專利名稱：光電發(fā)光模塊和汽車大燈的制作方法
技術領域：
說明了ー種光電發(fā)光模塊。此外，還說明了ー種具有這種發(fā)光模塊的汽車大燈。
背景技術：
在出版物US 2008/0008427 Al中說明了一種發(fā)光模塊和一種用于車輛的照明部件。

發(fā)明內(nèi)容
要解決的技術問題在于給出一種發(fā)光模塊，該發(fā)光模塊具有良好的散熱。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，該發(fā)光模塊包括帶有冷卻體上側的冷卻體。冷卻體尤其用于將在發(fā)光模塊運行中形成的廢熱從發(fā)光模塊導出。例如，冷卻體基于金屬如銅或鋁或金屬合金或由其構成。優(yōu)選地，散熱器的平均熱導率為至少200W/ (HiK)0冷卻體的熱容量尤其為至少100J/K或至少200J/K。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，該發(fā)光模塊包含至少ー個印刷電路板。印刷電路板例如為金屬芯電路板或被印刷的印刷電路板。印刷電路板優(yōu)選以機械方式牢固地安置例如粘貼在冷卻體上側上。尤其，通過印刷電路板電接觸發(fā)光模塊。為此，在背離冷卻體上側的印刷電路板上側上可以安置有電接觸區(qū)域。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，該發(fā)光模塊具有承載體，其具有承載體上側和與承載體上側對置的承載體下側。承載體包含或基于例如陶瓷如AlN或半導體材料如Si。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，該發(fā)光模塊包含一個或多個光電半導體芯片。半導體芯片尤其是發(fā)光二極管，其包括例如基于II1-V族半導體材料如GaN的半導體層序列。半導體芯片優(yōu)選構建為在發(fā)光模塊運行中產(chǎn)生紫外或近紅外輻射和/或藍色光或白色光。半導體芯片安置在承載體上側上并且與承載體電連接。為此，在承載體上側上可以安置有電印制導線。半導體芯片例如在電學上串聯(lián)連接或并聯(lián)連接。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，該發(fā)光模塊具有至少ー個支持裝置，所述支持裝置至少間接地放置在承載體上側上并且所述支持裝置將承載體下側按壓到冷卻體上側上。換言之，支持裝置將機械力施加到帶有半導體芯片的承載體上，由此承載體與冷卻體匹配。尤其，支持裝置和/或支持裝置的與承載體接觸的部分可以彈性形變。支持裝置例如是彈簧或包括彈簧。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，承載體與印刷電路板電連接。在印刷電路板與承載體之間的電連接優(yōu)選并不通過冷卻體進行。在印刷電路板與承載體之間的電連接可以與冷卻體電隔離。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，支持裝置與其中一個半導體芯片或所述多個半導體芯片電隔離。于是在支持裝置與至少ー個半導體芯片之間部存在直接的電連接。也就是說，支持裝置與用于半導體芯片的電連接裝置不同。尤其，支持裝置僅用于承載體對冷卻體的機械和可選地熱接觸。在光電發(fā)光模塊的至少ー個實施形式中，發(fā)光模塊具有帶有冷卻體上側的冷卻體以及印刷電路板和帶有承載體上側和與冷卻體上側對置的冷卻體下側的承載體。在冷卻體上側上安置有一個或多個光電半導體芯片。半導體芯片與承載體電連接。發(fā)光模塊的ー個或多個支持裝置間接或直接放置在承載體上側上并且將承載體下側按壓到冷卻體上側上。承載體與印刷電路板電連接。支持裝置與至少ー個半導體芯片電連接。由于通過支持裝置將承載體按壓到冷卻體上，所以可以省去用于將承載體以機械方式固定在冷卻體上的連接裝置，其中連接裝置安置在承載體與冷卻體之間。由此，可以減小在半導體芯片與冷卻體之間的熱阻。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，其上安置有半導體芯片的承載體在橫向方向上與印刷電路板間隔。于是，在冷卻體上側的俯視圖中看，在承載體與印刷電路板之間形成間隙。優(yōu)選，間隙圍繞印刷電路板地延伸，使得承載體和印刷電路板在橫向方向上絕不觸 碰。對此可替選地，同樣可能的是，承載體與印刷電路板在橫向方向上局部直接觸碰。例如可能的是，間隙僅在兩側或三側上沿著印刷電路板延伸并且印刷電路板在一側或兩側靠置在承載體上。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，承載體和印刷電路板通過電橋路彼此電連接。橋路將承載體上側上的電印制導線與印刷電路板上側上的對應的電印制導線連接?？赡艿氖?，橋路跨越在承載體與印刷電路板之間可能存在的間隙。例如，橋路通過接合線、通過導電帶或通過層或導電和可選地電隔離的層的層序列形成，其中這些層直接施加到承載體上側上以及施加到印刷電路板上側上。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，印刷電路板具有開ロ，該開ロ完全穿通印刷電路板。開ロ優(yōu)選在至少三個側上或在至少四個側上被印刷電路板的材料在橫向方向上包圍。換言之，印刷電路板在橫向方向上可以從四周包圍承載體。在開口中，可以存在帶有至少ー個半導體芯片的承載體，其中承載體在離開冷卻體的方向上優(yōu)選至少局部伸出印刷電路板。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，支持裝置與印刷電路板不接觸，其中支持裝置將承載體按壓到冷卻體上。于是，印刷電路板和支持裝置不觸碰。由此，可以保證從承載體或半導體芯片直接到冷卻體而不經(jīng)過印刷電路板的良好熱傳遞。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，支持裝置在根據(jù)規(guī)定的使用中以在5N到100N之間(包括邊界值)的機械力、尤其以在20N到60N之間(包括邊界值)的力將承載體按壓到冷卻體上側上。附加地或可替選地，承載體下側對冷卻體上側的平均接觸壓カ在0. 2MPa到20MPa之間(包括邊界值)，尤其在0. 4MPa到2MPa之間(包括邊界值)。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式,承載體下側具有最高10 ii m或最高5 ii m或最高2 的稱作Ra的平均粗糙度。換言之，承載體下側和/或冷卻體上側是平滑的。由此，可以保證在承載體與冷卻體之間的良好熱接觸。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，承載體下側和/或冷卻體上側、尤其是冷卻體上側的放置有承載體的區(qū)域平面且均勻地形成。換言之，對承載體下側和冷卻體上側的放置有承載體的區(qū)域不進行有目的的ニ維或三維結構化。承載體與冷卻體于是可以彼此平
面靠置。
根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，承載體下側局部或完全與冷卻體上側直接接觸。承載體和冷卻體于是可以觸碰。在不考慮承載體下側和冷卻體上側的微觀粗糙度的情況下，承載體下側優(yōu)選整個面地觸碰冷卻體上側。由此，可以實現(xiàn)在承載體與冷卻體之間的特別低的熱阻。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，在承載體下側與冷卻體上側之間局部或整個面地存在中間層。中間層構建為用于改善承載體對冷卻體的熱耦合。尤其是，中間層適于填充在承載體與冷卻體之間的間隙，該間隙由承載體下側和/或冷卻體上側的微觀粗糙度引起。換言之，可以借助中間層増大了在承載體與冷卻體之間的接觸面。中間層的平均厚度優(yōu)選最高10 y m或最高2. 5 i! m或最高I y m。換言之，中間層比較薄地構建并且因此沒有顯著的熱阻。具體而言，與不帶中間層的等同裝置相比，通過中間層減小了在承載體與冷卻體之間的熱阻。例如，中間層包括硅樹脂或由硅樹脂構成。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，冷卻體在冷卻體上側上具有阱或槽。帶有半導體芯片的承載體安置在阱或槽中，其中承載體在離開阱底部的方向上優(yōu)選伸出阱 (Wanne)或槽(Nut)。阱底部尤其平面地構建。承載體可以平面并且均勻地放置在阱底部上。承載體在相對于冷卻體的橫向方向上可通過阱和/或固定。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，支持裝置構建為彈簧或帶或具有這些元件中的至少ー個，例如與固定元件如螺釘或鉚釘或焊墊結合。支持裝置的材料優(yōu)選具有至少80W/ (Km)的比熱。例如，支持裝置具有銅或銅合金或由其構成。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，支持裝置局部與冷卻體直接熱接觸。例如，支持裝置于是局部按壓或擠壓到冷卻體如冷卻體上側的邊界面上。如果支持裝置具有多個部分，則優(yōu)選這些部分中的至少ー個不僅直接與承載體而且直接與冷卻體熱接觸。例如，支持裝置的相應部分觸碰承載體上側和/或冷卻體上側。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，印刷電路板的平均熱膨脹系數(shù)與承載體的熱膨脹系數(shù)彼此相差最多四倍，或優(yōu)選彼此相差三倍。由此，可以減小由于不同熱膨脹引起的材料應力，由此可以提聞發(fā)光I旲塊的使用壽命。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式,該發(fā)光模塊包括至少ー個止擋(Anschlag)。止擋安置在承載體的至少ー個側面上。優(yōu)選地，止擋與冷卻體上側和承載體間接或直接接觸。止擋構建為阻止或減小承載體相對于冷卻體上側的橫向移動。止擋例如是承載體相對于冷卻體的固定點。尤其是，止擋最多在承載體的一個或者兩個側面上，其中止擋所處的側面優(yōu)選并不對置。根據(jù)發(fā)光模塊的至少ー個實施形式，支持裝置持久地并且在發(fā)光模塊按規(guī)定使用中不可逆以可松脫方式固定在冷卻體上。例如，支持裝置粘合或焊接到冷卻體上。此外，說明了 ー種汽車大燈。汽車大燈包含至少ー個光電發(fā)光模塊，如結合上述實施例中的ー個或多個所描述的那樣。汽車大燈的特征因此相對于在此所描述的發(fā)光模塊也被公開，反之亦然。


以下參照附圖借助實施例在此更為詳細地闡述了所描述的光電發(fā)光模塊以及在此所描述的汽車大燈。相同的附圖標記在此說明了各個圖中的相同元件。然而在此并未示出合乎比例的關系，更確切地說為了更好的理解而夸大地示出了各元件。其中
圖1至圖6示出了在此所描述的光電發(fā)光模塊的實施例的示意圖，以及 圖7示出了發(fā)光模塊的變型方案的示意圖。
具體實施例方式在圖1中示出了光電發(fā)光模塊I的一個實施例的透視圖。例如，發(fā)光模塊I安裝在汽車大燈中。發(fā)光模塊I包括冷卻體8，該冷卻體帶有冷卻體上側80。在冷卻體上側80上牢固安裝有印刷電路板3，例如金屬芯電路板。此外，在冷卻體上側80上安置有兩個支持裝置7以及帶有多個光電半導體芯片5的承載體4。不僅在與冷卻體8背離的承載體上側40上而且在與冷卻體8背離的印刷電路板上側30上有電印制導線10，其尤其可以部分掩埋在印刷電路板3中。在承載體4的印制導 線10與印刷電路板3之間的電連接通過電橋路9進行，電連接例如通過接合線實現(xiàn)。此外，半導體芯片5通過在承載體上側40上的印制導線10電學上串聯(lián)連接。與所示不同，同樣可能的是，半導體芯片5可以單獨地或成組地單獨激勵。在此情況下，不僅在印刷電路板3而且在承載體4上如圖1中所示分布多個印制導線10。同樣在此情況下，在承載體4與印刷電路板3之間優(yōu)選存在多于兩個的橋路9，用于電連接。為了外部電接觸，在印刷電路板3上在角區(qū)域中設置有焊墊11。支持裝置7分別具有兩個部分7a、7b。部分7a構建為彈簧夾，彈簧夾直接壓到承載體上側40上并且彈簧夾與冷卻體上側80直接接觸。部分7a通過部分7b持久地按壓和固定到冷卻體上側80上。承載體4通過支持裝置7不用連接裝置地壓到冷卻體上側80上。承載體4和冷卻體8彼此直接緊緊接觸，而在冷卻體上側80與承載體下側之間不存在連接裝置?？蛇x地，冷卻體8具有固定裝置6，利用固定裝置可將整個發(fā)光模塊I固定在外部安裝板上。固定裝置6例如是用于容納螺釘?shù)目?。承載體的厚度例如在200 ii m與Imm之間(包括邊界值)、尤其在300 y m與700 u m之間(包括邊界值)。如果發(fā)光模塊I包括多個半導體芯片5，承載體4的橫向尺寸例如在3mmX5mm與5mmX 8mm之間(包括邊界點),或如果發(fā)光模塊僅包含卩隹ー的半導體芯片5 (不同于圖1中所示)，則承載體4的橫向尺寸在lmmX4mm與3mmX 5mm之間(包括邊界點)。例如，在發(fā)光模塊I按規(guī)定運行時，姆個半導體5形成至少3W的廢熱。承載體4例如包含如氮化鋁或氧化鋁的陶瓷或由這樣的陶瓷構成。同樣可能的是，承載體4包括氮化硅或碳化硅或由此構成，或承載體4由如硅或鍺的半導體材料制造。如果承載體4具有導電材料，則該承載體優(yōu)選至少局部設置有薄鈍化層，例如由氮化硅構成，氮化硅只有可忽略的熱阻。用于承載體4的具有高熱導率和類似半導體芯片的熱膨脹的合適材料如陶瓷典型地具有大約SXKr6IT1的熱膨脹系數(shù)。而冷卻體的金屬如鋁或銅具有在大約ISXio6Ir1到大約25X IO6IT1范圍中的比較大的熱膨脹系數(shù)。對根據(jù)在此所描述的實施例的擴展方案替選地，在承載體4與冷卻體8之間的連接裝置必須能夠補償熱膨脹系數(shù)的差異，因為要不然在發(fā)光模塊多次接通和關斷之后承載體會與冷卻體松脫。
剛性金屬焊料或例如摻入銀的環(huán)氧樹脂作為連接裝置通常不能夠補償由于在承載體與冷卻體之間不同熱膨脹引起的應力。為此，需要尤其基于硅樹脂的比較軟的粘合剤，其例如填充以氮化鋇。然而，這樣的粘合劑具有2W/ (mK)的量級的比較低的熱導率并且還以20 y m到60 u m之間的比較大的層厚度涂覆。由于連接裝置層的高熱阻因此顯著地減小發(fā)光模塊的散熱性(Entwjirmbarkeit)。由于在這里所描述的發(fā)光模塊I中承載體4通過支持裝置7a、7b直接和無連接裝置地擠壓在冷卻體8上，所以可以減小冷卻體8與承載體4之間的熱阻。例如，熱阻最高為2. 5K/W或最高為2. 0K/W。在根據(jù)圖2的實施例中，冷卻體8在冷卻體上側80上具有用于容納承載體4的阱12，參照圖2A。承載體4例如通過該阱例如以最高500 u m或最高250 u m的公差在相對于冷卻體8的橫向方向上固定。與根據(jù)圖1的實施例不同，支持裝置7可逆地固定在冷卻體8上。部分7b通過螺釘形成，螺釘將部分7a壓到冷卻體上側80以及承載體上側40上。也如在所有其他實施例中，支持裝置7優(yōu)選不僅用于以機械方式并且可選地以熱學方式將承載體4系接到冷卻體8上。支持裝置7與印制導線10以及半導體芯片5電隔離。由于承載體4的機械和熱學系接彼此隔開，所以尤其支持裝置7可以比較自由地設計。在根據(jù)圖3的發(fā)光模塊I的其他實施例中，支持裝置的部分7b同樣通過可逆地操作的螺釘來形成。在冷卻體上側80的俯視圖中看，部分7a在承載體4的至少80%的短側上延伸。印刷電路板3僅在一半的冷卻體上側80上。與所示不同，同樣可能的是，印刷電路板3環(huán)繞完全包圍承載體4，或至少沿著承載體4的兩側或三側延伸。也如在所有其他實施例中那樣，半導體芯片5可選地被輻射可透射的蓋15覆蓋，其中在該蓋15之后可以設置附圖中未示出的光學裝置。在根據(jù)圖4的實施例中，承載體4在阱12中并且伸出該阱12。固定設備的部分7b通過焊接接觸面形成。承載體4通過部分7a擠壓在冷卻體8上，部分7a是帶，例如由銅或銅合金構成。部分7a與部分7b通過焊接連接或通過粘合連接固定。例如，帶具有在100 u m到300 ii m之間(包括邊界值)的厚度。此外，部分7a沿著整個承載體4延伸并且例如遮蓋承載體上側40的至少15%或至少20%。在圖5中示出了發(fā)光模塊I的另ー實施例，在圖5A中示出了在承載體4固定之后的發(fā)光模塊I并且在圖5B中示出了在承載體4被擠壓到冷卻體8上之后的發(fā)光模塊I。支持裝置的部分7a通過夾形成，部分7a穿過開ロ 2從冷卻體8的背側伸到承載體上側40。部分7b通過螺釘形成。通過擰緊部分7b的螺釘，將夾狀的部分7a按壓到承載體上側40上，由此將承載體4與保持芯片5固定在一起。在根據(jù)圖6的發(fā)光模塊I的實施例中，在承載體下側45與冷卻體上側80之間存在中間層14。中間層14具有例如最高I U m的小厚度。與將承載體直接擠壓到冷卻體8相比，通過中間層14減小承載體4與冷卻體8之間的熱阻，因為通過中間層14可以補償冷卻體上側80以及承載體下側45的粗糙度。中間層14并不用于承載體4的機械固定。為此使用支持裝置7，在圖6中示例性地僅示出了其中唯一的支持裝置7。支持裝置7的部分7a構建為夾，其一端部放置在承載體上側40上而其另一端支撐在冷卻體上側上，其中后述的端部基本上垂直于冷卻體上側80垂直地取向。部分7a擠壓到承載體上側40通過例如成型為螺釘?shù)牟糠?b進行。
可選地，也如在所有其他實施例中那樣，可能的是，在承載體4的側面48上點狀地或以線形式安置有止擋13。通過止擋13尤其可避免或減小在通過支持裝置7擠壓之前或期間承載體4的滑動。例如，止擋13通過補償熱膨脹的比較軟的硅樹脂來形成。同樣可能的是，止擋13例如通過ー個或多個焊接點形成。優(yōu)選地,止擋13僅延伸到承載體4的一個側面48上或延伸到僅兩個側面48上。根據(jù)圖6，在承載體4之后的止擋施加到冷卻體8上并且止擋13在橫截面上近似三角形地形成并且直接連接到側面48以及冷卻體上側80上。對此可替選地，可能的是，止擋13通過結構化冷卻體上側80或通過在承載體4之前固定在冷卻體8上的材料塊形成，例如不同于在這些附圖中所示地通過印刷電路板3本身形成。發(fā)光模塊的變型方案以俯視圖在圖7A中以及以透視圖在圖7B中可看到。帶有半導體芯片5的承載體4在印刷電路板3的開ロ 2中借助連接裝置層12粘合到印刷電路板上側30上。開ロ 2并未完全穿通包括比較厚的金屬芯的印刷電路板3，使得形成一種阱，在該阱中安置承載體4。在承載體4與印刷電路板3之間的機械連接基本上僅通過連接裝置層12進行。由于在印刷電路板3與承載體4之間有連接裝置層12，熱阻相比于根據(jù)圖1至6的實施例被提高。在此所描述的發(fā)明并不受借助實施例的描述限制。更確切地說，本發(fā)明包括任意新特征以及特征的任意組合，這尤其包含權利要求中的特征的任意組合，即使這些特征或組合本身并未明確地在權利要求或實施例中予以說明。本專利申請要求德國專利申請10 2010 033 092. 2的優(yōu)先權，其公開內(nèi)容通過引
用結合于此。
權利要求
1.一種光電發(fā)光模塊(I)，具有 -帶有冷卻體上側(80)的冷卻體(8)， -印刷電路板(3)， -帶有承載體上側(40)和與承載體上側(40)對置的承載體下側(45)的承載體(4)， -至少一個光電半導體芯片(5),所述光電半導體芯片(5)安置在承載體上側(40)上并且與承載體電連接， -至少一個支持裝置(7)，所述支持裝置(7)至少間接放置在承載體上側(30)上并且所述支持裝置(7)將承載體下側(45)按壓到冷卻體上側(80)， 其中承載體(40)與印刷電路板(3)電連接并且支持裝置(7)與半導體芯片(5)電隔離。
2.根據(jù)上述權利要求所述的光電發(fā)光模塊(1)， 其中承載體(4 )在橫向方向上與印刷電路板(3 )間隔開，并且電橋路(9 )跨越在承載體(4)與印刷電路板(3 )之間的間隙，其中所述橋路(9 )將在承載體上側(40 )上的電印制導線與在印刷電路板上側(30)上的相對應的電印制導線(10)連接。
3.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I)， 其中所述支持裝置(7)以在5N到100N之間且包括邊界值的機械力和/或以在O. 2MPa到20MPa之間且包括邊界值的平均壓力將承載體(4)按壓到冷卻體上側(80)上。
4.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I)， 其中所述承載體下側(45)和冷卻體上側(80)分別具有最高10 μ m的平均粗糙度。
5.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I)， 其中承載體下側(45)至少局部與冷卻體上側(80)直接接觸。
6.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I)， 其中在承載體下側(45)與冷卻體上側(80)之間至少局部有用于改善承載體(4)對冷卻體(8)的熱耦合的中間層(14)，其中中間層(14)的平均厚度最高為10 μ m。
7.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I)， 其中冷卻體(8 )具有阱(12 )，在所述阱(12 )中安置有承載體(4 )，其中承載體(14 )伸出阱(12)。
8.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I)， 其中支持裝置(7)構建為彈簧或帶并且由具有至少80W/(K*m)的熱導率的材料形成。
9.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I)， 其中支持裝置(7)局部與冷卻體(8)直接熱接觸。
10.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(1)， 其中印刷電路板(3)和/或冷卻體的平均熱膨脹系數(shù)與承載體(4)的熱膨脹系數(shù)相差最高四倍。
11.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I)， 其中在承載體(4)的至少一個側面(48)上安裝有止擋(13)，所述止擋(13)與冷卻體上側(80)接觸，其中止擋(13)構建為阻止或減小承載體(4)相對于冷卻體上側(80)橫向移動。
12.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(I), 其中所述承載體(4)具有陶瓷或半導體材料或由陶瓷或半導體材料構成，其中所述承載體(4)的厚度在200 μ m到Imm之間且包括邊界值。
13.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電發(fā)光模塊(1)， 其中支持裝置(7)持久地且不可逆可松脫地固定在冷卻體(8)上。
14.一種汽車大燈,其具有根據(jù)上述權利要求之一所述的至少一個光電發(fā)光模塊(I)。
全文摘要
在光電發(fā)光模塊(1)的至少一個實施形式中，光電發(fā)光模塊(1)具有冷卻體(8)以及印刷電路板(3)和承載體(4)。在承載體上側(40)上安裝有一個或多個光電半導體芯片(5)。半導體芯片(5)與承載體(4)電連接。至少一個支持裝置(7)間接或直接放置在承載體上側(40)上并且將承載體上側(45)按壓到冷卻體上側(80)上。承載體(4)與印刷電路板(3)電連接。支持裝置(7)與至少一個半導體芯片(5)電連接。
文檔編號H01L33/64GK103026804SQ201180037987
公開日2013年4月3日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權日2010年8月2日
發(fā)明者F.辛格, T.豪格, A.索伊雷爾, H.魯克納, S.格雷施 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司