專利名稱:發(fā)光二極管模組及其支架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件,尤其涉及一種發(fā)光二極管模組及其支架。
技術(shù)背景
目前,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)因具有功耗低、壽命長(zhǎng)、體積小及亮度高等特性已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到很多領(lǐng)域。
現(xiàn)有發(fā)光二極管模組封裝結(jié)構(gòu)大多由一個(gè)或者多個(gè)反射杯組成,其中一個(gè)模組上的反射杯不能拆解,一款模組支架定下來(lái)之后就只能生產(chǎn)一種外形的模組,此種做法通用性很差,不能滿足客戶差異化的要求。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,有必要提供一種發(fā)光二極管模組及其支架,以解決現(xiàn)有發(fā)光二極管模組通用性較差的技術(shù)問(wèn)題。
一種發(fā)光二極管模組的支架,其包括多個(gè)條狀的金屬基板,所述多個(gè)條狀金屬基板沿條狀金屬基板寬度方向上依次間隔排列,所述每?jī)蓚€(gè)相鄰的金屬基板上形成有多個(gè)橫跨所述兩個(gè)相鄰的金屬基板的反射杯,所述任意兩個(gè)相鄰的金屬基板均具有一部分位于每個(gè)橫跨于其上的反射杯內(nèi)以構(gòu)成兩個(gè)電極。
以及,一種發(fā)光二極管模組,其包括所述支架以及容置于所述支架的多個(gè)反射杯中的多個(gè)發(fā)光二極管芯片,所述每個(gè)發(fā)光二極管芯片與所述每個(gè)反射杯中的兩個(gè)電極電連接。
所述發(fā)光二極管模組中,通過(guò)為其支架中的多個(gè)條狀的金屬基板依次間隔接電源的正負(fù)極即可為整個(gè)發(fā)光二極管模組中的發(fā)光二極管芯片通電,且不會(huì)出現(xiàn)短路等現(xiàn)象, 因此,所述發(fā)光二極管模組切割成任意的外形和尺寸均不會(huì)出現(xiàn)短路等現(xiàn)象,如此,所述發(fā)光二極管模組采用同種尺寸和外形的支架,而通過(guò)后續(xù)的任意切割即可滿足不同場(chǎng)合客戶對(duì)發(fā)光二極管模組不同尺寸規(guī)格的要求,從而能夠解決現(xiàn)有發(fā)光二極管模組通用性較差的技術(shù)問(wèn)題。
以下結(jié)合附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例,其中
圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管模組的俯視圖; 圖2是圖1中的發(fā)光二極管模組中一種單個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖; 圖3是圖2中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)貼設(shè)發(fā)光二極管芯片前的剖視圖; 圖4是圖2中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)貼設(shè)發(fā)光二極管芯片前的俯視圖; 圖5是圖2中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)貼設(shè)發(fā)光二極管芯片前的仰視圖;及圖6是圖1中的發(fā)光二極管模組中另一種單個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下基于附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅作為實(shí)施例,并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
請(qǐng)參閱圖1及圖2,本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管模組100包括支架10、多個(gè)發(fā)光二極管芯片20及用于覆蓋所述發(fā)光二極管芯片20的封裝體30。所述發(fā)光二極管模組100可應(yīng)用于發(fā)光二極管球泡燈、發(fā)光二極管燈管、發(fā)光二極管筒燈、發(fā)光二極管投射燈及發(fā)光二極管路燈等中。
所述支架10包括多個(gè)條狀的金屬基板11及眾多反射杯12。所述多個(gè)條狀金屬基板11沿條狀金屬基板11的寬度方向上依次間隔排列,保持每?jī)蓚€(gè)相鄰的條狀金屬基板11 之間具有一定的間隙。優(yōu)選地,所述多個(gè)條狀金屬基板11沿條狀金屬基板11的寬度方向上等間距排列。所述每?jī)蓚€(gè)相鄰的金屬基板11上形成有多個(gè)橫跨所述兩個(gè)相鄰的金屬基板11的反射杯12,如圖2所示,所述任意兩個(gè)相鄰的金屬基板11均具有一部分位于每個(gè)橫跨于其上的反射杯12內(nèi)以構(gòu)成兩個(gè)電極111。所述金屬基板11可通過(guò)沖壓形成,從而可以大大提高金屬基板11的生產(chǎn)效率。優(yōu)選地,所述金屬基板11上還電鍍有一層光亮金屬,以提高金屬基板11表面對(duì)光線的反射率。優(yōu)選地,所述光亮金屬為銀。
所述發(fā)光二極管模組100的支架10上的反射杯12可按照矩陣狀排列,例如,以8 行24列排列、10行30列排列等??梢岳斫?,所述每個(gè)發(fā)光二極管模組100中的反射杯12 可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行排列,并不限于本實(shí)施例中的排列方式。所述反射杯12可通過(guò)注塑的方式形成在所述金屬基板11上,如此,可以提高金屬基板11和反射杯12之間的結(jié)合力。優(yōu)選地,所述反射杯12的材料為PPA。請(qǐng)進(jìn)一步參閱圖3至圖5,所述每個(gè)反射杯12內(nèi)的兩個(gè)電極111之間設(shè)置有絕緣帶112,優(yōu)選地,所述絕緣帶112與所述反射杯12為一體結(jié)構(gòu), 所述絕緣帶112亦通過(guò)注塑的方式形成在所述兩個(gè)電極111之間。所述絕緣帶112兩端與反射杯12固定連接,優(yōu)選地,所述兩個(gè)電極111之間的間隙呈弧形,如此,所述注塑形成的絕緣帶112亦為弧形,從而可以增大絕緣帶112與電極111之間的接觸面積,從而提高絕緣帶112與電極111之間的結(jié)合力。另外,通過(guò)將兩個(gè)電極111之間的間隙設(shè)計(jì)成弧形,可以增大其中一個(gè)電極111的面積,從而便于在該電極111上設(shè)置發(fā)光二極管芯片20。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2,所述每個(gè)反射杯12內(nèi)容置有一個(gè)發(fā)光二極管芯片20,所述封裝體30填充在所述反射杯12內(nèi)并覆蓋所述發(fā)光二極管芯片20。所述每個(gè)反射杯12、位于該反射杯12內(nèi)的兩個(gè)電極111、位于該反射杯12內(nèi)的發(fā)光二極管芯片20及封裝體30組成單個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。所述發(fā)光二極管芯片20與反射杯12中的兩個(gè)電極111可通過(guò)打線等方式電連接,且所述發(fā)光二極管芯片20可通過(guò)固晶膠固定于所述反射杯12內(nèi)。本實(shí)施例中,所述發(fā)光二極管芯片20貼設(shè)在所述反射杯12中的兩個(gè)電極111之一上,由于電極111 一般具有很好的導(dǎo)熱性能,通過(guò)將所述發(fā)光二極管芯片20設(shè)置在所述電極111上, 可大大提高發(fā)光二極管芯片20的散熱效率。圖2中所述發(fā)光二極管芯片20為水平結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管芯片,其上的兩個(gè)電極位于同一側(cè),即均位于發(fā)光二極管芯片20遠(yuǎn)離電極111的表面上,并分別通過(guò)兩條鍵合線21與兩個(gè)電極111分別電連接。
請(qǐng)參閱圖6,所述反射杯12中的發(fā)光二極管芯片20為垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管芯片, 其上的兩個(gè)電極位于其兩側(cè),即分別位于發(fā)光二極管芯片20面向電極111的表面和遠(yuǎn)離電極111的表面上,所述發(fā)光二極管芯片20的位于其面向電極111的表面的電極與一個(gè)電極111直接接觸,所述發(fā)光二極管芯片20的位于其遠(yuǎn)離電極111的表面上電極與另一個(gè)電極 111通過(guò)一條鍵合線21電連接。
所述封裝體30填充于所述反射杯12中,且覆蓋發(fā)光二極管芯片20,從而可保護(hù)發(fā)光二極管芯片20,防止發(fā)光二極管芯片20受到水汽、灰塵等污染。本實(shí)施例中,所述封裝體30內(nèi)進(jìn)一步摻雜有熒光粉,所述封裝體30內(nèi)的熒光粉可根據(jù)其對(duì)應(yīng)的單個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)不同光色的要求配置。
所述發(fā)光二極管模組100在制造時(shí),會(huì)首先在整片支架10上需要固定發(fā)光二極管芯片20的位置點(diǎn)上固晶膠,完后將發(fā)光二極管芯片20置于固晶膠上方,烘烤待固晶膠固化后,焊接鍵合線21,將發(fā)光二極管芯片20的正負(fù)極分別焊接在反射杯12內(nèi)的兩個(gè)電極111 上,然后根據(jù)不同光色的要求配置摻雜有熒光粉的封裝層30,將封裝層30涂在發(fā)光二極管芯片20上,烘烤,待封裝層30烘烤完畢后根據(jù)不同的要求將整片發(fā)光二極管模組100切割成不同尺寸外形的發(fā)光二極管模組模組。
所述發(fā)光二極管模組100中,通過(guò)為其支架10中的多個(gè)條狀的金屬基板11依次間隔接電源的正負(fù)極即可為整個(gè)發(fā)光二極管模組100中的發(fā)光二極管芯片20通電,且不會(huì)出現(xiàn)短路等現(xiàn)象,因此,所述發(fā)光二極管模組100切割成任意的外形和尺寸均不會(huì)出現(xiàn)短路等現(xiàn)象,如此,所述發(fā)光二極管模組100采用同種尺寸和外形的支架,而通過(guò)后續(xù)的任意切割即可滿足不同場(chǎng)合客戶對(duì)發(fā)光二極管模組不同尺寸規(guī)格的要求,從而能夠解決現(xiàn)有發(fā)光二極管模組通用性較差的技術(shù)問(wèn)題。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管模組的支架,其特征在于,包括多個(gè)條狀的金屬基板,所述多個(gè)條狀金屬基板沿條狀金屬基板寬度方向上依次間隔排列,所述每?jī)蓚€(gè)相鄰的金屬基板上形成有多個(gè)橫跨所述兩個(gè)相鄰的金屬基板的反射杯,所述任意兩個(gè)相鄰的金屬基板均具有一部分位于每個(gè)橫跨于其上的反射杯內(nèi)以構(gòu)成兩個(gè)電極。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組的支架,其特征在于,所述發(fā)光二極管模組的支架上的反射杯按照矩陣狀排列。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組的支架,其特征在于,所述發(fā)光二極管模組的支架上的反射杯是通過(guò)注塑的方式形成。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組的支架,其特征在于,所述金屬基板是通過(guò)沖壓形成。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組的支架,其特征在于,所述金屬基板上還電鍍有一層光亮金屬。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管模組的支架,其特征在于,所述光亮金屬為銀。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組的支架,其特征在于,所述每個(gè)反射杯內(nèi)的兩個(gè)電極之間設(shè)置有絕緣帶,所述絕緣帶與所述反射杯為一體結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管模組的支架,其特征在于,所述兩個(gè)電極之間的間隙呈弧形。
9.一種發(fā)光二極管模組,其包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的支架以及容置于所述支架的多個(gè)反射杯中的多個(gè)發(fā)光二極管芯片,所述每個(gè)發(fā)光二極管芯片與所述每個(gè)反射杯中的兩個(gè)電極電連接。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管模組,其特征在于,所述每個(gè)反射杯內(nèi)均形成有封裝體,所述封裝體覆蓋位于反射杯內(nèi)的發(fā)光二極管芯片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管模組,其包括支架及多個(gè)發(fā)光二極管芯片。所述支架包括多個(gè)條狀的金屬基板,所述多個(gè)條狀金屬基板沿條狀金屬基板寬度方向上依次間隔排列。所述每?jī)蓚€(gè)相鄰的金屬基板上形成有多個(gè)橫跨所述兩個(gè)相鄰的金屬基板的反射杯,所述任意兩個(gè)相鄰的金屬基板均具有一部分位于每個(gè)橫跨于其上的反射杯內(nèi)以構(gòu)成兩個(gè)電極。所述每個(gè)發(fā)光二極管芯片容置于一個(gè)反射杯內(nèi)且與所述反射杯中的兩個(gè)電極電連接。所述發(fā)光二極管模組采用同種尺寸和外形的支架,而通過(guò)后續(xù)的任意切割即可滿足不同場(chǎng)合客戶對(duì)發(fā)光二極管模組不同尺寸規(guī)格的要求,具有較好的通用性。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102522478SQ20111043961
公開(kāi)日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者趙玉喜 申請(qǐng)人:深圳市瑞豐光電子股份有限公司