專利名稱：一種提高雙臺(tái)面可控硅產(chǎn)品可靠性的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種提高雙臺(tái)面可控硅產(chǎn)品可靠性的封裝結(jié)構(gòu)，屬于功率器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前半導(dǎo)體功率器件封裝中，優(yōu)良的可靠性能的軟焊料是其他焊料無法比擬的。 但是在實(shí)際生產(chǎn)及研究中發(fā)現(xiàn)，軟焊料具有優(yōu)良的浸潤(rùn)性，同時(shí)也造成其在框架底板上往外鋪展的不確定性，所帶來的不良后果為芯片底下軟焊料厚度一直難以有效的控制。焊料厚度太薄使芯片封裝后的應(yīng)力得不到有利地吸收，而焊料厚度太厚又使產(chǎn)品的熱阻及壓降增大。雙臺(tái)面可控硅芯片具有單臺(tái)面可控硅芯片無法比擬的優(yōu)良的擊穿特性以及可以使正反向阻斷電壓的電壓值一致的優(yōu)越性。但是在封裝過程中，雙臺(tái)面可控硅芯片臺(tái)面下的焊錫卻容易引起可控硅反向電壓失效，還可能形成芯片臺(tái)面與臺(tái)面底下軟焊料層間的很薄的塑封料擊穿引起后期失效。因此，應(yīng)該提供一個(gè)新的技術(shù)方案解決上述問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種既能有效控制芯片底下軟焊料厚度，又能防止雙臺(tái)面可控硅芯片反向電壓失效的封裝結(jié)構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種提高雙臺(tái)面可控硅產(chǎn)品可靠性的封裝結(jié)構(gòu)，包括由上而下依次設(shè)置的可控硅芯片、可控硅芯片有效焊接金屬層、軟焊料層以及框架底板，所述可控硅芯片的兩端均設(shè)有臺(tái)面，所述軟焊料層置于可控硅芯片有效焊接金屬層與框架底板之間，所述軟焊料層兩端的框架底板上涂敷一層矩形條框阻焊層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是本實(shí)用新型在軟焊料層兩端的框架底板上涂敷一層矩形條框阻焊層，通過矩形條框阻焊層，可以阻擋軟焊料往阻焊層條框以外鋪展，通過調(diào)整軟焊料的量可以有效控制軟焊料厚度，軟焊料厚度可控范圍在20-80 μ m之間，從而可以根據(jù)工藝要求，通過調(diào)整軟焊料的量來控制芯片底下軟焊料厚度。另外，可以阻擋軟焊料往阻焊層條框以外鋪展，通過優(yōu)化阻焊條框面積，可以防止軟焊料鋪展到芯片臺(tái)面下，從而能有效避免軟焊料造成可控硅芯片反向阻斷電壓功能失效及該問題帶來的后期失效。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)敘述。

圖1為本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)平面圖。圖2為實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、框架底板，2、矩形條框阻焊層，3、軟焊料層，4、可控硅芯片，5、臺(tái)面，6、可控硅芯片有效焊接金屬層。[0011]具體實(shí)施方式
如圖1和2所示，一種提高雙臺(tái)面可控硅產(chǎn)品可靠性的封裝結(jié)構(gòu)，包括由上而下依次設(shè)置的可控硅芯片4、可控硅芯片有效焊接金屬層6、軟焊料層3以及框架底板1，所述可控硅芯片4的兩端均設(shè)有臺(tái)面5，所述軟焊料層3置于可控硅芯片有效焊接金屬層6與框架底板1之間，所述軟焊料層3兩端的框架底板1上涂敷一層矩形條框阻焊層2。本實(shí)用新型在可控硅芯片4焊接前，用絲網(wǎng)漏印法或噴涂法在框架底板1上涂敷一層矩形條框阻焊層2，矩形條框阻焊層2內(nèi)矩形面積略大于待焊接可控硅芯片有效焊接金屬引線膜面積，阻焊層外矩形面積略大于雙臺(tái)面可控硅芯片4面積，這樣矩形條框阻焊層2既能達(dá)到阻焊目的，又能避免因阻焊層影響包封塑料對(duì)框架底板1的結(jié)合力。本實(shí)用新型通過矩形條框阻焊層2準(zhǔn)確控制鉛錫軟焊料鋪展面積即矩形條框阻焊層2的內(nèi)矩形面積，通過調(diào)整軟焊料的量來精確控制軟焊料層3的厚度。
權(quán)利要求1. 一種提高雙臺(tái)面可控硅產(chǎn)品可靠性的封裝結(jié)構(gòu)，包括由上而下依次設(shè)置的可控硅芯片、可控硅芯片有效焊接金屬層、軟焊料層以及框架底板，所述可控硅芯片的兩端均設(shè)有臺(tái)面，所述軟焊料層置于可控硅芯片有效焊接金屬層與框架底板之間，其特征是所述軟焊料層兩端的框架底板上涂敷一層矩形條框阻焊層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種提高雙臺(tái)面可控硅產(chǎn)品可靠性的封裝結(jié)構(gòu)，包括由上而下依次設(shè)置的可控硅芯片、可控硅芯片有效焊接金屬層、軟焊料層以及框架底板，所述可控硅芯片的兩端均設(shè)有臺(tái)面，所述軟焊料層置于可控硅芯片有效焊接金屬層與框架底板之間，其特征是所述軟焊料層兩端的框架底板上涂敷一層矩形條框阻焊層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是在軟焊料層兩端的框架底板上涂敷一層矩形條框阻焊層，其可以阻擋軟焊料往阻焊層條框以外鋪展，通過調(diào)整軟焊料的量可以有效控制軟焊料厚度,另外，通過優(yōu)化阻焊條框面積，可以防止軟焊料鋪展到芯片臺(tái)面下，從而能有效避免軟焊料造成可控硅芯片反向阻斷電壓功能失效及該問題帶來的后期失效。
文檔編號(hào)H01L23/488GK202167477SQ201120233779
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者嚴(yán)巧成, 吳家健, 李攀 申請(qǐng)人:江蘇捷捷微電子股份有限公司