專利名稱：包含光電元件的封裝的裝置及封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝，尤其涉及發(fā)光二極管的封裝。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)歷經(jīng)了快速的成長。隨著IC材料和設(shè)計上的進步已發(fā)展出各種形式的IC以提供不同的目的，其中一種IC為光電元件，例如發(fā)光二極管(LED)元件。傳統(tǒng)封裝這些LED元件的方法可能具有低散熱效率、低可靠度、以及造價昂貴等問題。因此，雖然目前存在的LED元件的封裝方法一般已足夠達到其目的需求，但是并非在各方面皆令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供一種裝置，包含一發(fā)光二極管元件的封裝， 該封裝包含一絕緣結(jié)構(gòu)；以及第一和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，各延伸穿過該絕緣結(jié)構(gòu)；其中該發(fā)光二極管元件的底面的一大部分區(qū)域與該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂面產(chǎn)生接觸；且該發(fā)光二極管元件的頂面通過一連接線與該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接合。本發(fā)明另提供一種裝置，包含一光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)包含一絕緣結(jié)構(gòu)；以及一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，部分置于該絕緣結(jié)構(gòu)中的；其中該光電元件的一大部分的表面與此導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)直接接觸。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管元件的封裝方法，包含形成一絕緣結(jié)構(gòu)；形成一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)部分位于該絕緣結(jié)構(gòu)中；提供該發(fā)光二極管元件，其具有一頂面及一底面；將該發(fā)光二極管元件接合至該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，該接合使該發(fā)光二極管元件的頂面及底面的其中之一的大部分與該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)直接接觸。本發(fā)明的實施例提供的光電元件具有較好的散熱能力；本發(fā)明的實施例的“堆積” 方法有助于簡化了制造程序并減少制造成本；此外，本發(fā)明的實施例不需形成高深寬比的孑L道。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1為本發(fā)明一種光電元件的封裝方法的流程圖。圖2至圖9為本發(fā)明圖1的方法的一實施例中，一光電元件在各種階段的封裝的剖面示意圖。其中，附圖標記說明如下11 方法13 步驟15 步驟16 步驟17 步驟19 步驟
；35 載板50 導(dǎo)電籽晶層65 開口70 導(dǎo)電接觸墊80 圖案化絕緣層86 開口88 開口95 導(dǎo)電特征97 導(dǎo)電特征100 橫向尺寸110 導(dǎo)電籽晶層125 開口130 導(dǎo)電接觸墊140 阻擋層150 接合接點161 導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)180 基板191 摻雜層220 導(dǎo)電接觸墊270 密封結(jié)構(gòu)300 印刷電路板ι
40 犧牲層 60 圖案化絕緣層 66 開口 71 導(dǎo)電接觸墊 85 開口 87 開口 90 絕緣結(jié)構(gòu) 96 導(dǎo)電特征 98 導(dǎo)電特征 102 橫向尺寸 120 圖案化絕緣 126 開口 131 導(dǎo)電接觸墊 141 阻擋層 160 導(dǎo)熱結(jié)構(gòu) 170 光電元件 190 摻雜層 200 多重量子阱(MQW)層 250 連接線 280 切割框架裝置
具體實施例方式本發(fā)明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本發(fā)明中不同的特征。各特定實施例中的構(gòu)成及配置將會在以下作描述以簡化本發(fā)明。這些為實施例并非用于限定本發(fā)明。此外，一第一元件形成于一第二元件“上方”、“之上”、“下方”或“之下”可包含實施例中的該第一元件與第二元件直接接觸，或也可包含該第一元件與第二元件之間還有其他額外元件使該第一元件與第二元件無直接接觸。各種元件可能以任意不同比例顯示以使圖示清晰簡潔。圖1為本發(fā)明一種光電元件的封裝方法11的流程圖。圖2至圖9為本發(fā)明圖1 的方法11的一實施例中，一光電元件在各種階段的封裝的剖面示意圖。參閱圖1，方法11開始于提供絕緣結(jié)構(gòu)的步驟13，方法11繼續(xù)進行至形成部分的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)于絕緣結(jié)構(gòu)中的步驟15。方法11接著進行至提供一具有頂面及底面的光電元件的步驟17。方法11持續(xù)進行至將光電元件接合至導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)的步驟19。此接合使光電元件的頂面及底面的其中之一的一大部分(substantial)與導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)直接接觸。參閱圖2，提供一載板(carrier substrate) 35，其包含一透明材料。載板35為一個暫時基板(temporary substrate)且容易于后續(xù)工藝中移除。接著于載板35上方形成犧牲層40，其可包含一膠粘材料(glue material)或一黏合材料(adhesive material)，且其可包含不止一層。
然后形成一導(dǎo)電籽晶層(conductive seed layer) 50于犧牲層40上方。導(dǎo)電籽晶層50具有良好導(dǎo)熱及導(dǎo)電性。導(dǎo)電籽晶層50包含一金屬材料，例如Ti、Ta、Cu、Al、Ni 或其他合適的材料?？赏ㄟ^本技術(shù)領(lǐng)域所公知的物理氣相沉積(PVD)工藝來形成導(dǎo)電籽晶層50，其也可稱為一底部導(dǎo)電籽晶層(bottom conductive seed layer)。形成一圖案化絕緣層60于導(dǎo)電籽晶層50上方。圖案化絕緣層60包含開口 65及 66。在本實施例中，圖案化絕緣層包含一可直接被圖案化的材料。例如，圖案化絕緣層60 可包含一光感材料(photo-sensitive material)，如光致抗蝕劑、聚合物材料、或環(huán)氧材料等。本實施例中圖案化絕緣層60的形成不需要一蝕刻工藝來形成開口 65及66。反而是使用光刻(photolithography)工藝直接從光掩模(photomask)(未示出)轉(zhuǎn)移所欲圖像圖案至光致抗蝕劑，以形成圖案化絕緣層60。絕緣層60也可稱為一底墊模板(bottom pad mold) ο參閱圖3，形成導(dǎo)電接觸墊70及71以分別填充開口 65及66 (如圖2所示)。導(dǎo)電接觸墊70及71具有良好的導(dǎo)熱及導(dǎo)電性，其包含一金屬材料，例如Cu、Ni、Al、或其他合適的導(dǎo)電材料。通過本技術(shù)領(lǐng)域所公知的電鍍工藝來形成導(dǎo)電墊片70及71。導(dǎo)電籽晶層 50作為電鍍工藝的籽晶層。電鍍工藝形成導(dǎo)電墊片70及71，其大體上與圖案化絕緣層60 共平面。換言之，可調(diào)整電鍍工藝，好讓導(dǎo)電墊片70及71填充開口 65及66時既不會過度填充也不會填充不足(如圖2所示)。其后，形成一圖案化絕緣層80于導(dǎo)電墊片70和71以及圖案化絕緣層60的上方。 圖案化絕緣層80包含開口 85、86、87、及88。與圖案化絕緣層60類似，在本實施例中圖案化絕緣層80包含一可直接被圖案化的材料，例如一光致抗蝕劑材料。同樣地，本實施例中圖案化絕緣層80的形成不使用蝕刻工藝來形成開口 85-88。反而是使用光刻工藝直接從光掩模(未示出)轉(zhuǎn)移所欲圖像圖案至光致抗蝕劑，以形成圖案化絕緣層80。絕緣層80也可稱為一中介板(interposer mold)。圖案化絕緣層60及80可共同視為一絕緣結(jié)構(gòu)90。此處形成的開口 85-88僅作為范例，且在其他實施例的圖案化絕緣層80中可形成更少或更多開口。參閱圖4，形成導(dǎo)電特征(又稱為導(dǎo)電管柱)95、96、97、及98以分別填充開口 85、 86、87、及88(如圖3所示)。導(dǎo)電特征95-98具有良好的導(dǎo)熱及導(dǎo)電性，其包含一金屬材料，例如Cu、Ni、Al、或其他合適的導(dǎo)電材料。通過本技術(shù)領(lǐng)域所公知的電鍍工藝來形成導(dǎo)電特征95-98。電鍍工藝形成導(dǎo)電特征95-98，其實質(zhì)上可與圖案化絕緣層80共平面。換言之，可調(diào)整電鍍工藝，好讓導(dǎo)電特征95-98填充開口 85-88時既不會過度填充也不會填充不足(如圖2所示)。每個與導(dǎo)電特征95-97交錯配置(interleaving)的部分的圖案化絕緣層80，具有一寬度(或橫向尺寸)100，及每個導(dǎo)電特征95-97具有一寬度(或橫向尺寸)102。寬度100及102是以水平方向測量。一實施例中，寬度100及寬度102之間的比值范圍從約 0. 5 1至5 1，或例如約1 1。應(yīng)可了解的是一些實施例中，導(dǎo)電特征95-97彼此間的寬度值各并不相同。例如，導(dǎo)電特征95可能具有一個寬度值，而導(dǎo)電特征96及97可能具有其他不同于導(dǎo)電特征 95的寬度值。同樣地，圖案化絕緣層80彼此之間的寬度值可能也不相同。可依據(jù)設(shè)計和制造的需求來調(diào)整特定的寬度值及寬度100和102之間的比值。一些替代實施例中，開口85-87(圖3)可合并為單一開口。因此，導(dǎo)電特征95-97不會分開形成，而是在那些實施例中形成單一導(dǎo)電特征。形成一導(dǎo)電籽晶層110于圖案化絕緣層80及導(dǎo)電特征95-98之上。導(dǎo)電籽晶層 110包含一金屬材料，例如Ti、Ta、Cu、Al、Ni、或其他合適的材料?？赏ㄟ^本技術(shù)領(lǐng)域所公知的PVD工藝來形成導(dǎo)電籽晶層110。導(dǎo)電籽晶層110也可作為一頂部導(dǎo)電籽晶層(top conductive seed layer)0其后，一圖案化絕緣層120形成于導(dǎo)電籽晶層110之上。圖案化絕緣層120包含開口 125及126。與絕緣層60及80相似，圖案化絕緣層120包含一可直接被圖案化的材料，例如一光致抗蝕劑材料。因此，與絕緣層60及80相似，通過光刻工藝替代蝕刻工藝來形成絕緣層120。圖案化絕緣層120也可作為一頂墊模板(top pad mold)。參閱圖5，形成導(dǎo)電接觸墊130及131以分別填充至少部分的開口 125及126(如圖4所示)。導(dǎo)電接觸墊130及131具有良好的導(dǎo)熱及導(dǎo)電性。導(dǎo)電接觸墊130及131包含一金屬材料，例如Cu、Ni、Al、或其他合適的導(dǎo)電材料。通過本技術(shù)領(lǐng)域所公知的電鍍工藝來形成導(dǎo)電接觸墊130及131。導(dǎo)電籽晶層110作為電鍍工藝的籽晶層。參閱圖6，例如利用本技術(shù)領(lǐng)域所公知的剝除(stripping)或灰化(ashing)工藝， 來移除圖案化絕緣層120(如圖5所示)。接著清理導(dǎo)電籽晶層110及導(dǎo)電接觸墊130和 131的外露表面。其后，例如利用本技術(shù)領(lǐng)域所公知的濕式蝕刻或干式蝕刻工藝，來移除導(dǎo)電籽晶層110未受導(dǎo)電接觸墊130和131保護的部分。參閱圖7，阻擋層140及141選擇性地(optionally)分別形成于導(dǎo)電接觸墊130 和131以及在其下方(therebelow)的接觸籽晶層110的外露表面上。阻擋層140及141 包含Ni、化學(xué)鍍鎳浸金(Electroless Nickel/Immersion Gold ;ENIG)、或化學(xué)鍍鎳鈀浸金 (Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold ;ENEPIG)。阻擋層 140 及 141有助于保護導(dǎo)電籽晶層110及導(dǎo)電接觸墊130和131，免于腐蝕及不欲的氧化。形成一接合接點(bond joint) 150于阻擋層140上(若阻擋層140沒形成，則接合接點形成于導(dǎo)電接觸墊130上)。接合接點50包含一適合焊接的材料(Pb)。由于阻擋層140 及接合接點150各包含一例如金屬的導(dǎo)電材料(與導(dǎo)電接觸墊130相似)，其可被視為導(dǎo)電接觸墊130的一部分或其延伸。因此，通過導(dǎo)電接觸墊70及130、導(dǎo)電特征95-97、導(dǎo)電籽晶層110、選擇性(optional)阻擋層140、以及接合接點150，來共同形成一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)160。 并且，通過導(dǎo)電接觸墊71及131、導(dǎo)電特征98、導(dǎo)電籽晶層110、以及選擇性(optional)阻擋層141，來共同形成一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)161。應(yīng)可了解的是，導(dǎo)熱構(gòu)160-161可共同視為一單一的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。接下來，通過接合接點150將光電元件170接合至導(dǎo)電接觸墊130。在本實施例中的光電元件170為一發(fā)光二極管元件(LED)，但在替代實施例中可為其他合適的光電元件。 光電元件170包含一基板180、形成于此基板上方的兩個相反的摻雜層190及191、以及一置于摻雜層190及191之間的多重量子阱(multiple-quantum well ；MQff)層200?；?80包含一適合發(fā)光材料生長的材料。因此，基板180也可稱為一生長基板或一生長晶片。一實施例中，基板180包含一藍寶石材料。其他實施例中，基板180可包含讓發(fā)光材料生長的碳化硅、硅、或另一合適的材料。摻雜層190包含一 ρ型材料，而摻雜層191包含一 η型材料。一實施例中，摻雜層190包含一摻雜如硼(B)的ρ型雜質(zhì)的氮化鎵(GaN)材料，而摻雜層191包含一摻雜如砷 (As)或磷(P)的η型雜質(zhì)的氮化鎵(GaN)材料。一替代實施例中，摻雜層190可包含一 η 型材料，而摻雜層190可包含一 ρ型材料。MQff 層 200 包含 GaN 及 hfeiN 的交替(或周期)(alternating or periodic)層。 例如，一實施例中，MQW層200包含十層GaN及十層InGaN，其中一 InGaN層形成于GaN層上，且另一 GaN層形成于InGaN層上，以此類推。摻雜層190和191以及MQW層200皆通過本技術(shù)領(lǐng)域公知的外延工藝(印itaxial growth process)來形成。在外延工藝中，基板180作為一籽晶，而膜層190、191及200大體上呈現(xiàn)與基板180 —致的晶格結(jié)構(gòu)及走向。在外延工藝完成后，通過在摻雜層190和191 之間沉積MQW層200來形成一 P/N結(jié)(或一 P/N 二極管)。當施加該摻雜層190和191 一電壓(或電荷)時，即會有電流通過光電元件170，且MQW層200會發(fā)出如可見光的輻射。 MQW層200發(fā)光的顏色取決于光的波長，可通過改變構(gòu)成MQW層200的材料的組成及結(jié)構(gòu)來調(diào)整波長。在圖7所示的實施例中，光電元件170被翻轉(zhuǎn)倒置(flipped upside down)，如此讓摻雜層191的一大區(qū)域或其表面與接合接點150直接物理性地接觸。一實施例中，摻雜層191的整個底面與接合接點130直接物理性地接觸。如上所述，由于接合接點150可視為導(dǎo)電接觸墊130的一部分或其延伸，其也可說光電元件170的一大部分或其底面與導(dǎo)電接觸墊130直接物理性地接觸。應(yīng)可了解的是可形成與光電元件170相似的光電元件于基板180上。在將光電元件170通過接合接點150接合至導(dǎo)電墊片130之前，這些光電元件可彼此個別分開?？赏ㄟ^一個或多個工藝，例如干式蝕刻或用激光光束或鋸刀來切割，以分離這些光電元件。參閱圖8，移除基板180(如圖7所示)。一實施例中，通過施加電磁輻射給光電元件170來移除基板180。其他的實施例中，可利用激光光束來使基板180汽化。其后，摻雜層190外露的表面可經(jīng)過一選擇性的粗化工藝(optional roughening process)來協(xié)助由光電元件170發(fā)出的光線往預(yù)期的方向傳播(propagate)。接下來，形成一導(dǎo)電接觸墊220于摻雜層190上。導(dǎo)電接觸墊220具有良好的導(dǎo)熱及導(dǎo)電性，其包含一透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、或其他合適的導(dǎo)電材料。通過合適的技術(shù)來形成導(dǎo)電接觸墊220，例如PVD工藝。可依據(jù)設(shè)計需求來變更導(dǎo)電接觸墊220的大小(例如橫向尺寸)。圖8所示的實施例中，摻雜層190的一整個區(qū)域與導(dǎo)電接觸墊220 直接物理性地接觸。其他實施例中，接觸的區(qū)域可能非一完整區(qū)域，但占完整區(qū)域中的一很大部分。應(yīng)可了解的是導(dǎo)電接觸墊220可視為導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)160的一部分。仍參閱圖8，將連接線250接合至導(dǎo)電接觸墊220以及導(dǎo)電接觸墊131(通過阻擋層141)。更詳細的說，連接線250的一端接合至導(dǎo)電接觸墊220，而連接線250相反的另一端接合至導(dǎo)電接觸墊131。因此，連接線允許施加橫跨導(dǎo)電接觸墊70及71的電壓來施加一電壓給光電元件170，其中導(dǎo)電接觸墊70及71分別電性接合至導(dǎo)電接觸墊130及131。參閱圖9，形成一密封(encapsulant)結(jié)構(gòu)270以模制光電元件170。密封結(jié)構(gòu) 270可包含一如樹脂或塑膠的有機材料。若暴露于空氣中，光電元件170可能會被腐蝕。此處的密封結(jié)構(gòu)270提供光電元件足夠的密封，并將腐蝕的問題降到最小。圖2至圖9為單一光電元件170的部分封裝，但附近其他的光電元件也進行同樣的封裝。上述封裝體可貼附至一切割框架(dicing frame) 2800接著，載板35從封裝體上脫離。之后，將光電元件彼此間互相分開，例如通過使用裸片鋸刀，這樣一來可進行額外的工藝以完成光電元件170的封裝。然后移除犧牲層40 (如圖2至圖8所示)。圖案化絕緣層60及導(dǎo)電接觸墊70和71的底面即暴露出來?？蛇x擇性地執(zhí)行一清理工藝以清潔這些外露的表面。然后，光電元件170可從切割框架280脫離，并且被封裝成一獨立的光電芯片。之后，封裝的光電芯片可貼附至一印刷電路板(PCB)裝置300。PCB裝置300具有接觸墊片(未示出)可電性連結(jié)至導(dǎo)電接觸墊70及71，這樣一來可施加一電壓給光電元件 170以控制光電元件170的操作。光電元件170在其操作中可能會產(chǎn)生大量的熱能。產(chǎn)生的熱量的散熱對于如LED 等的光電元件來說，一直是傳統(tǒng)上的一個問題。例如，一些傳統(tǒng)的LED元件中，只有LED元件表面的一小部分可與作為散熱管道的導(dǎo)熱材料接觸。散熱的速率受限于小面積的接觸， 因而導(dǎo)致散熱效率不佳。在另一例子中，一些傳統(tǒng)的LED元件包含一藍寶石基板，其可捕捉在LED封裝中LED元件產(chǎn)生的熱能。一些其他傳統(tǒng)的LED元件中，可能需要在一基板上蝕刻深且狹窄的開口，并且填充導(dǎo)電材料以形成高深寬比(aspect ratio)的孔道。這些孔道是打算用于消散LED元件產(chǎn)生的熱量。然而，由于他們的高深寬比，在形成這些孔道上可能既困難又昂貴。相較之下，此處揭示的LED封裝提供比傳統(tǒng)LED元件更多的優(yōu)勢。無論如何，應(yīng)了解的是其他實施例可提供不同優(yōu)點，且非所有的實施例皆需要特定的優(yōu)點。此處揭示的實施例提供的優(yōu)勢之一是較好的散熱能力。光電元件170的底面的一大面積與導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)160直接物理性地接觸，尤其是與接合接點150直接物理性地接觸。大面積的直接物理性地接觸產(chǎn)生比傳統(tǒng)LED元件有更好的散熱效率。此外，多重交錯配置的導(dǎo)電特征95-97幫助減少封裝中的壓力，同時也提供足夠的散熱管道。在此方式下，光電元件170產(chǎn)生的熱能可快速且高效率地向下消散穿過導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)160。此外，藍寶石基板180(如圖7所示)在被封裝前會被從光電元件170移除。這樣一來，光電元件170還可快速向上散熱。換句話說，一旦藍寶石基板180不存在了，就沒有任何東西可以從上方捕捉光電元件170內(nèi)部的熱量。導(dǎo)電接觸墊具有良好的導(dǎo)熱性且有助于向上散熱。此外，圖2至圖9中的實施例包含一“堆積”(或堆疊)(build-up or stacking) 的方法。換句話說，所有揭示于此處的絕緣材料(例如絕緣層60及80)的形成都是通過利用光刻工藝來直接將其圖案化。相較之下，形成LED封裝的傳統(tǒng)工藝通常必須在絕緣材料中形成溝槽。形成這些溝槽需要例如蝕刻工藝等的額外工藝，因而增加了制造成本。另外，所有揭示于此處的導(dǎo)電材料(例如接觸墊片70-71及導(dǎo)電特征95-98)都通過電鍍工藝來形成。相較之下，傳統(tǒng)的LED封裝工藝可能需要使用導(dǎo)電材料來填充那些溝槽。在溝槽中的導(dǎo)電材料需要拋光(例如通過一個化學(xué)機械拋光工藝)，好讓導(dǎo)電材料大體上與溝槽共平面。再次，傳統(tǒng)工藝使用了較多的制造程序。既然在拋光前這些溝槽需要先被過量填充，傳統(tǒng)工藝也就需要更大量的導(dǎo)電材料。傳統(tǒng)工藝及材料兩者皆會增加制造成本。比較而言，圖2至圖9中實施例的“堆積”方法有助于簡化制造程序并減少制造成本。此外，本發(fā)明的實施例不需形成高深寬比的孔道。應(yīng)了解的是，可進行額外增加的工藝以完成光電元件170的封裝。然而，為了簡化的緣故，在此處并不說明及描述這些工藝。本發(fā)明已以多個實施例揭示如上，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員當可更清楚理解后續(xù)的詳細描述，并可快速地利用本發(fā)明作為其他工藝和結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，以實現(xiàn)與此處所述的實施例相同的目的或有相同的獲益。然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作任意的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包含一發(fā)光二極管元件的封裝，該封裝包含 一絕緣結(jié)構(gòu)；以及第一和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，各延伸穿過該絕緣結(jié)構(gòu)；其中該發(fā)光二極管元件的底面的一大部分區(qū)域與該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂面產(chǎn)生接觸；且該發(fā)光二極管元件的頂面通過一連接線與該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接合。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該絕緣結(jié)構(gòu)包含一光致抗蝕劑材料。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含一頂導(dǎo)墊，置于該絕緣結(jié)構(gòu)之上，并與該發(fā)光二極管元件產(chǎn)生接觸； 多個導(dǎo)電管柱，置于該絕緣結(jié)構(gòu)中并位于該頂導(dǎo)墊下；及一底導(dǎo)墊片，置于該絕緣結(jié)構(gòu)中并位于該導(dǎo)電管柱下。
4.一種裝置，包含一光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)包含 一絕緣結(jié)構(gòu)；及一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，部分置于該絕緣結(jié)構(gòu)中的；其中該光電元件的一大部分的表面與此導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)直接接觸。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中該絕緣結(jié)構(gòu)包含一光感材料。
6.一種發(fā)光二極管元件的封裝方法，包含 形成一絕緣結(jié)構(gòu)；形成一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)部分位于該絕緣結(jié)構(gòu)中； 提供該發(fā)光二極管元件，其具有一頂面及一底面；將該發(fā)光二極管元件接合至該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，該接合使該發(fā)光二極管元件的頂面及底面的其中之一的大部分與該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)直接接觸。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該絕緣結(jié)構(gòu)的形成是以一種讓該絕緣結(jié)構(gòu)包含一光感材料的方式進行。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該發(fā)光二極管元件的接合，使該發(fā)光二極管元件的頂面及底面的其中之一的一整個部分與該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)直接接觸。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)包含 一第一導(dǎo)電墊片，置于該發(fā)光二極管上方；及第二及第三導(dǎo)電墊片，置于該絕緣結(jié)構(gòu)上方； 該第一導(dǎo)電墊片與該發(fā)光二極管元件的頂面直接接觸；且該第二導(dǎo)電墊片與該發(fā)光二極管元件的底面直接接觸； 且還包含將該第一及第三導(dǎo)電墊片接合至一連接線的相反兩端。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)的形成包含 形成一第一導(dǎo)電墊片于該絕緣結(jié)構(gòu)中；形成多個導(dǎo)電特征于該第一導(dǎo)電墊片之上，該導(dǎo)電特征與部分的該絕緣結(jié)構(gòu)交錯配置；以及形成一第二導(dǎo)電墊片于該導(dǎo)電特征及該絕緣結(jié)構(gòu)的上方。
全文摘要
本發(fā)明提供一種包含光電元件的封裝的裝置及封裝方法，此封裝包含一絕緣結(jié)構(gòu)。上述封裝包含第一及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其各延伸穿過絕緣結(jié)構(gòu)。上述發(fā)光二極管元件的底面的一很大區(qū)域與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂面直接接觸。通過一連接線將發(fā)光二極管元件的頂面接合至第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實施例提供的光電元件具有較好的散熱能力；本發(fā)明的實施例的“堆積”方法有助于簡化了制造程序并減少制造成本；此外，本發(fā)明的實施例不需形成高深寬比的孔道。
文檔編號H01L33/64GK102412364SQ20111028219
公開日2012年4月11日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月17日
發(fā)明者余佳霖, 余振華, 張宏賓, 林詠淇, 洪瑞斌, 黃見翎 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司