專利名稱：高k柵介質(zhì)層的形成方法及形成裝置、晶體管的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高K柵介質(zhì)層的形成方法及形成裝置、晶體管的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著晶體管的特征尺寸越來越小，相應(yīng)的核心器件所占用面積也相應(yīng)減小，導(dǎo)致單位面積的能量密度大幅增高，漏電問題更加凸顯，功耗也隨之增大。因此在低工藝節(jié)點(diǎn)中，傳統(tǒng)的以二氧化硅為材料的柵極介質(zhì)層的工藝已遇到瓶頸，無法滿足晶體管的工藝要求。為解決上述瓶頸，目前采用高介電常數(shù)(高k:k值大于等于10)介質(zhì)材料作為柵介質(zhì)層，然后，形成以金屬為材料的柵極以減小漏電，使功耗得到很好的控制。現(xiàn)有技術(shù)的高K柵介質(zhì)層的形成方法，包括:請參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100表面形成有偽柵介質(zhì)層101，所述偽柵介質(zhì)層101表面形成偽柵電極層103，所述偽柵電極層103表面形成有光刻膠層105，所述光刻膠層105具有定義出高K柵介質(zhì)層的圖形；請參考圖2，以所述光刻膠層為掩膜刻蝕所述偽柵電極層103和偽柵介質(zhì)層101，然后去除所述光刻膠層；請參考圖3，形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底100、且與所述偽柵電極層103表面齊平的絕緣層107 ；請參考圖4，去除所述偽柵電極層103和偽柵介質(zhì)層101，形成開口 108 ；請參考圖5，采用物理氣相沉積工藝形成覆蓋所述開口的底部和側(cè)壁的高K柵介質(zhì)層109 ;在所述開口內(nèi)填充滿金屬柵電極層111。然而，采用現(xiàn)有技術(shù)形成高K柵介質(zhì)層的方法，形成的晶體管的寄生電容較大，影響了晶體管的性能。更多關(guān)于高K柵介質(zhì)層的形成方法請參考公開號為“US20040266120A1”的美國專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種寄生電容小的高K柵介質(zhì)層的形成方法及形成裝置、晶體管的形成方法。為解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種高K柵介質(zhì)層的形成方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底表面的絕緣層、以及貫穿所述絕緣層的厚度的開口 ；采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層；氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層?？蛇x地，所述采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層的步驟包括:提供金屬板，放置所述金屬板于開口上方；等離子態(tài)的氯氣與所述金屬板發(fā)生反應(yīng)，形成氣態(tài)的金屬氯化物；所述氣態(tài)的金屬氯化物中的金屬與開口底部的半導(dǎo)體襯底中的硅相結(jié)合，形成金屬硅化物層；所述氣態(tài)的金屬氯化物與所述金屬硅化物層反應(yīng)，在所述開口底部形成金屬層?？蛇x地，所述金屬板的材料為鉿、鑭、鋯、鉭、鈦或鋁。可選地，還包括:將氯氣等離子化成等離子態(tài)。可選地，形成所述等離子態(tài)的氯氣的工藝參數(shù)包括:頻率為2-4MHZ ;功率為200-500W ;壓力為 0.01-0.1Torr ；C12 的流量為 500-2000sccm?？蛇x地，還包括:通入惰性氣體作為等離子態(tài)的氯氣的載體。可選地，所述惰性氣體為Ar、He或N2?？蛇x地，所述惰性氣體的流量為500-3000sCCm?？蛇x地，形成所述金屬層的工藝參數(shù)包括:溫度為250-350 °C ;壓力為
0.01—0.1Torr0可選地，還包括多次以下步驟:采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層；氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層?？蛇x地，每次在所述開口的底部形成金屬層的厚度小于5人?？蛇x地，氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層時(shí)通入的氣體為臭氧或等離子態(tài)的氧?？蛇x地，氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層的工藝參數(shù)包括:臭氧的流量為500_2000sccm ;壓強(qiáng)為 0.01-0.1Torr0可選地，還包括:在在所述開口的底部形成金屬層后，對所述金屬層進(jìn)行凈化處理，再氧化所述金屬層?？蛇x地，所述凈化處理的方法包括:向所述金屬層表面通入惰性氣體。可選地，所述惰性氣體為Ar、He或N2 ;所述惰性氣體的流量為500-3000sccm。相應(yīng)的，發(fā)明人提供了一種晶體管的形成方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有絕緣層、以及貫穿所述絕緣層的厚度的開口 ；采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層；氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層；形成覆蓋所述高K柵介質(zhì)層的金屬柵電極層?？蛇x地，還包括:去除所述絕緣層，暴露出所述半導(dǎo)體襯底表面；形成位于所述金屬柵電極層側(cè)壁、且位于所述半導(dǎo)體襯底表面的側(cè)墻；以所述側(cè)墻為掩膜，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏極。相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種高K柵介質(zhì)層的形成裝置，包括:第一反應(yīng)腔，用于采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在晶圓待形成高K柵介質(zhì)層的開口處，形成金屬層；第二反應(yīng)腔，與所述第一反應(yīng)腔相鄰，用于氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層；凈化單元，位于第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔之間，用于去除晶圓表面的雜質(zhì)；旋轉(zhuǎn)裝置，包括旋轉(zhuǎn)軸和與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)臂，第一反應(yīng)腔室、第二反應(yīng)腔室、凈化單元位于以所述旋轉(zhuǎn)軸作為中心點(diǎn)，旋轉(zhuǎn)臂作為半徑的圓周上，所述旋轉(zhuǎn)臂通過旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)運(yùn)送晶圓到第一反應(yīng)腔、凈化單元或第二反應(yīng)腔內(nèi)?？蛇x地，所述第一反應(yīng)腔包括:第一基臺，用于放置待形成高K柵介質(zhì)層的晶圓；位于所述第一基臺上方的夾持裝置，用于夾持金屬板?？蛇x地，所述第二反應(yīng)腔包括:第二基臺，用于放置形成有金屬層的晶圓；位于所述第二基臺上方的氣體噴頭，所述氣體噴頭內(nèi)具有若干小孔，用于作為通入臭氧或氧離子時(shí)的通道?？蛇x地，還包括:源線圈，用于接收來自電源的電力，產(chǎn)生均勻的等離子；等離子腔室，用于接收源線圈產(chǎn)生的均勻的等離子，將氣體等離子體化后通入第一反應(yīng)腔或第二反應(yīng)腔。可選地，所述旋轉(zhuǎn)臂的個(gè)數(shù)等于第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔的個(gè)數(shù)之和?？蛇x地，當(dāng)所述第一反應(yīng)腔和所述第二反應(yīng)腔的個(gè)數(shù)至少為兩個(gè)時(shí)，所述第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔交替的排列?？蛇x地，相鄰兩個(gè)第一反應(yīng)腔、第二反應(yīng)腔之間的距離相等。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在開口的底部形成金屬層時(shí)，等離子態(tài)的氯氣與金屬板中的金屬發(fā)生反應(yīng)，形成氣態(tài)的金屬氯化物，由于所述氣態(tài)的金屬氯化物主要在開口的底部富集，形成的金屬層主要位于開口的底部，而開口的側(cè)壁沉積的金屬極少，所述金屬層后續(xù)被氧化后形成高K柵介質(zhì)層，所述高K柵介質(zhì)層也主要形成在開口的底部，開口側(cè)壁的高K柵介質(zhì)材料極少,并且高K柵介質(zhì)層的形成工藝簡單。進(jìn)一步的，采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝和氧化工藝，形成的高K柵介質(zhì)層，主要形成在開口的底部，開口側(cè)壁形成的較少，晶體管的寄生電容小，性能好。更進(jìn)一步的，在所述開口的底部形成金屬層后，氧化所述金屬層前，對所述金屬層進(jìn)行凈化處理的步驟。該步驟去除了附著在金屬層表面的雜質(zhì)，使得形成的高K柵介質(zhì)層較為純凈，質(zhì)量好，進(jìn)一步保障了高K柵介質(zhì)層的質(zhì)量，提高了晶體管的性能。高K柵介質(zhì)層的形成裝置包括具有旋轉(zhuǎn)軸和與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)臂的旋轉(zhuǎn)裝置，使第一反應(yīng)腔室、第二反應(yīng)腔室、凈化單元位于以所述旋轉(zhuǎn)軸作為中心點(diǎn)，旋轉(zhuǎn)軸作為半徑的圓周上；通過所述旋轉(zhuǎn)裝置中旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)，帶動旋轉(zhuǎn)臂旋轉(zhuǎn)使其將晶圓運(yùn)送到第一反應(yīng)腔、第二反應(yīng)腔或凈化單元內(nèi)，原理和結(jié)構(gòu)簡單，自動化程度高。更進(jìn)一步的，包括多個(gè)交替設(shè)置的第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔，且所述多個(gè)交替設(shè)置的第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔圍繞成圓形，旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)軸位于所述圓形的圓心，不僅結(jié)構(gòu)緊湊，還可以同時(shí)在多個(gè)晶圓待形成高K柵介質(zhì)層的開口的底部形成金屬層，利于實(shí)現(xiàn)生廣線制造，提聞了生廣效率。


圖1-圖5是現(xiàn)有技術(shù)的高K柵介質(zhì)層的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例的高K柵介質(zhì)層的形成方法的流程示意圖；圖7-圖11是本發(fā)明第一實(shí)施例的高K柵介質(zhì)層的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖12-圖13是本發(fā)明第二實(shí)施例的晶體管的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是本發(fā)明實(shí)施例的高K柵介質(zhì)層的形成裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖15是本發(fā)明實(shí)施例的高K柵介質(zhì)層的形成裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)所述，采用現(xiàn)有技術(shù)形成高K柵介質(zhì)層的方法，形成的晶體管的寄生電容較大，晶體管的性能較差。經(jīng)過研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，請繼續(xù)參考圖5，現(xiàn)有技術(shù)采用物理氣相沉積工藝形成覆蓋所述開口的底部的高K柵介質(zhì)層109時(shí)，同時(shí)在開口的側(cè)壁形成了高K柵介質(zhì)層109，主要是所述位于開口側(cè)壁的高K柵介質(zhì)層109導(dǎo)致了晶體管的寄生電容增大，影響了晶體管的性能。經(jīng)過進(jìn)一步研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)一種選擇性沉積工藝，沉積物主要沉積在開口的底部，而在開口的側(cè)壁形成的較少，如果將所述選擇性沉積工藝應(yīng)用到高K柵介質(zhì)層的形成方法中，則可以有效降低形成的晶體管的寄生電容，提高晶體管的性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。第一實(shí)施例請參考圖6，本發(fā)明實(shí)施例的高K柵介質(zhì)層的形成方法，包括:步驟S201，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有絕緣層、以及貫穿所述絕緣層的厚度的開口；步驟S203，采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金
屬層；步驟S205,氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層。具體請參考圖7-圖11，圖7-圖11示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的高K柵介質(zhì)層的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖7，提供半導(dǎo)體襯底300，所述半導(dǎo)體襯底300表面形成有絕緣層307、以及貫穿所述絕緣層307的厚度的開口 308。所述半導(dǎo)體襯底300用于為后續(xù)工藝提供平臺，所述半導(dǎo)體襯底300的材料為單晶娃。所述絕緣層307用于隔離相鄰的金屬柵極。所述絕緣層307的材料為SiO2，所述絕緣層307的形成工藝為氧化或沉積工藝，由于形成絕緣層307的工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。所述開口 308定義出高K柵介質(zhì)層的位置，用于后續(xù)形成高K柵介質(zhì)層。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述開口 308的形成步驟請參考背景技術(shù)中圖1-圖4的描述，在此不再贅述。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，為了保護(hù)所述半導(dǎo)體襯底300在形成開口 308時(shí)不被損壞，所述半導(dǎo)體襯底300表面還形成有刻蝕阻擋層(未圖示)。請參考圖8，采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口 308的底部形成第一金屬層3091。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，圖5中現(xiàn)有技術(shù)采用物理氣相沉積工藝形成覆蓋所述開口的底部的高K柵介質(zhì)層109時(shí)，同時(shí)在開口的側(cè)壁形成了高K柵介質(zhì)層109，主要是所述位于開口側(cè)壁的高K柵介質(zhì)層109導(dǎo)致了晶體管的寄生電容增大，影響了晶體管的性能。經(jīng)過進(jìn)一步研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝在開口內(nèi)形成沉積物時(shí)，由于氣態(tài)的金屬氯化物在開口底部富集，而開口側(cè)壁處的金屬氯化物較底部稀少，所述沉積物主要沉積在開口的底部，而在開口的側(cè)壁形成的較少，如果將所述選擇性沉積工藝應(yīng)用到高K柵介質(zhì)層的形成方法中，則可以有效降低形成的晶體管的寄生電容，提聞晶體管的性能。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口 308的底部形成第一金屬層3091。所述采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口 308的底部形成第一金屬層3091的步驟包括:提供金屬板(未圖示)，所述金屬板放置于開口 308上方；等離子態(tài)的氯氣與所述金屬板發(fā)生反應(yīng)，形成氣態(tài)的金屬氯化物；所述氣態(tài)的金屬氯化物在開口308底部富集，所述氣態(tài)的金屬氯化物中的金屬與開口 308底部的半導(dǎo)體襯底300中的硅相結(jié)合，形成金屬硅化物層(未圖示)；所述氣態(tài)的金屬氯化物與所述金屬硅化物層反應(yīng)，在所述開口 308底部形成第一金屬層3091。請參考圖14，所述還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝在還原金屬氯化物的第一反應(yīng)腔410中進(jìn)行，所述還原金屬氯化物的第一反應(yīng)腔410包括:第一基臺401，用于放置待形成高K柵介質(zhì)層的晶圓403 ;位于所述第一基臺401上方的夾持裝置(未圖示)，用于夾持金屬板405。請結(jié)合參考圖8和圖14，所述金屬板405用于作為形成第一金屬層3091的源材料，由于所述第一金屬層3091后續(xù)會被氧化成第一高K柵介質(zhì)薄膜，因此所述金屬板405應(yīng)該選擇其金屬的氧化物為高K介質(zhì)的材料，例如鉿(Hf)、鑭(La)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)或鋁(Al)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述金屬板405的材料為鉿(Hf)。為了便于在所述開口 308內(nèi)形成第一金屬層3091,所述金屬板405放置在所述開口 308的上方,優(yōu)選為正上方。并且，所述金屬板405的尺寸大于所述開口 308的尺寸。需要說明的是，通常晶圓(半導(dǎo)體襯底)表面具有多個(gè)開口 308，用以形成若干個(gè)金屬柵極，所述金屬板405的大小可以根據(jù)晶圓表面具有的所述開口的面積而定，或者根據(jù)晶圓的大小選擇合適尺寸的金屬板405。請繼續(xù)參考圖14，所述等離子態(tài)的氯氣在等離子腔室407內(nèi)形成，所述等離子腔室407與源線圈408相連，所述源線圈408接收來自電源的電力，產(chǎn)生均勻的等離子，所述等離子腔室407接收源線圈408產(chǎn)生的均勻的等離子，等離子體化氯氣，使其變?yōu)榈入x子態(tài)。為使得形成裝置的結(jié)構(gòu)更加緊湊，本發(fā)明的實(shí)施例中，所述源線圈408設(shè)置在第一反應(yīng)腔410頂壁的表面。形成所述等離子態(tài)的氯氣的工藝參數(shù)包括:頻率為2-4MHZ ;功率為200-500W ;壓力為 0.01-0.1Torr ；C12 的流量為 500-2000sccm。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，雖然采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝形成第一金屬層3091時(shí)，所述第一金屬層3091主要沉積在開口 308的底部，而在開口 308的側(cè)壁沉積的較少，但是，合適的工藝參數(shù)也可以使金屬層更集中的形成在開口 308的底部，形成在開口 308側(cè)壁的金屬極少，利于后續(xù)形成寄生電容小的晶體管。本發(fā)明的實(shí)施例中，等離子態(tài)的氯氣與所述金屬板發(fā)生反應(yīng)的工藝參數(shù)包括:溫度為250-350°C ;壓力為0.01-0.1Torr0發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，所述等離子態(tài)的氯氣進(jìn)入第一反應(yīng)腔410的速度較慢，為了加快其進(jìn)入第一反應(yīng)腔410的速度，在向所述第一反應(yīng)腔410通入所述等離子態(tài)的氯氣時(shí)，還包括:通入惰性氣體作為等離子態(tài)的氯氣的載體。所述惰性氣體為Ar、He或N2。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述惰性氣體的流量為500-3000sCCm。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口 308的底部形成第一金屬層3091的步驟包括:氯氣在等離子腔室407中被等離子體化，形成等離子態(tài)的氯氣；所述等離子態(tài)的氯氣由作為載體的Ar、He或N2帶入第一反應(yīng)腔410中；所述等離子態(tài)的氯氣首先和金屬板405發(fā)生反應(yīng)，形成氣態(tài)的氯化鉿(HfCl);所述氣態(tài)的氯化鉿和開口 308底部的硅反應(yīng)，在所述開口 308的底部形成硅化鉿(HfSi)薄膜(未圖示)；所述氣態(tài)的氯化鉿繼續(xù)和所述硅化鉿(HfSi)薄膜發(fā)生反應(yīng)，在所述開口 308的底部形成第一金屬層3091?？紤]到如果所述第一金屬層3091的厚度太大，后續(xù)氧化所述第一金屬層3091時(shí)，僅將第一金屬層3091表面的部分金屬氧化,而遠(yuǎn)離所述第一金屬層3091表面的金屬則仍然無法氧化，后續(xù)形成的高K柵介質(zhì)層的質(zhì)量不好，影響晶體管的性能。經(jīng)過研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)所述第一金屬層3091的厚度小于5A時(shí)，后續(xù)整個(gè)第一金屬層3091中的金屬均能夠被氧化，形成的高K柵介質(zhì)層的質(zhì)量好，晶體管的性能好。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一金屬層3091的厚度小于5A。請參考圖9，氧化所述第一金屬層形成第一高K柵介質(zhì)薄膜3111。所述第一高K柵介質(zhì)薄膜3111用于后續(xù)形成高K柵介質(zhì)層。所述第一高K柵介質(zhì)薄膜3111為金屬氧化物，本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第一高K柵介質(zhì)薄膜3111的材料為氧化鉿(HfO)。氧化所述金屬層形成第一高K柵介質(zhì)薄膜3111時(shí)通入的氣體為臭氧(O3)或等離子態(tài)的氧。在本發(fā)明的實(shí)施例中，氧化所述第一金屬層形成第一高K柵介質(zhì)薄膜的工藝參數(shù)包括:臭氧的流量為500-2000sccm ;壓強(qiáng)為0.01-0.1Torr0需要說明的是，為了使形成的第一高K柵介質(zhì)薄膜3111的質(zhì)量好，本發(fā)明的高K柵介質(zhì)層的形成方法，還包括:在所述開口 308的底部形成第一金屬層后，氧化所述第一金屬層形成第一高K柵介質(zhì)薄膜3111前，對所述第一金屬層進(jìn)行凈化處理。所述凈化處理的方法包括:向所述金屬層表面通入惰性氣體,例如Ar、He或N2。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述惰性氣體的流量為500-3000sCCm時(shí)，可以將所述第一金屬層表面的雜質(zhì)去除。需要說明的是，實(shí)際工藝中，晶體管的高K柵介質(zhì)層的厚度有特定的要求，通常大于5人。為了形成滿足工藝需求的高K柵介質(zhì)層，通常需要重復(fù)執(zhí)行多次“還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層；氧化所述金屬層”的步驟，形成包括多個(gè)高K柵介質(zhì)薄膜的高K柵介質(zhì)層，最終形成的所述高K柵介質(zhì)層的厚度等于所述多個(gè)高K柵介質(zhì)薄膜的厚度之和。請參考圖10，繼續(xù)采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部即第一高K柵介質(zhì)薄膜3111的表面形成第二金屬層3092。所述第二金屬層3092用于后續(xù)形成第二高K柵介質(zhì)薄膜。所述第二金屬層3092的厚度小于5人。所述第二金屬層3092的形成方法和步驟可參考本發(fā)明實(shí)施例的第一金屬層的形成方法和步驟，在此不再贅述。需要說明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)形成第二金屬層3092后，在凈化單元中對所述第二金屬層3092進(jìn)行凈化處理，去除其表面的雜質(zhì)，以利于后續(xù)形成質(zhì)量好的第二高K柵介質(zhì)薄膜。具體請參考去除第一金屬層表面的雜質(zhì)的方法。請參考圖11，氧化所述第二金屬層形成第二高K柵介質(zhì)薄膜3112。所述第二高K柵介質(zhì)薄膜3112用于和第一高K柵介質(zhì)薄膜3111共同構(gòu)成高K柵介質(zhì)層。所述第二高K柵介質(zhì)薄膜3112的形成方法和步驟請參考第一高K柵介質(zhì)薄膜3111的形成方法和步驟，在此不再贅述。需要說明的是，當(dāng)形成的多個(gè)高K柵介質(zhì)薄膜的厚度之和等于本發(fā)明的實(shí)施例中最終需要形成的高K柵介質(zhì)層的厚度時(shí)，則高K柵介質(zhì)層的制造完成，形成的高K柵介質(zhì)層主要形成的開口的底部，開口兩側(cè)的高K柵介質(zhì)層較少。相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人經(jīng)過研究后，提供了一種高K柵介質(zhì)層的形成裝置，請參考圖14,包括:第一反應(yīng)腔410，用于采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在晶圓403待形成高K柵介質(zhì)層的開口(未圖不)底部，形成金屬層(未圖不)；第二反應(yīng)腔420，與所述第一反應(yīng)腔相鄰，用于氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層(未圖示)；凈化單元(未圖示)，位于第一反應(yīng)腔410和第二反應(yīng)腔420之間區(qū)域的上方，用于在晶圓403由第一反應(yīng)腔410運(yùn)送至第二反應(yīng)腔420途中去除晶圓403表面的雜質(zhì)；旋轉(zhuǎn)裝置415，包括旋轉(zhuǎn)軸(未標(biāo)示)和與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)臂(未標(biāo)示)，第一反應(yīng)腔室410、第二反應(yīng)腔室420、凈化單元位于以所述旋轉(zhuǎn)軸作為中心點(diǎn)，旋轉(zhuǎn)臂作為半徑的圓周上，所述旋轉(zhuǎn)臂通過旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)運(yùn)送晶圓到第一反應(yīng)腔410、凈化單元或第二反應(yīng)腔420內(nèi)。其中，所述第一反應(yīng)腔410包括:第一基臺401，用于放置待形成高K柵介質(zhì)層的第一晶圓403 ;位于所述第一基臺401上方的夾持裝置(未圖示)，用于夾持金屬板405。所述第二反應(yīng)腔420包括:第二基臺409，用于放置已形成有金屬層(例如第一金屬層或第二金屬層)的第二晶圓411 ;位于所述第二基臺409上方的氣體噴頭413，所述氣體噴頭413內(nèi)具有若干小孔(未圖示)，用于作為通入氣體時(shí)的通道，且可以使本實(shí)施例中通入的臭氧或氧離子均勻分散在第二反應(yīng)腔420內(nèi)，有助于與第二晶圓411表面的金屬層均勻的反應(yīng)，形成質(zhì)量好的高K柵介質(zhì)層。所述凈化單元用于對所述金屬層進(jìn)行凈化處理。所述凈化單元通過通入惰性氣體的方式，對凈化單元內(nèi)的晶圓進(jìn)行凈化處理。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例的形成裝置還包括:源線圈408，用于接收來自電源的電力，產(chǎn)生均勻的等離子；等離子腔室407，與第一反應(yīng)腔410相連，用于接收源線圈408產(chǎn)生的均勻的等離子，將氣體等離子體化。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述源線圈408設(shè)置在第一反應(yīng)腔410頂壁的表面，所述等離子腔室407用于等離子體化氯氣，使其變成等離子體態(tài)，運(yùn)送等離子態(tài)的氯氣到達(dá)金屬板表面。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述等離子腔室407也可以集成在第一反應(yīng)腔410的內(nèi)部。并且，所述第二反應(yīng)腔420內(nèi)部也可以集成另一等離子腔室；或者設(shè)置另一等離子腔室與所述第二反應(yīng)腔420相連，等離子體化氧氣，使其變?yōu)檠蹼x子，以利于形成高K柵介質(zhì)層。考慮到在形成最終需要的高K柵介質(zhì)層的厚度時(shí)，通常需要分多次形成所述金屬層，在每次形成所述金屬層后，氧化該次形成的金屬層形成高K柵介質(zhì)層，然后再形成下一金屬層，直至能夠形成最終需要的高K柵介質(zhì)層的厚度時(shí)為止。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果所述第一反應(yīng)腔、第二反應(yīng)腔和凈化單元的個(gè)數(shù)為一個(gè)時(shí)，待形成高K柵介質(zhì)層的晶圓需要反復(fù)的在所述第一反應(yīng)腔、第二反應(yīng)腔和凈化單元中移動，不利于工廠中形成生產(chǎn)線，生產(chǎn)效率低下。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果所述高K柵介質(zhì)層的形成裝置中布置合適數(shù)量的所述第一反應(yīng)腔、第二反應(yīng)腔和凈化單元，則可以在工廠中形成生產(chǎn)線，大大提高晶體管的生產(chǎn)效率。本發(fā)明實(shí)施例中，發(fā)明人提供了一種高K柵介質(zhì)層的形成裝置，包括:至少兩個(gè)第一反應(yīng)腔和至少兩個(gè)第二反應(yīng)腔，所述第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔交替的排列，每一所述第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔之間設(shè)置有凈化單元，用于在晶圓從上一反應(yīng)腔到下一反應(yīng)腔之iu，去除所述晶圓表面的雜質(zhì)。所述旋轉(zhuǎn)臂也可以有多個(gè)，多個(gè)所述旋轉(zhuǎn)臂均固定連接在旋轉(zhuǎn)軸上，隨旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述旋轉(zhuǎn)臂的個(gè)數(shù)等于第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔的個(gè)數(shù)之和，所述旋轉(zhuǎn)臂的長度和高度以運(yùn)送的晶圓剛好到達(dá)各反應(yīng)腔的基臺的中心為準(zhǔn)。因此，各反應(yīng)室可以同時(shí)工作，效率高，利于形成生產(chǎn)線。請參考圖15，本發(fā)明的實(shí)施例中，以所述第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔的個(gè)數(shù)均為三個(gè)時(shí)為例進(jìn)行示范性說明。本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一反應(yīng)腔4101、第二反應(yīng)腔4201、第一反應(yīng)腔4102、第二反應(yīng)腔4202、第一反應(yīng)腔4103和第二反應(yīng)腔4203以所述旋轉(zhuǎn)裝置415為中心依次順時(shí)針或逆時(shí)針排列，并且相鄰兩個(gè)反應(yīng)腔之間的距離相等，即相鄰兩個(gè)反應(yīng)腔與所述圓形的中心構(gòu)成的夾角相等；所述旋轉(zhuǎn)裝置415包括旋轉(zhuǎn)體和與所述多個(gè)第一反應(yīng)腔和多個(gè)第二反應(yīng)腔一一對應(yīng)的旋轉(zhuǎn)臂，所述旋轉(zhuǎn)臂的個(gè)數(shù)為6個(gè)，相鄰的兩個(gè)旋轉(zhuǎn)臂間的夾角相等；并且每一所述第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔之間設(shè)置有凈化單元430，所述凈化單元430的個(gè)數(shù)為6個(gè)。圖15所示的具有多個(gè)第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔的形成裝置的工作過程為:待形成高K柵介質(zhì)層的第一晶圓由旋轉(zhuǎn)臂415運(yùn)送到第一反應(yīng)腔4101腔室的第一基臺(未圖示)上，在第一晶圓表面待形成高K柵介質(zhì)層的開口底部形成第一金屬層；旋轉(zhuǎn)裝置415的旋轉(zhuǎn)臂將所述第一晶圓運(yùn)送第一反應(yīng)腔4101和第二反應(yīng)腔4201之間的凈化單元430內(nèi)，對所述第一晶圓的第一金屬層表面進(jìn)行凈化處理；再由所述旋轉(zhuǎn)裝置415的旋轉(zhuǎn)臂將凈化處理后的第一晶圓運(yùn)送到第二反應(yīng)腔4201的第二基臺(未圖示)上，氧化所述第一金屬層形成第一高K柵介質(zhì)層；所述旋轉(zhuǎn)裝置415的旋轉(zhuǎn)臂將所述第一晶圓運(yùn)送到第二反應(yīng)腔4201和第一反應(yīng)腔4102之間的凈化單元430內(nèi)，對所述第一晶圓的第一高K柵介質(zhì)層表面進(jìn)行凈化處理；之后再由旋轉(zhuǎn)裝置415的旋轉(zhuǎn)臂將所述第一晶圓運(yùn)送到第一反應(yīng)腔4102的第一基臺上，形成覆蓋所述第一高K柵介質(zhì)層的第二金屬層，依次類推，直至在第二反應(yīng)腔4203中氧化第三金屬層形成第三高K柵介質(zhì)層。需要說明的是，在第一晶圓運(yùn)送到第二反應(yīng)腔4201時(shí)，可以由旋轉(zhuǎn)裝置415中的另一旋轉(zhuǎn)臂將第二晶圓運(yùn)送到第一反應(yīng)腔4101內(nèi)，開始所述第二晶圓表面的高K柵介質(zhì)層的形成步驟。相應(yīng)的，所述旋轉(zhuǎn)裝置415的六個(gè)旋轉(zhuǎn)臂上可以同時(shí)運(yùn)送六個(gè)晶圓到對應(yīng)的第一反應(yīng)腔或第二反應(yīng)腔中，以形成生產(chǎn)線。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可以根據(jù)最終形成的高K柵介質(zhì)層的厚度，以及每經(jīng)過一個(gè)第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔后形成的高K柵介質(zhì)層的厚度，確定第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔的個(gè)數(shù)和凈化單元的個(gè)數(shù)，并將所述多個(gè)第一反應(yīng)腔、第二反應(yīng)腔和凈化單元間隔的排列成圓形，使得從最后一個(gè)第二反應(yīng)腔中運(yùn)送出的晶圓的高K柵介質(zhì)層的厚度剛好達(dá)到要求。由上述分析可知，所述具有多個(gè)第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔的形成裝置的原理簡單，結(jié)構(gòu)緊湊，可以實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)效率。第二實(shí)施例具體請參考圖12-圖13，圖12-圖13示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的晶體管的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖12，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人提供了一種晶體管的形成方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底500，所述半導(dǎo)體襯底500表面形成有絕緣層60、以及貫穿所述絕緣層60的厚度的開口(未圖示)；采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層(未圖示)；氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層501 ；形成覆蓋所述高K柵介質(zhì)層501的金屬柵電極層503。所述高K柵介質(zhì)層501的具體形成方法和步驟，請參考本發(fā)明第一實(shí)施例的高K柵介質(zhì)層的形成方法和步驟，在此不再贅述。所述金屬柵電極層503用于形成晶體管的柵極，所述金屬柵電極層503的形成工藝為物理或化學(xué)氣相沉積工藝，在此不再贅述。請參考圖13，所述晶體管的形成方法還包括:去除所述絕緣層，暴露出所述半導(dǎo)體襯底500表面；形成位于所述金屬柵電極層503側(cè)壁、且位于所述半導(dǎo)體襯底500表面的側(cè)墻505 ;以所述側(cè)墻505為掩膜，在所述半導(dǎo)體襯底500內(nèi)形成源/漏極507。其中，去除所述絕緣層的工藝為刻蝕工藝，例如干法或濕法刻蝕；所述側(cè)墻505的材料為SiN，用于后續(xù)作為掩膜形成源/漏極507，所述側(cè)墻505的形成工藝為沉積工藝和刻蝕工藝；所述源/漏極507采用摻雜的方式，例如離子注入形成。上述步驟完成之后，本發(fā)明第二實(shí)施例形成的具有高K柵介質(zhì)層的晶體管的制作完成，所述晶體管中高K柵介質(zhì)層主要形成在開口的底部，開口側(cè)壁形成的較少，晶體管的寄生電容小，性能好。綜上，采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在開口的底部形成金屬層時(shí)，等離子態(tài)的氯氣與金屬板中的金屬發(fā)生反應(yīng)，形成氣態(tài)的金屬氯化物，由于所述氣態(tài)的金屬氯化物主要在開口的底部富集，形成的金屬層主要位于開口的底部，而開口的側(cè)壁沉積的金屬極少，所述金屬層后續(xù)被氧化后形成高K柵介質(zhì)層，所述高K柵介質(zhì)層也主要形成在開口的底部，開口側(cè)壁的高K柵介質(zhì)材料極少,并且高K柵介質(zhì)層的形成工藝簡單。進(jìn)一步的，采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝和氧化工藝，形成的高K柵介質(zhì)層，主要形成在開口的底部，開口側(cè)壁形成的較少，晶體管的寄生電容小，性能好。更進(jìn)一步的，在所述開口的底部形成金屬層后，氧化所述金屬層前，對所述金屬層進(jìn)行凈化處理的步驟。該步驟去除了附著在金屬層表面的雜質(zhì)，使得形成的高K柵介質(zhì)層較為純凈，質(zhì)量好，進(jìn)一步保障了高K柵介質(zhì)層的質(zhì)量，提高了晶體管的性能。高K柵介質(zhì)層的形成裝置包括具有旋轉(zhuǎn)軸和與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)臂的旋轉(zhuǎn)裝置，使第一反應(yīng)腔室、第二反應(yīng)腔室、凈化單元位于以所述旋轉(zhuǎn)軸作為中心點(diǎn)，旋轉(zhuǎn)軸作為半徑的圓周上；通過所述旋轉(zhuǎn)裝置中旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)，帶動旋轉(zhuǎn)臂旋轉(zhuǎn)使其將晶圓運(yùn)送到第一反應(yīng)腔、第二反應(yīng)腔或凈化單元內(nèi)，原理和結(jié)構(gòu)簡單，自動化程度高。更進(jìn)一步的，包括多個(gè)交替設(shè)置的第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔，且所述多個(gè)交替設(shè)置的第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔圍繞成圓形，旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)軸位于所述圓形的圓心，不僅結(jié)構(gòu)緊湊，還可以同時(shí)在多個(gè)晶圓待形成高K柵介質(zhì)層的開口的底部形成金屬層，利于實(shí)現(xiàn)生廣線制造，提聞了生廣效率。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種高K柵介質(zhì)層的形成方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有絕緣層、以及貫穿所述絕緣層的厚度的開口 ； 其特征在于，還包括: 采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層； 氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層。
2.如權(quán)利要求1所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，所述采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層的步驟包括:提供金屬板，所述金屬板放置于開口上方；等離子態(tài)的氯氣與所述金屬板發(fā)生反應(yīng)，形成氣態(tài)的金屬氯化物；所述氣態(tài)的金屬氯化物中的金屬與開口底部的半導(dǎo)體襯底中的硅相結(jié)合，形成金屬硅化物層；所述氣態(tài)的金屬氯化物與所述金屬硅化物層反應(yīng)，在所述開口底部形成金屬層。
3.如權(quán)利要求2所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，所述金屬板的材料為鉿、鑭、錯(cuò)、鉭、鈦或招。
4.如權(quán)利要求2所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，形成所述等離子態(tài)的氯氣的工藝參數(shù)包括:頻率為2-4MHz，功率為200-500W，壓力為0.01-0.1Torr, Cl2的流量為500_2000sccmo
5.如權(quán)利要求2所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，還包括:通入惰性氣體作為等離子態(tài)的氯氣的載體。
6.如權(quán)利要求5所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體為Ar、He或N2。
7.如權(quán)利要求5所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體的流量為500_3000sccmo
8.如權(quán)利要求1所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，形成所述金屬層的工藝參數(shù)包括:溫度為250-350°C，壓力為0.01-0.1Torr0
9.如權(quán)利要求1所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層時(shí)通入的氣體為臭氧或等離子態(tài)的氧。
10.如權(quán)利要求1所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層的工藝參數(shù)包括:臭氧的流量為500-2000SCCm，壓強(qiáng)為0.01-0.1Torr0
11.如權(quán)利要求1所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，還包括:在在所述開口的底部形成金屬層后，對所述金屬層進(jìn)行凈化處理，再氧化所述金屬層。
12.如權(quán)利要求1所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，所述凈化處理的方法包括:向所述金屬層表面通入惰性氣體。
13.如權(quán)利要求1所述的高K柵介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體為Ar、He或N2，所述惰性氣體的流量為500-3000sccm。
14.一種晶體管的形成方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有絕緣層、以及貫穿所述絕緣層的厚度的開口 ； 其特征在于，還包括: 采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層；氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層； 形成覆蓋所述高K柵介質(zhì)層的金屬柵電極層。
15.如權(quán)利要求14所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括:去除所述絕緣層，暴露出所述半導(dǎo)體襯底表面；形成位于所述金屬柵電極層側(cè)壁、且位于所述半導(dǎo)體襯底表面的側(cè)墻；以所述側(cè)墻為掩膜，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏極。
16.一種高K柵介質(zhì)層的形成裝置，其特征在于，包括: 第一反應(yīng)腔，用于采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在晶圓待形成高K柵介質(zhì)層的開口底部，形成金屬層； 第二反應(yīng)腔，與所述第一反應(yīng)腔相鄰，用于氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層； 凈化單元，位于第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔之間，用于去除晶圓表面的雜質(zhì)； 旋轉(zhuǎn)裝置，包括旋轉(zhuǎn)軸和與所述旋轉(zhuǎn)軸連接的至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)臂，第一反應(yīng)腔室、第二反應(yīng)腔室、凈化單元位于以所述旋轉(zhuǎn)軸作為中心點(diǎn)，旋轉(zhuǎn)臂作為半徑的圓周上，所述旋轉(zhuǎn)臂通過旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)運(yùn)送晶圓到第一反應(yīng)腔、凈化單元或第二反應(yīng)腔內(nèi)。
17.如權(quán)利要求16所述的高K柵介質(zhì)層的形成裝置，其特征在于，所述第一反應(yīng)腔包括:第一基臺，用于放置待形成高K柵介質(zhì)層的晶圓；位于所述第一基臺上方的夾持裝置，用于夾持金屬板。
18.如權(quán)利要求16所述的高K柵介質(zhì)層的形成裝置，其特征在于，所述第二反應(yīng)腔包括:第二基臺，用于放置形成有金屬層的晶圓；位于所述第二基臺上方的氣體噴頭，所述氣體噴頭內(nèi)具有若干小孔，用于作為通入臭氧或氧離子時(shí)的通道。
19.如權(quán)利要求17或18所述的高K柵介質(zhì)層的形成裝置，其特征在于，還包括:源線圈，用于接收來自電源的電力，產(chǎn)生均勻的等離子；等離子腔室，用于接收源線圈產(chǎn)生的均勻的等離子，將氣體等離子體化后通入第一反應(yīng)腔或第二反應(yīng)腔。
20.如權(quán)利要求16所述的高K柵介質(zhì)層的形成裝置，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)臂的個(gè)數(shù)等于第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔的個(gè)數(shù)之和。
21.如權(quán)利要求16所述的高K柵介質(zhì)層的形成裝置，其特征在于，當(dāng)所述第一反應(yīng)腔和所述第二反應(yīng)腔的個(gè)數(shù)至少為兩個(gè)時(shí)，所述第一反應(yīng)腔和第二反應(yīng)腔交替的排列。
22.如權(quán)利要求16所述的高K柵介質(zhì)層的形成裝置，其特征在于，相鄰兩個(gè)第一反應(yīng)腔、第二反應(yīng)腔之間的距離相等。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種高K柵介質(zhì)層的形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底表面的絕緣層、以及貫穿所述絕緣層的厚度的開口；采用還原金屬氯化物的化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口的底部形成金屬層；氧化所述金屬層形成高K柵介質(zhì)層。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種晶體管的形成方法，形成的晶體管的高K柵介質(zhì)層主要形成在開口的底部，開口側(cè)壁形成的較少，晶體管的寄生電容小，性能好。相應(yīng)的，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種高K柵介質(zhì)層的形成裝置，結(jié)構(gòu)和原理簡單，利用提高生產(chǎn)效率。
文檔編號H01L21/336GK103137461SQ201110398208
公開日2013年6月5日 申請日期2011年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者三重野文健 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司