專利名稱：一種大功率半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種大功率半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
目前，大功率半導(dǎo)體器件的封裝都是采用粗鋁線超聲鍵壓的方法實(shí)現(xiàn)芯片電極引出到引線框架的管腳上，器件的設(shè)計(jì)電流比較大時(shí)，需要使用的粗鋁線線徑須設(shè)計(jì)到 Φ500ιιπι，數(shù)量達(dá)到3根或3根以上，生產(chǎn)效率低下，且多根粗鋁線的超聲鍵壓過(guò)程中，因較大的超聲功率和壓力很容易導(dǎo)致芯片的損傷，從而給大功率器件封裝造成成品率很低且留下使用后患的弱點(diǎn)和弊端。因此，應(yīng)該提供一種新的技術(shù)方案解決上述問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種用銅片代替鋁線電極的大功率半導(dǎo)體器件。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種大功率半導(dǎo)體器件，依次包括引線框架、底板、設(shè)置在底板上的陶瓷片、設(shè)置在陶瓷片上的小底板、固定在小底板上的半導(dǎo)體芯片，所述引線框架上設(shè)有管腳，所述半導(dǎo)體芯片的電極與引線框架的管腳通過(guò)銅片相連接，所述銅片呈3-6夾角的V字形結(jié)構(gòu)，所述夾角中燒結(jié)填充有焊錫膏。所述引線框架的管腳上設(shè)有V溝，所述V溝內(nèi)燒結(jié)填充有焊錫膏。進(jìn)一步的銅片的材料采用0. 2mm厚度KFC電解銅，焊錫膏成分為Pb92. 5重量份、 Sn5重量份、Ag2. 5重量份。本實(shí)用新型大功率半導(dǎo)體器件，將銅片設(shè)計(jì)成3-6°角度V字形結(jié)構(gòu)，減小銅片與芯片的直接接觸的面積，在V字形夾角中燒結(jié)填充焊錫膏，因焊錫為軟焊料，能夠充分吸收銅片熱膨脹時(shí)的應(yīng)力，從而大大減小了芯片受到的橫向剪切力。為了保證在焊接燒結(jié)過(guò)程中，銅片與芯片、框架底板保持準(zhǔn)確的位置，引線框架底板的管腳部位采取了 V溝設(shè)計(jì)，對(duì)應(yīng)銅片位置也配合設(shè)計(jì)了 V溝結(jié)構(gòu)，以保證銅片焊接燒結(jié)的位置準(zhǔn)確度。銅片的材料采用 0. 2mm厚度KFC電解銅，膨脹系數(shù)為1. 7 X 10_5/°C，熱導(dǎo)率394W/(m*k)，銅的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)大于鋁，這樣可以有效的保證芯片的散熱能夠順利的通過(guò)銅片傳出，從而提高大功率器件的電流能力。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是1、可以使用導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能更加優(yōu)良的銅代替鋁來(lái)傳導(dǎo)芯片與引線框架的連接；2、減小銅片與芯片的直接接觸面積后，防止銅片因膨脹系數(shù)大而使芯片受橫向剪切力而損壞的可能。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)敘述。[0013]

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1側(cè)視圖。其中1、引線框架，2、底板，3、陶瓷片，4、小底板，5、半導(dǎo)體芯片，6、管腳，7、銅片，
8、焊錫膏，9、V溝。
具體實(shí)施方式
如圖1和2所示，本實(shí)用新型一種大功率半導(dǎo)體器件，依次包括引線框架1、底板 2、設(shè)置在底板2上的陶瓷片3、設(shè)置在陶瓷片3上的小底板4、固定在小底板4上的半導(dǎo)體芯片5，所述引線框架1上設(shè)有管腳6，所述半導(dǎo)體芯片5的電極與引線框架1的管腳6通過(guò)銅片7相連接，所述銅片7呈3-6夾角的V字形結(jié)構(gòu)，所述夾角中燒結(jié)填充有焊錫膏8，所述引線框架1的管腳上設(shè)有V溝9，所述V溝9內(nèi)燒結(jié)填充有焊錫膏8，銅片7的材料采用 0. 2mm厚度KFC電解銅，焊錫膏8成分為Pb92. 5重量份、Sn5重量份、Ag2. 5重量份。
權(quán)利要求1.一種大功率半導(dǎo)體器件，依次包括引線框架、底板、設(shè)置在底板上的陶瓷片、設(shè)置在陶瓷片上的小底板、固定在小底板上的半導(dǎo)體芯片，所述引線框架上設(shè)有管腳，其特征是 所述半導(dǎo)體芯片的電極與引線框架的管腳通過(guò)銅片相連接，所述銅片呈3-6夾角的V字形結(jié)構(gòu)，所述夾角中燒結(jié)填充有焊錫膏。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率半導(dǎo)體器件，其特征是所述引線框架的管腳上設(shè)有V溝，所述V溝內(nèi)燒結(jié)填充有焊錫膏。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種大功率半導(dǎo)體器件，依次包括引線框架、底板、陶瓷片、小底板、半導(dǎo)體芯片，引線框架上設(shè)有管腳，其特征是半導(dǎo)體芯片的電極與引線框架的管腳通過(guò)銅片連接，銅片呈3-6夾角的V字形結(jié)構(gòu)，夾角中燒結(jié)填充有焊錫膏。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是可以使用導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能更加優(yōu)良的銅代替鋁來(lái)傳導(dǎo)芯片與引線框架的連接；減小銅片與芯片的直接接觸面積后，防止銅片因膨脹系數(shù)大而使芯片受橫向剪切力而損壞的可能。
文檔編號(hào)H01L23/488GK202205733SQ201120233780
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者嚴(yán)巧成, 吳家健, 徐曉峰, 徐洋, 王琳, 黃健 申請(qǐng)人:江蘇捷捷微電子股份有限公司