專利名稱：一種igbt吸收電容安裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，屬于電動汽車控制器領(lǐng)域。
技術(shù)背景傳統(tǒng)的IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT模塊、銅排和吸收電容，IGBT模塊安裝在銅排上，通常將吸收電容的引腳端子直接安裝在銅排上，該結(jié)構(gòu)爬電距離不足，容易擊穿，損壞或者影響IGBT模塊正常工作。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，它結(jié)構(gòu)簡單，安裝方便， 解決了爬電距離不足問題，保證IGBT模塊正常工作，提高可靠性。本實用新型的目的是通過以下的技術(shù)方案予以實現(xiàn)的。一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT模塊、銅排和吸收電容，IGBT模塊安裝在銅排的一面并與銅排電連接，吸收電容安裝在銅排的另一面，銅排與吸收電容之間增設(shè)若干連接柱，連接柱一端與銅排電連接，另一端凸出銅排端面并與吸收電容引腳端子電連接。上述所述的銅排包括頂層絕緣、上層銅排、夾層絕緣層、下層銅排和底層絕緣，頂層絕緣安裝在上層銅排端面，底層絕緣安裝在下層銅排底面，夾層絕緣層安裝在上層銅排和下層銅排之間。上述所述的在頂層絕緣上安裝有電容墊板，電容墊板上凸出若干凸臺，吸收電容的本體安裝在凸臺上，吸收電容引腳端子與凸出電容墊板端面的連接柱電連接。上述所述的若干連接柱是2個，一個安裝在上層銅排上，另一個安裝在下層銅排上。上述所述的連接柱是銅柱。上述所述的頂層絕緣、上層銅排、夾層絕緣層、下層銅排和底層絕緣是用膠水粘接成整體。 本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是1)本實用新型在銅排與吸收電容之間增設(shè)若干連接柱，連接柱一端與銅排電連接，另一端凸出銅排端面并與吸收電容引腳端子電連接，結(jié)構(gòu)簡單，安裝方便，解決了爬電距離不足問題，保證IGBT模塊正常工作，提高可靠性；2)若干連接柱是2個，一個安裝在上層銅排上，另一個安裝在下層銅排上，結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，保證IGBT模塊工作正常；3)連接柱是銅柱，連接性能好；4)頂層絕緣上安裝有電容墊板，電容墊板上凸出若干凸臺，吸收電容本體安裝在凸臺上，吸收電容引腳端子與凸出電容墊板端面的連接柱電連接，保護電容引腳端子，壁免引腳端子31因為長期震動而斷裂，減震效果好；5)頂層絕緣、上層銅排、夾層絕緣層、下層銅排和底層絕緣是用膠水粘接成整體，簡化安裝工序，提高效率。

[0012]圖1是本實用新型的立體圖；圖2是本實用 新型的分解圖；圖3是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3的A-A部分剖視圖；圖5是圖4的B-B局部放大圖。
具體實施方式
下面通過具體實施例并結(jié)合附圖對本實用新型作進一步詳細的描述。如圖1、圖2、圖3、圖4和圖5所示，本實用新型的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT模塊1、銅排2和吸收電容3，IGBT模塊1安裝在銅排2的一面并與銅排2電連接， 吸收電容3安裝在銅排2的另一面，銅排2與吸收電容3之間增設(shè)若干連接柱4，連接柱4 一端與銅排2電連接，另一端凸出銅排2端面并與吸收電容3引腳端子31電連接；所述的銅排2包括頂層絕緣21、上層銅排22、夾層絕緣層23、下層銅排24和底層絕緣25，頂層絕緣21安裝在上層銅排22端面，底層絕緣25安裝在下層銅排24底面，夾層絕緣層23安裝在上層銅排22和下層銅排24之間；在頂層絕緣21上安裝有電容墊板5，電容墊板5上凸出若干凸臺51，吸收電容3的本體32安裝在凸臺5上，吸收電容3引腳端子31與凸出電容墊板5端面的連接柱4電連接；若干連接柱4是2個，一個安裝在上層銅排22上，另一個安裝在下層銅排24上；所述的連接柱4是銅柱；頂層絕緣21、上層銅排22、夾層絕緣層23、下層銅排24和底層絕緣25是用膠水粘接成整體。本實用新型在銅排2與吸收電容3之間增設(shè)若干連接柱4，連接柱4 一端與銅排 2電連接，另一端凸出銅排2端面并與吸收電容3引腳端子31電連接，該結(jié)構(gòu)簡單，安裝方便，保證吸收電容3與IGBT模塊1良好連接并且有足夠的爬電距離，同時可以對吸收電容 3起到一個限位固定作用，防止吸收電容3引腳端子31因為長期震動而斷裂。
權(quán)利要求1.一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT模塊(1)、銅排⑵和吸收電容(3)，IGBT 模塊⑴安裝在銅排⑵的一面并與銅排⑵電連接，吸收電容⑶安裝在銅排⑵的另一面，其特征在于銅排(2)與吸收電容(3)之間增設(shè)若干連接柱(4)，連接柱(4) 一端與銅排⑵電連接，另一端凸出銅排⑵端面并與吸收電容⑶引腳端子(31)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的銅排(2) 包括頂層絕緣(21)、上層銅排(22)、夾層絕緣層(23)、下層銅排(24)和底層絕緣(25)，頂層絕緣(21)安裝在上層銅排(22)端面，底層絕緣(25)安裝在下層銅排(24)底面，夾層絕緣層(23)安裝在上層銅排(22)和下層銅排(24)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在頂層絕緣(21) 上安裝有電容墊板(5)，電容墊板(5)上凸出若干凸臺(51)，吸收電容(3)的本體(32)安裝在凸臺(5)上，吸收電容(3)引腳端子(31)與凸出電容墊板(5)端面的連接柱⑷電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于若干連接柱(4) 是2個，一個安裝在上層銅排(22)上，另一個安裝在下層銅排(24)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于連接柱(4)是銅柱。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于頂層絕緣(21)、 上層銅排(22)、夾層絕緣層(23)、下層銅排(24)和底層絕緣(25)是用膠水粘接成整體。
專利摘要本實用新型公開了一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT模塊(1)、銅排(2)和吸收電容(3)，IGBT模塊(1)安裝在銅排(2)的一面并與銅排(2)電連接，吸收電容(3)安裝在銅排(2)的另一面，銅排(2)與吸收電容(3)之間增設(shè)若干連接柱(4)，連接柱(4)一端與銅排(2)電連接，另一端凸出銅排(2)端面并與吸收電容(3)引腳端子(31)電連接，它結(jié)構(gòu)簡單，安裝方便，解決了爬電距離不足問題，保證IGBT模塊工作正常。
文檔編號H01G2/02GK202189906SQ20112027755
公開日2012年4月11日 申請日期2011年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
發(fā)明者劉科 申請人:大洋電機新動力科技有限公司