專利名稱：穩(wěn)壓二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種穩(wěn)壓二極管。
技術(shù)背景 傳統(tǒng)穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極區(qū)和陰極區(qū)組成PN結(jié)，PN結(jié)相鄰的陰極區(qū)與陽(yáng)極區(qū)的雜質(zhì)濃度決定了齊納二極管的擊穿電壓。由于陰極區(qū)采用的是擴(kuò)散和注入的方式形成的結(jié)面，陰極結(jié)容易在靠近底部形成弧面，由于陰極結(jié)的弧面AB兩處的曲率半徑較小，擊穿容易發(fā)生在AB兩處，影響了擊穿電壓的穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種提高擊穿電壓穩(wěn)定性的穩(wěn)壓二極管，本實(shí)用新型的穩(wěn)壓二極管能避免在陰極結(jié)的弧面處擊穿，可以較精確地決定擊穿時(shí)的穩(wěn)壓值。實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下穩(wěn)壓二極管，包括N型襯底以及正極引腳和負(fù)極引腳，在N型襯底上表面設(shè)有氧化膜，在N型襯底上設(shè)有陽(yáng)極區(qū)，陰極區(qū)在陽(yáng)極區(qū)之內(nèi)，還包括在陽(yáng)極區(qū)之內(nèi)設(shè)置的N型注入?yún)^(qū)，該N型注入?yún)^(qū)圍住陰極區(qū)的陰極結(jié)弧面處。采用了上述方案，本實(shí)用新型利用N型注入?yún)^(qū)的濃度控制，可以使陰極結(jié)的弧面的擊穿電壓大于陰極結(jié)底面的擊穿電壓，則擊穿就轉(zhuǎn)移到陰極結(jié)的底面處，可以較為精確地決定擊穿電壓值，穩(wěn)壓擊穿的穩(wěn)定性也可得到較好的控制。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a至圖2d為向本實(shí)用新型注入各個(gè)離子過(guò)程的示意圖；附圖中，I為N型襯底，2為氧化膜，3為光刻膠掩蔽膜，4為P型離子，5為陽(yáng)極區(qū)，6為N型注入?yún)^(qū)，7為光刻膠掩蔽膜，8為N型離子，9為陰極區(qū)，10為光刻膠掩蔽膜，11為P型離子，12為引出區(qū)，13為正極引腳，14為負(fù)極引腳。
具體實(shí)施方式
參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型的穩(wěn)壓二極管，包括N型襯底I以及正極引腳13和負(fù)極引腳14，在N型襯底上表面設(shè)有氧化膜2，在N型襯底上設(shè)有陽(yáng)極區(qū)5。陰極區(qū)9在陽(yáng)極區(qū)5之內(nèi)，陰極區(qū)的N型雜質(zhì)為砷或是砷和磷的組合。還包括在陽(yáng)極區(qū)5之內(nèi)設(shè)置的N型注入?yún)^(qū)6，該N型注入?yún)^(qū)圍住陰極區(qū)的陰極結(jié)弧面處。該N型注入?yún)^(qū)6在陰極結(jié)三分之二結(jié)深處。N型注入?yún)^(qū)的厚度為0. Ium 0. 15um。N型注入?yún)^(qū)6中的N型雜質(zhì)為磷。N型注入?yún)^(qū)的雜質(zhì)濃度范圍為IX IO16 IX 1018cm_3，N型注入?yún)^(qū)6的摻雜濃度比陰極區(qū)9低，N型注入?yún)^(qū)6可以降低此處的P型雜質(zhì)的濃度以提高此處的結(jié)擊穿電壓。N型注入?yún)^(qū)6的濃度控制到能使陰極結(jié)的弧面的擊穿電壓大于陰極結(jié)底面的擊穿電壓，則擊穿就轉(zhuǎn)移到陰極結(jié)的底面處，可以較為精確地決定擊穿電壓值，穩(wěn)壓擊穿的穩(wěn)定性也可得到較好的控制。參照?qǐng)D2a至圖2d，本實(shí)用新型的穩(wěn)壓二極管采取以下步驟進(jìn)行制造步驟一(參照?qǐng)D2a):準(zhǔn)備N型襯底1，在N型襯底I上形成表面氧化膜2，在光刻膠掩蔽膜3掩蔽下，向N型襯底I注入P型離子4，其注入峰值比陰極結(jié)深，同時(shí)注入N型雜質(zhì)，以形成N 型注入?yún)^(qū)6，N型注入?yún)^(qū)6的注入峰值深度在陰極結(jié)的弧面處，N型注入?yún)^(qū)的厚度范圍為O. Ium O. 15um。步驟二 (參照?qǐng)D2b):利用光刻膠掩蔽膜7，注入N型離子8，在陽(yáng)極區(qū)5中形成陰極區(qū)9。步驟三(參照?qǐng)D2c):利用光刻膠掩蔽膜10，注入P型離子11，退火形成陽(yáng)極區(qū)5的引出區(qū)12。步驟四(參照?qǐng)D2d):制造絕緣層覆蓋N型襯底1，分別做陰極區(qū)的布線和陽(yáng)極區(qū)的布線。以上方法通過(guò)在陰極結(jié)弧面處形成N型注入?yún)^(qū)，使擊穿發(fā)生在陰極結(jié)底面，可以提高較為精確地決定穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓，提高擊穿電壓的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求1.穩(wěn)壓二極管，包括N型襯底以及正極引腳和負(fù)極引腳，在N型襯底上表面設(shè)有氧化膜，在N型襯底上設(shè)有陽(yáng)極區(qū)，陰極區(qū)在陽(yáng)極區(qū)之內(nèi)，其特征在于還包括在陽(yáng)極區(qū)之內(nèi)設(shè)置的N型注入?yún)^(qū)，該N型注入?yún)^(qū)圍住陰極區(qū)的陰極結(jié)弧面處。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述N型注入?yún)^(qū)在陰極結(jié)三分之二結(jié)深處。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述N型注入?yún)^(qū)的N型雜質(zhì)為磷。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述N型注入?yún)^(qū)的雜質(zhì)濃度范圍為 IXlO16 IXIO1Wo
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的穩(wěn)壓二極管，其特征在于所述N型注入?yún)^(qū)的厚度為O.Ium O.15um。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種穩(wěn)壓二極管，包括N型襯底以及正極引腳和負(fù)極引腳，在N型襯底上表面設(shè)有氧化膜，在N型襯底上設(shè)有陽(yáng)極區(qū)，陰極區(qū)在陽(yáng)極區(qū)之內(nèi)，還包括在陽(yáng)極區(qū)之內(nèi)設(shè)置的N型注入?yún)^(qū)，該N型注入?yún)^(qū)圍住陰極區(qū)的陰極結(jié)弧面處。本實(shí)用新型的穩(wěn)壓二極管能避免在陰極結(jié)的弧面處擊穿，可以較精確地決定擊穿時(shí)的穩(wěn)壓值。
文檔編號(hào)H01L29/861GK202384346SQ20112048843
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者唐曉冬 申請(qǐng)人:常州星海電子有限公司