專利名稱：疊層薄膜電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜電容器。更特別是，本發(fā)明涉及一種疊層薄膜電容器的改進， 該電容器包括通過在疊層電容器元件的一對側(cè)表面上進行噴射過程來制備的一對外部電極和位于至少一個其他側(cè)表面上的樹脂保護薄膜，并且本發(fā)明涉及一種制造疊層薄膜電容器的有利方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，作為用于電氣裝置的一種薄膜電容器，公知的是疊層薄膜電容器。疊層薄膜電容器包括電容器元件，其具有方形形狀(長方體或立方體形狀)，使得疊層薄膜電容器可以表面安裝。因此，由于近年來電氣裝置的尺寸顯著減小，而疊層薄膜電容器可以滿足較小薄膜電容器及其高密度安裝的需求，疊層薄膜電容器的需求日益增加。疊層薄膜電容器通常通過以下方法制造。具體地，首先，形成長的電容器底座，其包括多個電介質(zhì)層，這些電介質(zhì)層各自包括由聚丙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯形成的絕緣樹脂薄膜，以及作為內(nèi)部電極薄膜的多個蒸氣沉積金屬薄膜層，其中，多個蒸氣沉積金屬薄膜層彼此疊置以便交替地布置。其次，一對外部電極通過在垂直于長的電容器底座的縱向的方向上彼此相對的側(cè)表面上進行噴射過程形成。隨后，長的電容器底座在縱向上被切割成許多區(qū)段，以獲得多個電容器元件。接著，端子或類似物被附接到多個電容器元件的每個外部電極，并且多個電容器元件的每個被容納和密封在預(yù)定容器內(nèi)。因此，得到多個所要的薄膜電容器。由于多個電容器元件一次性從電容器底座切割而成，并且用來制造薄膜電容器， 如上所述得到的薄膜電容器可以有效地制造。但是，如果從電容器底座切割的電容器元件的切割表面被暴露，在電容器元件被容納在容器之前，外界物質(zhì)會附著到切割表面上。這會造成傳導(dǎo)缺陷。考慮到以上內(nèi)容，如JP-A-200H97945披露那樣，例如樹脂保護薄膜形成在從電容器底座切割的電容器元件的切割表面上，即電容器元件的沒有形成外部電極的相對側(cè)表面。通過樹脂保護薄膜的形成，可以防止外界物質(zhì)附著到形成有外部電極的表面以外的側(cè)表面。此外，也能夠有效防止由外界物質(zhì)引起的傳導(dǎo)缺陷。在JP-A-200H97945披露的薄膜電容器中，樹脂保護薄膜通過真空沉積形成在電容器元件上。因此，不同于通過在空氣中滴落或類似方法形成樹脂保護薄膜的情況，即使在樹脂保護薄膜的沉積操作過程中，也可以有效地防止外界物質(zhì)附著到電容器元件的形成有外部電極的表面之外的側(cè)表面上。但是，傳統(tǒng)薄膜電容器本身包括以下問題。通常，如公知那樣，由于難以蒸發(fā)聚合物材料，不容易通過真空沉積形成聚合物薄膜。因此，在通過沉積形成樹脂保護薄膜的傳統(tǒng)薄膜電容器中，樹脂保護薄膜由具有相對低的分子重量的薄膜形成。因此，難以確保樹脂保護薄膜的足夠的耐用性。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到以上描述的情況作出本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的在于提供一種可以通過在電容器元件的形成有外部電極的側(cè)表面之外的側(cè)表面上包含耐用性出色的樹脂保護薄膜來穩(wěn)定地確保所需性能的疊層薄膜電容器。本發(fā)明的另一目的在于提供一種有利地制造疊層薄膜電容器的方法。為了實現(xiàn)所述目的，或者為了解決說明書和附圖的描述中理解的問題，本發(fā)明可以優(yōu)選地根據(jù)下面描述的多個方面來實施。下面描述的每個方面可以任意組合的形式實施。應(yīng)該理解到本發(fā)明的方面和技術(shù)特征不局限于以下描述的內(nèi)容，并且可以根據(jù)整個說明書和附圖披露的創(chuàng)造性理念來認識。(1) 一種疊層薄膜電容器，包括電容器元件，電容器元件具有多個電介質(zhì)層和多個蒸氣沉積金屬薄膜層，每個電介質(zhì)層和每個蒸氣沉積金屬薄膜層彼此疊置，以便交替配置；設(shè)置在電容器元件的相對側(cè)表面上的一對外部電極；以及設(shè)置在形成有該成對外部電極的側(cè)表面之外的至少一個側(cè)表面上的至少一個樹脂保護薄膜，其中所述至少一個樹脂保護薄膜通過沉積聚合來提供。(2)根據(jù)第(1)項所述的疊層薄膜電容器，其中多個電介質(zhì)層包括至少一個樹脂薄膜和由與至少一個樹脂保護薄膜相同的材料制成的至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜。(3)根據(jù)第( 項所述的疊層薄膜電容器，其中至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜定位在至少一個樹脂薄膜和多個蒸氣沉積金屬薄膜層之一的至少一個上。(4)根據(jù)第( 項所述的疊層薄膜電容器，其中電容器元件包括只有至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜定位在多個蒸氣沉積金屬薄膜層之間的區(qū)段。(5)根據(jù)第(4)項所述的疊層薄膜電容器，其中定位在多個蒸氣沉積金屬薄膜層之間的至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜具有0. 01-30 μ m的厚度。(6)根據(jù)第( 項所述的疊層薄膜電容器，其中多個電介質(zhì)層的至少一個包括合成電介質(zhì)層，合成電介質(zhì)層包括至少一個樹脂薄膜和定位在至少一個樹脂薄膜的至少一個表面上的至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜。(7)根據(jù)第(6)項所述的疊層薄膜電容器，其中包含在合成電介質(zhì)層內(nèi)的至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜具有0. 001-10 μ m的厚度。(8)根據(jù)第(1)-(7)中任一項所述的疊層薄膜電容器，其中至少一個樹脂保護薄
膜具有三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)。(9)根據(jù)第(1)-(8)任一項所述的疊層薄膜電容器，其中至少一個樹脂保護薄膜由聚脲樹脂薄膜形成。(10)根據(jù)第0)-(9)中任一項所述的疊層薄膜電容器，其中至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜由聚脲樹脂薄膜形成。(11)根據(jù)第0)-(10)中任一項所述的疊層薄膜電容器，其中形成有該成對外部電極的側(cè)表面之外的至少一個側(cè)表面被等離子處理。(12)根據(jù)第(2)-(11)中任一項所述的疊層薄膜電容器，其中包含在多個電介質(zhì)層內(nèi)的至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜的介電常數(shù)高于至少一個樹脂薄膜的介電常數(shù)。
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(13)根據(jù)第0)-(1 中任一項所述的疊層薄膜電容器，其中電容器元件具有至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜和多個蒸氣沉積金屬薄膜層彼此疊置以便交替配置在至少一個樹脂薄膜上的結(jié)構(gòu)。(14) 一種制造疊層薄膜電容器的方法，包括如下步驟(a)提供包括多個電介質(zhì)層和多個蒸氣沉積金屬薄膜層的電容器元件，每個電介質(zhì)層和每個蒸氣沉積金屬薄膜層彼此疊置以便交替配置；(b)在電容器元件的相對側(cè)表面上形成一對外部電極；以及(c)通過沉積聚合在電容器元件的形成有該成對外部電極的側(cè)表面之外的至少一個側(cè)表面上形成至少一個樹脂保護薄膜。本發(fā)明的疊層薄膜電容器包括使用多種原材料單體通過真空沉積聚合來形成的樹脂保護薄膜。因此，通過真空沉積聚合形成的樹脂保護薄膜包括聚合物薄膜，聚合物薄膜具有比使用預(yù)定樹脂材料真空沉積形成的薄膜高的分子量。因此，樹脂保護薄膜可具有改善的耐用性。在本發(fā)明的疊層薄膜電容器中，具有出色耐用性的樹脂保護薄膜固定形成在電容器元件的形成有外部電極的側(cè)表面之外的側(cè)表面上。因此，可以穩(wěn)定地長時間確保所需質(zhì)量和性能。另外，根據(jù)本發(fā)明的制造疊層薄膜電容器的方法，由于具有出色耐用性的樹脂保護薄膜固定形成在電容器元件的形成有外部電極的側(cè)表面之外的側(cè)表面上，可以有利地制造可以穩(wěn)定地確保所需質(zhì)量和性能的薄膜電容器。


在結(jié)合附圖考慮的情況下，本發(fā)明的所述和其他目的、特征、優(yōu)點和技術(shù)和工業(yè)上的意義將通過閱讀本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的以下詳細描述來更好理解，附圖中圖1是具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的疊層薄膜電容器的一個實施方式的透視圖；圖2是沿著圖1的線II-II截取的截面圖；圖3是沿著圖2的線III-III截取的截面圖；圖4是用于在圖1所示的電容器元件上形成樹脂保護薄膜的沉積系統(tǒng)的視圖；圖5是表示多個電容器元件容納和設(shè)置在圖4所示的沉積系統(tǒng)的容納夾具中的狀態(tài)的視圖；圖6是表示具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的薄膜電容器的另一實施方式的局部放大截面圖；圖7是表示具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的薄膜電容器的又一實施方式的局部放大截面圖；圖8是表示具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的薄膜電容器的再一實施方式的局部放大截面圖；圖9是表示具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的薄膜電容器的另一實施方式的局部放大截面圖；以及圖10是表示具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的薄膜電容器的又一實施方式的局部放大截面圖。
具體實施例方式為了進一步說明本發(fā)明，參考附圖，在本發(fā)明的詳細實施方式中進行描述。首先，圖1-3以透視圖和軸向截面圖表示本發(fā)明的疊層薄膜電容器的實施方式。 從附圖中可以看到，本發(fā)明實施方式的疊層薄膜電容器(此后簡單稱為薄膜電容器)10包
5括電容器元件12。電容器元件12包括作為底座的樹脂薄膜14、多個第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a (此處有六個)和多個第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a (此處有六個)。第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a交替形成在樹脂薄膜14上。這里，電容器元件12的樹脂薄膜14由拉伸薄膜形成，拉伸薄膜由聚丙烯制成并具有大約l-ΙΟμπι的厚度。但是，樹脂薄膜14的材料不特別局限于聚丙烯。代替聚丙烯，可以適當(dāng)?shù)夭捎糜米鱾鹘y(tǒng)薄膜電容器的樹脂薄膜的材料的例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯和類似物的樹脂材料。這種樹脂薄膜14上的每個第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a用作薄膜電容器10內(nèi)的內(nèi)部電極薄膜，并且由通過在真空中進行的傳統(tǒng)公知沉積方法形成的金屬薄膜形成。根據(jù)例如樹脂薄膜14的材料或薄膜電容器10的所需性能，第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a的材料適當(dāng)?shù)剡x自例如鋁和鋅的金屬材料，這些材料用來形成傳統(tǒng)薄膜電容器的內(nèi)部電極薄膜。第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a可以通過與PVD和CVD —樣屬于相同類別的任何傳統(tǒng)公知的真空沉積方法形成。蒸氣沉積金屬薄膜層16a的膜電阻設(shè)置在大約1-50 Ω/cm2，并且其厚度根據(jù)例如膜電阻適當(dāng)確定。每個第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a用作薄膜電容器10中的電介質(zhì)層。這里，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a由通過傳統(tǒng)真空沉積聚合形成的聚脲樹脂薄膜構(gòu)成。特別地，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a通過沉積聚合形成，沉積聚合通過使用聚合物形成薄膜，該聚合物通過使得以氣態(tài)供應(yīng)的原材料(單體)聚合產(chǎn)生。因此，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a由具有比通過沉積形成的蒸氣沉積薄膜足夠高的分子量的聚合物薄膜構(gòu)成，在沉積過程中包括預(yù)定樹脂材料的原材料在真空中蒸發(fā)。另外，不同于蒸氣沉積薄膜，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a可以充分固化，而沒有例如熱處理或UV處理的后處理。另外，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的厚度可以控制在納米等級上，這形成極為更小和均勻厚度的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a，并且充分減少薄膜中的雜質(zhì)。雖然第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的厚度不特別受到限制，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a總體上具有大約0. 01-30 μ m的厚度。如果第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的厚度小于0. 01 μ m，第一蒸氣沉積聚合物薄膜會太薄，從而不能確保充分的耐壓性能。另一方面， 如果第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的厚度超過30 μ m，第一蒸氣沉積聚合物薄膜會太厚， 并且薄膜電容器的尺寸會變得過大。更優(yōu)選的是，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a具有大約 0. 01-10 μ m 的厚度。第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a不特別局限于示例性的聚脲樹脂薄膜?？梢圆捎每梢酝ㄟ^沉積聚合形成薄膜的任何公知樹脂薄膜。樹脂薄膜的例子包括聚酰胺樹脂薄膜、聚酰亞胺樹脂薄膜、聚酰胺酰亞胺樹脂薄膜、聚酯樹脂薄膜、聚甲亞胺樹脂薄膜、聚氨脂樹脂薄膜和丙烯酸樹脂薄膜。在所述列舉的樹脂薄膜中，優(yōu)選地采用具有比樹脂薄膜14高的介電常數(shù)的樹脂薄膜。由于第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a通過使用這種樹脂薄膜形成，薄膜電容器10的電容可以有效地增加。具有不同的介電常數(shù)的樹脂薄膜14的樹脂材料和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的樹脂材料不局限于所述聚丙烯和聚脲的組合。在所述具有高介電常數(shù)的樹脂薄膜中，聚脲樹脂薄膜有利地用來形成第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a。這是由于聚脲樹脂在原材料單體(二異氰酸鹽和二胺)的聚合過程中不需要熱處理，并且在完全沒有消除水、乙醇和類似物的附加聚合反應(yīng)中形成。因此，不需要用于原材料單體的聚合中的熱處理的設(shè)備(設(shè)施)，并且可以減小成本。另外，可以有效地避免熱處理過程中的熱量造成的樹脂薄膜14的變形。另外，不需要從在其中進行聚合反應(yīng)的真空室去除水、乙醇和類似物，水、乙醇和類似物通過聚合反應(yīng)消除。因此，不需要用于上述去除的設(shè)備，并且可以減小成本。另外，聚脲樹脂薄膜具有極好的抗?jié)裥?，由此穩(wěn)固地保持第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的高耐壓性。在此實施方式中，在多個第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的每個的表面(例如與樹脂薄膜14側(cè)相對的表面)上進行等離子處理，以便將三維交聯(lián)(網(wǎng)絡(luò))結(jié)構(gòu)引入第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a。通過這種等離子處理，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的耐壓性和耐熱性得到有利的改善。另外，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的表面被活化，由此改善第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a與第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a的粘附?？梢圆捎糜糜诘谝徽魵獬练e聚合物薄膜18a的表面的等離子處理的任何公知工藝。例如可以采用通過使用激光產(chǎn)生的等離子被輻射到第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的表面上的工藝。除了等離子處理之外，作為將三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)引入第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a 的方法，可以適當(dāng)?shù)貙Φ谝徽魵獬练e聚合物薄膜18a采用UV處理、熱處理和其他處理。UV 處理、熱處理和其他處理可通過使用布置在用于制造例如電容器元件的所述設(shè)備的真空室內(nèi)的UV輻射器或加熱器來進行。從圖2和圖3中清楚的是，電容器元件12總體上具有水平的長的長方體形狀，并且包括上端表面20a和下端表面20b、第一側(cè)表面2 和第二側(cè)表面22b以及第三側(cè)表面 22c和第四側(cè)表面22d。上端表面20a和下端表面20b在作為第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a 和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a疊置方向(圖2和圖3的豎直方向)的高度方向上彼此相對。第一側(cè)表面2 和第二側(cè)表面22b在縱向(圖2的縱向)上彼此相對，并且第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d在寬度方向(圖3的水平方向)上彼此相對。下端表面20b由樹脂薄膜14的下表面構(gòu)成，并且上端表面20b由定位在包括形成在樹脂薄膜14上的第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的疊置件的頂部上的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的上表面構(gòu)成。因此，樹脂薄膜14和頂部處的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a用作保護電容器元件12的上端和下端的保護層。在樹脂薄膜14的定位在電容器元件12的第一側(cè)表面2 —側(cè)的一個端部上，具有不形成第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a的邊界部分Ma。另外，在位于自樹脂薄膜14的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的第一、第三和第五第一蒸氣沉積聚合物薄膜的第二側(cè)表面 22b —側(cè)(與樹脂薄膜14的邊界部分Ma的形成部分相對的一側(cè))的端部上，分別形成邊界部分Mb、24d和Mf。另外，在第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的第二和第四第一蒸氣沉積聚合物薄膜的第一側(cè)表面2 —側(cè)(與樹脂薄膜14的邊界部分Ma的形成部分相同的一側(cè))的端部上，分別形成邊界部分2 和Me。如圖1和圖2所示，在位于電容器元件12的邊界部分Ma、Mc、2^ —側(cè)處的第一側(cè)表面2 上以及在位于邊界部分Mb、Md、24f —側(cè)處的第二側(cè)表面22b上，分別形成通過噴射工藝制備的第一外部電極26a和第二外部電極26b (此后稱為第一和第二外部電極)。每個外部電極26a、26b用作電容器元件12(薄膜電容器10)的外部電極。第一外部電極^a和第二外部電極^b的每個由成形為覆蓋第一側(cè)表面2 和第二側(cè)表面22b的整個表面并使用預(yù)定金屬材料通過傳統(tǒng)熱噴射形成的金屬覆蓋層構(gòu)成。
因此，在形成在樹脂薄膜14上的多個第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a中，第一、第三和第五第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a在與鄰近邊界部分Ma、Mc、2^的一側(cè)相對定位的端表面處接觸或粘附到形成在第二側(cè)表面22b上的第二外部電極26b的內(nèi)表面，使得在第一、 第三和第五第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第二外部電極26b之間存在傳導(dǎo)。另一方面， 第二、第四和第六第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a在與鄰近邊界部分Mb、Md、Mf的一側(cè)相對定位的端表面處接觸或粘附到形成在第一側(cè)表面2 上的第一外部電極^a的內(nèi)表面， 使得在第二、第四和第六第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第一外部電極^a之間存在傳導(dǎo)。 第一外部電極26a和第二外部電極26b之一制成正電極，并且另一個制成負電極。另外，雖然在附圖中未示出，在第一外部電極26a和第二外部電極26b上可以根據(jù)需要設(shè)置端子或類似物。用于形成第一外部電極26a和第二外部電極^b的材料不特別受到限制。第一外部電極26a和第二外部電極26b可以由不同金屬材料形成，但是優(yōu)選的是用于第一外部電極^^和第二外部電極26b的材料可以是與用于第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a的材料相同的種類，并且用于第一外部電極^^和第二外部電極26b的材料可以是相同的金屬材料。這有利地增強外部電極26a、26b和第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a之間的粘附。另外，這里，電容器元件12的電介質(zhì)層各自由通過具有功能基團(例如-OH基團或C = O基團)的樹脂薄膜形成的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a構(gòu)成。因此，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和外部電極^5a、26b之間的粘附根據(jù)氫鍵結(jié)合或范德瓦爾斯力來有效地改善。因此，可以有利地防止外部電極與電容器元件12分開。如圖1和圖3所示，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b分別形成在電容器元件12的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上，使其得到整體覆蓋。因此，可以防止外界物質(zhì)附著到電容器元件12的沒有形成第一外部電極26a和第二外部電極^^的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d。當(dāng)前實施方式的薄膜電容器10包括疊層電容器元件12，其中第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a形成在樹脂薄膜14上，使得第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a定位在相鄰的蒸氣沉積金屬薄膜層16a、16a之間。另外，在電容器元件12的彼此相對的側(cè)表面22a、22b上，形成第一外部電極26a和第二外部電極^b，并且在沒有形成第一外部電極26a和第二外部電極^b的側(cè)表面22c、22d上，分別形成第一樹脂保護薄膜 28a和第二樹脂保護薄膜^b。特別是，第一樹脂保護薄膜^a和第二樹脂保護薄膜28b的每個由聚脲樹脂薄膜形成，聚脲樹脂薄膜由通過傳統(tǒng)沉積聚合在真空中產(chǎn)生的聚合物形成。因此，類似于第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b分別由分子量比通過其中包括預(yù)定樹脂材料的原材料在真空中蒸發(fā)的沉積形成的蒸氣沉積薄膜足夠高的聚合物薄膜構(gòu)成。另外，不同于蒸氣沉積薄膜，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜 28b可以充分固化，而沒有例如熱處理和UV處理的后處理。另外，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b的厚度可以控制在納米級，使得第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a具有極小和均勻的厚度，并充分減少薄膜中的雜質(zhì)。通過沉積聚合形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b的厚度不特別受到限制。但是，第一樹脂保護薄膜^a和第二樹脂保護薄膜28b通常具有大約1-50 μ m的厚度。如果樹脂保護薄膜^a、28b的厚度小到少于1 μ m，會由于滲透到電容器元件12中的濕氣造成絕緣擊穿，或者由于不充分的機械強度而由隨后工藝中的處理造成擊穿。另一方面，如果第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的厚度大到多于50 μ m，生產(chǎn)率會下降，原材料成本會升高，或者薄膜電容器10的尺寸會增加。第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b不特別局限于示例性的聚脲樹脂薄膜。可以采用通過真空沉積聚合形成薄膜的任何公知樹脂薄膜。樹脂薄膜的例子包括聚酰胺樹脂薄膜、聚酰亞胺樹脂薄膜、聚酰胺酰亞胺樹脂薄膜、聚酯樹脂薄膜、聚甲亞胺樹脂薄膜、聚氨脂樹脂薄膜以及丙烯酸樹脂薄膜。第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜 28b可以通過不同類型的樹脂薄膜構(gòu)成。雖然第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b可由不同于形成電容器元件 12的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的材料的材料形成，優(yōu)選的是第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a由相同種類的材料形成。通過使用相同種類的材料，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b與第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a之間的粘附得到改善，由此有效地防止第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b與電容器元件12的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d分開。在當(dāng)前實施方式中，由于第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b通過與第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a相同的聚脲樹脂薄膜形成，不僅第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b與第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a之間的粘附得到改善，而且不需要用于原材料單體(二異氰酸鹽和二胺)聚合的熱處理的設(shè)備(設(shè)施)以及用于從真空室去除聚合反應(yīng)的過多產(chǎn)物的設(shè)備，由此降低成本。另外，由于不需要進行熱處理，樹脂薄膜14由于熱處理過程中的熱量導(dǎo)致的變形可以有效地得到避免。另外，在當(dāng)前實施方式中，在第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b的每個的表面上進行等離子處理，從而將三維交聯(lián)(網(wǎng)絡(luò))結(jié)構(gòu)引入第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b。通過這種處理，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b的耐壓性和耐熱性得到有利的改善。另外，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b 的每個的表面被活化，由此改善第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b與第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a的粘附。作為用于第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b的表面的等離子處理的具體工藝，可以采用任何公知的工藝。例如，類似于用于第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的表面的等離子處理，通過使用激光產(chǎn)生的等離子可以被輻射到第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b的表面上。除了等離子處理之外，作為將三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)引入第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b的方法，可以對第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b適當(dāng)?shù)夭捎肬V處理、熱處理、電子束和其他處理。當(dāng)前實施方式的具有所述結(jié)構(gòu)的薄膜電容器10例如根據(jù)以下的方法來制造。最初，具有細長形狀的樹脂薄膜14布置在真空室的內(nèi)側(cè)，并且真空室通過將其中的壓力降低到大約10-5-1001 的范圍來形成真空狀態(tài)。接著，根據(jù)傳統(tǒng)過程，輪流重復(fù)進行使用包括預(yù)定金屬材料的沉積材料的沉積操作和使用作為聚脲樹脂薄膜的原材料(單體) 的二異氰酸酯和二胺的沉積聚合。沉積操作在沉積聚合之前進行。另外，邊界部分Ma-Mf 形成在樹脂薄膜14和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a(除了位于頂部的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a之外)上。因此，得到包括樹脂薄膜14且具有細長形狀的電容器底座，并且在樹脂薄膜14上以所說明的順序交替形成第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a。 接著，例如，通過使用與第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a相同的金屬材料的熱噴射，將第一外部電極沈3和第二外部電極26b分別形成在電容器底座的相對側(cè)表面上，即第一側(cè)表面22a 和第二側(cè)表面22b上。接著，具有細長形狀并設(shè)置第一外部電極26a和第二外部電極^b的電容器底座在其縱向(垂直于第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d的相對方向以及第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的疊置方向的方向)上被切割成多個區(qū)段。因此制成多個電容器元件12，其中第一外部電極26a和第二外部電極26b分別形成在第一側(cè)表面2 和第二側(cè)表面22b上，并且電容器底座的切割表面被設(shè)置成分別鄰近第一側(cè)表面2 和第二側(cè)表面22b的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d。隨后，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b形成在如上所述得到的電容器元件12的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上。第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b通過使用具有例如圖4所述的結(jié)構(gòu)的沉積系統(tǒng)30來形成。如圖4所述，沉積系統(tǒng)30包括真空室32。真空室32內(nèi)的壓力被恒定地控制到大約10_5-100Pa，此壓力與第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a形成過程中真空室內(nèi)的壓力大致相同。真空室32總體上具有圓形形狀，并且包括具有圓形板形狀的頂板34。接著，在圖4中頂板；34兩邊的左側(cè)和右側(cè)，設(shè)置左窗口 36和右窗口 37，以便穿過頂板34。此后，圖4的水平方向和圖4的豎直方向被分別簡單地稱為水平方向和豎直方向。在真空室32內(nèi)，具有圓形形狀的轉(zhuǎn)動臺38以可轉(zhuǎn)動的方式圍繞在真空室32的中央部分處在豎直方向上延伸的轉(zhuǎn)動軸40布置。轉(zhuǎn)動軸40被連接到例如電動馬達的轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置42。轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置42可被向前和向后轉(zhuǎn)動地驅(qū)動。因此，隨著轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置42在真空室32內(nèi)向前或向后轉(zhuǎn)動驅(qū)動，轉(zhuǎn)動臺38圍繞轉(zhuǎn)動軸40向前或向后轉(zhuǎn)動。轉(zhuǎn)動臺38包括通孔44。雖然在圖4中未示出，通孔44在轉(zhuǎn)動臺的周向上延伸超過周邊長度的一半。通孔44周向上的每個端部分別對應(yīng)于頂板34的左窗口 36和右窗口 37。另外，在真空室32內(nèi)的轉(zhuǎn)動臺38上方對應(yīng)于左窗口 36和右窗口 37的位置處，以可動方式在豎直方向上設(shè)置支承臺46a、46b。支承臺46a、46b可以通過設(shè)置有桿47a、47b 的提升器48a、48b上下運動，桿47a、47b在豎直方向上延伸穿過轉(zhuǎn)動臺38的通孔44的周向上的端部。在每個支承臺46a、46b的上表面的中間區(qū)域設(shè)置凹口。凹口的底部內(nèi)表面稱為平支承表面50a、50b。支承臺46a、46b各自通過提升器48a、48b向上運動，以便在其上部外周邊部分處接觸左窗口 36和右窗口 37的下部開口的周邊。因此，左窗口 36和右窗口 37的每個的下部開口被閉合。另外，如圖4的雙點劃線所示，支承臺46a、46b通過提升器48a、48b 向下運動，以便在其下部外周邊部分處接合通孔44的上部開口的周邊。因此，支承臺46a、 46b通過轉(zhuǎn)動臺38保持。如上所述，左窗口 36和右窗口 37的每個的下部開口通過提升器48a、48b使得支承臺46a、46b向上或向下運動來閉合或打開。另外，每次在提升器48a、48b向下運動之后，轉(zhuǎn)動臺38在向前或向后方向上轉(zhuǎn)動半圈，并且每個支承臺46a、46b通過轉(zhuǎn)動臺38保持，例如每個支承臺46a、46b的位置從對應(yīng)于左窗口 36的位置交替改變成對應(yīng)于右窗口 37的位置。另外，在真空室32的頂板34的上方，固定具有大致拱形形狀的蓋52，從而覆蓋右窗口 37。通過蓋52限定的內(nèi)部空間被稱為沉積室M。在右窗口 37的下部開口通過支承臺46a、46b中定位在右側(cè)的那個閉合時，沉積室M與真空室32斷開，并且沉積室M的內(nèi)部被氣密密封。蓋52設(shè)置有兩個單體罐56a、56b。在兩個單體罐56a、56b中，分開地容納作為聚脲樹脂薄膜的原材料單體的預(yù)定量的二異氰酸酯和二胺。容納在兩個單體罐56a、56b的每個內(nèi)的二異氰酸酯和二胺通過未示出的加熱裝置加熱來蒸發(fā)。因此，在氣密密封的沉積室M中，進行真空沉積聚合，以便形成由聚脲樹脂薄膜形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b。在沉積室M中，布置用于擴散和混合通過真空沉積聚合蒸發(fā)的二異氰酸酯和二胺的擴散器面板58以及用來進行預(yù)定等離子處理的等離子電極60。在頂板34上，布置傳送機械62。傳送機械62包括在頂板34的左端處在豎直方向上延伸的轉(zhuǎn)動軸64、從轉(zhuǎn)動軸64在水平方向上延伸的保持桿66、分別在豎直方向上以可動方式附接到保持桿66的水平端部的提升桿68a、68b以及分別固定到提升桿68a、68b的端部的夾具卡盤(夾持裝置)70a、70b。夾具卡盤70a、70b被配置成使其之一定位在布置在真空室32外部的轉(zhuǎn)換臺72上，并且另一個定位在真空室32的頂板34的左窗口 36上。轉(zhuǎn)動軸64被連接到未示出的例如電動馬達的轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置，并且保持桿66圍繞轉(zhuǎn)動軸64通過轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置的操作來轉(zhuǎn)動。因此，每次保持桿66圍繞轉(zhuǎn)動軸64轉(zhuǎn)動半圈時，每個夾具卡盤70a、70b的位置從轉(zhuǎn)換臺72上的位置輪流改變成頂板34的左窗口 36上的位置。另外，提升桿68a、68b在其頂部連接到未示出的提升機械。通過提升機械的操作， 固定在提升桿68a、68b的下端處的夾具卡盤70a、70b向上或向下運動。另外，每個夾具卡盤70a、70b包括例如電磁體的保持設(shè)備(未示出)。作為保持設(shè)備的電磁體使得內(nèi)側(cè)容納有電容器元件12并由磁性材料構(gòu)成的殼體夾具74能夠通過其吸附作用來保持，并通過中斷到電磁體的電流供應(yīng)，消除夾具卡盤70a、70b對殼體夾具74的保持。因此，如圖4所示，傳送機械62配置成通過在殼體夾具74由夾具卡盤70a(70b) 保持的同時使得保持桿66轉(zhuǎn)動半圈，將通過夾具卡盤70a(70b)保持的殼體夾具74從轉(zhuǎn)換臺72的頂表面?zhèn)魉偷街С信_46a (46b)的支承表面50a (50b)，這使得真空室32的左窗口 36的下部開口閉合或反之亦然。另外，在通過夾具卡盤70a(70b)保持的殼體夾具74被傳送到支承臺46a (46b)的支承表面50a (50b)上時，真空室32的左窗36的上部開口同樣通過夾具卡盤70a(70b)覆蓋，以便氣密密封左窗口 36的內(nèi)部空間。左窗口 36的氣密密封的空間提供了載荷鎖定室76。載荷鎖定室76內(nèi)的壓力通過未示出的真空泵與真空室32分開地降低，使得載荷鎖定室76處于希望的真空狀態(tài)。通過這種配置，殼體夾具74可以有效和快速地傳送到沉積室M內(nèi)或轉(zhuǎn)換臺72的頂表面上，而不阻斷真空室32的真空狀態(tài)。在第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b通過使用具有上述結(jié)構(gòu)的沉積系統(tǒng)30形成在電容器元件12的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上時，最初如圖4和圖5所示，多個電容器元件12 (這里有二十八個)容納在具有矩形箱體形狀且向上開口的殼體夾具74的凹口 75內(nèi)。此時，所有電容器元件12配置在凹口 75內(nèi)，使得第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d之一(這里為第三側(cè)表面22c)經(jīng)由開口暴露于外側(cè)。應(yīng)該理解到電容器元件12的第三側(cè)表面22c以及第一外部電極26a和第二外部電極26b在圖5中通過陰影表示以便區(qū)分。接著，如圖4所示，在容納電容器元件12的殼體夾具74被傳送到轉(zhuǎn)換臺72上之后，沉積系統(tǒng)30的傳送機械62的提升桿68a向下運動，由此通過夾具卡盤70a保持殼體夾具74。同時，沉積系統(tǒng)30內(nèi)的支承臺46a、46b向上運動從而閉合頂板34的左窗口 36和右窗口 37的下部開口，并且通過將真空室32內(nèi)的壓力例如降低到大約10_5-100Pa，使得真空室32的內(nèi)部空間處于真空狀態(tài)。接著，提升桿68a向上運動，并使傳送機械62的轉(zhuǎn)動軸64轉(zhuǎn)動半圈。隨后，提升桿68a向下運動，使得通過夾具卡盤70a保持的殼體夾具74被傳送到支承臺46a上，從而閉合待由支承臺46保持的真空室32的左窗口 36的下部開口。此時，左窗口 36的上部開口通過夾具卡盤70a閉合，使得左窗口 36的內(nèi)部提供載荷鎖定室76。另外，固定在提升桿 68b的下端的夾具卡盤70b而不是夾具卡盤70a布置在轉(zhuǎn)換臺72上。接著，通過將載荷鎖定室76內(nèi)的壓力降低到大致與真空室32內(nèi)的壓力相同，使得載荷鎖定室76的內(nèi)部空間處于真空狀態(tài)。同時，容納電容器元件12的另一殼體夾具74被傳送到轉(zhuǎn)換臺72上，并且殼體夾具74通過布置在轉(zhuǎn)換臺72上的夾具卡盤70b保持。在取消了夾具卡盤70a對殼體夾具74的保持之后，兩個支承臺46a、46b向下運動，并且轉(zhuǎn)動臺38在一個方向上(例如順時針方向)轉(zhuǎn)動半圈。因此，支承臺46a定位在右窗口 37的下方，并且支承臺46b定位在左窗口 36的下方。在轉(zhuǎn)動臺38轉(zhuǎn)動過程中，雖然載荷鎖定室76通向真空室32，但由于左窗口 36的上部開口通過夾具卡盤70a閉合，真空室32的內(nèi)部空間保持在減小壓力下。接著，支承臺46a向上運動，以便閉合右窗口 37的下部開口，由此氣密密封沉積室 M。因此，通過支承臺46a支承的殼體夾具74容納在沉積室M中，并且容納在殼體夾具74 內(nèi)的電容器元件12的第三側(cè)表面22c暴露于沉積室M的內(nèi)部空間。另外，另一支承臺46b 向上運動以便閉合左窗口 36的下部開口。接著，電流被施加到等離子電極60，以便在沉積室M形成等離子。因此，在容納在殼體夾具74內(nèi)的多個電容器元件12的每個的第三側(cè)表面22c上進行等離子輻射。因此， 在每個第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的在第三側(cè)表面22c處暴露的端表面上進行等離子處理，以便活化端表面，由此改善端表面(即第三側(cè)表面22c)和第一樹脂保護薄膜28a之間的粘附。另外，三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)被引入每個第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的端表面，從而改善耐壓性和耐熱性。隨后，兩個單體罐56a、56b內(nèi)含有的二異氰酸酯和二胺通過未示出的加熱設(shè)備加熱，并且蒸發(fā)，而蒸發(fā)的二異氰酸酯和二胺被引入沉積室。接著，被蒸發(fā)的二異氰酸酯和二胺沉積在電容器元件12的第三側(cè)表面22c上，并在其上聚合。因此，蒸氣沉積聚合過程在真空室M內(nèi)進行。因此，由聚脲樹脂薄膜形成的第一樹脂保護薄膜28a形成在電容器元件 12的第三側(cè)表面22c上。換言之，第一樹脂保護薄膜^a的沉積操作在第三側(cè)表面22c上進行。在引入時，被蒸發(fā)的二異氰酸酯和二胺在沉積室M內(nèi)與擴散器面板58碰撞，由此擴散和混合。在第三側(cè)表面22c上形成第一樹脂保護薄膜28a之后，電流被施加到等離子電極， 以便在沉積室M內(nèi)形成等離子，并且等離子被輻射在第一樹脂保護薄膜28a上。通過等離子輻射，在第一樹脂保護薄膜28a上進行等離子處理，以便將三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)引入第一樹脂保護薄膜^a。在第一樹脂保護薄膜^a的沉積操作過程中，沒有保持殼體夾具74的夾具卡盤 70a被傳送到轉(zhuǎn)換臺72，并且通過另一夾具卡盤70b保持且其中容納電容器元件12的殼體夾具74被傳送到支承臺46b的支承表面50b，從而閉合左窗口 36的下部開口。在其中布置有殼體夾具74的載荷鎖定室76再次形成之后，載荷鎖定室76內(nèi)的壓力降低到大致與真空室32內(nèi)的壓力相同的壓力。所述操作通過由所述沉積聚合所進行的沉積操作的結(jié)束來完成。即，第一樹脂保護薄膜觀在殼體夾具74內(nèi)容納的每個電容器元件12的第三側(cè)表面 22c上的沉積操作以及將殼體夾具74內(nèi)容納的電容器元件12布置在載荷鎖定室76中的操作(即準備下一個沉積操作)同時進行。接著，在第一樹脂保護薄膜^a的沉積操作之后，通過閉合左窗口 36的下部開口的支承臺46b支承的殼體夾具74從夾具卡盤70b釋放。隨后，兩個支承臺46a和46b向下運動，并且轉(zhuǎn)動臺38在相反方向上轉(zhuǎn)動半圈。因此，支承容納第三側(cè)表面22c上形成有第一樹脂保護薄膜^a的電容器元件12的殼體夾具74的支承臺46a再次定位在左窗口 36 的下方，并且支承容納將進行沉積操作的電容器元件12的殼體夾具74的支承臺46b再次定位在右窗口 37的下方。接著，支承臺46b向上運動，使得通過支承臺46b支承的殼體夾具74內(nèi)的電容器元件12容納在沉積室M內(nèi)。隨后，如上所述，第一樹脂保護薄膜28a通過沉積聚合的沉積操作在電容器元件12的第三側(cè)表面22c上進行。同時，如同支承臺46b，支承臺46a也向上運動，通過支承臺46a閉合左窗口 36的下部開口，由此提供載荷鎖定室76，其中通過支承臺46a支承的殼體夾具74布置在載荷鎖定室76中。接著，在其中電容器元件12上具有第一樹脂保護薄膜28a的殼體夾具74通過夾具卡盤70b保持并且載荷鎖定室76的內(nèi)側(cè)返回到空氣壓力之后，傳送機械62的保持桿 66轉(zhuǎn)動半圈。因此，通過夾具卡盤70b保持的殼體夾具74布置在轉(zhuǎn)換臺72上。接著，第一樹脂保護薄膜28a形成在第三側(cè)表面22c上的電容器元件12從殼體夾具74的凹口 75取出，殼體夾具74從夾具卡盤70b釋放。從支承臺46a的向上運動到通過夾具卡盤70b保持的殼體夾具74的改變的一系列操作與從支承臺46b的向上運動到所述沉積操作的結(jié)束的一系列操作同時進行。隨后，其中第一樹脂保護薄膜28a形成在第三側(cè)表面22c上的電容器元件12再次容納在殼體夾具74的凹口 75內(nèi)，使得第四側(cè)表面22d經(jīng)由殼體夾具74的凹口 75的開口暴露于外側(cè)。接著，在殼體夾具74被傳送到轉(zhuǎn)換臺72上之后，進行所述傳送操作和沉積操作，以便在每個電容器元件12的第四側(cè)表面22d上形成第二樹脂保護薄膜^b。因此，一次得到多個所需薄膜電容器10。接著，根據(jù)需要，端子被附接到薄膜電容器10的每個外部電極^5aJ6b，并且接著每個薄膜電容器10在預(yù)定箱體內(nèi)密封。如上所述，在當(dāng)前實施方式的薄膜電容器10中，通過在真空中沉積聚合形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b分別形成在作為具有細長形狀的電容器底座的切割表面的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上。因此，不僅在第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b形成之后，而且在其形成過程中，可以有效地防止外界物質(zhì)附著到?jīng)]有形成第一外部電極26a和第二外部電極^b的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d。因此，可以有利地防止由于外界物質(zhì)造成傳導(dǎo)缺陷。另外，在薄膜電容器10中，由于第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b 通過沉積聚合形成，每個第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b的分子量比例如真空沉積形成的蒸氣沉積薄膜高。因此，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b 的耐用性有利地得到改善。因此，在當(dāng)前實施方式的薄膜電容器10中，可以在較長時間上穩(wěn)定確保沒有傳導(dǎo)缺陷的出色質(zhì)量。在薄膜電容器10中，在每個第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b的表面上進行等離子處理，以便將三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)引入第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b，由此改善第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b的耐熱性和耐用性。因此，薄膜電容器10的質(zhì)量的穩(wěn)定性可以得到更有利的改善。另外，在當(dāng)前實施方式中，在第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的在第三側(cè)表面22c 和第四側(cè)表面22d處暴露的端表面上進行等離子處理，由此改善第一蒸氣沉積聚合物薄膜 18a與第一樹脂保護薄膜^a和第二樹脂保護薄膜28b的粘附。因此，可有利地防止第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b與第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的端表面以及第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d分開，由此進一步改善薄膜電容器10的耐用性。在當(dāng)前實施方式的薄膜電容器10中，由于第一樹脂保護薄膜觀3和第二樹脂保護薄膜28b各自通過沉積聚合形成，不同于第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b 分別由真空沉積形成的情況，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b可以可靠地固化，而沒有例如熱處理、UV輻射處理和類似處理的額外工藝。因此，在第一樹脂保護薄膜 28a和第二樹脂保護薄膜28b的形成中，最后在薄膜電容器10的制造中，不需要例如加熱設(shè)備和UV輻射設(shè)備的額外設(shè)備。因此，薄膜電容器10可以足夠低的成本制造，并且具有出色的生產(chǎn)率。另外在當(dāng)前實施方式的薄膜電容器10中，第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a形成在樹脂薄膜14上，使得每個厚度比樹脂薄膜14充分小的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a定位在相鄰的第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a、16a之間。通過這種配置，不同于包括交替形成的樹脂薄膜和蒸氣沉積金屬薄膜層的薄膜電容器，薄膜電容器 10可以制成更小，并且其電容量可以有效地增加，而不使得樹脂薄膜14的厚度極度更小， 并且不用減少樹脂薄膜14的材料中的雜質(zhì)。通過制造所述的薄膜電容器10的方法，由于使用所述的沉積系統(tǒng)30，可以一次性地得到多個所需薄膜電容器10，并且第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜^b的沉積操作還可以與沉積操作的準備同時進行。另外，第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b的沉積操作可以與進行沉積的電容器元件12的傳送操作同時進行。因此，所需薄膜電容器10的制造循環(huán)可以有效地縮短。在本發(fā)明中，只要電容器元件包括各自交替形成的電介質(zhì)層和蒸氣沉積金屬薄膜層，層壓結(jié)構(gòu)不特別受到限制。構(gòu)成本發(fā)明的薄膜電容器的電容器元件可具有例如圖6-圖10所示的層壓結(jié)構(gòu)。對于隨后描述的薄膜電容器中所包括的電容器元件，圖1-圖3所使用的相同附圖標記用于具有與構(gòu)成第一實施方式的薄膜電容器10的電容器元件12的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的構(gòu)件和部分，并且其詳細說明被省略。最初，圖6所示的薄膜電容器78中所包含的電容器元件79包括以此說明的順序各自交替形成在樹脂薄膜的一個表面上的第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a。在樹脂薄膜14的另一表面上，形成第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b。另外， 在第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b的定位在與樹脂薄膜14相對的一側(cè)的表面上形成第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b。第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b通過使用與第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a相同的金屬材料的真空沉積形成。另外，類似于第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a，第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b包括通過如上所述的真空沉積聚合形成的樹脂薄膜。第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b的材料或厚度可以與第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a或第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的材料或厚度相同，或者也可以不同。這同樣適用于圖7-圖10所示的薄膜電容器80、83、86、89所包含的第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a 和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b或者第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b，這將在下面描述。雖然在附圖中未示出，第一外部電極26a和第二外部電極26b形成在彼此相對的第一側(cè)表面2 和第二側(cè)表面22b上，并且通過沉積聚合形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b分別形成在作為具有細長形狀的電容器底座的切割表面的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上，由此構(gòu)成薄膜電容器78。另外，樹脂薄膜14和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的每個具有所述的邊界部分M。雖然在圖7-圖10所示的薄膜電容器80、 83、86、89的以下說明中沒有描述，在這些薄膜電容器80、83、86、89中，第一外部電極沈3和第二外部電極26b形成在第一側(cè)表面2 和第二側(cè)表面22b上，通過沉積聚合形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b分別形成在第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d 上，并且另外樹脂薄膜14和第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的每個具有邊界部分M。在包括具有所述結(jié)構(gòu)的電容器元件79的薄膜電容器78中，作為底座的樹脂薄膜 14用作類似于定位在兩個第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a、16a之間的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的電介質(zhì)層。因此，除了通過由沉積聚合在未示出的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b得到的優(yōu)點之外，其電容量可以有效地得到增加。圖7所示的薄膜電容器80中所包含的電容器元件81包括位于樹脂薄膜14的一個表面上的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和位于其另一表面上的第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b。即這里，電容器元件81的底座通過合成電介質(zhì)層82構(gòu)成，其中第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b形成在樹脂薄膜14的每個表面上。樹脂薄膜 14的表面光潔度可以通過第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b在樹脂薄膜14的每個表面上的形成來有利地改善。接著，在合成電介質(zhì)層82的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的不是樹脂薄膜14 一側(cè)的表面上，形成第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和另一第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a，以便以該說明的順序交替配置。另外，在合成電介質(zhì)層82的第二蒸氣沉積樹脂薄膜18b的不是樹脂薄膜14 一側(cè)的表面上形成第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b和另一第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b，以便以該說明的順序配置。合成電介質(zhì)層82中所包含的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b通過與形成在合成電介質(zhì)層82的每個側(cè)表面上的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a 和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b相同的樹脂薄膜形成，其中形成在合成電介質(zhì)層82的每個側(cè)表面上的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b與合成電介質(zhì)層 82之間分別設(shè)有第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b。優(yōu)選的是合成電介質(zhì)層82中所包含的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b 的每個的厚度是大約0. 001-10 μ m。使第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b的厚度小于0. 001 μ m是困難的，使得第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b的厚度實際上變?yōu)?. 001 μ m或更大。另外，即使合成電介質(zhì)層82中所包含的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b的厚度被制成大于 10 μ m，通過第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b的形成得到的樹脂薄膜14的表面光潔度的改進無法得到提高。相反，第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b的形成的易加工性會降低，并且其成本增加。另外，形成在合成電介質(zhì)層82的每個表面上的與其之間設(shè)有第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b的厚度通常為大約0.01至30 μ m，其類似于上述第一實施方式的薄膜電容器10的電容器元件12中所包含的第一蒸氣沉積聚合物薄膜 18a的厚度。合成電介質(zhì)層82可以通過只包括僅位于樹脂薄膜14的一個表面上的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a來構(gòu)成。在這種情況下，第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a形成在合成電介質(zhì)層82的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a上，并且第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b在沒有形成第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a的一側(cè)形成在合成電介質(zhì)層82的樹脂薄膜14上。在包括具有所述結(jié)構(gòu)的電容器元件81的薄膜電容器80中，其中第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b形成在樹脂薄膜14的每個表面上的合成電介質(zhì)層82定位在第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b之間。因此，包括作為底座的樹脂薄膜14的合成電介質(zhì)層82用作電介質(zhì)層。因此，其電容量可以得到有利的增加。另外，在薄膜電容器80中，通過在樹脂薄膜14的每個表面上形成第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b，即使樹脂薄膜14的厚度制成更小，包括樹脂薄膜14以及第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚酯薄膜18b的合成電介質(zhì)層82也能有利地得到高介電和高耐壓性。另外，即使樹脂薄膜14由例如拉伸薄膜形成，合成電介質(zhì)層82的表面光潔度也可容易和有效地得到改善，這也帶來了合成電介質(zhì)層 82的耐壓性的改善。因此，除了通過沉積聚合形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b 形成在未示出的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上得到的優(yōu)點之外，薄膜電容器80可有利地制成更小，并且制成具有更大的電容量，同時確保足夠的耐壓性。圖8所示的薄膜電容器83中所包含的電容器元件84包括基本元件85，其中第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b中的每個形成在樹脂薄膜14的每個表面上，并且第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a在與樹脂薄膜14 一側(cè)相對的一側(cè)處進一步形成在第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a的表面上。接著，多個基本元件85疊置，使得第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b疊置，并且第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b形成在定位于所述多個基本元件85的底部處的第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b的與樹脂薄膜14相對的一側(cè)處的表面上。因此，多個基本元件85的層壓結(jié)構(gòu)主體構(gòu)成電容器元件84，并且最終構(gòu)成薄膜電容器83。薄膜電容器83不僅包括其中只有樹脂薄膜14定位在第一蒸氣沉積金屬薄膜層 16a和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b之間的結(jié)構(gòu)A，而且包括其中只有具有極小和均勻厚度以及極少雜質(zhì)的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a定位在第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b之間的結(jié)構(gòu)B。因此，除了通過沉積聚合形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b 形成在未示出的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上得到的所述優(yōu)點之外，當(dāng)前實施方式的薄膜電容器83可有利地通過減小其尺寸并改善其電容量而具有較高的性能，而不用通過減小樹脂薄膜14的厚度來改善樹脂薄膜14的功能、不用減少樹脂薄膜14中的雜質(zhì)且不會造成通過減小樹脂薄膜14的厚度而導(dǎo)致的問題。圖9所示的薄膜電容器86中所包含的電容器元件87包括基本元件88，其具有合成電介質(zhì)層82，其中第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b的每個形成在樹脂薄膜14的每個表面上，并且另一第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a在與樹脂薄膜14 相對的一側(cè)進一步形成在合成電介質(zhì)層82的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a上。接著，多個基本元件88疊置，使得第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b彼此疊置。另外，在定位在彼此疊置的多個基本元件88的頂部的第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a 上，進一步形成第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a。因此，基本元件88的層壓結(jié)構(gòu)主體構(gòu)成電容器元件87，并且最終形成薄膜電容器86。由于合成電介質(zhì)層82，除了通過沉積聚合形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b形成在未示出的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d而得到的優(yōu)點之外，薄膜電容器86可有利地制成更小，并且制成具有更大電容量，同時確保足夠的耐壓性。圖10所示的薄膜電容器89中所包含的電容器元件90包括圖9所示的薄膜電容器86的電容器元件87所包含的基本元件88以及圖8所示的薄膜電容器83的電容器元件 84所包含的基本元件85。基本元件85在基本元件88的厚度方向(豎直方向)上疊置在基本元件88的每個表面上。基本元件88和85疊置，使得基本元件88的第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b疊置在定位在基本元件88下方的基本元件85的第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b 上，并且定位在基本元件88上方的基本元件85的第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a疊置在基本元件88的第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a上。接著，另一第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b進一步疊置在定位在基本元件88上方的基本元件85的第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b上。因此，兩種基本元件85、88的層壓結(jié)構(gòu)主體構(gòu)成電容器元件90，并最終構(gòu)成薄膜電容器89。薄膜電容器89不僅包括其中只有樹脂薄膜14定位在第一蒸氣沉積金屬薄膜層 16a和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b之間的結(jié)構(gòu)A，而且包括其中只有第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a定位在兩個第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a、16a和合成電介質(zhì)層82之間的結(jié)構(gòu)B。因此，除了通過沉積聚合形成的第一樹脂保護薄膜28a和第二樹脂保護薄膜28b 形成在未示出的第三側(cè)表面22c和第四側(cè)表面22d上得到的所述出色優(yōu)點之外，當(dāng)前實施方式的薄膜電容器89可有利地制成更小，并且制成具有更大電容量，同時確保足夠的耐壓
17性，而不造成通過減小樹脂薄膜14的厚度造成的許多問題。雖然在附圖中未示出，本發(fā)明的薄膜電容器中所包含的電容器元件可包括交替配置的多個樹脂薄膜14和多個第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a。另外，在本發(fā)明的薄膜電容器的制造中，所述的沉積系統(tǒng)30不是必須在樹脂保護薄膜形成在電容器元件的側(cè)表面上時使用。樹脂保護薄膜可通過多種公知的沉積聚合形成。電介質(zhì)層(樹脂薄膜14、第一蒸氣沉積聚合物薄膜18a和第二蒸氣沉積聚合物薄膜18b以及合成電介質(zhì)層82)以及第一蒸氣沉積金屬薄膜層16a和第二蒸氣沉積金屬薄膜層16b的數(shù)量不局限于以上的例子。雖然這里沒有描述進一步的細節(jié)，應(yīng)該理解到本發(fā)明可以多種本領(lǐng)域普通技術(shù)人員明白的其他變型和改型實施，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種疊層薄膜電容器，包括電容器元件，所述電容器元件具有多個電介質(zhì)層和多個蒸氣沉積金屬薄膜層，每個所述電介質(zhì)層和每個所述蒸氣沉積金屬薄膜層彼此疊置，以便交替配置；設(shè)置在所述電容器元件的相對側(cè)表面上的一對外部電極；以及設(shè)置在形成有所述成對的外部電極的側(cè)表面之外的至少一個側(cè)表面上的至少一個樹脂保護薄膜，其中所述至少一個樹脂保護薄膜通過沉積聚合來提供。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層薄膜電容器，其中所述多個電介質(zhì)層包括至少一個樹脂薄膜和由與所述至少一個樹脂保護薄膜相同的材料制成的至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層薄膜電容器，其中所述至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜定位在所述至少一個樹脂薄膜和所述多個蒸氣沉積金屬薄膜層之一的至少一個上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的疊層薄膜電容器，其中所述電容器元件包括只有所述至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜定位在所述多個蒸氣沉積金屬薄膜層之間的區(qū)段。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的疊層薄膜電容器，其中定位在所述多個蒸氣沉積金屬薄膜層之間的所述至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜具有0. 01-30 μ m的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的疊層薄膜電容器，其中所述多個電介質(zhì)層的至少一個包括合成電介質(zhì)層，所述合成電介質(zhì)層包括至少一個樹脂薄膜和定位在所述至少一個樹脂薄膜的至少一個表面上的所述至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層薄膜電容器，其中包含在所述合成電介質(zhì)層內(nèi)的至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜具有0. 001-10 μ m的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層薄膜電容器，其中所述至少一個樹脂保護薄膜具有三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層薄膜電容器，其中所述至少一個樹脂保護薄膜由聚脲樹脂薄膜形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層薄膜電容器，其中所述至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜由聚脲樹脂薄膜形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層薄膜電容器，其中形成有所述成對的外部電極的側(cè)表面之外的至少一個側(cè)表面被等離子處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層薄膜電容器，其中包含在所述多個電介質(zhì)層內(nèi)的至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜的介電常數(shù)高于所述至少一個樹脂薄膜的介電常數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層薄膜電容器，其中所述電容器元件具有所述至少一個蒸氣沉積聚合物薄膜和所述多個蒸氣沉積金屬薄膜層彼此疊置以便交替配置在所述至少一個樹脂薄膜上的結(jié)構(gòu)。
14.一種制造疊層薄膜電容器的方法，包括如下步驟提供包括多個電介質(zhì)層和多個蒸氣沉積金屬薄膜層的電容器元件，每個所述電介質(zhì)層和每個所述蒸氣沉積金屬薄膜層彼此疊置以便交替配置；在所述電容器元件的相對側(cè)表面上形成一對外部電極；以及通過沉積聚合在所述電容器元件的形成有所述成對的外部電極的側(cè)表面之外的至少一個側(cè)表面上形成至少一個樹脂保護薄膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及疊層薄膜電容器及其制造方法。疊層薄膜電容器包括具有出色耐用性的樹脂保護薄膜，可穩(wěn)定地確保所需性能。疊層薄膜電容器包括電容器元件(12)，所述電容器元件具有多個電介質(zhì)層(14、18a)和多個蒸氣沉積金屬薄膜層(16a)。每個所述電介質(zhì)層和每個所述蒸氣沉積金屬薄膜層彼此疊置，以便交替配置。疊層薄膜電容器還包括設(shè)置在所述電容器元件的相對側(cè)表面上的一對外部電極(26a、26b)以及設(shè)置在形成有所述外部電極的側(cè)表面之外的至少一個側(cè)表面上的至少一個樹脂保護薄膜(28a、28b)，其中所述至少一個樹脂保護薄膜通過沉積聚合來提供。
文檔編號H01G4/224GK102426918SQ20111022997
公開日2012年4月25日 申請日期2011年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月9日
發(fā)明者伊藤薰, 野口真淑 申請人:小島沖壓工業(yè)株式會社