專利名稱：一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的液晶顯示裝置一般包括:TFT(薄膜晶體管)陣列基板、液晶層和CF(彩色濾光膜)陣列基板。其中，在TFT陣列基板結(jié)構(gòu)中，為了實現(xiàn)基板的平坦化及提高基板的透過率，一般采用有機(jī)絕緣膜作為鈍化層，之后在所述鈍化層上形成像素電極。常見的像素電極有ρ-ΙΤ0(多晶氧化銦錫)和a-1T0(非晶氧化銦錫)，其中，前者是在高溫條件下形成，后者通常在常溫條件下形成。當(dāng)所述像素電極為P-1TO時，所述P-1TO與有機(jī)絕緣膜之間的表面接觸特性較差，從而使得后續(xù)刻蝕工藝(通過刻蝕工藝后方形成像素電極)較難控制，刻蝕條件以及藥液的選擇均較難，最終容易出現(xiàn)過刻現(xiàn)象或刻蝕不足而殘留多晶氧化銦錫的現(xiàn)象。當(dāng)所述像素電極為a-1TO時，一般采用草酸做為刻蝕藥液，刻蝕工藝容易控制，但是，由于a-1TO在常溫條件下形成，因此所形成的a-1TO相對較疏松，成膜缺陷較多，其內(nèi)較容易侵入水分和空氣，從而使得a-1TO所覆蓋的端子易被腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，以解決多晶氧化銦錫與有機(jī)絕緣膜之間表面接觸特性差，進(jìn)而導(dǎo)致刻蝕工藝難以控制的問題。為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案:一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括:玻璃基板；依次位于所述玻璃基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層；位于所述歐姆接觸層上的源極和漏極；位于所述源極和漏極上的有機(jī)絕緣膜；位于所述有機(jī)絕緣層上的上無機(jī)絕緣膜；位于所述上無機(jī)絕緣膜上的P-1TO像素電極，所述P-1TO像素電極通過所述上無機(jī)絕緣膜及有機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔與所述漏極相連。優(yōu)選的，上述薄膜晶體管陣列基板還包括:位于所述源極和漏極上的下無機(jī)絕緣膜；且所述有機(jī)絕緣膜位于所述下無機(jī)絕緣膜之上，所述P-1TO像素電極通過所述上無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜及下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔與所述漏極相連。優(yōu)選的,上述薄膜晶體管陣列基板中，所述有機(jī)絕緣膜包括光敏有機(jī)絕緣膜或非光敏有機(jī)絕緣膜。
優(yōu)選的，上述薄膜晶體管陣列基板中，所述上無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述下無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。優(yōu)選的，上述薄膜晶體管陣列基板中，所述上無機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜的厚度均為300A 800A。本發(fā)明還提供了一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，該方法包括:提供玻璃基板；在所述玻璃基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層；在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極；在所述源極和漏極上形成有機(jī)絕緣膜；在所述有機(jī)絕緣膜上形成上無機(jī)絕緣膜；在所述上無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜內(nèi)形成與漏極相連的通孔；在所述上無機(jī)絕緣膜上形成P-1TO像素電極，所述P-1TO像素電極覆蓋所述通孔的底部及側(cè)壁。優(yōu)選的，上述方法中，在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極之后，在所述源極和漏極上形成有機(jī)絕緣膜之前,還包括:在所述源極和漏極上形成下無機(jī)絕緣膜；且所述通孔貫穿所述下無機(jī)絕緣膜。優(yōu)選的，上述方法中，所述上無機(jī)絕緣膜采用化學(xué)氣相沉積工藝制成，且工藝溫度為 220°C 250°C。優(yōu)選的，上述方法中，所述上無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑均相等；或者，所述有機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑相等，所述上無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑小于所述有機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑。優(yōu)選的，上述方法中，所述上無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述下無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例所提供的用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板，在有機(jī)絕緣膜上沒有直接搭接P-1TO像素電極，而是在所述有機(jī)絕緣膜上形成了無機(jī)絕緣膜，之后在所述無機(jī)絕緣膜上形成P-1TO像素電極，即:使所述P-1TO像素電極與所述無機(jī)絕緣膜搭接，由于所述P-1TO像素電極是通過刻蝕多晶氧化銦錫而形成的，而所述多晶氧化銦錫與無機(jī)絕緣膜之間具有良好的接觸特性，因此，解決了現(xiàn)有工藝中多晶氧化銦錫與有機(jī)絕緣膜之間表面接觸特性差而導(dǎo)致刻蝕工藝難以控制的問題。而且，采用P-1TO作為像素電極，可避免采用a-1TO作為像素電極而使端子易被腐蝕的問題。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例所提供的一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例所提供的另一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例所提供的一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的制造方法流程示意圖；圖4 圖9為本發(fā)明實施例所提供的用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板制造過程中器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。實施例一參考圖1，圖1為本發(fā)明實施例所提供的一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板，該TFT陣列基板包括:玻璃基板I ;依次位于所述玻璃基板I上的柵極2、柵極絕緣層3、有源層4和歐姆接觸層5 ;所述歐姆接觸層5上左、右兩側(cè)分別設(shè)置有源極6和漏極7 ;所述源極6和漏極7上覆蓋有有機(jī)絕緣膜9 ;所述有機(jī)絕緣膜9上形成有無機(jī)絕緣膜11 ;所述有機(jī)絕緣膜9和無機(jī)絕緣膜11內(nèi)設(shè)置有相連通的通孔10，所述通孔10底部與漏極7相連；所述無機(jī)絕緣膜11上設(shè)置有P-1TO像素電極12，所述P-1TO像素電極12覆蓋所述通孔10的底部及側(cè)壁，從而使得所述P-1TO像素電極12與漏極7相連。圖1所示結(jié)構(gòu)中，所述柵極2可以為含Al的金屬與含Mo的金屬的疊層結(jié)構(gòu)或純Mo等金屬，例如，Al/Mo，AlNd/Mo, AlNi/Mo等，所述源極6和漏極7均可以為含Al的金屬與含Mo的金屬的3層疊層結(jié)構(gòu)，例如:Mo/Al/Mo，Mo/AlNd/Mo, Mo/AlNi/Mo等，或者為Cr，Cu,Mo等其它金屬，所述柵極絕緣層3可以為氮化硅，有源層4可以為a-Si (非晶硅)，歐姆接觸層5可以為摻雜磷的a-Si (N+)，所述無機(jī)絕緣膜11可以為含Si的非金屬絕緣膜，例如為SiNx (氮化硅)，SiOx (氧化硅)或SiNxOx (氮氧化硅)等，無機(jī)絕緣膜11的厚度可以在300人 800A之間。在有機(jī)絕緣膜9上形成無機(jī)絕緣膜11時可以采用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝鍍膜，但CVD工藝鍍膜中所采用的溫度應(yīng)該在有機(jī)絕緣膜9能夠耐受的溫度范圍內(nèi)，一般選擇在220°C 250°C之間。所述通孔10的形成可以在有機(jī)絕緣膜9和無機(jī)絕緣膜11均形成后，通過在所述無機(jī)絕緣膜11上旋涂光刻膠，然后通過曝光、顯影、刻蝕等工藝來實現(xiàn)，即:使對無機(jī)絕緣膜11的刻蝕和對有機(jī)絕緣膜9的刻蝕在同一工藝步驟中實現(xiàn)，這時，所述有機(jī)絕緣膜9應(yīng)選擇為非光敏的有機(jī)絕緣膜，以防止曝光時影響有機(jī)絕緣膜9的特性，且無機(jī)絕緣膜11上的光刻膠應(yīng)選擇為含硅光刻膠或在光刻膠上使用硅烷結(jié)合劑并用氧離子進(jìn)行處理，以形成保護(hù)光刻膠的氧化硅，提高光刻膠與有機(jī)絕緣膜9刻蝕的選擇比，刻蝕過程中依次刻蝕所述無機(jī)絕緣膜11和有機(jī)絕緣膜9，刻蝕后無機(jī)絕緣膜11內(nèi)的通孔和有機(jī)絕緣膜9內(nèi)的通孔相連通，且孔徑相等。所述通孔10也可以按照以下的工藝步驟來形成:選擇有機(jī)絕緣膜9為光敏的有機(jī)絕緣膜，在有機(jī)絕緣膜9形成后，通過曝光、顯影在所述有機(jī)絕緣膜9內(nèi)形成第一通孔，之后在所述有機(jī)絕緣膜9上形成無機(jī)絕緣膜11，接著在所述無機(jī)絕緣膜11上旋涂光刻膠，然后曝光、顯影、刻蝕，在所述無機(jī)絕緣膜11內(nèi)形成第二通孔，所述第一通孔和第二通孔相連通形成通孔10，且所述第一通孔和第二通孔的孔徑可以相等，也可以使所述第一通孔的孔徑大于所述第二通孔的孔徑。由上可知，本發(fā)明實施例通過在有機(jī)絕緣膜9上形成無機(jī)絕緣膜11，并在有機(jī)絕緣膜9和無機(jī)絕緣膜11內(nèi)形成與漏極7相連的通孔10，之后在所述無機(jī)絕緣膜11上形成P-1TO像素電極12，所述P-1TO像素電極12覆蓋所述通孔10的底部和側(cè)壁，從而使得ρ_ΙΤ0像素電極12與漏極7相連。由于P-1TO像素電極12是通過刻蝕多晶氧化銦錫而形成的，所述多晶氧化銦錫與無機(jī)絕緣膜11之間具有良好的表面接觸特性，因此，刻蝕所述多晶氧化銦錫而形成P-1TO像素電極12的過程容易控制。再有，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，采用P-1TO作為像素電極，可避免采用a-1TO作為像素電極而使端子易被腐蝕的問題。實施例二在實施例一的基礎(chǔ)上，本實施例所提供的技術(shù)方案，在源極、漏極與有機(jī)絕緣膜之間增加了一層無機(jī)絕緣膜，具體如下:參考圖2，圖2中示出了位于源極6和漏極7上的下無機(jī)絕緣膜8，所述下無機(jī)絕緣膜8上設(shè)置有有機(jī)絕緣膜9，所述有機(jī)絕緣膜9上設(shè)置有上無機(jī)絕緣膜11，所述下無機(jī)絕緣膜8、有機(jī)絕緣膜9和上無機(jī)絕緣膜11內(nèi)設(shè)置有相連通的通孔10，所述通孔10與漏極7相連，所述上無機(jī)絕緣膜11上具有P-1TO像素電極12，所述P-1TO像素電極12覆蓋所述通孔10的底部及側(cè)壁，從而使得P-1TO像素電極12與漏極7相連。圖2中其他結(jié)構(gòu)均與圖1中相同，不再贅述。本實施例中采用“下無機(jī)絕緣膜8+有機(jī)絕緣膜9+上無機(jī)絕緣膜11”的結(jié)構(gòu)搭接P-1TO像素電極12，這不僅可解決P-1TO與有機(jī)絕緣膜9之間表面接觸特性差的問題，而且還能改善有機(jī)絕緣膜9與源極6、漏極7、歐姆接觸層5、有源層4之間的表面接觸特性。上面詳細(xì)描述了本發(fā)明所提供的用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)，下面介紹其制造方法。實施例三參考圖3，圖3為本發(fā)明所提供的一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的制造方法流程示意圖，該方法具體包括如下步驟:步驟S1:提供玻璃基板。步驟S2:在所述玻璃基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層。參考圖4，首先通過濺射工藝在玻璃基板I上形成柵金屬層，所述柵金屬層的材料可以為Al/Mo，AlNi/Mo, AlNd/Mo或純Mo等，之后通過刻蝕工藝形成柵極2。參考圖5，柵極2形成后，通過CVD工藝在基板I上形成覆蓋柵極2的柵極絕緣層3，之后仍然采用CVD工藝在所述柵極絕緣層3上依次形成有源層4和歐姆接觸層5。所述柵極絕緣層3可以為氮化硅、氧化硅或其它含硅的非金屬膜，所述有源層4可以為非晶硅，所述歐姆接觸層5可以為摻雜磷(或其它雜質(zhì))的非晶硅(N+)。對所述有源層4及歐姆接觸層5進(jìn)行干法刻蝕從而形成硅島(圖中未示出)。步驟S3:在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極。參考圖6，采用濺射工藝在歐姆接觸層5上形成源、漏金屬層，所述源、漏金屬層可以為Mo/Al/Mo結(jié)構(gòu)，也可以為純Mo或純Cr等金屬材料。之后對所述源、漏金屬層進(jìn)行刻蝕以形成源極6和漏極7。步驟S4:在所述源極和漏極上依次形成下無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜和上無機(jī)絕緣膜。參考圖7，在所述源極6和漏極7上依次形成下無機(jī)絕緣膜8、有機(jī)絕緣膜9和上無機(jī)絕緣膜11。所述下無機(jī)絕緣膜8和上無機(jī)絕緣膜11均采用CVD工藝，兩者均為含硅的非金屬絕緣膜，例如為:氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等，且這兩層絕緣膜的厚度均應(yīng)控制在300A 800A之間。所述有機(jī)絕緣膜9可采用旋涂的工藝完成，本實施例中所述有機(jī)絕緣膜9為非光敏的有機(jī)絕緣膜。在所述有機(jī)絕緣膜9上形成上無機(jī)絕緣膜11時，應(yīng)考慮所述有機(jī)絕緣膜9能夠耐受的溫度，一般選擇溫度范圍在220°C 250°C之間進(jìn)行CVD工藝以沉積上無機(jī)絕緣膜11。需要說明的是，本實施例中以在源極和漏極上形成“下無機(jī)絕緣膜+有機(jī)絕緣膜+上無機(jī)絕緣膜”的三層結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，當(dāng)然，如果在所述源極和漏極上形成“有機(jī)絕緣膜+上無機(jī)絕緣膜”的兩層結(jié)構(gòu)也是可以的，在方法實施例中不再對后者進(jìn)行描述。步驟S5:在所述下無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜和上無機(jī)絕緣膜內(nèi)形成與漏極相連的通孔。參考圖8，本步驟中首先在上無機(jī)絕緣膜11上旋涂光刻膠(圖中未示出)，然后采用具有通孔圖形的掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行曝光，之后顯影，接著以具有通孔圖形的光刻膠為掩膜在干法刻蝕機(jī)臺上對所述上無機(jī)絕緣膜11、有機(jī)絕緣膜9和下無機(jī)絕緣膜8依次進(jìn)行刻蝕，從而在所述上無機(jī)絕緣膜11、有機(jī)絕緣膜9和下無機(jī)絕緣膜8內(nèi)形成通孔10 (或稱接觸孔)，所述通孔10底部與漏極7相連。本實施例中設(shè)置有機(jī)絕緣膜9為非光敏的有機(jī)絕緣膜，就是為了防止在光刻膠的曝光過程中對所述有機(jī)絕緣膜9造成影響?？紤]到有機(jī)絕緣膜9與光刻膠的特性相近，因此，旋涂在上無機(jī)絕緣膜11上的光刻膠應(yīng)為含硅的光刻膠或在光刻膠上使用硅烷結(jié)合劑并用氧離子進(jìn)行處理，以形成保護(hù)光刻膠的氧化硅，從而在對有機(jī)絕緣膜9進(jìn)行刻蝕過程中提高光刻膠與所述有機(jī)絕緣膜9的刻蝕選擇比。本步驟中由于對上無機(jī)絕緣膜11、有機(jī)絕緣膜9和下無機(jī)絕緣膜8的刻蝕在同一工藝步驟中形成，因此，刻蝕三者后在各層中所形成的通孔的孔徑均相等?？涛g完成后去除上無機(jī)絕緣膜11上的光刻膠。步驟S6:在所述上無機(jī)絕緣膜上形成P-1TO像素電極，所述P-1TO像素電極覆蓋所述通孔的底部及側(cè)壁。
參考圖2，本步驟中首先在上無機(jī)絕緣膜11上形成P-1TO(多晶的氧化銦錫)，然后采用HC1+CH3C00H系藥水對所述ρ_ΙΤ0進(jìn)行刻蝕，從而形成ρ_ΙΤ0像素電極12，所述ρ-ΙΤΟ像素電極12覆蓋所述通孔10的底部和側(cè)壁,從而使得所述ρ-ΙΤΟ像素電極12與漏極7相連。由于ρ-ΙΤΟ與無機(jī)絕緣膜11之間具有良好的接觸特性，因此，在對ρ-ΙΤΟ進(jìn)行刻蝕以形成像素電極的時候，刻蝕工藝容易控制。由以上描述可知，本發(fā)明實施例中通過在源極6和漏極7上形成“下無機(jī)絕緣膜+有機(jī)絕緣膜+上無機(jī)絕緣膜”的三層結(jié)構(gòu)，然后在該三層結(jié)構(gòu)上搭接P-1TO像素電極12，所述P-1TO像素電極12是通過刻蝕P-1TO而形成的，由于P-1TO直接接觸的是上無機(jī)絕緣膜，而P-1TO與上無機(jī)絕緣膜之間具有良好的接觸特性，因此，可解決ρ-ΙΤΟ與有機(jī)絕緣膜9之間接觸特性差而導(dǎo)致刻蝕工藝難以控制的問題，而且還能改善有機(jī)絕緣膜9與源極6、漏極7、歐姆接觸層5、有源層4之間的表面接觸特性。再有，采用ρ-ΙΤΟ作為像素電極，可避免采用a-1TO作為像素電極而使端子易被腐蝕的問題。實施例四在實施例三的基礎(chǔ)上，本實施例重點(diǎn)描述通孔的形成過程，其他步驟可參見實施例三中的描述。本實施例包括如下步驟:步驟Sll:提供玻璃基板。步驟S12:在所述玻璃基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層。步驟S13:在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極。步驟S14:在所述源極和漏極上依次形成下無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜。本實施例中所述有機(jī)絕緣膜為光敏的有機(jī)絕緣膜。步驟S15:在所述下無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜內(nèi)形成與漏極相連的第一通孔。參考圖9,由于所述有機(jī)絕緣膜9為光敏的有機(jī)絕緣膜，因此,在旋涂有機(jī)絕緣膜9后，即可采用相應(yīng)的掩膜版對所述有機(jī)絕緣膜9進(jìn)行曝光，之后顯影，在所述有機(jī)絕緣膜9內(nèi)形成通孔，接著以所述具有通孔的有機(jī)絕緣膜9為掩膜對所述下無機(jī)絕緣膜8進(jìn)行刻蝕，在所述下無機(jī)絕緣膜8內(nèi)形成通孔。有機(jī)絕緣膜9內(nèi)的通孔與下無機(jī)絕緣膜8內(nèi)的通孔的孔徑相等，且兩者連通形成第一通孔13 (或稱接觸孔)，所述第一通孔13底部與漏極7相連。步驟S16:在所述有機(jī)絕緣膜上形成上無機(jī)絕緣膜。在對所述有機(jī)絕緣膜進(jìn)行退火后，通過CVD工藝在有機(jī)絕緣膜上形成上無機(jī)絕緣膜，形成過程中應(yīng)保證工藝溫度在所述有機(jī)絕緣膜能夠耐受的溫度范圍內(nèi)。步驟S17:在所述上無機(jī)絕緣膜內(nèi)形成與所述第一通孔對應(yīng)、且連通的第二通孔。在所述上無機(jī)絕緣膜上旋涂光刻膠，然后采用相應(yīng)的掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行曝光，之后顯影，接著在干法刻蝕機(jī)臺上對所述上無機(jī)絕緣膜進(jìn)行刻蝕，從而在其內(nèi)形成第二通孔，所述第二通孔與所述第一通孔相對應(yīng)、且連通。本步驟中所采用的掩膜版可以與步驟S15中所用的掩膜版相同，也可以不同。當(dāng)相同時，所述第一通孔與第二通孔的孔徑相等；當(dāng)不相同時，應(yīng)保證所述第二通孔的孔徑小于所述第一通孔的孔徑，即:應(yīng)使得本步驟中所采用的掩膜版上的孔徑小于步驟S15中所采用的掩膜版上的孔徑，這樣也可減少曝光時孔對位精度的影響。步驟S18:在所述上無機(jī)絕緣膜上形成ρ-ΙΤΟ像素電極，所述ρ-ΙΤΟ像素電極覆蓋所述第一通孔的底部及第一通孔和第二通孔的側(cè)壁。本說明書中各個部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個部分之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括: 玻璃基板； 依次位于所述玻璃基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層； 位于所述歐姆接觸層上的源極和漏極； 位于所述源極和漏極上的有機(jī)絕緣膜； 位于所述有機(jī)絕緣層上的上無機(jī)絕緣膜； 位于所述上無機(jī)絕緣膜上的P-1TO像素電極，所述P-1TO像素電極通過所述上無機(jī)絕緣膜及有機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔與所述漏極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括: 位于所述源極和漏極上的下無機(jī)絕緣膜； 且所述有機(jī)絕緣膜位于所述下無機(jī)絕緣膜之上，所述P-1TO像素電極通過所述上無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜及下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔與所述漏極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)絕緣膜包括光敏有機(jī)絕緣膜或非光敏有機(jī)絕緣膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于， 所述上無機(jī)絕緣膜包括 氮化硅、氧化硅或氮氧化硅； 所述下無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述上無機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜的厚度均為300A 800A。
6.一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 提供玻璃基板； 在所述玻璃基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層； 在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極； 在所述源極和漏極上形成有機(jī)絕緣膜； 在所述有機(jī)絕緣膜上形成上無機(jī)絕緣膜； 在所述上無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜內(nèi)形成與漏極相連的通孔； 在所述上無機(jī)絕緣膜上形成P-1TO像素電極，所述P-1TO像素電極覆蓋所述通孔的底部及側(cè)壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極之后，在所述源極和漏極上形成有機(jī)絕緣膜之前，還包括: 在所述源極和漏極上形成下無機(jī)絕緣膜； 且所述通孔貫穿所述下無機(jī)絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述上無機(jī)絕緣膜采用化學(xué)氣相沉積工藝制成，且工藝溫度為220°C 250°C。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述上無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑均相等； 或者，所述有機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑相等，所述上無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑小于所述有機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述上無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述下無機(jī)絕緣膜 包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。所述用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板包括玻璃基板；依次位于所述玻璃基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層；位于所述歐姆接觸層上的源極和漏極；位于所述源極和漏極上的有機(jī)絕緣膜；位于所述有機(jī)絕緣層上的上無機(jī)絕緣膜；位于所述上無機(jī)絕緣膜上的p-ITO像素電極，所述p-ITO像素電極通過所述上無機(jī)絕緣膜及有機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔與所述漏極相連。本發(fā)明所提供的用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板，可以解決p-ITO與有機(jī)絕緣膜之間表面接觸特性差而導(dǎo)致刻蝕工藝難以控制的問題。
文檔編號H01L21/77GK103137628SQ201110392729
公開日2013年6月5日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者孔祥永 申請人:上海中航光電子有限公司