專利名稱：光電子器件陣列的制作方法
光電子器件陣列
背景技術(shù)：
光電子器件一般包含發(fā)光器件和光伏器件。這些器件一般包括夾在兩個(gè)電極(有時(shí)稱作前電極和后電極，典型地至少其中之一是透明的)之間的活動(dòng)層(active layer)?；顒?dòng)層典型地包含一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體材料。在發(fā)光器件(例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件)中，施加在兩個(gè)電極之間的電壓引起流經(jīng)活動(dòng)層的電流。該電流引起活動(dòng)層發(fā)光。在光伏器件(例如太陽(yáng)能電池)中，活動(dòng)層從光吸收能量并將其轉(zhuǎn)換成電能，該電能生成兩個(gè)電極之間的某個(gè)特性電壓處的電流。光透射過(guò)OLED器件的至少一個(gè)電極。合適的透明電極的設(shè)計(jì)要求其提供面內(nèi)導(dǎo)電性(優(yōu)選材料的較厚的層)并且其提供通過(guò)其厚度的光透射(優(yōu)選材料的較薄的層)。為解決電極設(shè)計(jì)上的這些相反約束，優(yōu)選限制個(gè)別發(fā)光區(qū)域(像素)的大小，并從而限制橫向流入電極平面的電流量。如果電流較小，則電極中的電阻損耗小并且由此引起的器件是有效率的。在一種情況下，像素由限定其周界的不發(fā)光的線來(lái)限定，并且電流匯集到這些區(qū)域。 在另一情況下，像素可以由限定其周界的點(diǎn)來(lái)限定，并且電流在這些點(diǎn)匯集到電極。在任一種情況下，不發(fā)光區(qū)域中斷原本OLED的均勻的外觀。在電流方向上的像素典型的最大尺寸在導(dǎo)致過(guò)度損耗和不均勻的外觀之前為Icm量級(jí)。解決該問(wèn)題的方式包含使不發(fā)光區(qū)域很小(增加制造過(guò)程的復(fù)雜性)或用擴(kuò)散膜遮掩不發(fā)光區(qū)域(降低效率并增加成本)。因此，希望減小不發(fā)光區(qū)域的表面從而制作大的未中斷區(qū)的光。更一般地，希望從個(gè)別像素配置大的照亮區(qū)的陣列并且提供設(shè)計(jì)靈活性。因此，希望在無(wú)序的陣列圖案上以任意的順序配置像素，以引進(jìn)不同大小、形狀、顏色和亮度以及間隔的像素，并且也能夠在陣列中替換個(gè)別像素。

發(fā)明內(nèi)容
簡(jiǎn)短地說(shuō)，在一個(gè)方面中，本發(fā)明涉及陣列，該陣列包含安置于至少一行內(nèi)的多個(gè)封裝件，每個(gè)封裝件裝有光電子器件；每個(gè)封裝件與至少一個(gè)鄰接的封裝件重疊。每個(gè)封裝件可包含限定電活性區(qū)的邊緣密封區(qū)；邊緣密封區(qū)的至少一部分是透明的；每行內(nèi)第一封裝件的電活性區(qū)與鄰接的封裝件的邊緣密封區(qū)的透明部分重疊；除了每行內(nèi)的第一封裝件之外的每個(gè)封裝件的邊緣密封區(qū)的透明部分與鄰接的封裝件的電活性區(qū)重疊；以及可選地，其中多個(gè)封裝光電子器件配置為形成連續(xù)的發(fā)光區(qū)。在一些實(shí)施例中，每個(gè)封裝件的邊緣密封區(qū)的一部分是不透明的，并且行內(nèi)的每個(gè)封裝件的電活性區(qū)與鄰接的封裝件的邊緣密封區(qū)的不透明部分重疊。該封裝件可以是密閉地密封的。另一方面，本發(fā)明涉及裝有光電子器件的封裝件，該封裝件包含限定電活性區(qū)的邊緣密封區(qū)。邊緣密封區(qū)的至少一部分是透明的并且該邊緣密封區(qū)的一部分是不透明的，并且邊緣密封區(qū)的不透明部分包含導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層配置為經(jīng)由多個(gè)端子將光電子器件的陽(yáng)極和陰極連接至外部電源?？蛇x地，電絕緣層放置在邊緣密封區(qū)的不透明部分中的陽(yáng)極和導(dǎo)電層之間，并且配置為將陽(yáng)極從陰極電性隔離。在一些實(shí)施例中，陰極和陽(yáng)極穿過(guò)邊緣密封區(qū)的不透明部分延伸。該封裝件可以是密閉地密封的。
又一方面，本發(fā)明涉及具有無(wú)圖案電極的光電子器件，該光電子器件包含透明導(dǎo)電氧化物，特別地為氧化銦錫。該器件可以另外包含直接放置在無(wú)圖案(unpatterned)電極上的金屬化層，并且配置為與無(wú)圖案電極和電源電連通。


本發(fā)明的這些和其它特征、方面以及優(yōu)點(diǎn)將在參考附圖并閱讀下文的詳細(xì)描述后變得更好理解，其中在通篇附圖中類似的字符表示類似的部件，其中
圖I是用于在本發(fā)明的陣列中使用的封裝件的截面圖。圖2A和圖2B是穿過(guò)本發(fā)明的照明陣列所使用的封裝件的層的截面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的示出重疊封裝光電子器件的陣列的示意圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的具有彼此正交地取向的封裝光電子器件的陣列的示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的具有邊緣密封區(qū)的不透明部分取向?yàn)榫€性對(duì)準(zhǔn)的封裝光電子器件的單個(gè)行的陣列的示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的具有邊緣密封區(qū)的不透明部分取向?yàn)榫€性對(duì)準(zhǔn)的封裝光電子器件的兩個(gè)行的陣列的示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的具有邊緣密封區(qū)的不透明部分取向?yàn)榫€性對(duì)準(zhǔn)的封裝光電子器件的單個(gè)行的陣列的示意圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的具有邊緣密封區(qū)的不透明部分取向?yàn)榫€性對(duì)準(zhǔn)的封裝光電子器件的兩個(gè)行的陣列的示意圖。圖9是具有邊緣密封區(qū)的兩個(gè)不透明部分的封裝件的示意圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的具有邊緣密封區(qū)的不透明部分取向?yàn)槠叫袑?duì)準(zhǔn)的封裝光電子器件的單個(gè)行的陣列的示意圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的具有邊緣密封區(qū)的不透明部分取向?yàn)槠叫袑?duì)準(zhǔn)的封裝光電子器件的兩個(gè)行的陣列的示意圖。
具體實(shí)施例方式圖I是適用于在本發(fā)明的照明陣列中使用的光電子器件封裝件10的截面圖，圖I示出了第一阻擋層(barrier layer) 110、第一電極 120、電活性層(electroactive layer)130、第二電極140、可選的襯底150以及第二阻擋層160。在沒(méi)有呈現(xiàn)襯底150的實(shí)施例中，第二電極140可以直接地放置在第二阻擋層160上。粘性層170放置在第一阻擋層110和第一電極120之間以及第一阻擋層110和第二阻擋層160之間，形成邊緣密封區(qū)180。在一些實(shí)施例中，第二電極140可以與襯底150共同延伸(coextensive),并且粘性層170可以部分放置在第二電極140上，形成邊緣密封區(qū)180。在其它實(shí)施例中，襯底150可以與層160和180共同延伸。邊緣密封區(qū)邊緣密封區(qū)的幾何形狀設(shè)計(jì)為最小化水和氧的進(jìn)入；形成第一和第二阻擋層110和160之間接合的粘性層170薄并且寬，因此提供優(yōu)選的幾何形狀。選擇粘性層170的粘性材料以提供襯底和背板(backsheet)之間的堅(jiān)固接合，并且對(duì)于水分和氧的進(jìn)入相對(duì)防滲。粘性劑不受水分影響并為化學(xué)惰性使其不使構(gòu)成器件的材料，特別是電極和電活性層的材料變差。在粘性劑170延伸至超出發(fā)光區(qū)域的邊緣密封區(qū)180的方面，其應(yīng)為透明的。多種粘性劑，包含透明熱塑性、壓敏粘性劑、丙烯酸以及熱固性環(huán)氧樹脂和氨基甲酸酯是可能合適的。例如通過(guò)選擇可以預(yù)應(yīng)用于阻擋層的熱封材料(例如，作為散射提供的Rohm和Haas Adcote 37T77)然后干燥來(lái)使能低成本材料和處理。通過(guò)短暫露出在適度的熱量和壓力(例如連續(xù)的輥層壓過(guò)程)中，可以完成阻擋層到OLED器件的層壓。當(dāng)呈現(xiàn)襯底150時(shí)，將可選的粘性層190放置在第二電極140和第二阻擋層160之間。襯底150與第一和第二阻擋層110和160可以是不透明或透明的，盡管器件的至少一個(gè)表面，即第一阻擋層Iio或襯底150和/或第二阻擋層160是透明的，以使由器件10發(fā)射或吸收的光可以從電活性層130傳遞出來(lái)或傳遞至電活性層130。在一個(gè)示例中，襯底150是透明的并且包含玻璃或例如聚酯(PET，PEN)等塑料。每個(gè)阻擋層對(duì)于水分和氧是相對(duì)防滲的；適合作為阻擋層使用的透明材料包含玻璃和超高阻擋(UHB)膜，例如，轉(zhuǎn)讓給通用電氣公司的US7, 015，640、US7，154，220和US7, 3 97，183中所描述的。金屬箔適合用于不透明的阻擋層。第二電極140可以是陰極或陽(yáng)極；在一些實(shí)施例中，第二電極140是陽(yáng)極。特別地，第二電極140可以是包含氧化銦錫(ITO)的陽(yáng)極。電活性層130是一個(gè)或多個(gè)層，該一個(gè)或多個(gè)層集體動(dòng)作以發(fā)射(對(duì)于OLED器件)或吸收(對(duì)于PV器件)光，并且可包含空穴和電子注入層，空穴和電子傳輸層和發(fā)射層。在本領(lǐng)域中已知各種沉積這些層的方式，包含真空和非真空過(guò)程。適合在OLED器件和PV器件中使用的材料以及用于制造這樣的器件的方法是眾所周知的，并且將不在此處詳細(xì)描述。圖2A是適用于在本發(fā)明的照明陣列中使用的通過(guò)封裝件20的電活性層的橫截面圖，示出了絕緣層201、電活性區(qū)210和曝光層250，曝光層250位于區(qū)210下方，并且包含電極、襯底、粘性層和/或阻擋層。在特定實(shí)施例中，電極是陽(yáng)極；更特別地，陽(yáng)極包含ΙΤ0。除下方的層以外，電活性區(qū)210包含第二電極和夾在這些電極之間的電活性層。器件20描繪成單個(gè)像素，即單個(gè)發(fā)光區(qū)域，但可包含多個(gè)更小的像素。絕緣層201典型地較薄，并具有與電活性區(qū)210大約相同的厚度，并且與電活性區(qū)210具有平滑的邊界。絕緣層局限于邊緣密封區(qū)220，并且不延伸至電活性區(qū)210內(nèi)。絕緣層201可以包含各種有機(jī)或無(wú)機(jī)絕緣體。在一個(gè)示例中，可以施加粘度大約為I-IOcPs的低粘度氰基丙烯酸酯膠粘劑以在沉積電極220之前形成薄的絕緣涂層。在另一示例中，可以通過(guò)掩模而沉積無(wú)機(jī)二氧化硅的薄層(小于I微米)，以形成絕緣層201。有機(jī)材料可由各種印刷或涂層技術(shù)的任何一種進(jìn)行施加；可通過(guò)蒸汽沉積法(例如，真空蒸發(fā)、濺射以及化學(xué)蒸汽沉積)來(lái)沉積無(wú)機(jī)材料。在一個(gè)實(shí)施例中，器件20的制造不用構(gòu)圖陽(yáng)極。這樣的過(guò)程因?yàn)橐蟾俚牟襟E而可以更加經(jīng)濟(jì)，并且還可以產(chǎn)出具有改進(jìn)的性質(zhì)的器件。在非限制性示例中，ITO層提供在塑料襯底上；透明UHB層可提供在ITO層與襯底之間或襯底另一個(gè)表面上。襯底區(qū)域限定器件的近似最終形狀。襯底可以是連續(xù)的輥格式或大的面板，以便可以涂敷多個(gè)區(qū)域的一部分。包含有機(jī)材料的絕緣層可以通過(guò)各種印刷或涂層技術(shù)中的任何一種，由低粘度的涂層組分來(lái)施加于無(wú)圖案陽(yáng)極，或無(wú)機(jī)絕緣層可以通過(guò)真空蒸發(fā)或其它蒸汽沉積法沉積在無(wú)圖案陽(yáng)極上。典型地最小化涂層的邊緣處的階梯高度差。電活性層直接沉積在無(wú)圖案陽(yáng)極上，在一些或所有邊緣上的電活性區(qū)和襯底周界之間留有間隙。金屬陰極層直接沉積在絕緣層和電活性層上，并可選地通過(guò)掩模沉積在陽(yáng)極的選定部分上。金屬層可以例如經(jīng)由蒸汽沉積過(guò)程或使用導(dǎo)電墨的印刷型過(guò)程來(lái)形成。在備選實(shí)施例中，通過(guò)蝕刻過(guò)程從不同于由絕緣層201限定的區(qū)域選擇性地將ITO陽(yáng)極移除，因此露出裸襯底150并排除絕緣層201的需要。沉積電活性層和陰極層的后續(xù)步驟未改變。圖2B是通過(guò)一個(gè)實(shí)施例的封裝件20的電極層的橫截面圖。所示的電極層220是沒(méi)有放置在襯底上的電極層，與圖I中的第一電極120相似。在本實(shí)施例中，第一電極220是陰極并可不透明；具有此配置的OLED器件描述為底部發(fā)射。在其它實(shí)施例中，該層是透明電極，并描述為頂部發(fā)射。圖2B示出了陰極區(qū)220、下方的層250和可選區(qū)203，其中下方的層250是形成邊緣密封區(qū)的透明部分的基底。陰極區(qū)220和導(dǎo)電區(qū)203包含透明或不透明的導(dǎo)電層。在本領(lǐng)域中已知用于區(qū)220和203的導(dǎo)電層的合適材料，并且其包含元素形式的金屬(例如鋁和銀)，以及例如ITO和氧化鋅錫的透明導(dǎo)電氧化物。特別地，可以使用鋁的薄層。在陰極區(qū)220中，該層放置在絕緣層201和電活性區(qū)210 (未示出)之上，并與絕緣層201和電活性區(qū)210共同延伸?？蛇x的導(dǎo)電區(qū)203直接放置在陽(yáng)極上。特別地希望使用與陽(yáng)極電接觸的額外的導(dǎo)電層以改進(jìn)包含具有有限本征導(dǎo)電性的材料(例如，ΙΤ0)的陽(yáng)極的導(dǎo)電性。此外，通過(guò)增加導(dǎo)電層(例如金屬)，區(qū)203中可以更容易地形成到陽(yáng)極的低電阻電接觸。不透明邊緣密封區(qū)226包含導(dǎo)電區(qū)203、陰極區(qū)220的延伸和下方的陽(yáng)極以及分隔它們的絕緣層(未示出)，其中導(dǎo)電區(qū)203與陽(yáng)極電連通，并包含其間沒(méi)有絕緣層的兩個(gè)導(dǎo)電層，并且其包含兩層導(dǎo)電材料以及防止該導(dǎo)電層之間短路的絕緣層。在該實(shí)施例中，ITO在 除了由絕緣層201限定以外的區(qū)域上蝕刻，陰極區(qū)220類似地與延伸至不透明邊緣密封區(qū)226的區(qū)域電連通，并僅包含一個(gè)導(dǎo)電層。使用合適的結(jié)構(gòu)和方法完成器件密閉的封裝。各種類型的密閉封裝件和用于制造密閉封裝件的方法已經(jīng)在提交于2008年12月17日的美國(guó)專利申請(qǐng)第12/336，683號(hào)、提交于2009年7月28日的美國(guó)專利申請(qǐng)第12/510，463號(hào)、提交于2009年5月21日的美國(guó)專利申請(qǐng)第12/470,033號(hào)、以及提交于2009年9月30日的美國(guó)專利申請(qǐng)第12/570,024號(hào)中描述，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考而并入于此。例如，透明保護(hù)背板可以接合至器件的背部。保護(hù)背板可以安置于襯底并與襯底對(duì)準(zhǔn)，以使露出邊緣密封區(qū)226的與陽(yáng)極和陰極電連通的部分。用于透明背板的合適的材料包含具有阻擋膜的玻璃或塑料。它可以通過(guò)光學(xué)透明粘性劑接合至下方的層，其中典型地選擇該粘性劑來(lái)提供堅(jiān)固的接合，并且該粘性劑不受水分的影響且為化學(xué)惰性從而其不會(huì)使OLED變差，并且對(duì)于水分和氧邊緣進(jìn)入是相對(duì)防 滲的。密封幾何形狀設(shè)計(jì)為充分薄并且寬以最小化進(jìn)入。圖3是示出重疊光電子器件封裝件310和320的陣列30的示意圖。器件310的邊緣密封區(qū)312的透明部分與器件320的電活性區(qū)324重疊，并且器件320的透明部分322與器件310的背面上的電活性區(qū)314重疊。由OLED發(fā)射的或由PV器件吸收的光能夠穿過(guò)重疊的透明部分。對(duì)于0LED，電活性區(qū)314和324可以不用插入非發(fā)光區(qū)而安置，從而形成連續(xù)的發(fā)光區(qū)。應(yīng)該注意到本發(fā)明不限于具有透明邊緣密封區(qū)的封裝件；在這樣的實(shí)施例中，發(fā)光區(qū)或光吸收區(qū)可以由非發(fā)射/吸收區(qū)分開。圖4是示出彼此正交地取向的重疊封裝件410和420的陣列40的示意圖。器件410的邊緣密封區(qū)412的透明部分與器件420的電活性區(qū)424重疊，并且器件410的電活性區(qū)414與器件420的邊緣密封區(qū)426的不透明部分重疊，在陣列的一個(gè)表面上形成了連續(xù)的發(fā)光或光吸收區(qū)。圖5是示出布置在一個(gè)行內(nèi)的重疊封裝件510、520、530和540的陣列50的示意圖，其中每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分516、526、536和546取向?yàn)榫€性對(duì)準(zhǔn)。該行內(nèi)的第一器件(器件510)的電活性區(qū)514與鄰接的器件520的邊緣密封區(qū)的透明部分522重疊。該行內(nèi)的器件530和540的邊緣密封區(qū)的透明部分532和542與鄰接的器件520和530的電活性區(qū)524和534重疊。不透明部分516、526、536和546沿著線性母線515放置并可連接至線性母線515來(lái)為陣列供電。圖6是示出重疊封裝件610、620、630、640、650、660、670和680的兩個(gè)行的陣列60的不意圖,其中第一行內(nèi)的每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分616、626、636和646線性對(duì)準(zhǔn)，并且第二行(未示出)內(nèi)的每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分彼此線性對(duì)準(zhǔn)。第一行內(nèi)的第一器件(器件610)的電活性區(qū)614與鄰接的器件620的邊緣密封區(qū)的透明部分622重疊。該行內(nèi)的器件630和640的邊緣密封區(qū)的透明部分632和642與鄰接的器件620和630的電活性區(qū)624和634重疊。第二行內(nèi)的第一器件(器件650)的電活性區(qū)654與鄰接的器件660的邊緣密封區(qū)的透明部分662重疊。該行內(nèi)的器件670和680的邊緣密封區(qū)的透明部分672和682與鄰接的器件660和680的電活性區(qū)664和674重疊。第一行內(nèi)的器件610、620、630和640的電活性區(qū)614、624、634和644與第二行內(nèi)的每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)重疊，并且器件610、620、630和640的邊緣密封區(qū)的透明部分618、628、638和648與鄰接的器件650、660、670和680的不透明區(qū)(未示出)重疊。第一行內(nèi)的器件610、620、630和640的不透明部分616、626、636和646沿著線性母線615放置并 且可連接至線性母線615以便向該行供電，以及第二行內(nèi)的每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分沿著線性母線625放置并且可連接至線性母線625以便向該行供電。圖7是示出布置在一個(gè)行內(nèi)并且取向?yàn)槊總€(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)平行對(duì)準(zhǔn)于不透明部分716的重疊封裝件710、720、730和740的陣列70的示意圖。該行內(nèi)右起第一器件(器件740)的電活性區(qū)744與鄰接的器件730的邊緣密封區(qū)的透明部分732重疊。該行內(nèi)的器件710和720的邊緣密封區(qū)的透明部分712和722與鄰接的器件720和730的電活性區(qū)724和734重疊。電活性區(qū)714,724和734與器件720,730和740的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)重疊，其與器件710的不透明部分716平行對(duì)準(zhǔn)。圖8是示出取向?yàn)榈谝恍袃?nèi)的每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)平行對(duì)準(zhǔn)于不透明部分816，并且第二行內(nèi)的每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)平行對(duì)準(zhǔn)的重疊封裝件810、820、830、840、850、860、870和880的兩個(gè)行的陣列80的示意圖。第一行內(nèi)右起第一器件(器件840)的電活性區(qū)844與鄰接的器件830的邊緣密封區(qū)的透明部分832重疊。該行內(nèi)的器件810和820的邊緣密封區(qū)的透明部分812和822與鄰接的器件820和830的電活性區(qū)824和834重疊。第二行內(nèi)右起第一器件(器件880)的電活性區(qū)884與鄰接的器件870的邊緣密封區(qū)的透明部分872重疊。該行內(nèi)的器件850和860的邊緣密封區(qū)的透明部分852和862與鄰接的器件860和880電活性區(qū)864和874重疊。第一行內(nèi)的器件810、820和830的電活性區(qū)814、824和834與同一行內(nèi)的鄰接的器件820、830和840的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)重疊，并且第二行內(nèi)的器件850、860、870和880的邊緣密封區(qū)的透明部分858、868、878和888與第一行內(nèi)的鄰接的器件810、820、830和840的不透明區(qū)(未示出)重疊。不透明部分經(jīng)由電引線連接至電源。圖9是具有透明邊緣密封區(qū)912、電活性區(qū)924以及不透明邊緣密封區(qū)926和928的封裝件90的平面圖。邊緣926包含器件的陽(yáng)極和陰極(未示出)、導(dǎo)電區(qū)903以及可選的導(dǎo)電觸片(tab contact) 921。邊緣928包含陽(yáng)極(未不出)和放置于其上的用于增強(qiáng)導(dǎo)電性的導(dǎo)電層。圖中導(dǎo)電區(qū)903和邊緣928的導(dǎo)電層顯示為連續(xù)的層，但是在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電區(qū)/層可包含用于增強(qiáng)陽(yáng)極的導(dǎo)電性并且連接至電源的一個(gè)或多個(gè)薄導(dǎo)電線。電引線923可以連接在導(dǎo)電片921和電源之間。接觸件的設(shè)計(jì)可以取決于連接器安裝方案而不同。圖描繪了帶型導(dǎo)體，其可以使用導(dǎo)電粘性劑附在陰極和陽(yáng)極金屬上。然而導(dǎo)電片可以在背板和襯底之間向內(nèi)延伸，在一些實(shí)施例中，可以優(yōu)選將它們置于外部配置，以使其不干擾邊緣的密封。在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電片可以在背板上印刷成薄金屬層。到陽(yáng)極和陰極的接觸可以用導(dǎo)電粘性劑實(shí)現(xiàn)。此外，可能希望在鄰接背板的電極金屬的頂部上增加可以抵抗來(lái)自環(huán)境的攻擊的另一層，尤其是在邊緣區(qū)域內(nèi)，該邊緣區(qū)域在背板使用之后仍可能為露出的。這可以是非腐蝕性金屬的形式，或它可以是UHB或其它有機(jī)或無(wú)機(jī)阻擋層。圖10是示出布置在一個(gè)行內(nèi)并且每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分取向?yàn)槠叫袑?duì)準(zhǔn)的重疊封裝件1010、1020、1030和1040的陣列100的示意圖。器件1020、1030和1040的邊緣密封區(qū)的不透明部分布置為平行于器件1010的露出的不透明部分1016。該行內(nèi)右起第一器件(器件1040)的電活性區(qū)1044與鄰接的器件1030的邊緣密封區(qū)的透明部分1032重疊。該行內(nèi)的器件1010和1020的邊緣密封區(qū)的透明部分1012和1022與鄰接的器件1020和1030的電活性區(qū)1024和1034重疊。電活性區(qū)1014、1024和1034與器件1020、1030和1040的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)重疊，其與器件1010的不透明部 分1016平行對(duì)準(zhǔn)。器件1010、1020、1030和1040的不透明部分1018、1028、1038和1048線性對(duì)準(zhǔn)。圖11是示出重疊封裝件1110、1120、1130和1140的兩個(gè)行的陣列100的示意圖，其中取向?yàn)榈谝恍袃?nèi)的每個(gè)器件的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)以及第二行內(nèi)的器件1150、1160、1170和1180的不透明部分1158、1168、1178和1188分別與器件1110和1150的不透明部分1116和1156正交對(duì)準(zhǔn)。第一行內(nèi)右起第一器件(器件1140)的電活性區(qū)1144與鄰接的器件1130的邊緣密封區(qū)的透明部分1132重疊。該行內(nèi)的器件1110和1120的邊緣密封區(qū)的透明部分1112和1122與鄰接的器件1120和1130的電活性區(qū)1124和1134重疊。第二行內(nèi)右起第一器件(器件1180)的電活性區(qū)1184與鄰接的器件1170的邊緣密封區(qū)的透明部分1172重疊。該行內(nèi)的器件1150和1160的邊緣密封區(qū)的透明部分1152和1162與鄰接的器件1160和1180的電活性區(qū)1164和1174重疊。第一行內(nèi)的器件1110、1120和1130的電活性區(qū)1114、1124和1134與同一行內(nèi)的鄰接的器件1120、1130和1140的邊緣密封區(qū)的不透明部分(未示出)重疊，以及第二行內(nèi)的器件1150、1160、1170和1180的電活性區(qū)1154、1164、1174和1184與第一行內(nèi)的鄰接的器件1110、1120、1130和1140的不透明區(qū)(未示出)重疊。器件1150、1160、1170和1180的不透明部分1158、1168、1178和1188仍然露出。不透明部分經(jīng)由電引線連接至電源。盡管本文僅圖示和描述了本發(fā)明的某些特征，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將想到多種修改和變化。因此，應(yīng)該理解所附的權(quán)利要求旨在覆蓋所有落在本發(fā)明真實(shí)精神內(nèi)的這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種陣列，包括安置于至少一行內(nèi)的多個(gè)封裝件，每個(gè)封裝件裝有光電子器件； 其中每個(gè)封裝件與至少一個(gè)鄰接的封裝件重疊。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列，其中， 每個(gè)封裝件包括限定電活性區(qū)的邊緣密封區(qū)； 所述邊緣密封區(qū)的至少一部分是透明的； 每行內(nèi)第一封裝件的所述電活性區(qū)與鄰接的封裝件的所述邊緣密封區(qū)的透明部分重置；以及 除了所述每行內(nèi)的所述第一封裝件之外的每個(gè)封裝件的所述邊緣密封區(qū)的所述透明部分與鄰接的封裝件的所述電活性區(qū)重疊。
3.如權(quán)利要求I所述的陣列，其中所述多個(gè)封裝件中的每一個(gè)包括單個(gè)像素。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列，其中所述多個(gè)封裝件配置為形成連續(xù)的發(fā)光區(qū)。
5.如權(quán)利要求2所述的陣列，其中每個(gè)封裝件的所述邊緣密封區(qū)的一部分是不透明的，并且該行內(nèi)的每個(gè)封裝件的所述電活性區(qū)與鄰接的封裝件的所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分重疊。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列，其中每個(gè)封裝件的所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分的邊緣線性對(duì)準(zhǔn)。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列，其中所述邊緣配置為沿著線性母線放置并連接至所述線性母線。
8.如權(quán)利要求5所述的陣列，其中每個(gè)封裝件的所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分的邊緣平行對(duì)準(zhǔn)。
9.如權(quán)利要求2所述的陣列，其中， 所述多個(gè)封裝件布置于至少兩行內(nèi)；以及 第一行內(nèi)的每個(gè)封裝件的所述邊緣密封區(qū)的所述透明部分與所述第一行內(nèi)的鄰接的封裝件的電活性區(qū)以及第二行內(nèi)的鄰接的封裝件的電活性區(qū)重疊。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列，其中所述第一行內(nèi)的每個(gè)封裝件的所述電活性區(qū)與所述第二行內(nèi)的鄰接的封裝件的所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分重疊。
11.如權(quán)利要求5所述的陣列，其中所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層配置為經(jīng)由多個(gè)端子將所述光電子器件的陽(yáng)極和陰極連接至外部電源。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列，其中所述陰極和所述陽(yáng)極穿過(guò)所述邊緣密封區(qū)的不透明部分延伸。
13.如權(quán)利要求11所述的陣列，其中所述導(dǎo)電層直接放置在所述陽(yáng)極上。
14.如權(quán)利要求11所述的陣列，還包括電絕緣層，所述電絕緣層放置在所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分中的所述陽(yáng)極和所述導(dǎo)電層之間，并且配置為將所述陽(yáng)極從所述陰極電性隔離。
15.如權(quán)利要求I所述的陣列，其中每個(gè)光電子器件是OLED。
16.一種OLED照明陣列，形成連續(xù)的照明區(qū)，所述OLED照明陣列包括多個(gè)封裝件，每個(gè)封裝件裝有光電子器件，并且布置在至少兩行內(nèi)； 每個(gè)封裝件包括限定電活性區(qū)的邊緣密封區(qū)，并且具有透明部分和不透明部分；所述不透明部分包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層配置為經(jīng)由多個(gè)端子將所述光電子連接至外部電源；其中第一行內(nèi)的每個(gè)封裝件的所述邊緣密封區(qū)的所述透明部分與所述第一行內(nèi)的鄰接的封裝件的所述活性區(qū)以及第二行內(nèi)的鄰接的封裝件的所述活性區(qū)重疊； 所述第一行內(nèi)的每個(gè)封裝件的所述電活性區(qū)和所述第二行內(nèi)的鄰接的封裝件的所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分重疊；以及 每個(gè)封裝件的不透明邊緣沿著線性母線對(duì)準(zhǔn)。
17.一種封裝光電子器件，包括 限定電活性區(qū)的邊緣密封區(qū)， 所述邊緣密封區(qū)的至少一部分是透明的，并且所述邊緣密封區(qū)的一部分是不透明的； 所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層配置為經(jīng)由多個(gè)端子將所述光電子器件的陽(yáng)極和陰極連接至外部電源。
18.如權(quán)利要求17所述的封裝光電子器件，其中所述陰極和所述陽(yáng)極穿過(guò)所述邊緣密封區(qū)的不透明部分延伸。
19.如權(quán)利要求17所述的封裝光電子器件，其中所述導(dǎo)電層直接放置在所述陽(yáng)極上。
20.如權(quán)利要求17所述的封裝光電子器件，還包括電絕緣層，所述電絕緣層放置在所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分中的所述導(dǎo)電層和所述陽(yáng)極之間，并且配置為將所述陽(yáng)極從所述陰極電性隔離。
21.如權(quán)利要求17所述的封裝光電子器件，其中， 所述陰極和所述陽(yáng)極穿過(guò)所述邊緣密封區(qū)的不透明部分延伸； 所述導(dǎo)電層直接放置在所述陽(yáng)極上；以及 電絕緣層放置在所述邊緣密封區(qū)的所述不透明部分中的所述導(dǎo)電層和所述陽(yáng)極之間，配置為將所述陽(yáng)極從所述陰極電性隔離。
22.一種光電子器件，具有無(wú)圖案電極，所述光電子器件包括透明導(dǎo)電氧化物。
23.如權(quán)利要求22所述的光電子器件，其中所述透明導(dǎo)電氧化物是氧化銦錫。
24.如權(quán)利要求22所述的光電子器件，還包括金屬化層，所述金屬化層直接放置在所述無(wú)圖案電極上并配置為與所述無(wú)圖案電極和電源電連通。
全文摘要
光電子器件陣列包括多個(gè)封裝件，每個(gè)封裝件裝有光電子器件，并且置于至少一行內(nèi)。每個(gè)封裝件與至少一個(gè)鄰接的封裝件重疊，并可能密閉地密封。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102822974SQ201180017904
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2011年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者D.S.法庫(kù)哈, M.S.赫措格 申請(qǐng)人:通用電氣公司