專利名稱：片式肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種二極管。
背景技術(shù)：
肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體之間接觸勢壘進(jìn)行工作的一種多子型器件，被廣泛應(yīng)用于微波混頻、檢波及高速開關(guān)電路等領(lǐng)域，傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，襯底背面歐姆接觸電極均采用Ag，限制了其后工序加工手段及封裝形式，且防靜電放電性能低下，容易因?yàn)槟挽o電不夠而產(chǎn)生早期失效，從而使其應(yīng)用場合受到了極大限制。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、金屬層與SiA之間有較高粘附性、具有高防靜電放電性能、可以使器件片式化小型化的片式肖特基二極管。本實(shí)用新型包括由襯底及硅外延層構(gòu)成的外延片、歐姆接觸電極、周邊圍有P + 環(huán)的勢壘金屬硅化物、勢壘金屬硅化物上的金屬電極以及頂部鈍化層，歐姆接觸電極為鍍覆在襯底底面的金層，硅外延層厚度為1-10 μ m。所述鈍化層包括鈍化層一和鈍化層二，鈍化層二的底面接觸硅外延層和P十環(huán)， 側(cè)面接觸金屬電極，鈍化層一的底面接觸鈍化層二和金屬電極。所述襯底的正面自下而上依次設(shè)置有底層金屬層、阻擋金屬層和粘附金屬層。所述底層金屬層的厚度為500 700A ；阻擋金屬層的厚度為6800 7200A ；粘附金屬層的厚度為6800 7200A ；所述底層金屬層材質(zhì)優(yōu)選為鈦，阻擋金屬層材質(zhì)優(yōu)選為鈦鎢合金，粘附金屬層材質(zhì)優(yōu)選為鈦。本實(shí)用新型由于采用以上結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有結(jié)構(gòu)簡單、金屬層與SiO2之間有較高粘附性、高防靜電放電性能、可以使器件片式化小型化的優(yōu)點(diǎn)。

附圖為本實(shí)用新型片式肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作詳細(xì)說明圖中1、金屬電極，2、勢壘金屬硅化物，3、鈍化層一，4、鈍化層二，5、硅外延層，6、 粘附金屬層，7、底層金屬層，8、歐姆接觸電極，9、阻擋金屬層，10、P+環(huán)。如附圖所示，其包括由襯底及硅外延層構(gòu)成的外延片、歐姆接觸電極、周邊圍有 P +環(huán)10的勢壘金屬硅化物、勢壘金屬硅化物上的金屬電極1以及頂部鈍化層，歐姆接觸電極為鍍覆在襯底底面的金層，硅外延層厚度為1-10 μ m。鈍化層包括鈍化層一和鈍化層二，鈍化層二的底面接觸硅外延層和P +環(huán)，側(cè)面接觸金屬電極，鈍化層一的底面接觸鈍化層二和金屬電極，襯底的正面自下而上依次設(shè)置有底層金屬層、阻擋金屬層和粘附金屬層。
3[0013]底層金屬層的厚度為600A，阻擋金屬層的厚度為7000A，粘附金屬層的厚度為 7000A，底層金屬層材質(zhì)是鈦，阻擋金屬層材質(zhì)是鈦鎢合金，粘附金屬層材質(zhì)是鈦。以上所述的實(shí)施例，只是本實(shí)用新型較優(yōu)選的具體實(shí)施方式
之一，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)該包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種片式肖特基二極管，包括由襯底及硅外延層構(gòu)成的外延片、歐姆接觸電極、周邊圍有P+環(huán)的勢壘金屬硅化物、勢壘金屬硅化物上的金屬電極以及頂部鈍化層，其特征在于所述歐姆接觸電極為鍍覆在襯底底面的金層，所述硅外延層厚度為1-10μπι。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式肖特基二極管，其特征在于所述鈍化層包括鈍化層一和鈍化層二，鈍化層二的底面接觸硅外延層和P +環(huán)，側(cè)面接觸金屬電極，鈍化層一的底面接觸鈍化層二和金屬電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式肖特基二極管，其特征在于所述襯底的正面自下而上依次設(shè)置有底層金屬層、阻擋金屬層和粘附金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片式肖特基二極管，其特征在于所述底層金屬層的厚度為 500 700Α。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片式肖特基二極管，其特征在于所述阻擋金屬層的厚度為 6800 7200Α。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片式肖特基二極管，其特征在于所述粘附金屬層的厚度為 6800 7200Α。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片式肖特基二極管，其特征在于所述底層金屬層是鈦，阻擋金屬層是鈦鎢合金，粘附金屬層是鈦。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種片式肖特基二極管，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。其包括由襯底及硅外延層構(gòu)成的外延片、歐姆接觸電極、周邊圍有P＋環(huán)的勢壘金屬硅化物、勢壘金屬硅化物上的金屬電極以及頂部鈍化層，歐姆接觸電極為鍍覆在襯底底面的金層，硅外延層厚度為1-10μm。本實(shí)用新型由于采用以上結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有結(jié)構(gòu)簡單、金屬層與SiO2之間有較高粘附性、具有高防靜電放電性能、可以使器件片式化小型化的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01L29/872GK202189796SQ201120277829
公開日2012年4月11日 申請日期2011年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
發(fā)明者張錄周, 趙為濤 申請人:山東沂光電子股份有限公司