專利名稱：集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路的封裝防護(hù)結(jié)構(gòu)，具體涉及一種集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前常用的集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)如圖1所示，其由多層金屬重疊形成。這種焊墊結(jié)構(gòu)由于所使用的金屬層數(shù)多，連接方便而被廣泛使用。但是，由于受到封裝應(yīng)力的制約和可能的破壞力，這種焊墊結(jié)構(gòu)的下方不能放置器件，這樣在芯片設(shè)計(jì)中不得不留出面積專門用于焊墊連接。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，它可以將有源或無源器件放置于焊墊結(jié)構(gòu)的下方，而在封裝過程中其不受損傷。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)的技術(shù)解決方案為
包括至少三層相互平行的金屬層，倒數(shù)第二層金屬設(shè)置于頂層金屬的下方，倒數(shù)第二層金屬的下方設(shè)置有倒數(shù)第三層金屬或者更多與倒數(shù)第三層金屬平行的金屬層；所述頂層金屬為八邊形；所述倒 數(shù)第二層金屬包括八邊形的環(huán)形金屬層，環(huán)形金屬層的中央設(shè)置有多個(gè)規(guī)則排列的方形金屬層，環(huán)形金屬層和方形金屬層分別通過多個(gè)頂層通孔連接頂層金屬；所述倒數(shù)第三層金屬通過多個(gè)倒數(shù)第二層通孔連接倒數(shù)第二層金屬的環(huán)形金屬層。
所述多個(gè)方形金屬層成矩形方陣排列。
所述環(huán)形金屬層的寬度為10 20um。
所述方形金屬層的邊長為2 5um。
所述每個(gè)方形金屬層通過4 8個(gè)頂層通孔連接頂層金屬。
所述頂層金屬中央的焊墊窗口區(qū)域?yàn)榘诉呅巍?br> 本發(fā)明可以達(dá)到的技術(shù)效果是
本發(fā)明的倒數(shù)第二層金屬包括方形金屬層和設(shè)置于方形金屬層四周的環(huán)形金屬層，其環(huán)形金屬層能夠使焊墊的四周直接通過上下通孔實(shí)現(xiàn)連通，而其方形金屬層到頂層金屬有通孔連接，但到其下層金屬則不能通過通孔連接，因此方形金屬層能夠減緩封裝的應(yīng)力。即使方形金屬層受損傷，也不會通過通孔將應(yīng)力傳遞到下層金屬以及器件本身，從而能夠避免封裝時(shí)的應(yīng)力直接傳遞到焊墊下方的器件上而導(dǎo)致其損傷，起到保護(hù)焊墊下方器件的作用。
本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有的焊墊結(jié)構(gòu)無法將有源或無源器件放置于焊墊下方的問題， 能夠節(jié)省芯片所占用的面積，降低設(shè)計(jì)成本。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明
圖1是現(xiàn)有技術(shù)集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)的剖面示意圖2是本發(fā)明集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)的剖面示意圖3是本發(fā)明的頂層金屬的俯視圖4是本發(fā)明的倒數(shù)第二層金屬及其連接通孔的俯視圖。
具體實(shí)施方式
如圖2至圖4所示，本發(fā)明集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，包括至少三層相互平行的金屬層，倒數(shù)第二層金屬設(shè)置于頂層金屬的下方，倒數(shù)第三層金屬設(shè)置于倒數(shù)第二層金屬的下方；
頂層金屬為八邊形，頂層金屬中央的焊墊窗口區(qū)域也為八邊形；焊墊窗口區(qū)域被由氧化硅形成的鈍化層所覆蓋；
倒數(shù)第二層金屬包括八邊形的環(huán)形金屬層，環(huán)形金屬層的中央設(shè)置有多個(gè)規(guī)則排列的方形金屬層，環(huán)形金屬層和方形金屬層分別通過多個(gè)頂層通孔連接頂層金屬；多個(gè)方形金屬層成矩形方陣，均勻排列在環(huán)形金屬層的中間；
環(huán)形金屬層的寬度為10 20um,方形金屬層的邊長為2 5um ；
每個(gè)方形金屬層通過4 8個(gè)頂層通孔連接頂層金屬(圖4中為4個(gè)頂層通孔)；
倒數(shù)第三層金屬通過多個(gè)倒數(shù)第二層通孔連接倒數(shù)第二層金屬的環(huán)形金屬層，SP 倒數(shù)第二層金屬的下一級通孔(即倒數(shù)第二層通孔)只通過環(huán)形金屬層部分連接到下一層金屬上，而不通過方形金屬層連接。
本發(fā)明的倒數(shù)第二層以下的金屬(即倒數(shù)第三層金屬及倒數(shù)第三層以下的金屬層，不包括倒數(shù)第二層金屬)可用于正常電路的連線，這樣將就把焊墊下方的器件電性能連接出來。
權(quán)利要求
1.一種集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，其特征在于包括至少三層相互平行的金屬層，倒數(shù)第二層金屬設(shè)置于頂層金屬的下方，倒數(shù)第二層金屬的下方設(shè)置有倒數(shù)第三層金屬或者更多與倒數(shù)第三層金屬平行的金屬層； 所述頂層金屬為八邊形； 所述倒數(shù)第二層金屬包括八邊形的環(huán)形金屬層，環(huán)形金屬層的中央設(shè)置有多個(gè)規(guī)則排列的方形金屬層，環(huán)形金屬層和方形金屬層分別通過多個(gè)頂層通孔連接頂層金屬； 所述倒數(shù)第三層金屬通過多個(gè)倒數(shù)第二層通孔連接倒數(shù)第二層金屬的環(huán)形金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多個(gè)方形金屬層成矩形方陣排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述環(huán)形金屬層的寬度為10 20um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述方形金屬層的邊長為2 5um。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述每個(gè)方形金屬層通過4 8個(gè)頂層通孔連接頂層金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述頂層金屬中央的焊墊窗口區(qū)域?yàn)榘诉呅巍?br> 全文摘要
本發(fā)明公開了一種集成電路芯片上供封裝的焊墊結(jié)構(gòu)，包括至少三層相互平行的金屬層，倒數(shù)第二層金屬設(shè)置于頂層金屬的下方，倒數(shù)第二層金屬的下方設(shè)置有倒數(shù)第三層金屬或者更多與倒數(shù)第三層金屬平行的金屬層；所述頂層金屬為八邊形；所述倒數(shù)第二層金屬包括八邊形的環(huán)形金屬層，環(huán)形金屬層的中央設(shè)置有多個(gè)規(guī)則排列的方形金屬層，環(huán)形金屬層和方形金屬層分別通過多個(gè)頂層通孔連接頂層金屬；所述倒數(shù)第三層金屬通過多個(gè)倒數(shù)第二層通孔連接倒數(shù)第二層金屬的環(huán)形金屬層。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有的焊墊結(jié)構(gòu)無法將有源或無源器件放置于焊墊下方的問題，能夠節(jié)省芯片所占用的面積，降低設(shè)計(jì)成本。
文檔編號H01L23/485GK103021978SQ201110283538
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者蘇慶 申請人:上海華虹Nec電子有限公司