專利名稱：導(dǎo)電性組合物和導(dǎo)電性覆膜的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電性組合物。更詳細(xì)地說，本發(fā)明涉及:含有導(dǎo)電性高分子與特定化學(xué)結(jié)構(gòu)的摻雜劑的導(dǎo)電性組合物；使用導(dǎo)電性組合物而成的固體電解電容器用電極；使用導(dǎo)電性組合物而成的固體電解電容器；以及由導(dǎo)電性組合物形成的導(dǎo)電性覆膜的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，嘗試進(jìn)行了可在低溫下在柔性基材上賦予導(dǎo)電性的導(dǎo)電性高分子化合物的開發(fā)，期待其在導(dǎo)電功能材料、發(fā)光功能材料和光電轉(zhuǎn)換功能材料等中的應(yīng)用。以往，作為提供導(dǎo)電性覆膜的導(dǎo)電性高分子，已知具有磺酸基的化合物作為摻雜劑為適宜的(例如，參照專利文獻(xiàn)I和2)。在專利文獻(xiàn)I中，提出了使用聚苯乙烯磺酸作為摻雜劑的水分散膠體狀的涂液。但是，該涂液的親水性特別高，使用該涂液制作得到的導(dǎo)電性覆膜的吸濕性高，存在下述問題:即，由于該吸濕而產(chǎn)生的強(qiáng)酸性的氫離子會(huì)腐蝕與覆膜接觸的金屬；等等。另外，由該涂液得到的導(dǎo)電覆膜的電導(dǎo)率為lOOS/cm左右，作為應(yīng)用于導(dǎo)電功能材料中所必須的電導(dǎo)率，還不能說其是充分的。另外，在專利文獻(xiàn)2中提出了使用具有磺酸基的縮聚化合物作為摻雜劑的方法，通過進(jìn)行電解氧化 聚合，得到了顯示出良好導(dǎo)電性的膜。但是，由該涂液得到的導(dǎo)電覆膜的電導(dǎo)率為lOOS/cm左右，作為應(yīng)用于導(dǎo)電功能材料中所必須的電導(dǎo)率，還不能說其是充分的。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開平7-90060號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2007-224182號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題 本發(fā)明的目的在于提供一種導(dǎo)電性組合物，其可制作腐蝕性小、且電導(dǎo)率高的導(dǎo)電性覆膜。解決課題的手段本發(fā)明涉及導(dǎo)電性組合物(A)，其特征在于，該導(dǎo)電性組合物(A)含有取代聚噻吩(P)以及三氧化硫絡(luò)合物，所述取代聚噻吩(P)中，噻吩重復(fù)單元中的至少一部分為噻吩環(huán)的3位和/或4位被選自由下述基團(tuán)組成的組中的至少一種基團(tuán)取代的噻吩重復(fù)單元(α)，所述基團(tuán)為:下述通式(1)所示的聚醚基(a)、碳原子數(shù)為1 15的烷氧基(b)、
碳原子數(shù)為2 19的烷氧基烷基(C)、以及烷基(d)，該烷基(d)是碳原子數(shù)為I 15的烷基、或者是該烷基的氫原子被上述聚醚基(a)取代而成的烷基；
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電性組合物(A)，其特征在于，該導(dǎo)電性組合物(A)含有取代聚噻吩(P)以及三氧化硫絡(luò)合物，所述取代聚噻吩(P)中，噻吩重復(fù)單元中的至少一部分為噻吩環(huán)的3位和/或4位被選自由下述基團(tuán)組成的組中的至少一種基團(tuán)取代的噻吩重復(fù)單元(α )，所述基團(tuán)為下述通式(I)所示的聚醚基(a)、碳原子數(shù)為I 15的烷氧基(b)、碳原子數(shù)為2 19的燒氧基燒基(C)、以及燒基(d),該燒基(d)是碳原子數(shù)為I 15的燒基、或者是該燒基的氫原子被上述聚醚基(a)取代而成的烷基；
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性組合物，其中，所述噻吩重復(fù)單元(α)為通式(2)所表示的重復(fù)單元(α 1)、通式(3)所表示的重復(fù)單元(α2)、或通式(4)所表示的重復(fù)單元(α3)；
3.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電性組合物，其中: 所述重復(fù)單元(α )中，通式(2)中的OR3為氧化亞乙基，在η為O的情況下，R4是碳原子數(shù)為3 12的直鏈或支鏈的烷基；在η為I以上的情況下，R4是碳原子數(shù)為I 6的直鏈或支鏈的烷基； 所述重復(fù)單元(α 2)中，通式(3)中的R5是碳原子數(shù)為I 3的直鏈或支鏈的亞烷基、OR6是氧化亞乙基，在m為O的情況下，R7是碳原子數(shù)為3 12的直鏈或支鏈的烷基；在m為I以上的情況下，R7是碳原子數(shù)為I 6的直鏈或支鏈的烷基；所述重復(fù)單元(α3)中，通式(4)中的R8是碳原子數(shù)為3 12的直鏈或支鏈的烷基。
4.如權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物，其中，所述取代聚噻吩(P)中的所述噻吩重復(fù)單元(α )的含量在取代聚噻吩(P)中為50重量％ 100重量％。
5.如權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物，其中，所述取代聚噻吩(P)中的以頭尾-頭尾鍵接的百分?jǐn)?shù)定義的立構(gòu)規(guī)整性為90%以上。
6.如權(quán)利要求1 5的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物，其中，三氧化硫絡(luò)合物為選自由三氧化硫N，N- 二甲基甲酰胺絡(luò)合物、三氧化硫吡啶絡(luò)合物和三氧化硫三乙胺絡(luò)合物組成的組中的至少一種三氧化硫絡(luò)合物。
7.如權(quán)利要求1 6的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物，其中，基于所述取代聚噻吩(P)的重量，三氧化硫絡(luò)合物的含量為5重量％ 300重量％。
8.—種固體電解電容器用電極，其中，該電極使用權(quán)利要求1 7的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物而成。
9.一種固體電解電容器，其中，該電容器使用權(quán)利要求1 7的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物而成。
10.一種導(dǎo)電性覆膜的制造方法，其中，該制造方法包括將權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物涂布至 基質(zhì)后進(jìn)行加熱處理的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種導(dǎo)電性組合物，其可制作腐蝕性小、電導(dǎo)率高的導(dǎo)電性覆膜。該組合物含有取代聚噻吩以及三氧化硫絡(luò)合物，其可用作固體電解電容器用導(dǎo)電性組合物；所述取代聚噻吩中，噻吩重復(fù)單元中的至少一部分為噻吩環(huán)的3位和/或4位被選自由下述基團(tuán)組成的組中的至少一種基團(tuán)取代的噻吩重復(fù)單元，所述基團(tuán)為聚醚基，該聚醚基具有1～9個(gè)碳原子數(shù)為2～4的氧化亞烷基重復(fù)單元，且一個(gè)末端是碳原子數(shù)為1～15的烷基；碳原子數(shù)為1～15的烷氧基；碳原子數(shù)為1～19的烷氧基烷基；以及碳原子數(shù)為1～15的烷基、或者該烷基的氫原子被所述聚醚基取代的烷基。
文檔編號(hào)H01G9/028GK103154077SQ20118005022
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2011年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月20日
發(fā)明者大高剛史, 福本浩志, 山下智史, 神田陽一 申請(qǐng)人:三洋化成工業(yè)株式會(huì)社