專利名稱：晶片級發(fā)光裝置封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及晶片級發(fā)光裝置封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，電子部件被小型化和輕型化，在發(fā)光二極管(LED)領(lǐng)域也是一樣。使電子部件小型化和輕型化的技術(shù)之一為晶片級封裝件。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片封裝件技術(shù)中，以單獨(dú)的單芯片單元執(zhí)行用于形成封裝件的后續(xù)工藝。然而，在晶片級封裝件技術(shù)中，在晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片之后，執(zhí)行用于封裝半導(dǎo)體芯片的一系列組裝工藝，然后，通過切割晶片來制造最終產(chǎn)品。因此，近來已積極地進(jìn)行關(guān)于以晶片級封裝件制造LED的方法的研究。

發(fā)明內(nèi)容
所提供的是晶片級發(fā)光裝置封裝件及其制造方法。在下面的描述中，附加方面將被部分地闡述，部分通過描述將是明顯的，或者可以通過提出的實(shí)施例的實(shí)踐而獲知。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種晶片級發(fā)光裝置封裝件，該晶片級發(fā)光裝置封裝件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)；多個(gè)電極焊盤，形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上；聚合物層，形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述相對表面上以覆蓋電極焊盤和發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且包括形成在聚合物層的與電極焊盤對應(yīng)的區(qū)域中的多個(gè)第一通孔；封裝基底，形成在聚合物層上并包括在封裝基底的與第一通孔對應(yīng)的區(qū)域中的多個(gè)第二通孔；以及多個(gè)電極，形成在第一通孔和第二通孔中并電連接到電極焊盤。第一通孔可以形成在與電極焊盤對應(yīng)的位置處并可以暴露電極焊盤的部分。第二通孔可以連接到第一通孔并可以暴露電極焊盤的部分。所述晶片級發(fā)光裝置封裝件還可以包括在第一通孔的內(nèi)壁與電極之間以及在第二通孔的內(nèi)壁與電極之間的絕緣層。聚合物層可以由光敏聚合物材料形成。電極可以形成在第一通孔和第二通孔的內(nèi)壁上并可以電連接到電極焊盤。 可以通過用導(dǎo)電材料填充第一通孔和第二通孔來形成電極，并且電極可以電連接到電極焊盤。發(fā)光結(jié)構(gòu)還可以包括波紋結(jié)構(gòu)。所述晶片級發(fā)光裝置封裝件還可以包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)上的磷光體層和光學(xué)透鏡中的至少一個(gè)。絕緣層可以由光敏有機(jī)材料形成。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括n型半導(dǎo)體層；有源層，形成在η型半導(dǎo)體層上；以及P型半導(dǎo)體層，形成在有源層上，其中，電極焊盤包括η型電極焊盤，在η型半導(dǎo)體層上并與有源層和P型半導(dǎo)體層分隔開；以及P型電極焊盤，在P型半導(dǎo)體層上。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括η型半導(dǎo)體層；有源層，形成在η型半導(dǎo)體層上；以及P型半導(dǎo)體層，形成在有源層上，其中，電極焊盤包括n型電極焊盤，在η型半導(dǎo)體層上并與有源層和P型半導(dǎo)體層分隔開；以及P型電極焊盤，在P型半導(dǎo)體層上，并且η型半導(dǎo)體層通過填充在形成于η型半導(dǎo)體層的部分、P型半導(dǎo)體層和有源層中的至少一個(gè)通孔中的第一導(dǎo)體連接到η型電極焊盤，并且P型半導(dǎo)體層通過形成在P型電極焊盤的下表面上的第二導(dǎo)體連接到P型電極焊盤。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造晶片級發(fā)光裝置封裝件的方法，所述方法包括下述步驟在基底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上形成多個(gè)電極焊盤；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面上形成聚合物層以覆蓋電極焊盤和發(fā)光結(jié)構(gòu)；在聚合物層中與電極焊盤對應(yīng)的區(qū)域中形成多個(gè)第一通孔；將封裝基底結(jié)合到聚合物層上；在封裝基底中與第一通孔對應(yīng)的區(qū)域中形成多個(gè)第二通孔；在第一通孔和第二通孔的內(nèi)壁上形成連接到電極焊盤的電極；從發(fā)光結(jié)構(gòu)除去基底；以及將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個(gè)發(fā)光裝置封裝件。形成第一通孔的步驟可以包括通過第一通孔暴露電極焊盤的部分。形成第二通孔的步驟可以包括將第二通孔連接到第一通孔并通過第一通孔和第二通孔暴露電極焊盤的部分。所述方法還可以包括在第一通孔的內(nèi)壁與電極之間以及第二通孔的內(nèi)壁與電極之間形成絕緣層。可以由光敏聚合物材料形成聚合物層。可以通過使用從由激光鉆孔、干蝕刻和濕蝕刻組成的組中選擇的工藝來形成第二通孔。可以通過使用激光剝離方法和拋光方法中的一種方法來執(zhí)行除去基底的步驟。所述方法還可以包括通過使用蝕刻方法和光刻方法中的一種方法在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成波紋結(jié)構(gòu)。所述方法還可以包括在將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個(gè)發(fā)光裝置封裝件之前在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成磷光體層的步驟。所述方法還可以包括在將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個(gè)發(fā)光裝置封裝件之前在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成光學(xué)透鏡的步驟。可以由光敏有機(jī)材料形成絕緣層。形成絕緣層的步驟可以包括用絕緣材料覆蓋第一通孔、第二通孔和電極焊盤； 以及通過將形成在電極焊盤上的絕緣材料除去來暴露電極焊盤的部分?？梢栽诰増?zhí)行形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的步驟、形成多個(gè)電極焊盤的步驟、形成多個(gè)第一通孔的步驟、結(jié)合封裝基底的步驟、形成多個(gè)第二通孔的步驟、形成電極的步驟、除去基底的步驟以及將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個(gè)發(fā)光裝置封裝件的步驟中的至少一個(gè)步驟?？梢栽诰増?zhí)行形成磷光體層的步驟。 可以在晶片級執(zhí)行成型光學(xué)透鏡的步驟。


通過下面結(jié)合附圖對實(shí)施例進(jìn)行的描述，這些和/或其他方面將變得明顯和更容易理解，附圖中
圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片級發(fā)光裝置封裝件的示意性剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件(的變化形式)的示意性剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件(的變化形式)的示意性剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件(的變化形式)的示意性剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件(的變化形式)的示意性剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件(的變化形式)的示意性剖視圖；以及圖7A至圖7K是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片級發(fā)光裝置封裝件的制造方法的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，將參照附圖更充分地描述根據(jù)本發(fā)明的晶片級發(fā)光裝置封裝件及制造該晶片級發(fā)光裝置封裝件的方法。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且相同的附圖標(biāo)記代表相同的元件。圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片級發(fā)光裝置封裝件100的示意性剖視圖。參照圖1，晶片級發(fā)光裝置封裝件100可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)10 ;電極焊盤20，形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的發(fā)光表面的相對表面上；聚合物層30,形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的所述相對表面上以覆蓋電極焊盤20和發(fā)光結(jié)構(gòu)10，聚合物層30包括形成在聚合物層30的與電極焊盤 20對應(yīng)的區(qū)域中的第一通孔40 ;封裝基底50，形成在聚合物層30上，并包括在封裝基底50 的與第一通孔40對應(yīng)的區(qū)域中的第二通孔60 ;以及電極70，形成在第一通孔40和第二通孔60中并電連接到電極焊盤20。雖然未示出，但晶片級發(fā)光裝置封裝件100可以包括各種類型的發(fā)光結(jié)構(gòu)。發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括由例如GaN、InN或AlN的III-V族半導(dǎo)體化合物形成的氮化物半導(dǎo)體二極管。發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以是III-V族半導(dǎo)體化合物的堆疊結(jié)構(gòu)。此外，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層以及形成在η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層之間的有源層。多個(gè)電極焊盤20可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的發(fā)光表面的相對表面上。也就是說， 發(fā)光結(jié)構(gòu)10的所述相對表面可以面對發(fā)光結(jié)構(gòu)10的發(fā)射光的表面。電極焊盤20可以分別包括η型電極焊盤和P型電極焊盤。聚合物層30可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的相對表面上。聚合物層30可以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)10的相對表面的未形成電極焊盤20的區(qū)域和電極焊盤20的部分。聚合物層30將發(fā)光結(jié)構(gòu)10和封裝基底50結(jié)合。聚合物層30可以由不導(dǎo)電聚合物材料形成，并且在這種情況下，導(dǎo)電晶片和不導(dǎo)電晶片均可用作封裝基底50。此外，聚合物層30可以由光敏聚合物材料形成。當(dāng)使用聚合物層30將發(fā)光結(jié)構(gòu)10和封裝基底50結(jié)合時(shí)，聚合物層30可以減輕在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和封裝基底50之間因熱膨脹系數(shù)差異而產(chǎn)生的應(yīng)力。此外，多個(gè)第一通孔40可以形成在聚合物層30中，第一通孔40可以形成在與電
7極焊盤20對應(yīng)的區(qū)域中。即，第一通孔40可以形成在與電極焊盤20對應(yīng)的位置處，并且可以暴露電極焊盤20的部分。例如，如圖I中所示，兩個(gè)第一通孔40可以分別形成在與兩個(gè)電極焊盤20對應(yīng)的位置處，并且可以分別暴露電極焊盤20的部分。封裝基底50可以形成在聚合物層30上，并且可以通過使用聚合物結(jié)合而聚合物結(jié)合到聚合物層30上。聚合物結(jié)合是使用聚合物作為兩個(gè)晶片之間的結(jié)合粘合劑通過施加熱和壓力而將兩個(gè)晶片結(jié)合的方法。當(dāng)聚合物層30由不導(dǎo)電聚合物材料形成時(shí)，封裝基底50可以由各種晶片形成，而不對封裝基底50的導(dǎo)電性或不導(dǎo)電性做出限制。封裝基底 50可以由例如Si、未摻雜Si、SiAl, Al2O3或AlN形成，除了這些，封裝基底50可以由金屬芯印刷電路板(MCPCB)形成。此外，多個(gè)第二通孔60可以形成在封裝基底50中。第二通孔60可以形成在與第一通孔40對應(yīng)的區(qū)域中。即，可以將第二通孔60形成為連接到第一通孔40，這樣，第二通孔60和第一通孔40看起來可以像一個(gè)通孔一樣。此外，第二通孔60可以暴露電極焊盤20 的通過第一通孔40暴露的部分。例如，如圖I中所示，可以將兩個(gè)第二通孔60形成為分別連接到兩個(gè)第一通孔40，其中，兩個(gè)第一通孔40分別形成在與兩個(gè)電極焊盤20對應(yīng)的位置處。此外，兩個(gè)第二通孔60可以分別暴露電極焊盤20。這里，可以通過諸如激光鉆孔、干蝕刻或濕蝕刻的工藝來形成第二通孔60。電極70可以形成在第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)壁上，并可以電連接到電極焊盤20的通過第一通孔40和第二通孔60暴露的部分。S卩，電極70可以通過第一通孔40和第二通孔60電連接到電極焊盤20。此外，如圖I中所示，電極70可以在封裝基底50上的區(qū)域上延伸。電極70可以形成在第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)壁上，并且可以用聚合物材料填充第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)部空間75?？蛇x擇地，可以通過用導(dǎo)電材料填充第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)部空間75來形成電極70。當(dāng)封裝基底50由導(dǎo)電晶片形成時(shí)，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的晶片級發(fā)光裝置封裝件100 還可以包括使封裝基底50與電極電絕緣的絕緣層80。絕緣層80可以形成在第一通孔40 和第二通孔60的內(nèi)壁上以及封裝基底50上。電極70可以形成在絕緣層80上以與封裝基底50絕緣。此外，可以將絕緣層80從電極焊盤20的通過第一通孔40和第二通孔60暴露的表面上除去。即，絕緣層80不形成在電極焊盤20的被暴露的表面上，使得電極70可以連接到電極焊盤20。在這種情況下，電極70可以形成在形成于第一通孔40和第二通孔60 的內(nèi)壁上的絕緣層80上，并且可以在封裝基底50上的區(qū)域上延伸。絕緣層80可以由諸如氧化物材料或氮化物材料的無機(jī)材料形成。此外，絕緣層80可以由例如聚酰亞胺的光敏有機(jī)材料形成。當(dāng)絕緣層80由光敏有機(jī)材料形成時(shí)，可以在第一通孔40和第二通孔60中容易地形成絕緣層80。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件110的示意性剖視圖。這里，將描述與圖I的晶片級發(fā)光裝置封裝件100的差異。參照圖2，在晶片級發(fā)光裝置封裝件110中，發(fā)光結(jié)構(gòu)15還可以包括波紋結(jié)構(gòu)。波紋結(jié)構(gòu)可以是不平坦的圖案。波紋結(jié)構(gòu)可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)15的發(fā)光表面上，并且可以提高光提取效率。在圖2中，波紋結(jié)構(gòu)具有鋸齒形狀，但本發(fā)明不限于此。例如，波紋結(jié)構(gòu)可以具有諸如方波形狀的各種形狀。可以通過蝕刻工藝或光刻工藝(使用Κ0Η)來形成波紋結(jié)構(gòu)。蝕刻工藝可以使用諸如KOH的蝕刻劑。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件120 (的變化形式) 的示意性剖視圖。這里，將描述與圖I的晶片級發(fā)光裝置封裝件100的差異。參照圖3，晶片級發(fā)光裝置封裝件120還可以包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上的磷光體層 90。磷光體層90可以通過吸收紫外線區(qū)域內(nèi)的光來發(fā)射可見光線區(qū)域內(nèi)的光。此外，磷光體層90可以控制由發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射的光的諸如亮度和均勻性的光特性，這樣，磷光體層90 可以確定晶片級發(fā)光裝置封裝件120的效率、壽命、顯色性和顏色再現(xiàn)性。磷光體層90可以包括紅色磷光體、綠色磷光體和藍(lán)色磷光體中的至少一種。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件130(的變化形式) 的示意性剖視圖。這里，將描述與圖I的晶片級發(fā)光裝置封裝件100的差異。參照圖4，晶片級發(fā)光裝置封裝件130還可以包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上的光學(xué)透鏡 95。磷光體層90還可以被包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和光學(xué)透鏡95之間。光學(xué)透鏡95可以會(huì)聚或擴(kuò)散由發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射的光。如圖4中所示，光學(xué)透鏡95可以具有與發(fā)光結(jié)構(gòu)10的尺寸對應(yīng)的尺寸。雖然未示出，但可以將光學(xué)透鏡95形成為具有比發(fā)光結(jié)構(gòu)10的尺寸更大的尺寸，以圍繞晶片級發(fā)光裝置封裝件130?？梢詫⒐鈱W(xué)透鏡95成型在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上。此外，除了如圖4中所示的半圓形透鏡之外，例如通過改變光學(xué)透鏡95的成型框架，光學(xué)透鏡 95可以是各種形狀的透鏡。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件140的變化形式的示意性剖視圖。在圖5中，描繪了圖I至圖4的晶片級發(fā)光裝置封裝件100、110、120和130 中的發(fā)光結(jié)構(gòu)10和15。參照圖5，晶片級發(fā)光裝置封裝件140可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)；n型電極焊盤21和p 型電極焊盤23,形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上；聚合物層30,形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的相對表面上以覆蓋η型電極焊盤21、P型電極焊盤23和發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且包括形成在與η 型電極焊盤21和P型電極焊盤23對應(yīng)的區(qū)域中的第一通孔40 ;封裝基底50，形成在聚合物層30上并包括形成在與第一通孔40對應(yīng)的區(qū)域中的第二通孔60 ;以及η型電極71和 P型電極73，形成在第一通孔40和第二通孔60中并分別電連接到η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23。在圖5中，包括在晶片級發(fā)光裝置封裝件140中的發(fā)光結(jié)構(gòu)是示例性的。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括η型半導(dǎo)體層I、形成在η型半導(dǎo)體層I上的有源層3和形成在有源層3上的ρ 型半導(dǎo)體層5。此外，發(fā)光結(jié)構(gòu)還可以包括η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23。η型電極焊盤21可以在η型半導(dǎo)體層I上與有源層3和ρ型半導(dǎo)體層5分隔開。此外，ρ型電極焊盤23可以形成在ρ型半導(dǎo)體層5上。圖I至圖4的晶片級發(fā)光裝置封裝件100、110、120 和130中的發(fā)光結(jié)構(gòu)10和15可以包括圖5中的發(fā)光結(jié)構(gòu)。η型半導(dǎo)體層I可以由用η型摻雜劑摻雜的氮化物半導(dǎo)體形成。即，可以用η型摻雜劑摻雜組成表示為AlxInyGa(1_x_y)N(其中，O彡x彡1，0彡y彡I且O彡x+y<l)的半導(dǎo)體材料來形成η型半導(dǎo)體層I。用于形成η型半導(dǎo)體層I的氮化物半導(dǎo)體可以是例如GaN、 AlGaN或InGaN，η型摻雜劑可以是例如Si、Ge、Se或Te?？梢允褂媒饘儆袡C(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)方法、氫化物氣相外延(HVPE)方法或分子束外延(MBE)方法來生長η型半導(dǎo)體層 I。有源層3通過復(fù)合電子和空穴發(fā)射具有預(yù)定能量的光。有源層3可以由組成表示為InxGahN(其中，O ^ x ^ I)的半導(dǎo)體材料形成，以根據(jù)In的含量控制帶隙能。此外，有源層3可以是其中量子壘層和量子阱層交替地堆疊的多量子阱(MQW)層。ρ型半導(dǎo)體層5可以是用ρ型摻雜劑摻雜的氮化物半導(dǎo)體。即，可以用P型摻雜劑摻雜組成表示為AlxInyGa(1_x_y)N(其中，O彡x彡1，0彡y彡I且O彡x+y<l)的半導(dǎo)體材料來形成P型半導(dǎo)體層5。用于形成ρ型半導(dǎo)體層5的氮化物半導(dǎo)體可以是例如GaN、AlGaN 或InGaN，ρ型摻雜劑可以是例如Mg、Zn或Be?？梢允褂肕OCVD方法、HVPE方法、MBE方法來生長P型半導(dǎo)體層5。在圖5中，有源層3形成在η型半導(dǎo)體層I上，ρ型半導(dǎo)體層5形成在有源層3上。然而，相反，有源層3可以形成在ρ型半導(dǎo)體層5上，η型半導(dǎo)體層I可以形成在有源層3上。η型電極焊盤21可以與有源層3和ρ型半導(dǎo)體層5分開地形成在η型半導(dǎo)體層I 上。P型電極焊盤23可以形成在P型半導(dǎo)體層5上。聚合物層30形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上。聚合物層30可以覆蓋η 型半導(dǎo)體層I、有源層3和ρ型半導(dǎo)體層5的部分，此外，可以覆蓋η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23的部分。聚合物層30將發(fā)光結(jié)構(gòu)結(jié)合到封裝基底50。此外，多個(gè)第一通孔40可以形成在聚合物層30中。第一通孔40可以分別形成在聚合物層30的與η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23對應(yīng)的區(qū)域中。第一通孔40可以分別形成在η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23上，并且可以暴露η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23的部分。即，形成在與η型電極焊盤21對應(yīng)的位置處的第一通孔40暴露η型電極焊盤21的上表面的部分，形成在與ρ型電極焊盤23對應(yīng)的位置處的第一通孔40可暴露 P型電極焊盤23的上表面的部分。封裝基底50可以形成在聚合物層30上，并且可以通過施加熱和壓力而聚合物結(jié)合到聚合物層30。多個(gè)第二通孔60可以形成在封裝基底50中。第二通孔60可以形成在封裝基底50的與第一通孔40對應(yīng)的區(qū)域中。即，可以將第二通孔60形成為連接到第一通孔40，這樣，第二通孔60和第一通孔40看起來可以像一個(gè)通孔一樣。此外，第二通孔60可以暴露η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23的通過第一通孔40暴露的部分。S卩，可以將兩個(gè)第二通孔60形成為分別電連接到兩個(gè)第一通孔40，其中，兩個(gè)第一通孔40形成在與η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23對應(yīng)的位置處。此外，第二通孔60可以分別暴露η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23的部分。這里，可以通過諸如激光鉆孔、干蝕刻或濕蝕刻的工藝來形成第二通孔60?？梢酝ㄟ^將導(dǎo)電材料分別填充在第一通孔40和第二通孔60中來形成η型電極71 和P型電極73。η型電極71和P型電極73可以電連接到η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23的上表面的通過第一通孔40和第二通孔60暴露的部分。S卩，η型電極71和ρ型電極73可以通過第一通孔40和第二通孔60分別電連接到η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤 23。當(dāng)封裝基底50由導(dǎo)電晶片形成時(shí)，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的晶片級發(fā)光裝置封裝件140 還可以包括使封裝基底50與η型電極71和ρ型電極73電絕緣的絕緣層80。絕緣層80可以形成在第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)壁上以及封裝基底50上。η型電極71和ρ型電極73可以形成在絕緣層80上并與封裝基底50絕緣。此外，可以將絕緣層80的部分從η 型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23的通過第一通孔40和第二通孔60暴露的區(qū)域上除去。即，絕緣層80不形成在η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23的上表面上，使得η型電極71 和P型電極73可以分別電連接到η型電極焊盤21和ρ型電極焊盤23。圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變化形式的晶片級發(fā)光裝置封裝件150的變化形式的示意性剖視圖。在圖6中，示例性地描繪了圖I至圖4的晶片級發(fā)光裝置封裝件100、110、 120和130中的發(fā)光結(jié)構(gòu)10和15。參照圖6，晶片級發(fā)光裝置封裝件150可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)；η型電極焊盤27和ρ 型電極焊盤29,形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上；聚合物層30,形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的相對表面上，以覆蓋η型電極焊盤27、ρ型電極焊盤29和發(fā)光結(jié)構(gòu)；封裝基底50，形成在聚合物層30上；以及η型電極71和ρ型電極73，分別電連接到η型電極焊盤27和ρ型電極焊盤29。在圖6中，示例性地描繪了根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的晶片級發(fā)光裝置封裝件150中的發(fā)光結(jié)構(gòu)。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括η型半導(dǎo)體層I、形成在η型半導(dǎo)體層I上的有源層3和形成在有源層3上的ρ型半導(dǎo)體層5。η型半導(dǎo)體層I可以通過第一導(dǎo)體7電連接到η型電極焊盤27，其中，第一導(dǎo)體7 設(shè)置在形成于η型半導(dǎo)體層I的部分、ρ型半導(dǎo)體層5和有源層3中的至少一個(gè)通孔中?？梢杂脤?dǎo)電材料填充所述通孔來形成第一導(dǎo)體7。此外，ρ型半導(dǎo)體層5可以通過形成在ρ型電極焊盤29的下表面上的第二導(dǎo)體9電連接到ρ型電極焊盤29。這里，可以將第二導(dǎo)體9 形成為與第一導(dǎo)體7分隔開的層，且第二導(dǎo)體9可以反射由有源層3發(fā)射的光。第一絕緣層13可以形成在通孔的內(nèi)壁上以及ρ型半導(dǎo)體層5的上表面的區(qū)域上， 第一絕緣層13使第一導(dǎo)體7與第二導(dǎo)體9絕緣。第二絕緣層17可以形成在第一導(dǎo)體7和第二導(dǎo)體9的區(qū)域以及第一絕緣層13的區(qū)域上。然而，第二絕緣層17可以暴露第一導(dǎo)體 7和第二導(dǎo)體9的上表面的部分。η型電極焊盤27可以在與第一導(dǎo)體7對應(yīng)的區(qū)域上形成在第二絕緣層17上。SP， η型電極焊盤27可以電連接到第一導(dǎo)體7的暴露的上表面。ρ型電極焊盤29可以在與第二導(dǎo)體9對應(yīng)的區(qū)域上形成在第二絕緣層17上。即，ρ型電極焊盤29可以電連接到第二導(dǎo)體9的暴露的上表面。聚合物層30可以形成在第二絕緣層17、η型電極焊盤27和ρ型電極焊盤29的部分上，并可以包括形成在與η型電極焊盤27和ρ型電極焊盤29對應(yīng)的區(qū)域中的多個(gè)第一通孔40。封裝基底50形成在聚合物層30上，并可以包括在與第一通孔40對應(yīng)的區(qū)域中的多個(gè)第二通孔60。η型電極焊盤27和ρ型電極焊盤29可以分別電連接到形成在第一通孔 40和第二通孔60中的η型電極71和ρ型電極73。當(dāng)封裝基底50由導(dǎo)電晶片形成時(shí)，還可以包括絕緣層80以使封裝基底50與η型電極71和ρ型電極73電絕緣。絕緣層80可以形成在第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)壁上以及封裝基底50上。然而，絕緣層80不形成在η型電極焊盤27和ρ型電極焊盤29的上表面的部分上，使得η型電極71和ρ型電極 73可以分別連接到η型電極焊盤27和ρ型電極焊盤29。此外，圖I至圖4的晶片級發(fā)光裝置封裝件100、110、120和130中的發(fā)光結(jié)構(gòu)10和15可以包括圖6中描繪的發(fā)光結(jié)構(gòu)。 晶片級發(fā)光裝置封裝件100、110、120和130還可以包括第一絕緣層13和第二絕緣層17以及第一導(dǎo)體7和第二導(dǎo)體9?，F(xiàn)在，將在下文中描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片級發(fā)光裝置封裝件的制造方法。
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圖7A至圖7K是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片級發(fā)光裝置封裝件的制造方法的示意性剖視圖。參照圖7A，在基底25上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)10。即，可以使用制造LED的傳統(tǒng)方法在基底25上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)10。基底25可以是藍(lán)寶石基底、碳化硅(SiC)基底、硅基底或氮化鎵(GaN)基底。雖然未示出，但發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有其中堆疊有多個(gè)半導(dǎo)體化合物層的結(jié)構(gòu)，這樣，可以通過在基底25上堆疊多個(gè)半導(dǎo)體化合物層來形成發(fā)光結(jié)構(gòu)10。例如，可以通過在藍(lán)寶石基底上堆疊諸如GaN、InN或AlN的III-V族半導(dǎo)體化合物來形成發(fā)光結(jié)構(gòu)10。 這里，基底25可以是晶片型，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)。S卩，如圖7H中所示，在被分開之前，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括形成在晶片型封裝基底51上的多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)11。在基底25上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)10之后，可以執(zhí)行晶片級封裝工藝?？梢栽诎l(fā)光結(jié)構(gòu) 10上形成多個(gè)電極焊盤20。可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的發(fā)光表面的相對表面上形成電極焊盤 20。電極焊盤20可以分別包括例如η型電極焊盤和ρ型電極焊盤。接下來，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上形成聚合物層30。參照圖7Β，可通過在其上形成有電極焊盤20的發(fā)光結(jié)構(gòu)10上形成聚合物層30來覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)10和電極焊盤20。形成聚合物層30，以通過使用聚合物結(jié)合方法將發(fā)光結(jié)構(gòu)10結(jié)合到封裝基底50 (參照圖7D)?？梢杂刹粚?dǎo)電聚合物材料形成聚合物層30，在這種情況下，可以由導(dǎo)電晶片或不導(dǎo)電晶片形成封裝基底50。參照圖7C，在聚合物層30中形成多個(gè)第一通孔40。第一通孔40可以形成在與電極焊盤20對應(yīng)的區(qū)域處，并可以形成為暴露電極焊盤20的部分。當(dāng)聚合物層30由光敏聚合物材料形成時(shí)，可以通過感光工藝容易地形成第一通孔40。此外，當(dāng)聚合物層30由光敏聚合物材料形成時(shí)，在后續(xù)工藝中可以防止諸如底切(undercut)的問題。參照圖7D，將封裝基底50結(jié)合到其中形成有第一通孔40的聚合物層30。這里， 如圖7H所示，封裝基底50可以包括晶片型封裝基底51?？梢酝ㄟ^向發(fā)光結(jié)構(gòu)10和封裝基底50施加熱和壓力而熔化聚合物層30來將發(fā)光結(jié)構(gòu)10和封裝基底50彼此結(jié)合。當(dāng)聚合物層30由不導(dǎo)電聚合物材料形成時(shí)，封裝基底50可以由各種晶片形成，而不對封裝基底 50的導(dǎo)電性或不導(dǎo)電性做出限制。由于發(fā)光結(jié)構(gòu)10和封裝基底50通過聚合物材料結(jié)合， 所以可以減輕因發(fā)光結(jié)構(gòu)10和封裝基底50之間的熱膨脹系數(shù)差異而導(dǎo)致的應(yīng)力。參照圖7E，可以在封裝基底50中形成多個(gè)第二通孔60?？梢栽诜庋b基底50的與第一通孔40對應(yīng)的區(qū)域中形成第二通孔60，S卩，可以將第二通孔60形成為連接到第一通孔 40。當(dāng)?shù)谝煌?0和第二通孔60連接時(shí)，第一通孔40和第二通孔60看起來可以像一個(gè)通孔一樣。此外，可以將第二通孔60形成為暴露電極焊盤20的通過第一通孔40暴露的部分。這里，可以通過諸如激光鉆孔、干蝕刻或濕蝕刻的工藝在封裝基底50中形成第二通孔 60。參照圖7F，可以在第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)壁上形成電極70?？梢詫㈦姌O 70形成為電連接到電極焊盤20的通過第一通孔40和第二通孔60暴露的部分。S卩，電極 70可以通過第一通孔40和第二通孔60電連接到電極焊盤20。此外，如圖7F中所示，電極 70可以在封裝基底50上的區(qū)域上延伸。電極70可以形成在第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)壁上，并且可以用聚合物材料填充第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)部空間75?？蛇x擇地， 可以用導(dǎo)電材料填充內(nèi)部空間75來形成電極70。當(dāng)由導(dǎo)電晶片形成封裝基底50時(shí)，還可以在形成電極70之前形成絕緣層80以使封裝基底50與電極70絕緣?？梢栽诜庋b基底50上以及第一通孔40和第二通孔60的內(nèi)壁上形成絕緣層80。然而，除去形成在電極焊盤20的通過第一通孔40和第二通孔60暴露的部分上的絕緣層80，使得電極70可以電連接到電極焊盤20。在這種情況下，可在形成在第一通孔40和第二通孔60內(nèi)壁上的絕緣層80上形成電極70，且電極70可以在絕緣層 80的位于封裝基底50上的區(qū)域上延伸?？梢杂芍T如氧化物材料或氮化物材料的無機(jī)材料形成絕緣層80?？梢杂衫缇埘啺返墓饷粲袡C(jī)材料形成絕緣層80。如在當(dāng)前實(shí)施例中， 當(dāng)由有機(jī)材料形成絕緣層80時(shí)，可以在聚合物層30中的第一通孔40的內(nèi)壁上容易地形成絕緣層80。參照圖7G，通過使用激光剝離方法、精磨方法、拋光方法、研磨方法或蝕刻方法除去基底25。例如，當(dāng)基底25為藍(lán)寶石基底時(shí)，可以通過使用激光剝離方法將藍(lán)寶石基底從發(fā)光裝置封裝件除去。為了解釋的方便，參照圖7A至圖7G針對單個(gè)的發(fā)光裝置封裝件描述了晶片級發(fā)光裝置封裝件的制造方法。然而，上面的全部工藝可以以晶片級執(zhí)行。即，參照圖7H，可以通過將形成在大面積晶片型封裝基底51上的多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)11分開來形成多個(gè)晶片級發(fā)光裝置封裝件100。因此，可以通過晶片級工藝形成圖I至圖6的晶片級發(fā)光裝置封裝件100、 110、120、130、140和150。即，封裝基底50可以包括晶片型封裝基底51，并且發(fā)光結(jié)構(gòu)10 可以包括多個(gè)還未分開的發(fā)光結(jié)構(gòu)11。在執(zhí)行以上工藝之后，可以將多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)11分成單獨(dú)的發(fā)光裝置封裝件100。 通過上述工藝，可以完成發(fā)光裝置封裝件的制造，這樣，可以省略發(fā)光裝置封裝件的組裝工藝。此外，可以制造尺寸與發(fā)光裝置芯片的尺寸相同的發(fā)光裝置封裝件100。因此，可以使使用發(fā)光裝置封裝件100的電子產(chǎn)品小型化，并且能夠增大產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度。在板上芯片(COB)型發(fā)光裝置封裝件的情況下，在將發(fā)光裝置芯片結(jié)合到板并將它們電連接之后， 涂覆磷光體。因此，在封裝件級別，難以測量由發(fā)光裝置封裝件發(fā)射的光的特性，這樣，需要返工。然而，在晶片級發(fā)光裝置封裝件100的情況下，在評價(jià)每個(gè)發(fā)光裝置封裝件的光特性之后，可以在每個(gè)分選(binning)過程中安裝發(fā)光裝置封裝件。在將多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)11分成單獨(dú)的晶片級發(fā)光裝置封裝件100之前，還可以執(zhí)行另外的工藝來形成圖2至圖4中描繪的組成元件。即，在晶片級，如圖2中所示，還可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)15上形成波紋結(jié)構(gòu)?？梢栽诎l(fā)光結(jié)構(gòu)15的半導(dǎo)體化合物上形成波紋結(jié)構(gòu)，波紋結(jié)構(gòu)可以提高發(fā)光結(jié)構(gòu)15的光提取效率。在圖2中，波紋結(jié)構(gòu)具有鋸齒形狀，但不限于此，即， 波紋結(jié)構(gòu)可以具有諸如方波形狀的各種形狀。可以通過蝕刻工藝或光刻工藝來形成波紋結(jié)構(gòu)。蝕刻工藝可以使用諸如KOH的蝕刻劑。此外，如圖3中所示，還可以在晶片級在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上形成磷光體層90?？梢酝ㄟ^在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的發(fā)光表面上涂覆磷光體來形成磷光體層90。磷光體層90可以通過吸收紫外線區(qū)域內(nèi)的光來發(fā)射可見光線區(qū)域內(nèi)的光。此外，磷光體層90可以控制由發(fā)光結(jié)構(gòu) 10發(fā)射的光的諸如亮度和均勻性的光特性，這樣，磷光體層90可以確定晶片級發(fā)光裝置封裝件120的效率、壽命、顯色性和顏色再現(xiàn)性。磷光體層90可以包括紅色磷光體、綠色磷光體和藍(lán)色磷光體中的至少一種。如圖71和圖7J中所示,可以通過帶膨脹方法(tape expanding method)形成磷光體層91。參照圖71，在將分開之前的圖7H的發(fā)光裝置封裝件100設(shè)置在膨脹帶200上之后，通過對膨脹帶200進(jìn)行切割將發(fā)光裝置封裝件100分成單獨(dú)的發(fā)光裝置封裝件100。 這里，膨脹帶200可以是不耐熱的。當(dāng)膨脹帶200膨脹時(shí)，可以將發(fā)光裝置封裝件100彼此分開預(yù)定距離。接下來，參照圖7J，將被分開預(yù)定距離的發(fā)光裝置封裝件100傳送至耐熱載帶 300。接下來，可以通過在發(fā)光裝置封裝件100上涂覆磷光體并使磷光體硬化來形成磷光體層91。在這種情況下，可以在發(fā)光裝置封裝件100的發(fā)光表面和側(cè)表面上形成磷光體層91。 在形成磷光體層91之后，可以將發(fā)光裝置封裝件100與磷光體層91 一起進(jìn)行切割。如果膨脹帶200具有耐熱性，則可以在單個(gè)工藝中執(zhí)行參照圖71和圖7J描述的工藝。S卩，耐熱膨脹帶200膨脹而將發(fā)光裝置封裝件100彼此分開預(yù)定距離，而無需將發(fā)光裝置封裝件100 傳送至耐熱載帶300。然后，可以通過在發(fā)光裝置封裝件100上涂覆磷光體并使磷光體硬化來形成磷光體層91。參照圖7K，在將發(fā)光裝置封裝件100分成每個(gè)發(fā)光裝置封裝件100之前，還可以在磷光體層91上形成光學(xué)透鏡97。在這種情況下，可以將光學(xué)透鏡97形成為具有比發(fā)光結(jié)構(gòu)10的尺寸大的尺寸，這樣，光學(xué)透鏡97可以控制沿發(fā)光結(jié)構(gòu)10的橫向發(fā)射的光。此外，如圖4中所示，還可以在晶片級在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上形成光學(xué)透鏡95。在形成光學(xué)透鏡95之前，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上形成磷光體層90。光學(xué)透鏡95可以會(huì)聚或擴(kuò)散由發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射的光。如圖4中所不,光學(xué)透鏡95可以具有與發(fā)光結(jié)構(gòu)10的尺寸對應(yīng)的尺寸，或者，雖然未示出，但光學(xué)透鏡95可以具有比發(fā)光結(jié)構(gòu)10的尺寸更大的尺寸以圍繞發(fā)光裝置封裝件。此外，除了圖4中示出的半圓形透鏡之外，例如通過改變光學(xué)透鏡95的成型框架，光學(xué)透鏡95可以是各種形狀的透鏡。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例，由于可以在晶片級執(zhí)行上述的另外的工藝，所以可以省略發(fā)光裝置封裝件的傳統(tǒng)的組裝工藝，并且在評價(jià)每個(gè)發(fā)光裝置封裝件的光學(xué)特性之后，可以在每個(gè)分選(binning)過程中安裝發(fā)光裝置封裝件。雖然已參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地示出和描述了根據(jù)本發(fā)明的晶片級發(fā)光裝置封裝件及其制造方法，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以做形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種晶片級發(fā)光裝置封裝件，所述晶片級發(fā)光裝置封裝件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)；多個(gè)電極焊盤，形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上；聚合物層，形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述相對表面上以覆蓋電極焊盤和發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且包括形成在聚合物層的與電極焊盤對應(yīng)的區(qū)域中的多個(gè)第一通孔；封裝基底，形成在聚合物層上并包括在封裝基底的與第一通孔對應(yīng)的區(qū)域中的多個(gè)第二通孔；以及多個(gè)電極，形成在第一通孔和第二通孔中并電連接到電極焊盤。
2.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，第一通孔形成在與電極焊盤對應(yīng)的位置處并暴露電極焊盤的部分。
3.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，第二通孔連接到第一通孔并暴露電極焊盤的部分。
4.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，所述晶片級發(fā)光裝置封裝件還包括在第一通孔的內(nèi)壁與電極之間以及在第二通孔的內(nèi)壁與電極之間的絕緣層。
5.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，聚合物層由光敏聚合物材料形成。
6.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，電極形成在第一通孔和第二通孔的內(nèi)壁上并電連接到電極焊盤。
7.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，通過用導(dǎo)電材料填充第一通孔和第二通孔而形成電極，并且電極電連接到電極焊盤。
8.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括波紋結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，所述晶片級發(fā)光裝置封裝件還包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)上的磷光體層和光學(xué)透鏡中的至少一個(gè)。
10.如權(quán)利要求4所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，絕緣層由光敏有機(jī)材料形成。
11.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括η型半導(dǎo)體層；有源層，形成在η型半導(dǎo)體層上；以及 P型半導(dǎo)體層，形成在有源層上，其中，電極焊盤包括η型電極焊盤，在η型半導(dǎo)體層上并與有源層和P型半導(dǎo)體層分隔開；以及 P型電極焊盤，在P型半導(dǎo)體層上。
12.如權(quán)利要求I所述的晶片級發(fā)光裝置封裝件，其中，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括η型半導(dǎo)體層；有源層，形成在η型半導(dǎo)體層上；以及 P型半導(dǎo)體層，形成在有源層上，其中，電極焊盤包括η型電極焊盤，在η型半導(dǎo)體層上并與有源層和P型半導(dǎo)體層分隔開；以及P型電極焊盤，在P型半導(dǎo)體層上，并且η型半導(dǎo)體層通過填充在形成于η型半導(dǎo)體層的部分、P型半導(dǎo)體層和有源層中的至少一個(gè)通孔中的第一導(dǎo)體連接到η型電極焊盤，并且P型半導(dǎo)體層通過形成在P型電極焊盤的下表面上的第二導(dǎo)體連接到P型電極焊盤。
13.—種制造晶片級發(fā)光裝置封裝件的方法，所述方法包括下述步驟在基底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上形成多個(gè)電極焊盤；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述相對表面上形成聚合物層以覆蓋電極焊盤和發(fā)光結(jié)構(gòu)；在聚合物層中與電極焊盤對應(yīng)的區(qū)域中形成多個(gè)第一通孔；將封裝基底結(jié)合到聚合物層上；在封裝基底中與第一通孔對應(yīng)的區(qū)域中形成多個(gè)第二通孔；在第一通孔和第二通孔的內(nèi)壁上形成連接到電極焊盤的多個(gè)電極；從發(fā)光結(jié)構(gòu)除去基底；以及將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個(gè)發(fā)光裝置封裝件。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成第一通孔的步驟包括通過第一通孔暴露電極焊盤的部分。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成第二通孔的步驟包括將第二通孔連接到第一通孔并通過第一通孔和第二通孔暴露電極焊盤的部分。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括在第一通孔的內(nèi)壁與電極之間以及第二通孔的內(nèi)壁與電極之間形成絕緣層。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，由光敏聚合物材料形成聚合物層。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，通過使用從由激光鉆孔、干蝕刻和濕蝕刻組成的組中選擇的工藝來形成第二通孔。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，通過使用激光剝離方法和拋光方法中的一種方法來執(zhí)行除去基底的步驟。
20.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括通過使用蝕刻方法和光刻方法中的一種方法在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成波紋結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括在將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個(gè)發(fā)光裝置封裝件之前在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成磷光體層的步驟。
22.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括在將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個(gè)發(fā)光裝置封裝件之前在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成光學(xué)透鏡的步驟。
23.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，由光敏有機(jī)材料形成絕緣層。
24.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成絕緣層的步驟包括用絕緣材料覆蓋第一通孔、第二通孔和電極焊盤；以及通過將形成在電極焊盤上的絕緣材料除去來暴露電極焊盤的部分。
25.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在晶片級執(zhí)行形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的步驟、形成多個(gè)電極焊盤的步驟、形成多個(gè)第一通孔的步驟、結(jié)合封裝基底的步驟、形成多個(gè)第二通孔的步驟、形成多個(gè)電極的步驟、除去基底的步驟以及將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個(gè)發(fā)光裝置封裝件的步驟中的至少一個(gè)步驟。
26.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，在晶片級執(zhí)行形成磷光體層的步驟。
27.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，在晶片級執(zhí)行形成光學(xué)透鏡的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片級發(fā)光裝置封裝件及其制造方法，該晶片級發(fā)光裝置封裝件可以包括將發(fā)光結(jié)構(gòu)結(jié)合到封裝基底的聚合物層，聚合物層和封裝基底可以包括多個(gè)通孔。此外，制造該晶片級發(fā)光裝置封裝件的方法可以包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成聚合物層、通過施加熱和壓力將封裝基底結(jié)合在聚合物層上以及在聚合物層和封裝基底中形成多個(gè)通孔。
文檔編號H01L33/48GK102593316SQ201110396498
公開日2012年7月18日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月13日
發(fā)明者黃圣德 申請人:三星Led株式會(huì)社