專(zhuān)利名稱(chēng)：片式肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件，具體涉及肖特基二極管。
背景技術(shù)：
肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體之間接觸勢(shì)壘進(jìn)行工作的一種多子型器件。它 包括由重?fù)诫s硅襯底及輕摻雜的硅外延層構(gòu)成的硅外延片，襯底背面的歐姆接觸電極，硅 外延的上方勢(shì)壘金屬(硅化物)周邊圍有摻B的P+環(huán)的勢(shì)壘，上方設(shè)置有金屬電極。在本 發(fā)明作出前，傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，襯底背面歐姆接觸電極均采用Ag，限制了其后工序加 工手段及封裝形式，從而使其應(yīng)用場(chǎng)合受到了極大限制。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種能用于共晶焊的片式肖特基二極管。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是包括由重?fù)诫s硅襯底及硅外延層構(gòu)成的外延片、歐姆 接觸電極、周邊圍有P+環(huán)的勢(shì)壘金屬硅化物、勢(shì)壘金屬硅化物上的金屬電極以及頂部鈍化 層，其特征是，所述歐姆接觸電極為鍍覆在重?fù)诫s硅襯底底面的金層；所述的硅外延層厚度 1-10 μ m。所述鈍化層包括鈍化層一和鈍化層二 ；鈍化層二的底面接觸硅外延層和P+環(huán)，側(cè) 面接觸金屬電極；鈍化層一的底面接觸鈍化層二和金屬電極。本實(shí)用新型采用了在摻砷襯底的底面鍍覆Au的工藝，能有效的實(shí)現(xiàn)與框架的共 晶焊，實(shí)現(xiàn)器件外形片式樣，小型樣，從而拓寬了應(yīng)用范圍。P型環(huán)有效終結(jié)肖特基結(jié)邊沿 處的電場(chǎng)，鈍化層能更好的終斷反向漏電流，特別是能抑制邊沿處的漏電流，背面摻砷襯底 上鍍Au電極使芯片實(shí)現(xiàn)與框架共晶，從而使器件片式化小型化。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1是重?fù)诫s硅襯底，2是硅外延層，3是歐姆接觸電極，4是P+環(huán)，5是勢(shì)壘金 屬硅化物，6是金屬電極，7是鈍化層一，8是鈍化層二。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型如圖1所示包括由重?fù)诫s硅襯底1及硅外延層2構(gòu)成的外延片、歐姆 接觸電極3、周邊圍有P+環(huán)4的勢(shì)壘金屬硅化物5、勢(shì)壘金屬硅化物5上的金屬電極6以及 頂部鈍化層7、8，所述歐姆接觸電極3為鍍覆在重?fù)诫s硅襯底1底面的金層；所述的硅外延 層2厚度1-10 μ m,硅外延層2中按濃度1 X IO15-I X IO17cnT3摻雜有磷。所述鈍化層包括鈍化層一和鈍化層二 ；鈍化層二的底面接觸硅外延層2和P+環(huán) 4，側(cè)面接觸金屬電極6 ；鈍化層一的底面接觸鈍化層二和金屬電極6。制作本實(shí)用新型時(shí)，硅外延層2摻雜為磷，重?fù)诫s硅襯底1摻雜為砷。P+環(huán)4摻雜為硼。勢(shì)壘金屬硅化物5中的勢(shì)壘金屬為Cr、Ti或Mo。重?fù)诫s硅襯底1底部歐姆接觸電 極為在摻砷襯底底面上鍍Au或多層Au。
權(quán)利要求片式肖特基二極管，包括由重?fù)诫s硅襯底及硅外延層構(gòu)成的外延片、歐姆接觸電極、周邊圍有P+環(huán)的勢(shì)壘金屬硅化物、勢(shì)壘金屬硅化物上的金屬電極以及頂部鈍化層，其特征是，所述歐姆接觸電極為鍍覆在重?fù)诫s硅襯底底面的金層；所述的硅外延層厚度1 10μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式肖特基二極管，其特征在于，所述鈍化層包括鈍化層一 和鈍化層二 ；鈍化層二的底面接觸硅外延層和P+環(huán)，側(cè)面接觸金屬電極；鈍化層一的底面 接觸鈍化層二和金屬電極。
專(zhuān)利摘要片式肖特基二極管。涉及肖特基二極管。能用于共晶焊。包括由重?fù)诫s硅襯底及硅外延層構(gòu)成的外延片、歐姆接觸電極、周邊圍有P+環(huán)的勢(shì)壘金屬硅化物、勢(shì)壘金屬硅化物上的金屬電極以及頂部鈍化層，其特征是，所述歐姆接觸電極為鍍覆在重?fù)诫s硅襯底底面的金層；所述的硅外延層厚度1-10μm。本實(shí)用新型采用了在摻砷襯底的底面鍍覆Au的工藝，能有效的實(shí)現(xiàn)與框架的共晶焊，實(shí)現(xiàn)器件外形片式樣，小型樣，從而拓寬了應(yīng)用范圍。P型環(huán)有效終結(jié)肖特基結(jié)邊沿處的電場(chǎng)，鈍化層能更好的終斷反向漏電流，特別是能抑制邊沿處的漏電流，背面摻砷襯底上鍍Au電極使芯片實(shí)現(xiàn)與框架共晶，從而使器件片式化小型化。
文檔編號(hào)H01L29/872GK201741701SQ20102018543
公開(kāi)日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者殷俊, 王毅, 陳曉華 申請(qǐng)人:揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技有限公司