專(zhuān)利名稱(chēng)：用于制造由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成的層復(fù)合物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造層復(fù)合物的方法，所述層復(fù)合物具有發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層，其中層復(fù)合物尤其設(shè)置用于應(yīng)用在發(fā)射輻射的光電子器件中。本專(zhuān)利申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)102010034923. 2的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參引并入本文。
背景技術(shù)：
從參考文獻(xiàn)W097/50132中已知一種發(fā)射福射的光電子器件，其中由光電子器件的有源層發(fā)射的輻射的至少一部分借助于發(fā)光轉(zhuǎn)換層向更長(zhǎng)的波長(zhǎng)的方向進(jìn)行轉(zhuǎn)換。以該方式，例如能夠借助發(fā)射紫外光或藍(lán)光的發(fā)射輻射的有源區(qū)產(chǎn)生混色光或白光。在此，借助于發(fā)光轉(zhuǎn)換層通常將紫外光或藍(lán)光轉(zhuǎn)變成波長(zhǎng)更長(zhǎng)的光，尤其轉(zhuǎn)變成例如黃光的互補(bǔ)色光，以便以該方式產(chǎn)生白光。在借助于發(fā)光轉(zhuǎn)換產(chǎn)生白光的這種方式中，通常光電子器件的光學(xué)印象在斷開(kāi)的狀態(tài)下不是令人滿意的。這基于發(fā)光轉(zhuǎn)換層在明亮的環(huán)境中在光電子器件斷開(kāi)的狀態(tài)下也被激勵(lì)以發(fā)射黃光，但是與運(yùn)行狀態(tài)相反所述黃光沒(méi)有與發(fā)射的紫外光或藍(lán)光一起混合成白光。因此，光電子器件的表面在斷開(kāi)的狀態(tài)下在設(shè)有發(fā)光轉(zhuǎn)換層的區(qū)域中具有借助于發(fā)光轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的更長(zhǎng)波長(zhǎng)的顏色，例如黃色，所述顏色通常令觀察者感覺(jué)不快。這特別在相對(duì)大面積的、例如基于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的照明單元中是這種情況，但是在具有一個(gè)或多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的LED或LED模塊中也是這種情況。為了在發(fā)射輻射的光電子半導(dǎo)體芯片的斷開(kāi)的狀態(tài)下避免發(fā)光轉(zhuǎn)換層的黃色的色彩印象，在參考文獻(xiàn)DE102006051746A1中提出，在發(fā)光轉(zhuǎn)換層上方設(shè)置例如包含散射顆粒的光散射層。在具有由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成的這種層序列的發(fā)射輻射的光電子器件中，在接通的和/或斷開(kāi)的狀態(tài)下，所得出的色彩印象尤其與發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層的厚度以及所述層的邊界面的性質(zhì)相關(guān)。特別地，發(fā)光轉(zhuǎn)換層和/或散射層的層厚度的偏差能夠?qū)е鹿怆娮悠骷纳视∠笈c所期望的額定值偏差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提出一種用于制造具有發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層的層復(fù)合物的方法，所述方法實(shí)現(xiàn)，制造在其層厚度和尺寸方面具有高精度的層復(fù)合物的層，其中制造耗費(fèi)相對(duì)低。所述目的通過(guò)根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求1所述的用于制造具有發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案和改進(jìn)形式是從屬權(quán)利要求的主題。在用于制造具有發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層的層復(fù)合物的方法中，使用模壓方法(compression molding模壓)。應(yīng)用具有第一壓制工具和第二壓制工具的壓制設(shè)備。第一壓制工具例如是下部的壓制工具并且第二壓制工具是壓制設(shè)備的上部的壓制工具。在壓制過(guò)程中，第一壓制工具和第二壓制工具借助高壓壓合，以便將位于壓具中的尤其是聚合物的材料壓制成通過(guò)壓制工具的模具所限定的形狀。優(yōu)選第一壓制工具，特別是壓制設(shè)備的下部的壓制工具具有空腔，能夠?qū)?yōu)選液態(tài)的聚合物注入到所述空腔中。在所述方法中，將包含發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的第一聚合物注入到第一壓制工具的空腔中。有利地，能夠極其精確地通過(guò)注入到第一壓制工具的空腔中的第一聚合物的填充量來(lái)調(diào)整借助所述方法制造的發(fā)光轉(zhuǎn)換層的厚度。此外在所述方法中，將載體薄膜插入第一壓制工具和第二壓制工具之間。載體薄膜用于，在執(zhí)行所述方法之后能夠以簡(jiǎn)單的方式從壓制設(shè)備中取出層復(fù)合物。優(yōu)選將尤其溫度穩(wěn)定的薄膜、例如由聚酰亞胺(PI，Polyimid)或乙烯四氟乙烯ETFE(Ethylen-Tetrafluorethylen)制成的薄膜用作為載體薄膜。接下來(lái)合上模壓設(shè)備并且執(zhí)行第一壓制過(guò)程。第一聚合物此后在優(yōu)選仍合上的模壓設(shè)備中完全硬化成發(fā)光轉(zhuǎn)換層。接下來(lái)打開(kāi)模壓設(shè)備，其中所制造的發(fā)光轉(zhuǎn)換層粘附在載體薄膜上。具有粘附在其上的發(fā)光轉(zhuǎn)換層的載體薄膜在此時(shí)仍沒(méi)有從壓制設(shè)備中取出，而是還保留在模壓設(shè)備中。特別地，具有粘附在其上的發(fā)光轉(zhuǎn)換層的載體薄膜能夠固持在第二壓制工具上。此后，將包含散射顆粒的第二聚合物注入到第一壓制工具的空腔中。如在發(fā)光轉(zhuǎn)換層的情況下，借助所述方法制造的散射層的厚度能夠極其精確地經(jīng)由注入到第一壓制工具的空腔中的第二聚合物的填充量來(lái)調(diào)整。接下來(lái)重新合上壓制設(shè)備并且執(zhí)行第二壓制過(guò)程，在所述第二壓制過(guò)程中，第二聚合物壓緊到仍存在于壓制設(shè)備中的發(fā)光轉(zhuǎn)換層上。接下來(lái)，第二聚合物在優(yōu)選仍合上的壓制設(shè)備中完全硬化成設(shè)置在發(fā)光轉(zhuǎn)換層上的散射層。緊接下來(lái)打開(kāi)壓制設(shè)備，并且將帶有由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成的層復(fù)合物的載體薄膜取出。由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成的、粘附在載體薄膜上的層復(fù)合物接下來(lái)能夠從載體薄膜中取下，并且尤其能夠施加到發(fā)射輻射光電子半導(dǎo)體芯片上。借助用于制造由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成的層復(fù)合物的所描述的方法能夠有利地實(shí)現(xiàn)在發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層的平整度、平面平行度、層厚度和粗糙度方面高的精度。在將層復(fù)合物施加到發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片上時(shí)，有利地實(shí)現(xiàn)在白色印象、色坐標(biāo)和亮度方面良好的均勻性。特別地，所述大小在批量生產(chǎn)中是可良好復(fù)現(xiàn)的。在一個(gè)優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中，第一聚合物和第二聚合物具有相同的基本材料。在此，基本材料理解為下述材料，在發(fā)光轉(zhuǎn)換層的情況下將發(fā)光轉(zhuǎn)換材料嵌入到所述材料中，或者在散射層的情況下將散射顆粒嵌入到所述材料中。因此有利的是，發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層的基本材料除所嵌入的所述添加劑之外是相同的。這一方面具有下述優(yōu)點(diǎn)發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層彼此良好地粘附。此外，以該方式避免在發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層之間的邊界面上的反射損失。在一個(gè)優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中，發(fā)光轉(zhuǎn)換層和/或散射層的基本材料是娃樹(shù)脂。娃樹(shù)脂的特征在于高的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，特別是相對(duì)于紫外(UV)輻射的低的敏感度。在一個(gè)優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中，載體薄膜繃緊到載體框架上。借助于載體框架能夠以簡(jiǎn)單的方式將載體薄膜插入壓制設(shè)備中并且在壓制過(guò)程之后再次取出。優(yōu)選在注入第一聚合物和/或第二聚合物之前，將薄膜插入到第一壓制工具的空腔中。以該方式有利地防止空腔和注入到空腔中的材料被污染。優(yōu)選應(yīng)用下述薄膜，注入到空腔中的第一聚合物和/或第二聚合物在所述薄膜上僅具有低的粘性。以該方式實(shí)現(xiàn)，在壓制過(guò)程中，所制造的發(fā)光轉(zhuǎn)換層保持粘附在載體薄膜上，但是卻不保持粘附在空腔中的薄膜上。插入空腔中的薄膜優(yōu)選通過(guò)負(fù)壓固定在空腔中。例如空腔能夠具有抽吸口，所述抽吸口能夠連接到真空泵上。通過(guò)由負(fù)壓將薄膜固定在空腔中，所述薄膜有利地匹配空腔的輪廓。在執(zhí)行壓制過(guò)程之前，在合上壓制設(shè)備后優(yōu)選對(duì)第一壓制工具中的空腔抽真空。以該方式避免，在壓制過(guò)程中所產(chǎn)生的發(fā)光轉(zhuǎn)換層和/或散射層中出現(xiàn)能夠在光電子器件中導(dǎo)致色彩不均勻的空氣雜質(zhì)或厚度不均勻性。發(fā)光轉(zhuǎn)換層優(yōu)選具有IOiim和200 iim之間的厚度，其中包括邊界值。在第二壓制過(guò)程中制造的散射層如發(fā)光轉(zhuǎn)換層也具有IOym和200i!m之間的厚度，其中包括邊界值。特別地，發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層能夠具有相同的厚度。包含在發(fā)光轉(zhuǎn)換層中的適合的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料例如在參考文獻(xiàn)W098/12757中描述，其內(nèi)容在此方面通過(guò)參引并入本文。包含在散射層中的散射顆粒尤其能夠是由TiO2制成的顆粒。但是也能夠使用其折射率與散射層的基本材料的折射率不同的其它顆粒，例如由Al2O3制成的顆?；蛴刹ＡЩ蛩芰现瞥傻念w粒，所述顆粒例如是球狀的或空心球狀的。散射顆粒優(yōu)選具有50nm和IOOOnm之間的半徑，其中包括邊界值。由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成的層復(fù)合物在制造之后優(yōu)選能夠借助于沖壓、切割、水束切割或借助于激光束剪裁成所期望的大小。由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成`的層復(fù)合物尤其能夠施加到發(fā)射輻射的光電子半導(dǎo)體芯片上。特別地，層復(fù)合物能夠粘貼到半導(dǎo)體芯片上。在此，將層復(fù)合物施加到光電子半導(dǎo)體芯片上，使得發(fā)光轉(zhuǎn)換層朝向半導(dǎo)體芯片，以至于散射層在由光電子半導(dǎo)體芯片所發(fā)射的輻射的放射方向上緊隨發(fā)光轉(zhuǎn)換層。


在下文中根據(jù)實(shí)施例結(jié)合附圖1至9詳細(xì)闡明本發(fā)明。其示出圖1至8根據(jù)中間步驟示出用于制造由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成的層復(fù)合物的方法的一個(gè)實(shí)施例的示意圖，和圖9示出具有層復(fù)合物的光電子半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式相同的或起相同作用的元件在附圖中分別設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。所示出的組件以及組件彼此間的大小比例不能夠視為是按比例的。在這里所描述的方法中，借助于壓制設(shè)備制造由發(fā)光轉(zhuǎn)換層和散射層組成的層復(fù)合物。在圖1中描述所述方法的第一中間步驟。在所述方法中應(yīng)用模壓設(shè)備10，在圖1中示意地示出所述模壓設(shè)備的橫截面。壓制設(shè)備10具有第一壓制工具11和第二壓制工具12。例如，第一壓制工具11是下部的壓制工具，且第二壓制工具12是上部的壓制工具。第一壓制工具11具有空腔13，在壓制過(guò)程之前能夠?qū)⒁簯B(tài)的聚合物注入到所述空腔中。空腔13的大小例如能夠借助于彈簧組15與填充量匹配。在填充空腔13之前，優(yōu)選將薄膜14插入空腔13中，所述薄膜保護(hù)空腔13免于污染，并且在壓制過(guò)程之后簡(jiǎn)化在壓制過(guò)程中所制造的模件的取出。薄膜14例如能夠包含ETFE (乙烯四氟乙烯)。優(yōu)選借助于負(fù)壓抽吸薄膜14，使得所述薄膜匹配空腔13的輪廓。下部的壓制工具11能夠具有適合于此的抽吸口(未示出)。此外，在壓制過(guò)程之前，優(yōu)選將載體薄膜8插入第一壓制工具11和第二壓制工具12之間。在圖1的實(shí)施例中，載體薄膜8繃緊到載體框架9上，其中載體框架9固定在第二壓制工具12上。將液態(tài)的第一聚合物4注入到空腔13中。第一聚合物4用于制造發(fā)光轉(zhuǎn)換層并且優(yōu)選具有硅樹(shù)脂作為基礎(chǔ)材料?；A(chǔ)材料包含發(fā)光轉(zhuǎn)換材料5。適合的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料例如從參考文獻(xiàn)W097/50132中已知進(jìn)而不再詳細(xì)闡述。在圖2中所示出的中間步驟中合上壓制設(shè)備10，以便執(zhí)行第一壓制步驟，其中第一壓制工具11和第二壓制工具12在高壓的情況下相對(duì)彼此壓緊。有利地，在合上后并且在執(zhí)行壓制步驟之前對(duì)壓制設(shè)備10抽真空，以便避免在壓制過(guò)程所制造的層中構(gòu)成空氣雜質(zhì)。以該方式，將包含在壓制工具11、12之間的聚合物壓制成有利平面的且厚度均勻的發(fā)光轉(zhuǎn)換層I。發(fā)光轉(zhuǎn)換層I優(yōu)選具有IOii m和200 ii m之間的厚度，其中包括邊界值，所述厚度能夠經(jīng)由之前所注入的第一聚合物的量來(lái)調(diào)整。發(fā)光轉(zhuǎn)換層I優(yōu)選在仍合上的模壓設(shè)備10中完全硬化，使得所述發(fā)光轉(zhuǎn)換層是形狀穩(wěn)定的。在圖3中所示出的中間步驟中再次打開(kāi)模壓設(shè)備10。在第一壓制過(guò)程中所制造的發(fā)光轉(zhuǎn)換層I優(yōu)選粘附在載體薄膜8上，所述載體薄膜借助載體框架9固定在第二壓制工具12上。因?yàn)榘l(fā)光轉(zhuǎn)換層I在模壓設(shè)備10打開(kāi)之后粘附在載體薄膜8上而不粘附在第一壓制工具11中的薄膜14上，所以對(duì)于載體薄膜8優(yōu)選使用下述材料，發(fā)光轉(zhuǎn)換層I的聚合物在所述材料上比在薄膜14的材料上具有更強(qiáng)的粘附性。特別地，乙烯四氟乙烯(ETFE)或者聚酰亞胺(PI)能夠用作為用于載體薄膜8的材料。在圖4中所示出的中間步驟中，將第二聚合物6注入第一壓制工具11的空腔13中。所述第二聚合物6用于制造散射層并且優(yōu)選包含硅樹(shù)脂作為基礎(chǔ)材料，所述硅樹(shù)脂摻有散射顆粒7。散射顆粒7例如是TiO2顆粒。但是也能夠應(yīng)用其折射率與第二聚合物6的基礎(chǔ)材料的折射率不同的其它材料作為散射顆粒7。之前所制造的發(fā)光轉(zhuǎn)換層I仍位于模壓設(shè)備10中，并且借助于載體薄膜8的載體框架9在空腔13之上固定在第二壓制工具12上。在圖5中所示出的中間步驟中，執(zhí)行第二壓制步驟，其中將之前所注入的、包含散射顆粒的第二聚合物壓制成散射層2。模壓設(shè)備10有利地在壓制過(guò)程之前重新抽真空。將散射層2在壓制過(guò)程中按壓到之前所制造的發(fā)光轉(zhuǎn)換層I上。在第二壓制過(guò)程中所制造的散射層2優(yōu)選具有10 ii m和200 ii m之間的厚度，其中包括邊界值。通過(guò)將散射層2按壓到發(fā)光轉(zhuǎn)換層I上來(lái)制造層復(fù)合物，有利地，所述層復(fù)合物的特征在于，兩個(gè)層的邊界面極其平坦并且厚度是良好均勻的。散射層2有利地仍在合上的模壓設(shè)備10中完全硬化。在圖6中所示出的中間步驟中再次打開(kāi)模壓設(shè)備。由發(fā)光轉(zhuǎn)換層I和施加在其上的散射層2組成的層復(fù)合物3粘附在載體薄膜8上，所述載體薄膜借助于載體框架9固定在第二壓制工具12上。當(dāng)發(fā)光轉(zhuǎn)換層I和散射層2由相同的基礎(chǔ)材料制造時(shí)，它們良好地粘附在彼此上。除了嵌入的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料和散射顆粒之外，發(fā)光轉(zhuǎn)換層I和散射層2優(yōu)選由相同的聚合物，特別是硅樹(shù)脂形成。具有粘附在其上的、由發(fā)光轉(zhuǎn)換層I和散射層2組成的層復(fù)合物3的載體薄膜8接下來(lái)能夠如在圖7中所示出那樣借助于載體框架9從模壓設(shè)備10中取出。接下來(lái)，能夠?qū)訌?fù)合物3如在圖8中所示出的那樣從載體薄膜8中取下。如果需要的話，層復(fù)合物3現(xiàn)在能夠例如通過(guò)沖壓、切割、水束切割或者激光束切割來(lái)剪裁成對(duì)于應(yīng)用而言所期望的大小。以該方式制造的、由發(fā)光轉(zhuǎn)換層I和散射層2組成的層復(fù)合物3尤其能夠施加到特別是LED的光電子半導(dǎo)體芯片上。在圖9中示出光電子半導(dǎo)體芯片20的一個(gè)實(shí)施例，其中由發(fā)光轉(zhuǎn)換層I和散射層2組成的層復(fù)合物3施加到半導(dǎo)體芯片20的半導(dǎo)體層序列15上。例如施加到載體襯底16上的半導(dǎo)體層序列15具有有源層17，所述有源層17發(fā)射電磁輻射。特別地，有源層17能夠發(fā)射紫外輻射或藍(lán)色輻射。為此，尤其基于氮化物化合物半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體層序列15是適合的。借助于發(fā)光轉(zhuǎn)換層I將由有源層17發(fā)射的輻射的一部分轉(zhuǎn)換成更長(zhǎng)波長(zhǎng)的光，例如黃光。因此，由半導(dǎo)體芯片20發(fā)射混合光18，所述混合光包括由有源層發(fā)射的初級(jí)輻射和在發(fā)光轉(zhuǎn)換層I中轉(zhuǎn)換的輻射。混合光18尤其能夠是白光。在發(fā)光轉(zhuǎn)換層I上的散射層2具有下述優(yōu)點(diǎn)所述散射層防止發(fā)光轉(zhuǎn)換層I在半導(dǎo)體芯片20斷開(kāi)的狀態(tài)下呈現(xiàn)黃色的色彩印象。例如透鏡21的光學(xué)元件在放射方向上能夠設(shè)置在半導(dǎo)體芯片20的下游。在該情況下能夠出現(xiàn)不希望的效果將射到透鏡21的朝向半導(dǎo)體芯片20的內(nèi)側(cè)上的輻射的一部分沿朝半導(dǎo)體芯片20的方向上反射回去。所述沿朝半導(dǎo)體芯片20的方向反射回來(lái)的輻射有利地由散射層2沿放射方向反射回去。本發(fā)明不限制于根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述。更確切地說(shuō)，本發(fā)明包括每個(gè)新特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使這些特征或這些組合本身沒(méi)有明確地在權(quán)利要求或?qū)嵤├姓f(shuō)明也如此。
權(quán)利要求
1.用于制造層復(fù)合物(3)的方法，所述層復(fù)合物具有發(fā)光轉(zhuǎn)換層(I)和散射層(2)，其中應(yīng)用具有第一壓制工具(11)和第二壓制工具(12)的模壓設(shè)備(10)，其中所述第一壓制工具(11)具有空腔(13)，所述方法包括下述步驟 -將包含發(fā)光轉(zhuǎn)換材料(5)的第一聚合物(4)注入到所述第一壓制工具(11)的空腔(13)中， -將載體薄膜(8)插入所述第一壓制工具(11)和所述第二壓制工具(12)之間， -合上所述模壓設(shè)備(10)并執(zhí)行第一壓制過(guò)程， -將所述第一聚合物(4)在所述模壓設(shè)備(10)中完全硬化成發(fā)光轉(zhuǎn)換層(I )， -打開(kāi)所述模壓設(shè)備(10)，其中粘附在所述載體薄膜(8)上的所述發(fā)光轉(zhuǎn)換層(I)保留在所述模壓設(shè)備(10)中， -將包含散射顆粒(7)的第二聚合物(6)注入到所述第一壓制工具(11)的空腔(13)中， -合上所述模壓設(shè)備(10)并執(zhí)行第二壓制過(guò)程， -將所述第二聚合物(6)在所述模壓設(shè)備(10)中完全硬化成設(shè)置在所述發(fā)光轉(zhuǎn)換層(I)上的散射層(2)， -打開(kāi)所述模壓設(shè)備(10)并且取出帶有由所述發(fā)光轉(zhuǎn)換層(I)和所述散射層(2)組成的層復(fù)合物(3)的所述載體薄膜(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一聚合物(4)和所述第二聚合物(6)具有相同的基本材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述基本材料是硅樹(shù)脂。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述載體薄膜(8)繃緊到載體框架(9)上。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在注入所述第一聚合物(4)和/或注入所述第二聚合物(6)之前，將薄膜(14)插入到所述第一壓制工具(11)的空腔(13)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述薄膜(14)通過(guò)負(fù)壓固定在所述空腔(13)中。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在所述模壓設(shè)備(10)合上之后并且在執(zhí)行所述壓制步驟之前，對(duì)所述空腔(13)抽真空。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述發(fā)光轉(zhuǎn)換層(I)具有10y m和200 y m之間的厚度，其中包括邊界值。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述散射層(2)具有10y m和200 u m之間的厚度，其中包括邊界值。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在另一方法步驟中，所述層復(fù)合物(3)借助于鋸割，沖壓，切割，水束切割或激光束切割來(lái)剪裁。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在另一方法步驟中，將由所述發(fā)光轉(zhuǎn)換層(I)和所述散射層(2)組成的所述層復(fù)合物(3)施加到發(fā)射輻射的光電子半導(dǎo)體芯片(20)上。
全文摘要
本發(fā)明提出一種用于制造由發(fā)光轉(zhuǎn)換層(1)和散射層(2)組成的層復(fù)合物(3)的方法，其中應(yīng)用具有第一壓制工具(11)和第二壓制工具(12)的模壓設(shè)備(10)。在該方法中，在第一壓制工具(11)和第二壓制工具(12)之間插入載體薄膜(8)，并且將包含發(fā)光轉(zhuǎn)換材料(5)的第一聚合物(4)通過(guò)第一壓制過(guò)程壓制成發(fā)光轉(zhuǎn)換層(1)。接下來(lái)打開(kāi)模壓設(shè)備(10)，并且將包含散射顆粒(7)的第二聚合物(6)通過(guò)第二壓制過(guò)程壓制成設(shè)置在發(fā)光轉(zhuǎn)換層(1)上的散射層。由發(fā)光轉(zhuǎn)換層(1)和散射層(2)組成的層復(fù)合物(3)接下來(lái)借助于載體薄膜(8)從模壓設(shè)備(10)中取出。
文檔編號(hào)H01L33/52GK103068544SQ201180040412
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月20日
發(fā)明者斯特凡·普雷烏斯, 托馬斯·貝默爾 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司