專利名稱：單基島露出型多圈引腳封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種單基島露出型多圈引腳封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。
背景技術：
傳統(tǒng)的引線框結構主要有兩種第一種采用金屬基板進行化學蝕刻及電鍍后，在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進行封裝過程的引線框載體(如圖2所示)；第二種采用首先在金屬基板的背面進行化學半蝕刻，再將前述已經(jīng)過化學半蝕刻的區(qū)域進行塑封料的包封，之后將金屬基板的正面進行內(nèi)引腳的化學蝕刻，完成后再進行引線框內(nèi)引腳表面的電鍍，即完成引線框的制作(如圖4所示)。而上述兩種引線框在封裝過程中存在了以下不足點第一種I、此種的引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜，所以直接增加了高昂的成本；2、也因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的裝片工藝只能使用導電或是不導電的粘結物質(zhì)，而完全不能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類就有較大的局限性；3、又因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的金屬線鍵合工藝中，因為此可抗高溫的膠膜是軟性材質(zhì)，所以造成了金屬線鍵合參數(shù)的不穩(wěn)定，嚴重的影響了金屬線鍵合的質(zhì)量及產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性；4、再因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的塑封工藝過程，因為塑封時的注膠壓力很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而將原本應屬金屬腳是導電的型態(tài)因為滲入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖3所示)。第二種I、因為分別進行了二次的蝕刻作業(yè)，所以多增加了工序作業(yè)的成本；2、引線框的組成是金屬物質(zhì)加環(huán)氧樹脂物質(zhì)(塑封料)所以在高溫下容易因為不同物質(zhì)的膨脹與收縮應力的不相同，產(chǎn)生引線框翹曲問題；3、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝工序中的裝置芯片的精準度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；4、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝工序中的金屬線鍵合的對位精度與弓I線框傳送過程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；5、因為引線框正面的內(nèi)引腳是采用蝕刻的技術，所以蝕刻內(nèi)引腳的腳寬必須大于lOOMffl，而內(nèi)引腳與內(nèi)引腳的間隙也必須大于lOOMffl，所以較難做到內(nèi)引腳的高密度能力。
發(fā)明內(nèi)容[0017]本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種單基島露出型多圈引腳封裝結構，它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，可選擇的產(chǎn)品種類廣，金屬線鍵合的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實現(xiàn)了內(nèi)引腳的高密度能力。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種單基島露出型多圈引腳封裝結構，其特點是它包括外基島和外引腳，所述外基島設置有一個，所述外引腳設置有多圈，所述外引腳正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳，所述外基島正面設置有芯片，所述芯片正面與內(nèi)引腳正面之間用金屬線連接，所述內(nèi)引腳上部以及芯片和金屬線外包封有塑封料，所述外引腳外圍的區(qū)域、外基島和外引腳之間的區(qū)域以及外引腳與外引腳之間的區(qū)域嵌置有填縫劑，且外基島和外引腳的背面露出填縫劑外，在露出填縫劑外的外基島和外引腳的背面設置有第二金屬層。所述外基島正面通過多層電鍍方式形成一個或多個內(nèi)基島，所述芯片通過導電或不導電粘結物質(zhì)設置于內(nèi)基島正面。所述第一金屬層可以采用鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層或鎳、銅、銀三層金屬層，或者其他類似結構。以鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層為例，其中第一層鎳層主要起到抗蝕刻阻擋層的作用，而中間的銅層、鎳層和鈀層主要起結合增高的作用，最外層的金層主要起到與金屬線鍵合的作用。所述第二金屬層的成分根據(jù)不同的芯片可以采用金鎳金、金鎳銅鎳金、鎳鈀金、金鎳鈕金、鎳金、銀或錫等。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是I、此種引線框的背面不需貼上一層昂貴的可抗高溫的膠膜，所以直接降低了高昂的成本；2、也因為此種引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的工藝除了能使用導電或是不導電的粘結物質(zhì)外，還能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進行裝片，所以可選擇的種類較廣；3、又因為此種的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，確保了金屬線鍵合參數(shù)的穩(wěn)定性，保證了金屬線鍵合的質(zhì)量和產(chǎn)品的可靠度的穩(wěn)定性；4、再因為此種的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜，因而在封裝的工藝過程中完全不會造成引線框與膠膜之間滲入塑封料；5、由于正面采用了細線電鍍的方法，所以正面的引腳寬度最小可以達到25Mffl，以及內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間的距離最小達到25Mm，充分地體現(xiàn)出引線框內(nèi)引腳的高密度能力；6、由于應用了正面內(nèi)引腳的電鍍方式與背面蝕刻技術，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳盡可能的延伸到基島的旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如此金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線);7、也因為金屬線的縮短使得芯片的信號輸出速度也大幅的增速(尤其存儲類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計算更為突出)，由于金屬線的長度變短了，所以在金屬線所存在的寄生電阻、寄生電容與寄生電感對信號的干擾也大幅度的降低；8、因運用了內(nèi)引腳的電鍍延伸技術，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小； 9、因為將封裝后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降，由于材料用量的減少，也大幅度地減少了廢棄物等環(huán)保問題困擾。

圖I為本實用新型一種單基島露型多圈引腳封裝結構示意圖。圖2為以往四面無引腳引線框背面貼上耐高溫膠膜的示意圖。圖3為以往背面貼上耐高溫膠膜的四面無引腳引線框封裝時溢料的示意圖。圖4為以往預包封雙面蝕刻引線框的結構示意圖。 其中外基島I外引腳2內(nèi)基島3內(nèi)引腳4芯片5金屬線6塑封料7導電或不導電粘結物質(zhì)8第二金屬層9填縫劑10。
具體實施方式
參見圖1，本實用新型一種單基島露出型多圈引腳封裝結構，它包括外基島I和外引腳2，所述外基島I設置有一個，所述外引腳2設置有多圈，所述外基島I正面通過多層電鍍方式形成一個或多個內(nèi)基島3，所述外引腳2正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳4，所述內(nèi)基島3和內(nèi)引腳統(tǒng)稱為第一金屬層，所述內(nèi)基島3正面通過導電或不導電粘結物質(zhì)8設置有芯片5，所述芯片5正面與內(nèi)引腳4正面之間用金屬線6連接，所述內(nèi)基島3和內(nèi)引腳4上部以及芯片5和金屬線6外包封有塑封料7，所述外引腳2外圍的區(qū)域、外基島I和外引腳2之間的區(qū)域以及外引腳2與外引腳2之間的區(qū)域嵌置有填縫劑10，且外基島I和外引腳2的背面露出填縫劑10外，在露出填縫劑10外的外基島I和外引腳2的背面設置有第二金屬層9。所述外基島I正面也可不通過多層電鍍方式形成內(nèi)基島3，若外基島I正面不形成內(nèi)基島3，此時芯片5直接通過導電或不導電粘結物質(zhì)8設置于外基島I的正面。
權利要求1.ー種單基島露出型多圈引腳封裝結構，其特征在干它包括外基島(I)和外引腳(2)，所述外基島(I)設置有ー個，所述外引腳(2)設置有多圈，所述外引腳(2)正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(4)，所述外基島(I)正面設置有芯片(5)，所述芯片(5)正面與內(nèi)引腳(4)正面之間用金屬線(6)連接，所述內(nèi)引腳(4)上部以及芯片(5)和金屬線(6)外包封有塑封料(7)，所述外引腳(2)外圍的區(qū)域、外基島(I)和外引腳(2)之間的區(qū)域以及外引腳(2)與外引腳(2)之間的區(qū)域嵌置有填縫劑(10)，且外基島(I)和外引腳(2)的背面露出填縫劑(10)外，在露出填縫劑(10)外的外基島(I)和外引腳(2)的背面設置有第二金屬層(9)。
2.根據(jù)權利要求I所述的ー種單基島露出型多圈引腳封裝結構，其特征在于所述外基島(I)正面通過多層電鍍方式形成ー個或多個內(nèi)基島(3)，所述芯片(5)設置于內(nèi)基島 (3)正面。
專利摘要本實用新型涉及一種單基島露出型多圈引腳封裝結構，它包括外基島(1)和外引腳(2)，所述外基島(1)設置有一個，所述外引腳(2)設置有多圈，所述外引腳(2)正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(4)，所述外基島(1)正面設置有芯片(5)，所述芯片(5)正面與內(nèi)引腳(4)正面之間用金屬線(6)連接，所述內(nèi)引腳(4)的上部以及芯片(5)和金屬線(6)外包封有塑封料(7)，所述外基島(1)和外引腳(2)的背面設置有第二金屬層(9)。本實用新型的有益效果是它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，可選擇的產(chǎn)品種類廣，金屬線鍵合的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實現(xiàn)了內(nèi)引腳的高密度能力。
文檔編號H01L23/495GK202394905SQ201120466179
公開日2012年8月22日 申請日期2011年11月22日 優(yōu)先權日2011年11月22日
發(fā)明者吳昊, 梁志忠, 王新潮, 謝潔人 申請人:江蘇長電科技股份有限公司