專利名稱：穩(wěn)壓二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的穩(wěn)壓二極管，主要故障表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定，在實(shí)際使用過程中防靜電放電性能低下，金屬與SiO2粘附性不太好，造成產(chǎn)品在后道封裝過程拉力差，在生產(chǎn)運(yùn)輸過程中容易因?yàn)槟挽o電不夠而產(chǎn)生早期失效，使其應(yīng)用場(chǎng)合受到了極大限制。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低電壓、低漏電、金屬層與 SiO2之間有較高粘附性、具有高防靜電放電性能的穩(wěn)壓二極管。本實(shí)用新型包括管芯，所述管芯包括一個(gè)雙面設(shè)置有電極的PN結(jié)，PN結(jié)表面裸露部分和電極之間自PN結(jié)向電極方向分別設(shè)置有一層Si3N4層和一層5102層，所述電極、Si3N4 層和SiO2層均為階梯狀結(jié)構(gòu)。所述PN結(jié)雙面電極均為鈦、鎳、銀三層結(jié)構(gòu)；PN結(jié)的正面自下而上依次設(shè)置有底層金屬層、阻擋金屬層和粘附金屬層。所述底層金屬層的厚度優(yōu)選為500 700A ；所述阻擋金屬層的厚度優(yōu)選為 6900 7200A ；所述粘附金屬層的厚度優(yōu)選為6900 7200A。本實(shí)用新型由于采用以上結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有低電壓、低漏電、金屬層與 SiO2之間有較高粘附性、高防靜電放電性能的優(yōu)點(diǎn)。

附圖為本實(shí)用新型穩(wěn)壓二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)說明圖中1、管芯，2、PN結(jié)，3、電極，4、Si3N4層，5、Si02層，6、底層金屬層，7、阻擋金屬
層，8、粘附金屬層。如附圖所示，包括管芯，管芯包括一個(gè)雙面設(shè)置有電極的PN結(jié)，PN結(jié)表面裸露部分和電極之間自PN結(jié)向電極方向分別設(shè)置有一層Si3N4層和一層S^2層，電極、Si3N4層和 SiO2層均為階梯狀結(jié)構(gòu)。PN結(jié)雙面電極均為鈦、鎳、銀三層結(jié)構(gòu)；PN結(jié)的正面自下而上依次設(shè)置有底層金屬層、阻擋金屬層和粘附金屬層。底層金屬層的厚度為600A ；阻擋金屬層的厚度為7000A ；粘附金屬層的厚度為7000A ；底層金屬層是鈦，阻擋金屬層是鈦鎢合金，粘附金屬
層是鐵。以上所述的實(shí)施例，只是本實(shí)用新型較優(yōu)選的具體實(shí)施方式
之一，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)該包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種穩(wěn)壓二極管，包括管芯，其特征在于所述管芯包括一個(gè)雙面設(shè)置有電極的PN 結(jié)，PN結(jié)表面裸露部分和電極之間自PN結(jié)向電極方向分別設(shè)置有一層Si3N4層和一層S^2 層，所述電極、Si3N4層和S^2層均為階梯狀結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述PN結(jié)雙面電極均為鈦、鎳、銀三層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于PN結(jié)的正面自下而上依次設(shè)置有底層金屬層、阻擋金屬層和粘附金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述底層金屬層的厚度為500 700A。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述阻擋金屬層的厚度為6900 7200A。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述粘附金屬層的厚度為6900 7200A。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述底層金屬層是鈦，阻擋金屬層是鈦鎢合金，粘附金屬層是鈦。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種穩(wěn)壓二極管，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。其包括管芯，所述管芯包括一個(gè)雙面設(shè)置有電極的PN結(jié)，PN結(jié)表面裸露部分和電極之間自PN結(jié)向電極方向分別設(shè)置有一層Si3N4層和一層SiO2層，所述電極、Si3N4層和SiO2層均為階梯狀結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型由于采用以上結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有低電壓、低漏電、金屬層與SiO2之間有較高粘附性、高防靜電放電性能的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/31GK202189794SQ20112027820
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
發(fā)明者張錄周, 苗本秀, 趙為濤 申請(qǐng)人:山東沂光電子股份有限公司