專利名稱：柵極的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種柵極的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷發(fā)展，集成電路中的半導(dǎo)體器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)越來越小，晶體管和金屬線路也變得越來越小并且越靠越近,在形成柵極的時(shí)候產(chǎn)生的線端縮短(LES, Line End Shortening)是一個(gè)較重要問題，LES表現(xiàn)為線端的實(shí)際的印刷位置和預(yù)定(設(shè)計(jì))位置之間的差異。圖I示出了線端縮短的問題，如圖I所示，虛線所示的是預(yù)定(設(shè)計(jì))形成的預(yù)期線路10,但是由于刻蝕效應(yīng)和光阻拉回(Photo Resist Pullback)等原因，產(chǎn)生了顯著數(shù) 量的線端縮短的實(shí)際線路20。所述預(yù)期線路10具有線路側(cè)端IOb (相對(duì)兩側(cè)，另一側(cè)未標(biāo)示)、線路末端IOa(相對(duì)兩側(cè)，另一側(cè)未標(biāo)示)，所述線路側(cè)端IOb的長(zhǎng)度為L(zhǎng)I，所述線路末端IOa的寬度為Wl ;所述實(shí)際線路20具有線路側(cè)端20b、線路末端20a，所述線路側(cè)端20b的長(zhǎng)度為L(zhǎng)2，所述線路末端20a的寬度為W2。從圖I可以看出，實(shí)際線路20的線路末端20a以及線路側(cè)端20b分別較預(yù)期線路10的線路末端IOa以及線路側(cè)端IOb有所縮短，縮短的量對(duì)應(yīng)為L(zhǎng)1-L2以及W1-W2，通常，LES比率可以定義為(L1-L2) / (W1-W2)。一般來說，L1-L2遠(yuǎn)大于W1-W2，因此，與線路側(cè)端IOb相比，LES在線路末端IOa更大。在實(shí)際刻蝕過程中，由于一般線路側(cè)端IOb和線路末端IOa同時(shí)受到刻蝕并形成柵極的，因此，線路末端IOa在刻蝕后的形狀如圖2中線路末端20a所示(圖2中僅示出了其中一端)。圖2中除了示出了圖I所示的預(yù)定(設(shè)計(jì))形成柵極的預(yù)期線路10，還示出了與預(yù)期線路10的線路末端IOa相對(duì)的另一個(gè)虛線表示的預(yù)定(設(shè)計(jì))形成柵極的預(yù)期線路10’，其線端包括線路側(cè)端10’b、線路末端10’a，預(yù)期線路10’在刻蝕后形成的實(shí)際線路20’包括線路側(cè)端20’ b、線路末端20’ a。從圖2中可以看到，如果預(yù)定設(shè)計(jì)的預(yù)期線路10的線路末端IOa與預(yù)期線路10’的線路末端10’ a之間的距離為XI，而刻蝕后形成的實(shí)際線路20的線路末端20a以及實(shí)際線路20’的線路末端20’ a由于產(chǎn)生了線端縮短，從而使線路末端20a與線路末端20’ a之間的距離變?yōu)閄2，X2大于XI。線端縮短(LES)會(huì)導(dǎo)致器件性能降級(jí)、可靠性降低、產(chǎn)量損失、器件中的泄漏、特征尺寸的限制以及其他有關(guān)問題。為了確保對(duì)于更小特征尺寸的制造的可行性，雙重圖形化(Double Patterning)形成柵極是潛在解決方案之一?，F(xiàn)有技術(shù)中，通常采用光刻-刻蝕-光刻-刻蝕(LELE，Litho-Etch-Litho-Etch)的雙圖形化方法形成柵極。具體地請(qǐng)參考圖3，在用于形成柵極的柵極層101表面涂布光刻膠，光刻后形成如圖3所示的圖形化的光刻膠102。所述圖形化的光刻膠102定義出預(yù)定(設(shè)計(jì))形成柵極的線路寬度。所述柵極層101的材料一般為多晶硅。請(qǐng)參考圖4，以所述圖形化的光刻膠為掩膜對(duì)柵極層進(jìn)行刻蝕，直至暴露出柵極層101所覆蓋的柵介質(zhì)層103(—般為氧化層)，之后剝離圖形化的光刻膠，形成柵極層101a。
請(qǐng)參考圖5，沉積抗反射層104，覆蓋所述柵介質(zhì)層以及所述柵極層，并在所述抗反射層104上涂布光刻膠，光刻后形成圖形化的光刻膠105。所述圖形化的光刻膠105定義出預(yù)定(設(shè)計(jì))形成柵極的線路末端之間的距離。圖形化的光刻膠102(圖3所示)和圖形化的光刻膠105共同定義出預(yù)定(設(shè)計(jì))形成柵極的圖形。請(qǐng)參考圖6，以所述圖形化的光刻膠為掩膜對(duì)所述抗反射層、柵極層進(jìn)行刻蝕，直至暴露出柵介質(zhì)層103，之后剝離圖形化的光刻膠，形成柵極層101b。圖6所示的柵極層IOlb即為預(yù)定形成的柵極圖形。更多關(guān)于LELE技術(shù)還可參考專利號(hào)為US6042998的美國(guó)專利，但是該專利對(duì)于解決刻蝕形成柵極時(shí)產(chǎn)生的線端縮短問題并未涉及。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)中形成柵極工藝時(shí)產(chǎn)生的線端縮短的問題。 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種柵極的形成方法，包括提供基底，所述基底表面形成有柵介質(zhì)層；所述柵介質(zhì)層表面形成有的柵電極層；所述柵電極層表面形成有中間層；所述中間層表面形成有多晶硅層；所述多晶硅層表面形成有包括第一圖形的第一圖案層，所述第一圖形定義出待形成的相鄰柵極的線路末端之間的距離；以所述第一圖案層為掩膜，向所述多晶硅層內(nèi)摻雜離子；去除所述第一圖案層和具有摻雜離子的多晶硅層，形成開口 ；形成覆蓋所述開口和多晶硅層表面的第二圖案層，所述第二圖案層具有第二圖形，所述第二圖形定義出待形成柵極的線寬；以所述具有第二圖形的第二圖案層為掩膜，刻蝕所述多晶硅層，形成具有第三圖形的多晶硅層；以所述具有第三圖形的多晶硅層為掩膜，刻蝕所述中間層、柵電極層形成柵極?？蛇x地，所述具有摻雜離子的多晶硅層與未摻雜離子的多晶硅層的選擇刻蝕比大于5 I ;所述具有摻雜離子的多晶硅層與中間層的選擇刻蝕比大于5 I?？蛇x地，所述摻雜離子為P離子或As離子。可選地，摻雜所述P離子時(shí)的工藝參數(shù)為能量50-200kev，劑量為1E15-1E20/cm2,濃度為 lE16_lE21/cm3?？蛇x地，去除所述具有摻雜離子的多晶硅層的工藝為濕法刻蝕。可選地，所述濕法刻蝕采用的化學(xué)試劑為磷酸，所述磷酸的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為50% -90%，溫度為 100-2000C ο可選地，所述中間層包括形成在所述柵電極層表面的阻擋層、形成在所述阻擋層表面的硬掩膜層、以及形成在所述硬掩膜層表面的保護(hù)層?？蛇x地，所述阻擋層的材料為氧化硅；所述硬掩膜層的材料為氮化硅；所述保護(hù)層的材料為氧化硅。可選地，還包括去除所述具有第三圖形的多晶硅層和中間層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的實(shí)施例先后通過具有摻雜離子的多晶硅層和光刻的雙重圖形化方法形成具有第三圖形的多晶硅層，所述第三圖形定義出柵極的特征尺寸，再以具有所述第三圖形的多晶硅層為掩膜，刻蝕所述中間層和柵電極層形成柵極，以有效地改善刻蝕形成柵極過程中產(chǎn)生的線端縮短的問題，提高了產(chǎn)品的良率。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述中間層包括形成在所述柵電極層表面的阻擋層、形成在所述阻擋層表面的硬掩膜層、以及形成在所述硬掩膜層表面的保護(hù)層，避免后續(xù)刻蝕工藝和去除工藝對(duì)柵極的結(jié)構(gòu)造成破壞，且形成的柵極的特征尺寸更加精確。


圖I和圖2是線端縮短的示意圖；圖3 圖6是雙重圖形化形成柵極的俯視示意圖；圖7是本發(fā)明的實(shí)施例的柵極的形成方法的流程示意圖；·
圖8 圖13是本發(fā)明的實(shí)施例的柵極的形成方法的剖面示意圖；圖14 圖19是本發(fā)明的實(shí)施例的柵極的形成方法的俯視示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)的刻蝕形成柵極工藝中，會(huì)產(chǎn)生較明顯的線端縮短問題，隨著半導(dǎo)體器件的特征尺寸(⑶,Critical Dimension)越來越小,采用雙重圖形化方法形成柵極，雖然能夠避免線路末端和線路側(cè)端同時(shí)受到刻蝕作用，但是對(duì)于線端縮短的問題依然沒有有效地解決。為了改善刻蝕形成柵極工藝中產(chǎn)生的線端縮短問題，本發(fā)明提供了一種柵極的形成方法。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施方式
的限制。圖7是本發(fā)明的實(shí)施例的柵極的形成方法的流程示意圖。如圖7所示，本發(fā)明提供了一種柵極的形成方法，包括步驟S201，提供基底，所述基底表面形成有柵介質(zhì)層；所述柵介質(zhì)層表面形成有柵電極層；所述柵電極層表面形成有中間層；所述中間層表面形成有多晶硅層；所述多晶硅層表面形成有包括第一圖形的第一圖案層，所述第一圖形定義出待形成的相鄰柵極的線路末端之間的距離；步驟S203，以所述第一圖案層為掩膜，向所述多晶硅層內(nèi)摻雜離子；步驟S205，去除所述第一圖案層和具有摻雜離子的多晶硅層，形成開口 ；步驟S207，形成覆蓋所述開口和多晶硅層表面的第二圖案層，所述第二圖案層具有第二圖形，所述第二圖形定義出待形成柵極的線寬；步驟S209，以所述具有第二圖形的第二圖案層為掩膜，刻蝕所述多晶硅層，形成具有第三圖形的多晶硅層；步驟S211，以所述具有第三圖形的多晶硅層為掩膜，刻蝕所述中間層、柵電極層形成柵極。圖8至圖13是本發(fā)明的實(shí)施例的柵極的形成方法的剖面示意圖，圖14至圖19是分別與圖8至圖13相對(duì)應(yīng)、本發(fā)明的實(shí)施例的柵極的形成方法的俯視示意圖。下面結(jié)合圖7 圖19，以具體實(shí)施例對(duì)所述柵極的形成方法作詳細(xì)說明。請(qǐng)結(jié)合參考圖8和圖14，提供基底(未圖示)，所述基底表面形成有柵介質(zhì)層301 ；所述柵介質(zhì)層301表面形成有柵電極層303 ;所述柵電極層303表面形成有阻擋層305 ;所述阻擋層305表面形成有硬掩膜層307 ;所述硬掩膜層307表面形成有保護(hù)層309 ;所述保護(hù)層309表面形成有多晶硅層311 ;所述多晶硅層311表面形成有包括第一圖形315的第一圖案層313，所述第一圖形315定義出待形成的相鄰柵極的線路末端之間的距離。 其中，所述基底用于為后續(xù)工藝步驟提供平臺(tái)，所述基底的材料為半導(dǎo)體材料，可以是單晶娃，也可以是娃鍺化合物，還可以是絕緣體上娃(SOI, Silicon On Insulator)結(jié)構(gòu)或硅上外延層結(jié)構(gòu)。所述柵介質(zhì)層301的材料為氧化物(oxide)，例如氧化硅，或高K材料；所述柵電極層303的材料為多晶硅或金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述柵介質(zhì)層301的材料為氧化硅，所述柵電極層303的材料為多晶硅。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述中間層包括形成在所述柵電極層303表面的阻擋層305、形成在所述阻擋層305表面的硬掩膜層307、形成在所述硬掩膜層307表面的保護(hù)層309。其中，所述阻擋層305用于作為后續(xù)形成柵極時(shí)的刻蝕停止層。所述阻擋層305的材料為氧化物，例如氧化硅。所述阻擋層305的形成工藝為物理沉積工藝、化學(xué)沉積工藝或熱氧化生長(zhǎng)工藝。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述阻擋層305的形成工藝為熱氧化生長(zhǎng)工藝。所述硬掩膜層307用于作為后續(xù)形成柵極的掩膜，避免后續(xù)工藝對(duì)所述柵電極層302造成損傷。所述硬掩膜層307的材料為氮化硅(SiN)。所述硬掩膜層307的形成工藝為物理或化學(xué)沉積工藝。所述保護(hù)層309用于保護(hù)硬掩膜層307，避免在后續(xù)工藝對(duì)所述硬掩膜層307造成損傷。所述保護(hù)層309的材料為氧化物，例如氧化硅。所述保護(hù)層309的形成工藝為物理或化學(xué)沉積工藝或熱氧化生長(zhǎng)工藝。所述多晶硅層311在后續(xù)工藝中用于摻雜離子后，轉(zhuǎn)移第一圖形315。所述多晶硅層311的形成工藝為物理或化學(xué)沉積工藝。所述第一圖案層313具有第一圖形315，所述第一圖形315定義出待形成的相鄰柵極的線路末端之間的距離；所述第一圖案層313的材料為光阻材料(PR)或底部抗反射涂層(BARC)，所述第一圖形315的形狀可以為橢圓、長(zhǎng)方形、正方形或圓形中的任意一種，視具體情況而定。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第一圖案層的材料為光阻材料，所述第一圖形315為長(zhǎng)方形的開口。需要說明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述柵極平行于基底的平面包括第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向，所述柵極沿第一方向的尺寸大于沿第二方向的尺寸。所述相鄰柵極的線路末端之間的距離指的是所述相鄰柵極沿第一方向之間的距離。即第一圖形315定義出待形成的相鄰柵極沿第一方向之間的距離。請(qǐng)結(jié)合參考圖9和圖15，以所述第一圖案層313為掩膜，向所述多晶硅層311內(nèi)摻雜尚子。本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，在所述多晶硅層311內(nèi)摻雜離子(例如P離子或As離子)后，具有摻雜離子的多晶硅層317與未摻雜離子的多晶硅層的選擇刻蝕比大于5 1，且所述具有摻雜離子的多晶硅層317與保護(hù)層309的選擇刻蝕比大于5 I。采用濕法刻蝕工藝更加容易去除所述具有摻雜離子的多晶硅層317，而不會(huì)損害未摻雜離子的多晶硅層和保護(hù)層309。在本發(fā)明的實(shí)施例中，向所述多晶硅層311內(nèi)摻雜的離子為P離子，摻雜所述P離子的工藝參數(shù)為能量50-200kev ;劑量為lE15-lE20/cm2 ;濃度為lE16_lE21/cm3。請(qǐng)結(jié)合參考圖10和圖16，去除所述第一圖案層和具有摻雜離子的多晶硅層，形成開口 319，所述開口暴露出保護(hù)層309。首先，去除所述第一圖案層。所述去除所述第一圖案層采用的工藝可以為化學(xué)機(jī) 械拋光、刻蝕工藝或灰化工藝中的任意一種，由于上述工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。其次，去除具有摻雜離子的多晶硅層，形成開口 319，形成開口 319后的多晶硅層311a。所述去除所述具有摻雜離子的多晶硅層的工藝為濕法刻蝕工藝，只需所述濕法刻蝕工藝采用的化學(xué)試劑對(duì)具有摻雜離子的多晶硅層與未摻雜離子的多晶硅層的選擇刻蝕比大于5 1，且所述具有摻雜離子的多晶硅層與保護(hù)層309的選擇刻蝕比大于5 I即可。所述開口 319的形狀與第一圖案層的第一圖形一致。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述濕法刻蝕采用的化學(xué)試劑為磷酸，所述磷酸的溫度為100-200°C，質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為50% -90%。由于采用所述磷酸濕法刻蝕具有摻雜離子的多晶硅層的刻蝕速率非常快，所述保護(hù)層309可以保護(hù)硬掩膜層307，避免濕法刻蝕過程中所述磷酸對(duì)硬掩膜層307造成損害。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以先去除具有摻雜離子的多晶硅層，再去除所述第一圖案層。請(qǐng)結(jié)合圖11和圖17，圖11為圖17中沿A-Al的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。形成覆蓋所述開口 319和多晶硅層311a表面的第二圖案層，所述第二圖案層具有第二圖形321，所述第二圖形321定義出待形成柵極的線寬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第二圖案層的形成步驟為向所述開口 319內(nèi)填充光阻材料，形成覆蓋所述開口 319和多晶硅層311a的光刻膠層；將所述光刻膠層圖形化，形成具有第二圖形321的第二圖案層320，所述第二圖形321為凸起，所述第二圖形321定義出待形成柵極的線寬。所述柵極的線寬指的是所述柵極沿第二方向的尺寸。請(qǐng)結(jié)合圖12和圖18，圖12為圖18中沿B-Bl的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。以所述第二圖形為掩膜，刻蝕所述第二圖案層的其他部分和多晶硅層，形成具有第三圖形的多晶硅層311b。具體地，采用干法刻蝕工藝依次刻蝕除第二圖形外的第二圖案層的其他部分和具有第一圖形的多晶硅層，之后再去除所述第二圖案層的第二圖形。所述第三圖形是通過所述第一圖形以及第二圖形迭對(duì)而形成的，其定義出了待形成的柵極的特征尺寸。如圖18所示，所述具有第三圖形的多晶硅層311b呈條狀圖形，中間的缺口即為之前執(zhí)行步驟S205時(shí)形成的開口 319 (圖10)，由此定義出了待形成的柵極的圖形(即第三圖形)。
請(qǐng)結(jié)合參考圖13和圖19，圖13為圖19中沿C-Cl的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。以所述具有第三圖形的多晶硅層311b為掩膜，依次刻蝕所述保護(hù)層309、硬掩膜層307、阻擋層305、柵電極層303形成柵極。其中，刻蝕所述阻擋層305、硬掩膜層307、保護(hù)層309、柵電極層303的工藝為干法刻蝕。所述刻蝕后的柵電極層303用于形成柵極。所述柵極的形狀與所述第三圖形的形狀一致。以所述具有第三圖形的多晶硅層311b為掩膜形成的柵極的特征尺寸更加精確，有效改善了刻蝕形成柵極的過程中的線端縮短的問題，產(chǎn)品的良率高。在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于所述電極層303的材料為多晶硅，因此，干法刻蝕所述柵電極層303采用的氣體可以為SF6、02、Ar的混合氣體，刻蝕腔室的壓強(qiáng)設(shè)定為5毫托(mTorr)至 20 毫托(mTorr)。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，當(dāng)所述柵電極層303的材料為金屬時(shí)，可以采用ci2、ch4的混合氣體進(jìn)行刻蝕，也可以采用C12、CHF3的混合氣體進(jìn)行刻蝕。
需要說明的是，上述步驟完成之后，還需要去除位于所述柵極表面的阻擋層305、硬掩膜層307、保護(hù)層309。去除所述阻擋層305、硬掩膜層307、保護(hù)層309的方法為刻蝕工藝或者化學(xué)機(jī)械拋光，在此不再贅述。綜上，本發(fā)明的實(shí)施例先后通過具有摻雜離子的多晶硅層和光刻的雙重圖形化方法形成具有第三圖形的多晶硅層，所述第三圖形定義出柵極的特征尺寸，再以具有所述第三圖形的多晶硅層為掩膜，刻蝕所述中間層和柵電極層形成柵極，以有效地改善刻蝕形成柵極過程中產(chǎn)生的線端縮短的問題，提高了產(chǎn)品的良率。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述中間層包括形成在所述柵電極層表面的阻擋層、形成在所述阻擋層表面的硬掩膜層、以及形成在所述硬掩膜層表面的保護(hù)層，避免后續(xù)刻蝕工藝和去除工藝對(duì)柵極的結(jié)構(gòu)造成破壞，且形成的柵極的特征尺寸更加精確。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種柵極的形成方法，其特征在于，包括 提供基底，所述基底表面形成有柵介質(zhì)層；所述柵介質(zhì)層表面形成有的柵電極層；所述柵電極層表面形成有中間層；所述中間層表面形成有多晶硅層；所述多晶硅層表面形成有包括第一圖形的第一圖案層，所述第一圖形定義出待形成的相鄰柵極的線路末端之間的距離； 以所述第一圖案層為掩膜，向所述多晶硅層內(nèi)摻雜離子； 去除所述第一圖案層和具有摻雜離子的多晶硅層，形成開口 ； 形成覆蓋所述開口和多晶硅層表面的第二圖案層，所述第二圖案層具有第二圖形，所述第二圖形定義出待形成柵極的線寬； 以所述具有第二圖形的第二圖案層為掩膜，刻蝕所述多晶硅層，形成具有第三圖形的多晶娃層; 以所述具有第三圖形的多晶硅層為掩膜，刻蝕所述中間層、柵電極層形成柵極。
2.如權(quán)利要求I所述的柵極的形成方法，其特征在于，所述具有摻雜離子的多晶硅層與未摻雜離子的多晶娃層的選擇刻蝕比大于5 : I ;所述具有摻雜離子的多晶娃層與中間層的選擇刻蝕比大于5 : I。
3.如權(quán)利要求I所述的柵極的形成方法，其特征在于，所述摻雜離子為P離子或As離子。
4.如權(quán)利要求3所述的柵極的形成方法，其特征在于，摻雜所述P離子時(shí)的工藝參數(shù)為能量為 50-200kev，劑量為 lE15_lE20/cm2，濃度為 lE16_lE21/cm3。
5.如權(quán)利要求I所述的柵極的形成方法，其特征在于，去除所述具有摻雜離子的多晶娃層的工藝為濕法刻蝕。
6.如權(quán)利要求5所述的柵極的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的化學(xué)試劑為磷酸，所述磷酸的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為50% -90%，溫度為100-200°C。
7.如權(quán)利要求I所述的柵極的形成方法，其特征在于，所述中間層包括形成在所述柵電極層表面的阻擋層、形成在所述阻擋層表面的硬掩膜層、以及形成在所述硬掩膜層表面的保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求7所述的柵極的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氧化硅；所述硬掩膜層的材料為氮化硅；所述保護(hù)層的材料為氧化硅。
9.如權(quán)利要求I所述的柵極的形成方法，其特征在于，還包括去除所述具有第三圖形的多晶硅層和中間層。
全文摘要
一種柵極的形成方法，包括提供基底，所述基底表面依次形成有柵介質(zhì)層、柵電極層、中間層、多晶硅層和包括第一圖形的第一圖案層，所述第一圖形定義出待形成柵極的線路末端之間的距離；以第一圖案層為掩膜，向所述多晶硅層內(nèi)摻雜離子；去除第一圖案層和具有摻雜離子的多晶硅層，形成開口；形成覆蓋所述開口和多晶硅層表面的第二圖案層，所述第二圖案層具有第二圖形，所述第二圖形定義出待形成柵極的線寬；以所述具有第二圖形的第二圖案層為掩膜，刻蝕所述多晶硅層，形成具有第三圖形的多晶硅層；以所述具有第三圖形的多晶硅層為掩膜，刻蝕所述中間層、柵電極層形成柵極。本發(fā)明的實(shí)施例解決了柵極工藝中的線端縮短問題，提高了良率。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102956461SQ20111025273
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月30日
發(fā)明者張海洋, 顧一鳴 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司