專利名稱：超高方阻金屬化膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種金屬化膜，具體涉及一種超高方阻金屬化膜。
背景技術(shù)：
國內(nèi)外生產(chǎn)的鋅鋁邊緣加厚金屬化膜分為加厚區(qū)方阻和非加厚區(qū)方阻，加厚區(qū)方阻較小，為2 4 Ω / □，非加厚區(qū)方阻為7. 5 Ω / 口。電容器的電流密度分布特點(diǎn)是加厚區(qū)邊緣至留邊處電流密度呈遞減趨勢(shì)，也就是說，加厚區(qū)邊緣電流密度大，留邊邊緣電流密度小。當(dāng)靠近金屬化膜的加厚區(qū)有疵點(diǎn)時(shí)，由于此處電流密度較大，很快就可以自愈；而當(dāng)靠近金屬化膜的留邊附近有疵點(diǎn)時(shí)，由于電流密度較小，無法迅速自愈，電弧產(chǎn)生的熱量會(huì)引起該點(diǎn)鄰近層介質(zhì)發(fā)熱，介電強(qiáng)度下降，從而發(fā)生擊穿，此時(shí)該企圖自愈而又無法自愈， 這樣就會(huì)引起鄰近多層介質(zhì)的企圖自愈和擊穿，因擊穿使電流增大，自愈使電流減小，結(jié)果電流在較長(zhǎng)一段時(shí)間不會(huì)劇烈增加，而連續(xù)自愈和擊穿產(chǎn)生的大量氣體就會(huì)使電容器外殼鼓脹，直到發(fā)生外殼暴裂。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種抗氧化能力好、自愈能力強(qiáng)的超高方阻金屬化膜。本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)，超高方阻金屬化膜，包括基材，所述基材向上設(shè)置金屬鍍層，其特征在于所述的金屬鍍層包括設(shè)置在基材上表面的鋁層以及蒸鍍?cè)阡X層上表面的鋅層，所述的鋅層沿基材的寬度方向由兩側(cè)向中心逐漸加厚。所述的金屬鍍層沿基材的寬度方向由中心向兩側(cè)依次分為加厚區(qū)、方阻漸變區(qū)和高方阻區(qū)，所述的金屬鍍層在方阻漸變區(qū)的厚度由兩側(cè)的高方阻區(qū)向中間的加厚區(qū)逐漸加厚。所述的基材為聚合物薄膜，其厚度為0. 5 μ m 20 μ m。所述加厚區(qū)的金屬鍍層為鋁層和鋅層，所述方阻漸變區(qū)的金屬鍍層為鋁層和鋅層，所述高方阻區(qū)的金屬鍍層為鋁層。所述加厚區(qū)的方阻為6M Ω / □，所述方阻漸變區(qū)的方阻為10 20Μ Ω / □，所述高方阻區(qū)的方阻為50ΜΩ / 口。本發(fā)明是由加厚區(qū)、方阻漸變區(qū)和高方阻區(qū)組成，其方阻變化是由高方阻區(qū)往加厚區(qū)慢慢變低，高方阻區(qū)金屬鍍層由純鋁組成，到方阻漸變區(qū)變?yōu)殇X鋅組成，到加厚區(qū)金屬鍍層變得很厚。同時(shí)，生產(chǎn)相同容量的電容器，在保證耐壓不變的情況下，與普通的鋁鋅金屬化膜相比，以超高方阻鋁鋅金屬化膜為介質(zhì)的電容器，可以通過適當(dāng)減小介質(zhì)厚度(介質(zhì)面積也隨之減小)，來縮小電容器體積和降低生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，將金屬鍍層分為三個(gè)區(qū)域加厚區(qū)、方阻漸變區(qū)和高方阻區(qū)，而普通鋁鋅金屬化膜只分為加厚區(qū)和非加厚區(qū)兩個(gè)區(qū)
3域，本實(shí)用新型克服了普通鋁鋅金屬化膜和邊緣加厚鋁鋅金屬化膜載流量和自愈性無法同時(shí)兼顧的矛盾，抗氧化腐蝕能力強(qiáng)、易噴金、自愈性好、導(dǎo)電性好、容量衰減小。

圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)剖示圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。如圖1所示，一種超高方阻金屬化膜，包括基材1，基材1為聚合物薄膜，其厚度為 0. 5 μ m 20 μ m ；基材1向上設(shè)置金屬鍍層，金屬鍍層包括設(shè)置在基材1上表面的鋁層2以及蒸鍍?cè)阡X層2上表面的鋅層3，鋅層3沿基材1的寬度方向由兩側(cè)向中心逐漸加厚。如圖1所示，金屬鍍層沿基材1的寬度方向由中心向兩側(cè)依次分為加厚區(qū)a、方阻漸變區(qū)b和高方阻區(qū)c，金屬鍍層在方阻漸變區(qū)b的厚度由兩側(cè)的高方阻區(qū)c向中間的加厚區(qū)a逐漸加厚。加厚區(qū)a的金屬鍍層為鋁層2和鋅層3，加厚區(qū)a的方阻為6ΜΩ/ 口 ；方阻漸變區(qū)b的金屬鍍層為鋁層2和鋅層3，方阻漸變區(qū)b的方阻為10 20ΜΩ/ 口 ；高方阻區(qū) c的金屬鍍層為鋁層2，高方阻區(qū)c的方阻為50M Ω / 口。在電容器中金屬化膜的載流量隨著電流密度遞減而遞減，由于相鄰層在同一位置的金屬鍍層厚度不同，若有疵點(diǎn)產(chǎn)生自愈時(shí)， 高方阻處金屬鍍層先自愈，低方阻處金屬鍍層后自愈所形成的空白區(qū)域小，電阻變化小，能夠避免形成較高的溫升。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求1.一種超高方阻金屬化膜，包括基材，基材向上設(shè)置金屬鍍層，其特征在于所述的金屬鍍層包括設(shè)置在基材上表面的鋁層以及蒸鍍?cè)阡X層上表面的鋅層，所述的鋅層沿基材的寬度方向由兩側(cè)向中心逐漸加厚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高方阻金屬化膜，其特征在于所述的金屬鍍層沿基材的寬度方向由中心向兩側(cè)依次分為加厚區(qū)、方阻漸變區(qū)和高方阻區(qū)，所述的金屬鍍層在方阻漸變區(qū)的厚度由兩側(cè)的高方阻區(qū)向中間的加厚區(qū)逐漸加厚。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高方阻金屬化膜，其特征在于所述的基材為聚合物薄膜， 其厚度為0. 5μπι 20μπι。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超高方阻金屬化膜，其特征在于所述加厚區(qū)的金屬鍍層為鋁層和鋅層，所述方阻漸變區(qū)的金屬鍍層為鋁層和鋅層，所述高方阻區(qū)的金屬鍍層為鋁層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的超高方阻金屬化膜，其特征在于所述加厚區(qū)的方阻為 6ΜΩ/ □，所述方阻漸變區(qū)的方阻為10 20ΜΩ/ □，所述高方阻區(qū)的方阻為50ΜΩ / 口。
專利摘要一種超高方阻金屬化膜，涉及一種金屬化膜，包括基材，基材向上設(shè)置金屬鍍層，其特征在于所述的金屬鍍層包括設(shè)置在基材上表面的鋁層以及蒸鍍?cè)阡X層上表面的鋅層，所述的鋅層沿基層的寬度方向由兩側(cè)向中心逐漸加厚。本實(shí)用新型采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，將金屬鍍層分為三個(gè)區(qū)域加厚區(qū)、方阻漸變區(qū)和高方阻區(qū)，而普通鋁鋅金屬化膜只分為加厚區(qū)和非加厚區(qū)兩個(gè)區(qū)域，本發(fā)明克服了普通鋁鋅金屬化膜和邊緣加厚鋁鋅金屬化膜載流量和自愈性無法同時(shí)兼顧的矛盾，抗氧化腐蝕能力強(qiáng)、易噴金、自愈性好、導(dǎo)電性好、容量衰減小。
文檔編號(hào)H01G4/015GK202025648SQ20112010038
公開日2011年11月2日 申請(qǐng)日期2011年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月7日
發(fā)明者朱利平 申請(qǐng)人:安徽湖濱電子科技有限公司