專利名稱：絲電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
背景技術(shù)：
電子部件是支持我們現(xiàn)代生活的大量裝置的基礎(chǔ)。有可能是這些部件中最簡單的部件(天線)，將電磁輻射的能量轉(zhuǎn)換為電壓。諧振器部件對指定頻率的輻射進(jìn)行放大。本發(fā)明提供了具有值得注意的屬性的新穎的電子部件。此外，所提供的部件是生物相容的并且為之前不可能達(dá)到的生物領(lǐng)域中的電子裝置的發(fā)展和/或?qū)崿F(xiàn)創(chuàng)造了可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包含以下認(rèn)識:絲材料通常用作用于電子部件的基體。此外，本發(fā)明提供了絲電子部件，其包括絲基體和由傳導(dǎo)性材料(諸如金屬)構(gòu)成的圖形化結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)是天線(諸如金屬天線)。在一些實施例中，圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)是諧振器(例如，開路環(huán)諧振器，“SRR”)，例如金屬諧振器。在一些實施例中，圖形化的傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)是射頻識別裝置(RFID)，例如金屬RFID。在一些實施例中，所提供的絲電子部件是超常材料(metamaterial);本發(fā)明因此提供了超常材料合成物以及用于制造超常材料合成物的方法。根據(jù)本發(fā)明，除了別的以外，使其尤其適合用于所提供的絲電子部件的絲屬性包括組裝到表現(xiàn)平滑(在一些實施例中幾乎為原子尺度)的材料的能力。在一些實施例中，在所提供的絲電子部件中的絲基體表現(xiàn)出低于大約10nm、9nm、8nm、7nm、6nm、5nm、4nm、3nm、2nm或大約Inm的平滑度。替選地或另外地，依照本發(fā)明的一些實施例使其尤其有用的絲材料的屬性包括其適合于用于沉積由傳導(dǎo)性材料(例如，金屬)構(gòu)成的圖形化結(jié)構(gòu)的處理。在一些實施例中，依照本發(fā)明所采用的絲材料適合于應(yīng)用用于由傳導(dǎo)性材料(諸如金屬)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的光刻技術(shù)。表面平滑度可能有助于適合于光刻。在一些實施例中，依照本發(fā)明所采用的絲材料適合于通過接觸而轉(zhuǎn)印。在這樣的實施例中，所采用的絲材料表現(xiàn)出期望的金屬粘附性質(zhì)。替選地或另外地，依照本發(fā)明的一些實施例使其尤其有用的絲材料的屬性包括其生物相容性。替選地或另外地，依照本發(fā)明的一些實施例使其尤其有用的絲材料的屬性包括其適合于可控制的降解性。如下面更詳細(xì)的描述的，關(guān)于制造具有已知的時間進(jìn)程的降解的絲薄膜，很多是已知的。W02008/118133 ；W02004/080346 ；W02005/123114 ；W02007/016524 ；W02008/150861o替選地或另外地，依照本發(fā)明的一些實施例使其尤其有用的絲材料的屬性包括其抗張強度。替選地或另外地，依照本發(fā)明的一些實施例使其尤其有用的絲材料的屬性包括其撓性。此外，本發(fā)明提供了以下認(rèn)識:這些各種屬性致使絲成為用于絲電子部件中的具有特別的興趣和價值的材料。此外，本發(fā)明識別了在相關(guān)的電子應(yīng)用中有用的這些特別的絲合成物、形式或材料。在一些實施例中，本發(fā)明提供了在太赫茲(THZ，1THZ=1012HZ)頻率操作的電子部件。電磁頻譜的THz范圍具有用于從頻譜成像到短程安全通信的應(yīng)用的潛力。然而，自然地存在的材料一般在THz頻率不具有合適的響應(yīng)。因此，迄今為止，重要的THz部件(諸如開關(guān)、調(diào)制器、移相器)實際上還不易獲得。依然探索用于THz輻射的生成、檢測以及空間和時間控制的適當(dāng)?shù)牟考脱b置以實現(xiàn)在THz范圍中的應(yīng)用。通過進(jìn)一步擴(kuò)展在THz頻率實施的材料設(shè)計，設(shè)計的部件和裝置可以在更寬的波長范圍內(nèi)應(yīng)用。在某些實施例中，本發(fā)明提供了新的且有價值的THz部件，該THz部件包括絲基體和傳導(dǎo)性本質(zhì)的圖形化結(jié)構(gòu)。超常材料的發(fā)展顯著地擴(kuò)展了電磁材料相互作用的一般的視角。具有在精確控制地目標(biāo)頻率上的用戶所設(shè)計的電磁響應(yīng)的超常材料可能導(dǎo)致新的電磁響應(yīng)或現(xiàn)象(諸如負(fù)折射率、完美透鏡或完美吸收)。在諸如生物傳感和生物探測的各種應(yīng)用中，期望設(shè)計出理想地整合超常材料結(jié)構(gòu)的電磁特性而不削弱裝置的預(yù)期的功能的新的裝置。本發(fā)明提供了絲超常材料，并且進(jìn)一步提供了采用絲超常材料的方法和裝置。此外，本發(fā)明包含以下認(rèn)識:對于各種應(yīng)用(諸如可移植的生物電學(xué)和生物光學(xué)裝置)還期望不限于平面結(jié)構(gòu)的超常材料的結(jié)構(gòu)。基于通過聚酚亞胺隔離的兩層金屬層結(jié)構(gòu)制造了在THz頻率的諧振超常材料吸收器。參見Tao等，Phys.Rev.B, 78:241103 (R) (2008)。然而，Tao等的文章中所描述的特定的結(jié)構(gòu)是在剛性半導(dǎo)體基底上所制造的。近來，在薄至6微米(在傳播方向上為λ /50)的聚酚亞胺基底上制造了由開路環(huán)諧振器所構(gòu)成的大面積、無支撐且具有高質(zhì)量諧振響應(yīng)超常材料合成物，其可能提供用于諸如電磁斗篷或集中器領(lǐng)域中的潛在應(yīng)用。參見 Tao 等，J.Phys.D: Appl.Phys.，41:232004(2008)。盡管使用聚酚亞胺作為非平面基底的超常材料合成物是有效的電磁材料，但是其可能不能必要地提供生物相容性和生物降解性，并且可能不能必要地給予超常材料額外地生物功能以用于生物集成裝置。本發(fā)明包含以下認(rèn)識:在本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)存在著發(fā)展超常材料合成物的需求，該超常材料合成物可以在具有生物相容性和生物降解性的高度透明和柔韌的基底上集成超常材料以并入通用的生物集成裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明，使用可以并入生物摻雜劑(諸如酶和蛋白質(zhì)，或電學(xué)地或光學(xué)地激活的摻雜劑)的基底的超常材料合成物還被期待將多種功能復(fù)合到生物集成裝置設(shè)計。此外，在一些包括一個或多個生物摻雜劑的實施例中，本發(fā)明包括以下認(rèn)識:絲的各種特性致使其尤其適合于用于超常材料，并且此外允許具有生物相容性的超常材料的研發(fā)。依照本發(fā)明所提供的絲超常材料合成物可以包括布置置在絲基體上或嵌入絲基體中的超常材料元件的陣列，從而形成在包括太赫茲范圍的寬的頻率范圍中調(diào)制電磁福射的諧振電磁結(jié)構(gòu)。在本文中提供了簡單的方法以在具有生物相容性的絲基底上噴射大面積的超常材料結(jié)構(gòu)，從而產(chǎn)生具有諧振電磁結(jié)構(gòu)的絲超常材料合成物，該諧振電磁結(jié)構(gòu)在期望的頻率表現(xiàn)出強烈的諧振。這樣的絲超常合成物可以在寬的電磁頻譜范圍內(nèi)調(diào)制電磁輻射，該頻譜范圍包括但是不限于THz范圍。在本文中所描述的絲超常材料合成物或其它絲電子部件可以用在新的裝置(諸如生物傳感器、標(biāo)簽和識別器、監(jiān)視裝置、隱身斗篷、電磁集中器或天線)中，尤其可以用于在活體生物追蹤、生物擬態(tài)、絲電學(xué)裝置、絲光學(xué)裝置以及可移植的生物傳感器和生物探測器領(lǐng)域中的可以移植的生物電學(xué)和/或生物光學(xué)裝置。本發(fā)明的一個方面涉及具有諧振子波長磁性的絲電子部件或超常材料合成物，其包括一層或多層超常材料或由傳導(dǎo)性材料(例如金屬)構(gòu)成的圖形化結(jié)構(gòu)和絲基底，該絲基底在基底上承載一層或多層超常材料或由傳導(dǎo)性材料(例如金屬)構(gòu)成的圖形化結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的一些實施例提供了用于調(diào)制電磁輻射的、包括諧振電磁結(jié)構(gòu)的絲超常材料合成物，該諧振電磁結(jié)構(gòu)包括超常材料元件陣列和絲基底，其中構(gòu)建絲超常材料合成物的諧振電磁結(jié)構(gòu)以調(diào)制電磁輻射。超常材料元件可能被放置在絲基體上或嵌入絲基體中。至少超常材料元件中的一些小于電磁輻射的波長以用于引發(fā)子波長諧振電磁響應(yīng)。本發(fā)明的一些實施例提供了如在本文中所描述的絲超常材料合成物的新的裝置的應(yīng)用。例如，絲超常材料合成物可以被制造為生物傳感和生物探測裝置、監(jiān)視裝置、電磁斗篷裝置、電磁天線裝置等。在一些實施例中，在本文中所提供的是包括絲超常材料合成物的可移植裝置，該絲超常材料合成物包括放置在絲基體上或嵌入絲基體中的超常材料元件陣列，其中超常材料元件的大小小于電磁輻射的波長，并且絲超常材料合成物能夠調(diào)制電磁輻射。本發(fā)明的另一方面涉及一種制造具有諧振電磁屬性的絲超常材料合成物的方法。該方法包括以下步驟:將陰影掩模接觸放置在絲基底上；通過陰影掩模在絲基底上噴射沉積傳導(dǎo)性材料從而在絲基底上形成超常材料元件的陣列。在本文中所使用的陰影掩模提供了用于超常材料元件的期望的幾何形狀，其限定了絲超常材料合成物的諧振電磁屬性。


圖1和圖2示出了示例性的絲超常材料合成物及其在太赫茲(THz)范圍中的不同的頻率響應(yīng)。圖3示出了縮放到不同大小的開路環(huán)諧振器的電磁特征信號。圖4示出了諧振器的電磁特征信號，該諧振器的特征信號可以被疊加以模擬分子。圖5是通過THz時域頻譜所測量的、表征作為從0.15THz至1.5THz的頻率的函數(shù)的純絲薄膜(80μπι厚)的場透射的圖。圖中的內(nèi)插圖是示出樣品(頂部孔洞)和參照物(底部孔洞)的透射測量以及通過用樣品的透射除以參照物的透射而進(jìn)行的頻譜透射的計算。圖6Α至6C是描繪作為從0.15ΤΗζ至1.5ΤΗζ變化的頻率的函數(shù)的絲超常材料合成物的實驗(黑色實線)和模擬(紅色虛線)的透射頻譜的圖。對準(zhǔn)電場(E)垂直于開路環(huán)諧振器間隙。圖中的內(nèi)插圖示出了不同的SRR元件的設(shè)計和單元體的尺寸。圖7是描繪使用陰影掩模圖形化技術(shù)在絲基底上的超常材料的制造處理的示意圖。圖8A示出了如所制造的微模板的一部分的顯微攝影照片；圖SB示出了超常材料元件的噴射的陣列的一部分的顯微攝影照片；圖8C是用于制造超常材料的微模板的攝影照片；圖80是如所制造的絲超常材料合成物的攝影照片；以及圖SE示出了絲超常材料合成物的包裹的“封裝體”。圖9示出了允許將圖形化結(jié)構(gòu)直接轉(zhuǎn)印到絲基體的表面的示例性處理。圖10示出了使用圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)作為用于隨后的RIE處理的硬掩膜。圖11示出了覆蓋在RIE蝕刻的結(jié)構(gòu)上的鋁(Al)圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)的掃面電子顯微鏡(SEM)圖像。圖11還示出了覆蓋在RIE蝕刻的結(jié)構(gòu)(例如諧振器)上的鋁圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)的陣列的SEM圖像。通過澆鑄和隨后的RIE處理而生成的結(jié)構(gòu)在100X 100個SRR陣列上保持一致。圖12示出了覆蓋在RIE蝕刻的結(jié)構(gòu)上的鋁圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)的SEM圖像。在每個諧振器的間隙處這些結(jié)構(gòu)的尺寸近似為6 μ m。圖13示出了已經(jīng)經(jīng)受到進(jìn)一步RIE處理的圖形化的鋁結(jié)構(gòu)的電磁響應(yīng)。圖14是示出用于絲薄膜的制備的處理的示意圖。切割并且清洗蠶繭(a)，用碳酸鈉煮沸以提取水溶性絲膠(b)，溶解在溴化鋰中(c)相對水進(jìn)行滲析以移除溴化鋰(d)，以及然后過濾以形成清澈的水基絲溶液。絲溶液(未摻雜的或用期望的生物摻雜劑(諸如酶或蛋白質(zhì))摻雜的)被澆鑄在PDMS模具上(e)，經(jīng)過一夜的固化(f)，以及然后在轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)之后分離(g)，產(chǎn)出光學(xué)透明的具有生物相容性的絲薄膜(h)。圖15分別示出了具有(a)開環(huán)諧振“粒子”和(b)純電諧振器的平面陣列的示例性的磁的(a)和電的(b )超常材料結(jié)構(gòu)的圖像。這些裝置(單元體50 μ mX 50 μ m)在遠(yuǎn)紅外頻率呈現(xiàn)磁的(a)和電的(b)諧振響應(yīng)。圖16提供了比擬pH梯度進(jìn)化的絲電凝膠的形成的圖像。使用DC電源供給，IOV(恒定電壓)被施加至包含甲基紅指示劑染料的絲溶液(初始pH:6.5)。隨著時間的增加，陽極(右側(cè)電極)附近的流體經(jīng)歷了 PH的顯著降低并且電凝膠質(zhì)量的增加聚集(aggregate)是明顯的。圖17 (a)，分別對應(yīng)于用于這些事件的閾值pH 5.0和4.4，視覺上為白色的絲凝膠導(dǎo)致前面的甲基紅。(b)，如通過FTIR所示，增加的酸性產(chǎn)生了蛋白質(zhì)內(nèi)構(gòu)象的改變。在代表增強的片層內(nèi)容的1616-1637cm-l范圍內(nèi)這尤其明顯。圖18。陽極幾何結(jié)構(gòu)的選擇反應(yīng)了此處理創(chuàng)建具有可變非平面拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的能力，非平面拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括:(a)環(huán)狀(b) “S”狀以及(C)鞍點狀。(d)電凝膠薄膜的一部分的SEM圖像示出了較大的區(qū)域中電凝膠薄膜表面的惡劣的平滑度。邊緣粗糙度是由于用剃須刀片手動切割所導(dǎo)致的。圖19。電凝膠薄膜可以非常薄并且給予非常低的表面粗糙度。近來的質(zhì)量使其適合于光學(xué)透射。(a)SEM圖像描繪了 Iym量級厚度的薄膜。(b)具有10 μ mX 10 μ m樣品區(qū)域的AFM圖像示出了最小的表面粗糙度。沿1.5-2.5μπι長的樣品路徑可以看到4-6 A的RMS值，該樣品路徑從鄰近的水平線掃描到可見的變化正交地畫出。(c)使用近似25 μ m厚的樣品展示了絲電凝膠薄膜的透明度。(d)對應(yīng)的光學(xué)透射頻譜與前述的物理示例一致。圖20。圖20B示出了在STMAP處理中所獲得的超常材料結(jié)構(gòu)。圖20C示出了鋁超常材料圖形化的絲薄膜的光學(xué)透射的顯微照片。
具體實施例方式絲基體絲是在一些有機體的特定腺體中所產(chǎn)生的天然蛋白質(zhì)纖維。有機體中絲的產(chǎn)生在膜翅目(蜜蜂、黃蜂以及螞蟻)中尤其普遍，并且有時被用于巢的構(gòu)建。其它節(jié)肢動物也產(chǎn)生絲，最顯著地是各種蛛形綱動物諸如蜘蛛(例如，蜘蛛絲)。由昆蟲和蜘蛛所生成的絲纖維代表了已知的最強的自然纖維并且其對手甚至是合成高性能纖維。自從第一次出現(xiàn)在古代中國，絲已經(jīng)稱為被高度期待和廣泛使用的織物。參見，Elisseeff, “The Silk Roads:Highways of Culture and Commerce，，，BerghahnBooks/UNSECO, New York(2000);Vainker，“Chinese Silk:ACulture History”，RutgersUniversity Press, Piscataway, New Jersey (2004)。平整且平滑，絲不僅受到時尚設(shè)計者而且還受到組織工程師的喜愛，因為其機械強度以及在體內(nèi)無害的降解，從而提供作為高度強健且具有生物相容性的材料基 底的新的機會。參見Altman等，Biomaterials, 24:401(2003) ; Sashina 等，Russ.J.Appl.Chem, 79:869 (2006)。絲是由各種物種所自然地產(chǎn)生地，這些物種包括但不限于:印度柞蠶；柞蠶；天蠶；大蠟螟；家蠶；野桑蠶；大蠟螟；金紡蜘蛛；大木林蛛；乳突棘腹蛛；阿吉普奧蘭提亞蜘蛛；大腹圓蛛；馬島櫻桃黑寡婦蜘蛛；園蛛；油彩粉紅趾蜘蛛；大腹鬼蛛；捕魚蛛；悅目金蛛；暗色距蛛；三帶金蛛；以及金色球體蜘蛛。通常，依照本發(fā)明所使用的絲可能是通過任何這樣的有機體所產(chǎn)生的，或者可能通過人造處理而制備的，例如涉及用于生產(chǎn)絲蛋白質(zhì)的細(xì)胞或有機體的基因工程和/或化學(xué)合成。在本發(fā)明的一些實施例中，絲是由桑蠶(家蠶)所產(chǎn)生。如在本領(lǐng)內(nèi)所公知的，在設(shè)計上絲是模塊化的，通過較短Γ100個氨基酸)末端區(qū)域(N和C末端)在其側(cè)翼包圍大的內(nèi)部重復(fù)。通過具有10000個基本對的轉(zhuǎn)錄和>3000氨基酸，絲具有高的分子量(250至350kDa或更高)(在Omenatto和Kaplan (2010) Science329:528-531中論述)。在桑蠶絲的情況下，較大的模塊區(qū)域被具有疏水性電荷組的相對短的間隔中斷。N-和C-末端包括在絲的組裝和處理中，其包括組裝的pH值控制。N-和C-末端是高度有序的，盡管與內(nèi)部模塊相比其大小相對地小。以下的表格I提供了絲生成物種和絲蛋白質(zhì)的示例性列表(摘自Bini等，(2003)，J.Mol.Biol.335 (I): 27—40)。A.絲蛋白
權(quán)利要求
1.一種絲電子部件，包括: 絲基體；和 耦接至所述絲基體的圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)，其中所述圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)對電磁輻射做出響應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體具有小于5nm的表面粗糙度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體具有小于3nm的表面粗糙度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體包括絲蛋白。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體是家蠶絲蛋白。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體包括生物相容的部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體是薄膜、水凝膠、泡沫、電凝膠或微球體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體包括摻雜劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的絲電子部件，其中所述摻雜劑是生物摻雜劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的絲電子部件，其中所述摻雜劑是藥劑、抗體、抗體的片段或部分、抗生素、酶、有機指示劑、光活化染料、細(xì)胞、蛋白質(zhì)、肽、核酸類似物、核苷酸、寡核苷酸、肽核酸、適體、激素、激素 抗體、生長因子、生長因子的片段、生長因子的變體、重組生長因子、重組生長因子的片段、重組生長因子的變體、細(xì)胞因子、抗菌化合物、病毒、抗病毒劑、毒素、前體藥物、麻藥、化學(xué)療劑、小分子、生色基團(tuán)、發(fā)光有機化合物、發(fā)光無機化合物、集光化合物、光捕獲復(fù)合體或其組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的絲電子部件，其中所述摻雜劑對所述電磁輻射進(jìn)行調(diào)制。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體當(dāng)接觸表面時與所述表面共形。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體當(dāng)接觸表面時粘附至所述表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲基體的一部分當(dāng)接觸水溶液時溶解，以當(dāng)接觸表面時粘附至所述表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)被布置在所述絲基體的表面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)被嵌入在所述絲基體中。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)包括傳導(dǎo)性材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的絲電子部件，其中所述圖形化傳導(dǎo)性材料包括金、鋁、鉻、銀、鉬、銅、鈦、鎳、錯、鈷、鎂、鐵、錯、鑰、鈕、鉿、銥、鶴、鉭、氧化銦錫(ITO)、多晶娃、石墨及其組合。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述圖形化傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)包括諧振器、開路環(huán)諧振器、極化敏感電諧振器、極化不敏感電諧振器、射頻識別(RFID)裝置、超常材料結(jié)構(gòu)、天線、傳導(dǎo)性線圈或其組合。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲電子部件對微波輻射、紅外輻射、可見光輻射、紫外輻射或其組合做出響應(yīng)。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲電子部件響應(yīng)于所述電磁輻射而呈現(xiàn)太赫茲(THz)頻率、兆赫茲(MHz)頻率、吉赫茲(GHz)頻率、皮赫茲(PHz)頻率或其組合的電磁特征信號。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲電子部件響應(yīng)于所述電磁輻射而呈現(xiàn)電磁特征信號，所述電磁特征信號包括諧振響應(yīng)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲電子部件，其中所述絲電子部件對所述電磁輻射進(jìn)行調(diào)制。
24.一種制造絲電子部件的方法，所述方法包括: 將陰影掩模放置在絲基體上； 通過所述陰影掩模中的開口將傳導(dǎo)性材料沉積在所述絲基體上；以及 將所述陰影掩模從所述絲基體移除。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中沉積所述傳導(dǎo)性材料包括噴射沉積所述傳導(dǎo)性材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中沉積所述傳導(dǎo)性材料包括通過所述陰影掩模中的所述開口來使所述傳導(dǎo)性材料脫水。
27.一種制造絲電子部件的方法，所述方法包括: 在基底上以圖形沉積傳導(dǎo)性材料； 在基底上施加水絲溶液； 對所述水絲溶液進(jìn)行干燥以形成絲基體，當(dāng)所述絲基體干燥時，所述絲基體對所述傳導(dǎo)性材料進(jìn)行封裝；以及 將所述絲基體從所述基體分離。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，進(jìn)一步包括根據(jù)所述傳導(dǎo)性材料的所述圖形在所述絲基體中蝕刻結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種絲電子部件和用于制造絲電子部件的方法。絲電子部件可以被用作新的裝置，諸如可移植生物電學(xué)和/或生物光學(xué)裝置、生物傳感器、監(jiān)控裝置、隱身斗篷、電磁集中器或天線。
文檔編號H01Q7/00GK103181025SQ201180028873
公開日2013年6月26日 申請日期2011年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月12日
發(fā)明者大衛(wèi)·卡普蘭, 菲奧倫佐·奧梅內(nèi)托, 詹森·阿姆斯登, 陶虎, 理查德·埃夫里特, 安德魯·斯特里克韋達(dá), 張欣, 康斯坦丁諾斯·齊奧里斯 申請人:塔夫茨大學(xué), 波士頓大學(xué)董事會