容器130與作為切換元件110的BCEa-Si:HTFT并行的制造。在這個(gè)第二實(shí)施方案中，像素上存儲電容器130可以與作為切換元件110的后通道鈍化(BCP)a-Si:HTFT并行制造。在這個(gè)第二實(shí)施方案中，可以形成額外金屬層以用作光二極管浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810。至少這區(qū)別于像素上存儲電容器的第二電極1130可以操作為光二極管的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810的情況下的第一實(shí)施方案中描述的制造工藝。進(jìn)一步來說，參考圖18A和圖18B描述這樣的差異，其中傳感器像素700使用BCEa-Si:H來作為切換元件110。此外，第一示例性實(shí)施方案描述a-Si:Hn-i-p光二極管堆疊1310和光二極管偏壓電極1410的兩個(gè)不同制造工藝順序。在這個(gè)第二示例性實(shí)施方案中，在俯視圖和截面圖說明的幫助下描述替代的a-Si:Hn-i-p光二極管制造工藝順序。圖19A至圖24A圖示根據(jù)本教導(dǎo)的不同制造階段下的代表性像素700的第二示例性實(shí)施方案的自頂向下圖；圖19B至圖24B圖示分別對應(yīng)于圖19A至24A的像素700的截面圖。截面圖的切面線B-B’示出于對應(yīng)的自頂向下圖說明中。在圖19A和圖19B中，掃描線150、偏壓線170、柵極電極920和像素上存儲電容器130的第一電極930可形成于襯底910的第一表面之上或附近。柵極絕緣層1010、活性層1020’和后通道鈍化層1910可以形成于包括掃描線150、偏壓線170、柵極電極920和像素上存儲電容器130的第一電極930的襯底910的整個(gè)表面之上或附近(例如，以覆蓋掃描線150、偏壓線170、柵極電極920、像素上存儲電容器130的第一電極930和襯底910的任何暴露的表面)。后通道鈍化層1910可以是技術(shù)中所知的單個(gè)或堆疊的非化學(xué)計(jì)量氮化硅(a-SiNx:H)或其它類型的絕緣層(例如，氧化物等等)。當(dāng)蝕刻摻雜的a-Si:H接觸層島狀物1030(未示出)時(shí)，后道通鈍化層1910還可以用作阻擋層。通?？梢酝ㄟ^PECVD連續(xù)地按順序完成這些三個(gè)層的沉積。后通道鈍化層1910可以被圖案化，使得部分材料保留于作為切換元件110的a-Si:HTFT的通道區(qū)域附近(例如，與圖19A和圖19B中所示的TFT柵極電極920對準(zhǔn))。圖20A和圖20B圖示切換元件TFT110的兩個(gè)端子的示例性形成。n型摻雜a-Si:H層和金屬層可以形成于襯底910的整個(gè)表面之上或附近而覆蓋先前形成特征的部分。金屬層和n型摻雜a-Si:H層可以被圖案化以形成切換元件110的電極；一個(gè)端子1110可以連接至數(shù)據(jù)線160且另一個(gè)端子1120可以連接至像素上存儲電容器的第二電極1130。TFT電極1110、1120、數(shù)據(jù)線160和像素上存儲電容器的第二電極1130可以同時(shí)形成且如圖20A和圖20B所示般電連接。像素上存儲電容器930的第一電極、像素上存儲電容器的第二電極1130和介于兩個(gè)電極930、1130之間的層(例如，包括柵極絕緣層1010、a-Si:H活性層1020、n型摻雜a-Si:H層1130)的部分可以形成像素上存儲電容器130。像素上存儲電容器130的一個(gè)端子可以連接至偏壓線170，而另一個(gè)端子可以連接至傳感器像素700的光電轉(zhuǎn)換元件120(未示出)。圖20B中所示的像素上存儲電容器130包含夾于電極之間的不同材料的多個(gè)層。如圖20B中所示，柵極電極920、TFT的第二電極1110、TFT的第三電極1120和附近的其它層材料(包括柵極絕緣層1010、a-Si:H活性層1020、n型摻雜a-Si:H層1130)形成傳感器像素700的a-Si:HTFT切換元件110。圖21A和圖21B圖示鈍化層1210的例示性形成(例如，如所示的先前形成特征的整個(gè)表面之上)。鈍化層1210可以被圖案化以使像素上存儲電容器的第二電極1130的一部分暴露。因?yàn)橄袼厣洗鎯﹄娙萜鞯牡诙姌O1130并非直接用作光電轉(zhuǎn)換元件120的電極，所以浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)通孔窗1220可以被制作得較小，但更適宜不影響像素上存儲電容器的第二電極1130與光二極管的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810(未示出)之間的連接性。圖22A和圖22B圖示光二極管的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810的示例性形成。金屬層可以形成于襯底910的整個(gè)表面之上或附近(例如，覆蓋先前形成特征的部分)。接著，金屬層可以被圖案化成大約與像素上存儲電容器的第二電極1130(例如，光二極管堆疊1310(未示出))相同的面積。像素上存儲電容器的第二電極1130可以連接至光二極管通孔窗1220的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)1810。如圖22B中所示，可以電連接兩個(gè)電極和TFT的第三電極1120而形成浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140。圖23A和圖23B圖示光二極管偏壓電極1410的示例性形成。與第一實(shí)施方案中描述的工藝不同，n層、i層、p層和偏壓電極1410層可以連續(xù)形成于襯底910的整個(gè)表面之上或附近(例如，覆蓋先前形成特征的部分)。偏壓電極1410層可以被制作得稍微光學(xué)透明且可以被圖案化以形成作為光電轉(zhuǎn)換元件120的光二極管的偏壓電極。圖24A和圖24B圖示利用光二極管堆疊1310的圖案化和鈍化的光二極管的示例性形成(例如，完成)。圖24A和圖24B還示出通過通孔窗1520電連接至光二極管的偏壓電極1410時(shí)，跨越像素的偏壓線170示例性布線。在第一和第二示例性實(shí)施方案中，示例性偏壓線的部分可以在兩個(gè)金屬層(例如，與作為如圖9A、圖9B、圖19A、圖19B中所示的柵極電極920的TFT同時(shí)制造的一個(gè)底部金屬層和示出為通過如圖16A、圖16B、圖24A、圖24B中所示的通孔窗電連接光二極管偏壓電極1410的另一上金屬層)中布線。這例示性的兩個(gè)偏壓線170部分可以電連接于如圖8中所示的傳感器偏壓電路外部或通過單個(gè)或多個(gè)布線通孔電連接于傳感器陣列的鄰近周邊。上文描述的偏壓線連接構(gòu)造的替代例電連接頂部光二極管偏壓電極1410與光二極管堆疊1310之前在每個(gè)傳感器像素700中個(gè)別形成的偏壓線170的部分。因?yàn)橄袼厣洗鎯﹄娙萜鞯牡谝浑姌O930可以與偏壓線170的部分同時(shí)形成且電連接至偏壓線170的部分(如圖9A和圖9B中所示)，所以可以通過經(jīng)由頂部金屬層(諸如圖16A和圖16B中所示的用于對偏壓線170的另一部分布線的頂部金屬層)電連接光二極管偏壓電極1410與像素上存儲電容器的第一電極930來完成每個(gè)傳感器像素700中發(fā)生的布線至偏壓線170的光二極管偏壓電極1410。圖25A至圖28A圖示根據(jù)本教導(dǎo)的不同制造階段下的代表性像素2500的第三示例性實(shí)施方案的自頂向下圖；圖25B至圖28B圖示分別對應(yīng)于圖25A至圖28A的像素2500的截面圖。截面圖的切面線C-C’示出于對應(yīng)的自頂向下圖說明中。像素2500可以用于圖7至圖8中所示的示例性示意性電路和示例性成像陣列。圖25A和圖25B中呈現(xiàn)的示例性結(jié)構(gòu)分別對應(yīng)于圖11A和圖11B中所示的工藝。如圖25A和圖25B中所示，像素上存儲電容器的第二電極1130可以與a-Si:HTFT的第三電極1120同時(shí)形成。此處應(yīng)注意，與第一示例性實(shí)施方案中的圖11A相比較，可以移除電極1120的一部分；且這個(gè)區(qū)域(例如，移除部分)可以稍后用于在每個(gè)像素中個(gè)別執(zhí)行偏壓電極至偏壓線布線。圖26A和圖26B圖示鈍化層1210的示例性形成(例如，在如圖所示的先前形成特征的整個(gè)表面上)?？梢砸瞥g化層1210的一部分以使第二電極1130的一部分暴露?？紫堕_口可以用于將像素上存儲電容器的第二電極1130連接至作為光電轉(zhuǎn)換元件120的光二極管(未示出)。圖26A和圖26B中添加所示的結(jié)構(gòu)可以對應(yīng)于結(jié)合圖示圖12A和圖12B的第一實(shí)施方案中描述的所得結(jié)構(gòu)。圖27A和圖27B圖示光二極管堆疊1310和光二極管偏壓電極1410的示例性形成。光二極管偏壓電極1410可以形成于圖案化光二極管堆疊1310之前或之后。圖27A和圖27B中添加所示的結(jié)構(gòu)可以對應(yīng)于圖13A至圖14A和圖13B至圖14B所示的第一實(shí)施方案中描述的所得結(jié)構(gòu)。光二極管鈍化層1510可以形成于像素2500的先前形成特征的表面之上。這個(gè)鈍化層1510可以被圖案化以在像素2500上形成兩個(gè)通孔窗，一個(gè)使光二極管偏壓電極1410的部分暴露且另一個(gè)使像素上存儲電容器的第一電極930的一部分暴露?？梢孕纬山饘賹觼砀采w先前形成的通孔窗。在圖案化金屬層以形成連接金屬2810之后，每個(gè)像素中的光二極管偏壓電極經(jīng)由如圖28A和圖28B所示的連接金屬2810電連接至對應(yīng)的偏壓線170。如圖16A中所示的覆蓋透明偏壓電極1410的偏壓線170的部分可阻礙入射光子能力到達(dá)光二極管堆疊(例如，光電轉(zhuǎn)換裝置120)。圖28A和圖28B中所示的實(shí)施方案只使用頂部金屬(例如，連接金屬2810)的一小部分來用于至偏壓線170的偏壓電極1410連接且因此可以增加像素填充因數(shù)。因此，由于在相同量的光子通量下，更多光子可以到達(dá)光電轉(zhuǎn)換元件120，所以可以導(dǎo)致更有效的像素2500。如圖25B中所示，額外移除部分在相鄰于切換元件110但并非切換元件110的部分的電極930的邊緣，但是，根據(jù)本教導(dǎo)的實(shí)施方案并非旨在受如此限制。例如，額外移除部分可以位于電極930的中心或內(nèi)部部分或沿著電極930的外周圍(例如，與掃描線相對的側(cè))處以減少要形成的邊緣數(shù)量。所得連接金屬2810的這樣的位置更適宜不影響像素2500的填充因數(shù)(例如，偏壓電極1410之上的連接金屬2810區(qū)域)。如傳感器像素2500的示例性實(shí)施方案中所描述的，可以通過像素上存儲電容器130的添加增加像素電荷容量。如第三像素實(shí)施方案中所示，還可以在無需制造像素/傳感器陣列時(shí)所需的任何額外處理步驟的情況下增加由像素的額外像素上存儲電容器130和/或FF提供的電荷容量的增加。增加的FF可以改善探測器的效率和/或增加所得信噪比(SNR)。上文描述的示例性實(shí)施方案可將可用于像素上存儲電容器的電極的所選或最大面積限于不大于p2，其中p是像素700(例如，方形像素)的間距。因?yàn)閷τ陔娙萜鞯钠叫须姌O構(gòu)造，電容可以通過εoεrA/t估計(jì)，其中εo是自由空間的介電常數(shù)，εr是夾于電極之間的介電材料的相對介電常數(shù)，t是夾入介電材料的厚度且A是電極的面積，所以可以理解此限制。對于給定工藝，εr和t并不容易改變；因此，經(jīng)常改變A以實(shí)現(xiàn)期望的電容。如本文描述的一些示例性實(shí)施方案中所示，當(dāng)存儲電容器的第一電極930與柵極電極920和掃描線150同時(shí)形成時(shí)，像素面積p2的一部分由柵極電極920和掃描線150占據(jù)且不可以用作像素上存儲電容器電極的面積的部分(例如，在不使用額外處理步驟和/或額外處理材料/層的情況下)。如本文描述的一些示例性實(shí)施方案中所示，當(dāng)像素上存儲電容器的第二電極1130與切換元件110的其它電極和數(shù)據(jù)線160同時(shí)形成時(shí)，像素層內(nèi)的可用面積被限于小于像素面積p2。在上文描述的一些示例性像素實(shí)施方案中，在無導(dǎo)致額外工藝步驟和難題的額外層的情況下像素上存儲電容器130的電極面積A不可以大于p2。代表性像素的第四示例性實(shí)施方案可以提供根據(jù)本教導(dǎo)的用于制作高電荷容量像素構(gòu)造的又一高電荷容量像素構(gòu)造/方法。根據(jù)第四示例性實(shí)施方案的像素構(gòu)造與其它變體一起可以有效地使像素上電荷存儲元件(例如，電容器)的電極面積A增加至超過像素尺寸或像素面積p2。同時(shí)，根據(jù)本教導(dǎo)的代表性像素/方法的第四示例性實(shí)施方案并不需要已知會(huì)影響制造成本和產(chǎn)量的額外處理步驟。伴隨像素填充因數(shù)的可能增加的額外處理步驟的缺少(例如，相對于不具有像素上電荷存儲元件的像素)可導(dǎo)致提供高電荷容量和/或高效率的像素實(shí)施方案。圖29A至圖36A圖示根據(jù)本教導(dǎo)的不同制造階段下的代表性像素2900的第四示例性實(shí)施方案的自頂向下圖；圖29B至圖36B圖示對應(yīng)于圖29A至圖36A的像素2900的截面圖。截面圖的切面線D-D’示出于自頂向下圖示中。應(yīng)注意，根據(jù)本教導(dǎo)，討論的每個(gè)層可以分別直接或間接形成于先前形成的層上、之上或附近。例如，絕緣層可以包括多于一個(gè)絕緣體且金屬層可以包括多于一個(gè)金屬。此外，其它層(未示出)可以形成于圖中所示的并未直接討論但是在半導(dǎo)體處理中眾所周知的層之間。像素2900可以用于圖7至圖8中所示的示例性示意性電路和示例性成像陣列。代表性像素的第四示例性實(shí)施方案中描述的像素2900又可使用作為切換元件110的BCEa-Si:HTFT和作為光電轉(zhuǎn)換元件120的a-Si:Hn-i-p光二極管。但是，光電轉(zhuǎn)換元件120可以是光電光傳感器或X射線敏感型光傳感器中的任何一個(gè)或組合。因此，對于使用采用光電轉(zhuǎn)換元件120的間接X射線探測器的示例性數(shù)字射線照相成像系統(tǒng)，X射線轉(zhuǎn)換屏可以定位于光傳感器附近且對于直接X射線探測器，可以使用X射線敏感型光傳感器(諸如光導(dǎo)體)。在圖29A和圖29B中，掃描線150、偏壓線170、柵極電極920和像素上存儲電容器130的第一電極930可以形成于襯底910的第一表面之上或附近。掃描線150和偏壓線170的區(qū)域可以形成于相同金屬層中。當(dāng)掃描線150和偏壓線170的部分形成于相同金屬層中時(shí)，那么如圖29A中所示，掃描線150可以大致上平行于偏壓線170的一部分。進(jìn)一步來說，當(dāng)掃描線150和偏壓線170不在相同金屬層中時(shí)，還可以存在平行構(gòu)造?；蛘?，除了圖29A中所示的構(gòu)造(例如，相同金屬層中的形成)之外，掃描線150可以取而代之大致上橫向于形成于不同金屬層中時(shí)的偏壓線170的一部分。在一些實(shí)施方案中，，偏壓線170還可以具有如圖29A中所描述般既平行且橫向的部分。此外，偏壓線170的(若干)部分和第一電極930可以在襯底910的第一表面與光電轉(zhuǎn)換元件120的第一端子(未示出于圖29A和圖29B中)之間。如圖30A和圖30B中所示，TFT的柵極絕緣層1010可以形成于包括掃描線150、偏壓線170、柵極電極920和像素上存儲電容器的第一電極930的襯底910的整個(gè)表面之上或附近(例如，以覆蓋掃描線150、偏壓線170、柵極電極920、像素上存儲電容器的第一電極930和襯底910的任何暴露的表面)。柵極絕緣層1010可以是技術(shù)中所知的單個(gè)或堆疊的非化學(xué)計(jì)量氮化硅(a-SiNx:H)或其它類型的絕緣層(例如，氧化物等等)。TFT活性層和摻雜接觸層可以在柵極絕緣層1010的形成之后形成于襯底910的整個(gè)表面之上或附近(例如，本征和摻雜a-Si:H的PECVD)。可以通過圖案化活性層形成TFT活性島狀物1020且通過圖案化摻雜接觸層(例如，通過干法蝕刻的圖案化等等)形成摻雜接觸層島狀物1030。在圖30A中，為了清楚起見，省略摻雜接觸層島狀物1030?？梢圆煌貓?zhí)行這些層的沉積和圖案化。例如，可以在圖案化之前連續(xù)地形成圖30B中所示的柵極絕緣體1010、活性層島狀物1020和摻雜接觸層島狀物1030以形成活性島狀物。如圖30A中所見，作為切換元件110的a-Si:HTFT(未完整示出)可以形成于襯底910的表面之上，其中a-Si:HTFT的活性區(qū)域在柵極電極920之上或附近?；蛘?，在一些實(shí)施方案中，a-Si:HTFT的活性區(qū)域還可以在掃描線150之上或附近且與掃描線150對準(zhǔn)。根據(jù)本文描述的實(shí)施方案，切換元件110的額外替代構(gòu)造是可行的。例如，如圖17中所示的掃描線150的部分可以在活性島狀物1020與襯底910的表面之間且可以被認(rèn)作TFT柵極電極920。圖31A和圖31B圖示切換元件TFT110的兩個(gè)端子的示例性形成。如圖31A和圖31B中所示，端子1120可以連接至光電轉(zhuǎn)換元件120(未示出)，且端子1110可以連接至數(shù)據(jù)線160(未示出)?？梢砸瞥齼蓚€(gè)TFT端子之間的摻雜接觸層島狀物1030的區(qū)域且還可以移除活性島狀物1020的部分。此處應(yīng)注意，示例性先前實(shí)施方案的圖示示出數(shù)據(jù)線160可以與TFT的電極一起形成于這個(gè)層(例如，金屬層)中。如圖31A和圖31B中所示，數(shù)據(jù)線160特意示出為在光二極管堆疊1310(未示出)的形成之后形成于頂部金屬層中以證實(shí)許多替代像素構(gòu)造存在且可以根據(jù)本教導(dǎo)來實(shí)施。像素上存儲電容器的第二電極1110還可以形成于這個(gè)層中。進(jìn)一步來說，TFT的第三電極1120和像素上存儲電容器的第二電極1130可以同時(shí)形成且如圖31A和圖31B中所示般電連接。柵極電極920、TFT的第二電極1110、TFT的第三電極1120和活性島狀物可以形成作為傳感器像素2900的切換元件110的a-Si:HTFT。應(yīng)注意，如圖31A和圖31B中所示，可以移除像素上存儲電容器的第二電極1130的區(qū)域。這個(gè)孔隙開口可以提供電連接(例如，用于通孔的空間)以電連接額外金屬區(qū)域來有效地增大A。通過作為光電轉(zhuǎn)換元件120的a-Si:Hn-i-p光二極管的電極的形成，這個(gè)示例性區(qū)域的操作將顯而易見。本申請的實(shí)施方案可以使用其它連接(諸如，但不限于像素外部的連接、通孔、電極的占用面積或像素的占據(jù)面積內(nèi)的電極的邊緣或拐角處的直接連接(例如，以降低邊緣和/或絕緣層要求))來電連接額外的金屬區(qū)域。進(jìn)一步來說，可以建立多于一個(gè)連接以增加可靠性或更改電耦接的特性(例如，降低電阻)。圖32A和圖32B圖示(例如，TFT)鈍化層1210的示例性形成(例如，在如圖所示的先前形成的特征的整個(gè)表面之上)。鈍化層1210可被圖案化以使像素上存儲電容器的第一電極930的一部分暴露。重要的是，應(yīng)注意，不使第二像素上存儲電容器電極1130或TFT的電極(例如，1110和1120)的區(qū)域暴露。圖32A和圖32B示出可以通過移除柵極絕緣層和TFT鈍化層的部分形成示例性通孔窗。該通孔窗可以像偏壓線通孔窗1520般操作以將光二極管偏壓電極1410(未示出)電連接至偏壓線170。圖33A和圖33B圖示光二極管偏壓電極1410的示例性形成。金屬層可以形成于先前形成特征的整個(gè)表面之上(例如，覆蓋第二像素上存儲電容器電極1130和/或偏壓線通孔窗1502)。如圖33B中所示，圖案化金屬層1410可以電連接至像素上存儲電容器的第一電極930。結(jié)果，圖案化金屬層1410還可以用作像素上存儲電容器130的電極。因?yàn)橄袼厣洗鎯﹄娙萜鞯牡谝浑姌O930可以電連接至偏壓線170且圖案化金屬層1410可以電連接至像素上存儲電容器的第一電極930，所以圖案化金屬層1410可以有效地用作光二極管偏壓電極1410。此處值得注意的是，與先前示例性實(shí)施方案相比較，可以在光二極管堆疊1310的形成之前執(zhí)行圖33A和圖33B中的光二極管偏壓電極1410形成。同樣，在一個(gè)實(shí)施方案中，偏壓線通孔窗可以被制作得較小以允許像素上存儲電容器的第二電極1130的更多面積(且因此更高Cst)。因此，如圖33A和圖33B中所示，光二極管偏壓電極可以被制作得大約與光二極管堆疊1310(未示出)相同大小。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員易于認(rèn)識到，像素上存儲電容器的第一電極930、像素上存儲電容器的第二電極1130、光二極管偏壓電極1410和介于其間的介電層(例如，柵極絕緣層1010與鈍化層1210)可以形成像素上存儲電容器130。參考圖7中所示的像素的等效示意圖，偏壓線電連接至像素上存儲電容器的第一電極930和光二極管的偏壓電極；像素上存儲電容器的第二電極1130、TFT的第三電極1120、光二極管的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810(未示出于圖33A和圖33B中)和關(guān)聯(lián)的連接金屬被電連接且構(gòu)成浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140。此處應(yīng)注意，可以通過改變像素上存儲電容器130的電極(930、1130、1410)的面積、電極之間的介電層(1010、1210)的厚度和材料組成的任何組合實(shí)現(xiàn)期望的Cst。例如，當(dāng)光二極管偏壓電極1410被制作得大約與像素上存儲電容器的第一電極930相同大小時(shí)，電極的面積大約加倍。在電連接至偏壓線的兩個(gè)電極(930、1130)被制作得足夠大且接近于面積p2的情況下，由像素上存儲電容器130獲得的有效電極面積A加倍，接近于2×p2。因此，Cst可使用第一像素上存儲電容器電極930的相同大小從本文描述的先前示例性實(shí)施方案加倍。對于圖33A和圖33B中所示的構(gòu)造(例如，方形像素)，A大于p2或A大于1.5p2，這無法在無制造工藝改變的情況下利用先前示例性實(shí)施方案中描述的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。迄今為止描述的偏壓線170布線的示例性布線以如圖29A、圖29B中所示的第一金屬形成完成。但是，可以根據(jù)本申請的實(shí)施方案完成替代布線。例如，可以在替代金屬層(諸如圖37中所示的自頂向下圖中所示的偏壓電極層)中實(shí)現(xiàn)替代偏壓線170布線方案?？梢栽谙袼?900內(nèi)以此金屬在任意方向上完成偏壓線布線170。如圖37中所示，偏壓線可以在大致上垂直于且橫向于掃描線150的方向上布線。可添加至或替換以第一金屬形成執(zhí)行的偏壓線170布線(參見圖29A)的偏壓線170布線的這個(gè)部分可以改善偏壓線連接的制造可靠性。為了更好地圖示這個(gè)連接性的一個(gè)示例性實(shí)施方案，圖37中所示結(jié)構(gòu)的3×3平鋪示出于圖38中。即使光二極管偏壓電極1410之間的一個(gè)連接橋接物出故障(例如，在中心像素處)，還存在連接至中心像素的相同偏壓電極1410的三個(gè)其它橋接物。進(jìn)一步來說，還可以在無額外處理步驟(例如，相對于不具有像素上電荷存儲元件的像素)的情況下實(shí)施圖37和圖38中所示的示例性實(shí)施方案。圖34A和圖34B圖示a-Si:Hn-i-p光二極管堆疊1310和示例性浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810的示例性形成。光二極管堆疊可以包括n層1320、較厚的i層1330和p層1340?？梢园错樞虺练e這三層，之后采用干法蝕刻工藝來界定光二極管堆疊1310區(qū)域。還可以按相反順序形成光二極管堆疊1310的層以形成p-i-n光二極管。接著，浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810可以形成為大約對準(zhǔn)至光二極管堆疊1310。還可以按不同順序完成光二極管堆疊1310和浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810的形成。例如，可以按順序沉積光二極管堆疊1310和光二極管浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810的層；但是，在光二極管堆疊1310的圖案化之前圖案化光二極管浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810層。這兩個(gè)順序都可產(chǎn)生圖34A和圖34B中所示的相同結(jié)構(gòu)。此處還值得注意的是，相對于先前實(shí)施方案，浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810形成于光二極管堆疊1310的頂部上，而非底部上。在像素2900的操作期間，浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810比光二極管偏壓電極1410相對更接近于大部分入射光子。因此，鑒于在先前實(shí)施方案的討論中，光二極管偏壓電極1410可被制作得光學(xué)透明，在這個(gè)實(shí)施方案中，可以使用透明導(dǎo)電氧化物(TCO)(諸如ITO)將浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810制作得光學(xué)透明。圖35A和圖35B圖示光電轉(zhuǎn)換元件120的鈍化層1510的示例性形成。鈍化層1510可以形成于像素2900的先前形成特征的表面之上。如圖35A和圖35B中所示，可以形成浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)通孔窗1220(例如，干法蝕刻等等)。還如圖35A和圖35B中所示，可以形成數(shù)據(jù)線通孔窗3510(例如，干法蝕刻等等)。進(jìn)一步來說，可以同時(shí)或按順序形成浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)通孔窗1220和數(shù)據(jù)線通孔窗3510兩者。當(dāng)在光二極管鈍化層1510之后形成的金屬層中實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線布線的部分時(shí)(諸如在通孔窗3510可以在切換元件TFT1110的第二電極與數(shù)據(jù)線160之間實(shí)現(xiàn)電連接的情況下)，可以使用數(shù)據(jù)線通孔窗3510。圖36A和圖36B圖示填充包括浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)通孔窗1520和數(shù)據(jù)線通孔窗3510的先前通孔開口的另一金屬層的示例性形成。該金屬層可以被圖案化以形成數(shù)據(jù)線160的一部分。該金屬層還可以被圖案化以形成浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)連接金屬3610來電連接光二極管浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810與像素上存儲電容器的第二電極1130?？梢酝瑫r(shí)或按順序形成數(shù)據(jù)線160的部分和浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)連接金屬3610。如圖36A和圖36B中所示，像素上存儲電容器的第二電極1130、TFT的第三電極1120、光二極管的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電極1810和浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)連接金屬3610可以電連接且構(gòu)成浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)140。像素2900處理可以繼續(xù)進(jìn)行額外沉積和蝕刻，例如技術(shù)中眾所周知的鈍化、平面化、抗反射涂層、形成周邊連接等等。應(yīng)注意，可以在上文討論的工藝期間或在像素的形成之后形成周邊連接。此外，同樣由所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可理解的是，無機(jī)或有機(jī)介電質(zhì)的額外層可以被沉積并圖案化以用來封裝且改善形成的成像陣列的光學(xué)性能。為了成像陣列墊接合的目的，可以沉積并圖案化額外的導(dǎo)體層。根據(jù)示例性實(shí)施方案，可以通過像素上存儲電容器的添加增加像素電荷容量，其中像素上存儲電容器的一個(gè)或多個(gè)電極的電極面積超過像素尺寸或像素間距的限制(例如，無來自實(shí)施不具有像素上存儲電容器的傳感陣列制造的制造步驟的額外制造步驟)。例如，像素上存儲電容器的實(shí)施方案可以與TFT工藝(例如，BCE或BCP)并行形成；因此，在制造傳感器陣列時(shí)，無需要求任何額外處理步驟。因此，根據(jù)本教導(dǎo)的像素實(shí)施方案可以在無需與額外掩膜或光刻步驟關(guān)聯(lián)的額外成本和/或無額外處理步驟引起的產(chǎn)量損失下增加像素電荷容量。進(jìn)一步來說，在示例性像素實(shí)施方案中，像素上存儲電容器在光電轉(zhuǎn)換裝置(PECD)下面，且可以減少或移除PECD的頂部上的偏壓線布線來維持或增加像素的填充因數(shù)。此外，根據(jù)本教導(dǎo)的示例性像素實(shí)施方案可以降低或去除對用于像素上存儲電容器的額外接地布線線路的需求，從而可以改善制造可靠性和/或產(chǎn)量。進(jìn)一步來說，可以在與像素相對的襯底一側(cè)上或附近形成額外的材料層、金屬層、半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體裝置和/或電子裝置。在一些實(shí)施方案中，襯底可以包括所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的柔性襯底。因此，例如，像素700可以與柔性襯底一起使用。進(jìn)一步來說，具有根據(jù)本申請形成于其上的像素和/或成像裝置的實(shí)施方案的襯底可以被層壓在一起。應(yīng)注意，本教導(dǎo)并非旨在范疇上限于附圖中所示的實(shí)施方案。雖然已相對于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例圖示本發(fā)明，但是可以在不脫離于權(quán)利要求書的精神和范疇的情況下對圖示的實(shí)例進(jìn)行替代和/或修改。例如，可以在輻射成像系統(tǒng)中使用不同像素實(shí)施方案。實(shí)例輻射成像系統(tǒng)可以包括陣列中的多個(gè)不同像素實(shí)施方案、驅(qū)動(dòng)電路、讀出電路和熒光屏。還可以包括輻射源。此外，雖然已關(guān)于若干實(shí)施例的唯一一個(gè)公開本發(fā)明的特定特征，但是這樣的特征可以與如對于任何給定或特定功能為期望和有利的其它實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)其它特征組合。此外，就術(shù)語“包括”、“具有”或其變體在詳細(xì)描述或權(quán)利要求書中使用而言，這樣的術(shù)語旨在以類似于術(shù)語“包括”的方式具包括性。術(shù)語“至少一個(gè)”用于意指可以選擇一個(gè)或多個(gè)所列項(xiàng)目。進(jìn)一步來說，在本文的討論和權(quán)利要求書中，關(guān)于“一個(gè)在另一個(gè)上”的兩個(gè)材料使用的術(shù)語“上”意指材料之間的至少一些接觸，而“之上”意指材料接近，但是可能具有一個(gè)或多個(gè)額外中介材料，使得接觸是可能的，但是并不作要求。“上”或“之上”都不暗指本文使用的任何方向性。術(shù)語“共形”描述其中下層材料的角由共形材料保持的涂層材料。術(shù)語“大約”指示只要改變不會(huì)導(dǎo)致工藝或結(jié)構(gòu)與所示的實(shí)施方案不一致，可以稍微改變所列的值。同樣，“示例性”指示描述用作實(shí)例，而非暗指其為理想的。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將從考慮說明書和實(shí)踐本文公開的本發(fā)明中了解本發(fā)明的其它實(shí)施方案。