技術編號:11557739
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及成像陣列中使用的像素。更具體地說,本發(fā)明涉及具有可適于在可包括醫(yī)療診斷、無損檢測等的可見和X射線圖像傳感應用中使用的較高電荷容量和較高填充因數(shù)的共面像素。發(fā)明背景由多個傳感器像素100組成的成像陣列在成像技術中眾所周知。傳感器像素100通常包括切換元件210(諸如薄膜晶體管(TFT))和光電轉換元件220(諸如光二極管)。圖1示出傳感器像素100的示意性等效像素電路。光電轉換元件220或光傳感器對入射輻射敏感且可以產(chǎn)生許多電荷載子,其中電荷載子的數(shù)量取決于輻射劑量。在由多個像素組成的成...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。