專利名稱：顯示裝置和顯示裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明的實施方式涉及一種顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
與需要光源的液晶顯示裝置不同，有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)射式裝置，并不需要光源。因此，有機發(fā)光顯示裝置可以具有薄并可由低功率驅動的優(yōu)勢。由于有機發(fā)光顯示裝置的優(yōu)勢，最近液晶顯示裝置被有機發(fā)光顯示裝置取代，而且正在進行關于低成本有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的研究。

發(fā)明內容
相應地，本發(fā)明的實施方式用于提供具有改進顯示質量的顯示裝置。本發(fā)明的實施方式還提供制造上述顯示裝置的方法。為了實現根據本發(fā)明的實施方式的前述內容和/或其它方面，提供了一種顯示裝置，包括襯底；薄膜晶體管，在所述襯底上；以及像素，與所述薄膜晶體管電耦合，其中所述薄膜晶體管包括半導體層，在所述襯底上；第一絕緣層，在所述半導體層上，并具有第一接觸孔和第二接觸孔；源電極，在所述第一絕緣層上，并穿過所述第一接觸孔與所述半導體層接觸；漏電極，在所述第一絕緣層上，并穿過所述第二接觸孔與所述半導體層接觸；柵電極，在所述源電極與所述漏電極之間，并具有包括第一傳導層和第二傳導層的層疊結構； 以及第二絕緣層，在所述源電極和所述漏電極之間，并且覆蓋所述柵電極。所述像素可包括第一電極，在所述第一絕緣層上，并且與所述漏電極電耦合；有機發(fā)光層，在所述第一電極上；以及第二電極，在所述有機發(fā)光層上。所述第一電極可包括第三傳導層；以及第四傳導層，在所述第三傳導層的端部上，并且與所述漏電極接觸，其中所述第一傳導層和所述第三傳導層包括相同的材料，并且所述第二傳導層和所述第四傳導層包括與所述第一傳導層和所述第三傳導層的材料不同的材料。從所述有機發(fā)光層發(fā)射出的光線可穿過所述襯底傳輸。所述第一電極的底部、所述柵電極的底部、所述源電極的底部和所述漏電極的底部均可與所述第一絕緣層接觸，并且可在所述第一絕緣層的表面上彼此隔開。所述第一傳導層可包括透明傳導材料，并且所述第二傳導層可包括金屬。所述第二絕緣層可包圍所述柵電極的橫向側和上側。所述第二絕緣層可被防止與所述源電極和所述漏電極重疊。所述源電極和所述漏電極中的每個均可包括多個重疊的傳導層。
為了實現本發(fā)明實施方式的另一方面，本發(fā)明的實施方式提供了如下一種制造顯示裝置的方法。該方法包括在襯底上的薄膜晶體管區(qū)形成半導體層；形成第一絕緣層，用于覆蓋所述半導體層；在所述第一絕緣層上形成與所述半導體層重疊的柵電極；在所述襯底上的像素區(qū)形成第一電極；在所述第一絕緣層中形成第一接觸孔和第二接觸孔，用于暴露所述半導體層；形成第二絕緣層，用于覆蓋所述第一絕緣層上的所述柵電極；形成源電極，用于穿過所述第一接觸孔與所述半導體層接觸；形成漏電極，用于穿過所述第二接觸孔與所述半導體層接觸；在所述第一電極上形成有機發(fā)光層；以及在所述有機發(fā)光層上形成第二電極，其中所述源電極和所述漏電極被所述第二絕緣層隔開。所述第一電極的底部、所述柵電極的底部、所述源電極的底部和所述漏電極的底部均可與所述第一絕緣層接觸，并且可在所述第一絕緣層的表面上彼此隔開。形成柵電極的步驟可包括在所述第一絕緣層上形成第一保留傳導層；在所述第一保留傳導層上形成第二保留傳導層；通過對所述第一保留傳導層進行構圖，在所述薄膜晶體管區(qū)中形成第一傳導層；以及通過對所述第二保留傳導層進行構圖，在所述薄膜晶體管區(qū)中形成第二傳導層，其中形成所述像素電極的步驟可包括通過對所述第一保留傳導層進行構圖，在所述像素區(qū)中形成第三傳導層；通過對所述第二保留傳導層進行構圖，在所述像素區(qū)中形成保留傳導圖案；以及通過去除所述保留傳導圖案與所述像素區(qū)對應的部分，形成第四傳導層。所述第一傳導層可包括透明傳導材料，所述第二傳導層可包括金屬，所述第一傳導層和所述第三傳導層可包括相同的材料，并且所述第二傳導層和所述第四傳導層可包括與所述第一傳導層和所述第三傳導層的材料不同的材料。所述第二絕緣層可包圍所述柵電極的橫向側和上側。所述第二絕緣層可被防止與所述源電極和所述漏電極重疊。所述源電極和所述漏電極中的每個均可包括多個重疊的傳導層。根據本發(fā)明的實施方式，在像素區(qū)形成第一電極時，防止在第一電極周圍形成的部件過度蝕刻，以使得部件之間產生的尺寸誤差可最小化或者減少。根據本發(fā)明的實施方式，在像素區(qū)形成的金屬層易于去除，以使穿過像素區(qū)提供至外部的光線避免被金屬層阻擋。因此，由顯示裝置提供至外部的光線量增加，從而使顯示裝置的質量能夠改進。


附圖和說明書說明了本發(fā)明的示例性實施方式，并且連同說明書來解釋本發(fā)明實施方式的各方面。圖1是示出了根據本發(fā)明實施方式的顯示裝置的局部剖視圖；圖2是示出了根據本發(fā)明另一實施方式的顯示裝置的局部剖視圖；以及圖3至圖11是示出了根據本發(fā)明的實施方式制造圖1中的顯示裝置的方法的示意圖。
具體實施方式
在隨后的詳細描述中，簡單地通過圖示，僅示出并描述本發(fā)明的某些示例性實施方式。如本領域技術人員應該理解的，所描述的實施方式可以以各種不同的方式修改而不偏離本發(fā)明的精神或范圍。相應地，附圖和說明實際上被認為是示例性的，而不是限制的。 此外，當一個元件被稱為“在”另一個元件“上”時，其可以直接位于另一個元件上或者間接地位于另一個元件上，在它們之間具有一個或多個中間元件。另外，當一個元件被稱為“耦合至”或者“連接至”另一個元件時，其可以直接耦合至或連接至另一個元件或者間接地耦合至或連接至另一個元件，在它們之間具有一個或多個中間元件。在下文中，相同的參考標號指的是相同的元件。以下詳細描述包括許多具體細節(jié)。這些細節(jié)所包含的內容僅是為了舉例說明的目的，而并不應理解為對本發(fā)明實施方式的限制。在整個討論中，在不同的附圖中以類似的標號表示相似的元件以供參考。此外，本發(fā)明的一個實施方式中的特征可以與本發(fā)明其它實施方式中的特征結合。圖1是圖示了根據本發(fā)明實施方式的顯示裝置的局部剖視圖。顯示裝置200包括多個像素以及逐個電耦合至多個像素的多個薄膜晶體管。多個像素具有彼此相同的結構， 并且多個薄膜晶體管具有彼此相同的結構。因此，在參照圖1的描述中，多個像素中的一個像素PXL和多個薄膜晶體管中的一個薄膜晶體管TR將作為示例描述，將省略對多個像素中的其余像素和多個薄膜晶體管中的其余薄膜晶體管的描述。參見圖1，顯示裝置200包括襯底100、薄膜晶體管TR和像素PXL。襯底100具有像素區(qū)PA和薄膜晶體管區(qū)TA。在圖1所示的本發(fā)明的實施方式中， 襯底100可以包含具有極好透光率的材料(例如玻璃)，以使得由像素PXL產生的光線10 可以穿過襯底100傳輸，并且光線10可以被提供至外部。在襯底100上設置緩沖層110。在圖1所示的本發(fā)明的實施方式中，緩沖層110可以包含硅氧化物(SiOx)或者硅氮化物(SiNx),并且緩沖層110可防止雜質從襯底100流至像素PXL和薄膜晶體管TR。薄膜晶體管TR設置在薄膜晶體管區(qū)TA中。薄膜晶體管TR包括柵電極GE、半導體層SL、源電極SE和漏電極DE。薄膜晶體管TR由提供至柵電極GE的、外部供給的柵信號導通，并且薄膜晶體管TR進行切換(例如接通)，以通過源電極SE將外部供給的數據信號提供至像素PXL。薄膜晶體管TR結構的細節(jié)如下。半導體層SL設置在緩沖層110上，并且半導體層SL包括源區(qū)域SA、漏區(qū)域DA、以及位于源區(qū)域SA和漏區(qū)域DA之間的溝道區(qū)域CA。在圖 1所示的本發(fā)明的實施方式中，半導體層SL可以包含多晶硅或非晶硅，并且源區(qū)域SA和漏區(qū)域DA各自的摻雜物濃度可以高于溝道區(qū)域CA的摻雜物濃度。第一絕緣層120設置在襯底100上并且覆蓋半導體層SL。在第一絕緣層120中， 形成與源區(qū)域SA的位置相對應的第一接觸孔CHl以及與漏區(qū)域DA的位置相對應的第二接觸孔CH2。柵電極GE設置在第一絕緣層120上。在圖1所示的本發(fā)明的實施方式中，柵電極 GE包括第一傳導層Cl和設置在第一傳導層Cl上的第二傳導層C2。第一傳導層Cl可以包含具有極好透光率的傳導材料，例如氧化銦錫(ITO)和/或銦鋅氧化物(IZO)，并且第二傳導層C2可以包含具有極好導電性的金屬，例如鋁和/或鎳。
源電極SE設置在第一絕緣層120上，并且穿過第一接觸孔CHl與源區(qū)域SA接觸。 此外，漏電極DE設置在第一絕緣層120上，并且穿過第二接觸孔CH2與漏區(qū)域DA接觸。根據圖1所示的本發(fā)明的實施方式，柵電極GE、源電極SE和漏電極DE的底部均與第一絕緣層120接觸。因此，柵電極GE、源電極SE、和漏電極DE被設置為在第一絕緣層 120的同一表面或平面上彼此隔開。柵電極GE、源電極SE、和漏電極DE可以被稱為處于同一層。第二絕緣層130設置在第一絕緣層120上并且覆蓋柵電極GE。更詳細地，第二絕緣層130包圍柵電極GE的上側和橫向側，并且覆蓋處于源電極SE和漏電極DE之間的柵電極GE。因此，通過第二絕緣層130，柵電極GE與源電極SE絕緣，也與漏電極DE絕緣。此外， 根據以上描述的第二絕緣層130的結構，由于第二絕緣層130不處于源電極SE和襯底100 之間，也不處于漏電極DE和襯底100之間，所以第二絕緣層130并不與在平面(例如表面) 上的源電極SE和漏電極DE重疊。像素PXL設置在像素區(qū)PA中，并且包括第一電極E1、有機發(fā)光層BL、和第二電極 E2。第一電極El電耦合至漏電極DE。因此，當薄膜晶體管TR由柵信號導通時，可以通過漏電極DE將數據信號提供至第一電極El。在圖1所示的本發(fā)明的實施方式中，第一電極El可以包括第三傳導層C3和第四傳導層C4，第四傳導層C4設置在第三傳導層C3的端部上并且與漏電極DE接觸，其中第三傳導層C3可以包含與第一傳導層Cl的材料相同的材料，并且第四傳導層C4可以包含與第二傳導層C2的材料相同的材料。此外，第四傳導層C4設置在薄膜晶體管區(qū)TA中，從而可通過傳輸穿過第三傳導層C3和襯底100，以使光線10容易地提供至外部。此外，在圖1所示的本發(fā)明的實施方式中，第一電極El的底部與第一絕緣層120 接觸。因此，第一電極El與柵電極GE、源電極SE和漏電極DE被設置在第一絕緣層120的平面上。第三絕緣層140設置在襯底100上，并且覆蓋第一電極El和薄膜晶體管TR。此夕卜，第三絕緣層140在與像素區(qū)PA對應部分處是開放的，以限定第三傳導層C3與有機發(fā)光層BL接觸的區(qū)域。有機發(fā)光層BL設置在薄膜晶體管區(qū)TA中、第三絕緣層140上，并且有機發(fā)光層BL 穿過像素區(qū)PA中第三絕緣層140的開口部分與第三傳導層C3接觸。第二電極E2設置在有機發(fā)光層BL上并接收外部供給的公共電壓。因此，當薄膜晶體管TR導通時，通過在第一電極El和第二電極E2之間形成的電勢差，有機發(fā)光層BL可發(fā)射光線10。如以上所述，柵電極GE、源電極SE和漏電極DE被并聯設置在同一平面上。此外， 第二絕緣層130覆蓋柵電極GE的上側和橫向側，并且第二絕緣層130不位于源電極SE和襯底100之間，也不位于漏電極DE和襯底100之間。因此，從源電極SE或者漏電極DE的上側到第四傳導層C4的上側所限定的深度Dl可以減少第二絕緣層130的厚度(例如，由于在漏電極DE和襯底100之間缺少第二絕緣層130，所以Dl會減少，如果在漏電極DE和襯底100之間具有第二絕緣層130，將導致漏電極DE的上側離襯底100的距離增加)。與在圖1中所示的本發(fā)明的實施方式不同，當第二絕緣層130被放置在襯底100 和源電極SE之間以及襯底100和漏電極DE之間時，深度Dl會增加第二絕緣層130的厚度值?？紤]到顯示裝置200的制造過程，當深度Dl增加時，不容易僅從像素區(qū)PA中選擇性地將第四傳導層C4去除。當第四傳導層140保留在像素區(qū)PA中時，光線10被第四傳導層 140阻擋，提供至外部的光線10的量會減少。然而，根據圖1所示的本發(fā)明上述實施方式， 可以通過改變第二絕緣層130的結構使深度Dl最小化或者減少。這將參照圖3至圖11詳細地描述。圖2是示出了根據本發(fā)明另一實施方式的顯示裝置的剖視圖。在參照圖2的描述中，對已經參照圖1描述過的元件采用相同的參考標號，并且對于其的描述將省略。參見圖2，顯示裝置201包括具有像素區(qū)PA和薄膜晶體管區(qū)TA的襯底100、設置在薄膜晶體管區(qū)TA中的薄膜晶體管TR以及設置在像素區(qū)PA中的像素PXL。薄膜晶體管TR包括半導體層SL、柵電極GE'、源電極SE'、和漏電極DE'。與圖1所示的本發(fā)明的實施方式不同，源電極SE'和漏電極DE'中的每個均包括彼此重疊的多個傳導層。更具體地，源電極SE'包括第一輔助傳導層171、第二輔助傳導層 172、和第三輔助傳導層173，且漏電極DE'包括第四輔助傳導層174、第五輔助傳導層175、 和第六輔助傳導層176。在圖2所示的本發(fā)明的實施方式中，第一輔助傳導層171、第三輔助傳導層173、第四輔助傳導層174、和第六輔助傳導層176中的每個均可以包含與第二輔助傳導層172和第五輔助傳導層175不同的層(如，不同的材料)。例如，第一輔助傳導層171、第三輔助傳導層173、第四輔助傳導層174、和第六輔助傳導層176可以包含半導體層和具有低接觸電阻的鉬或者鈦，第二輔助傳導層172和第五輔助傳導層175可以包含具有極好導電性的鋁或者銀。第一電極El包括第三傳導層C3和第四傳導層C4'，其中第四傳導層C4'包括彼此重疊的第七輔助傳導層177、第八輔助傳導層178、和第九輔助傳導層179。在圖2所示的本發(fā)明的實施方式中，第七輔助傳導層177和第九輔助傳導層179可以包括不同層(如與第八輔助傳導層178的材料不同的材料)，例如，可以包括第三傳導層C3和具有低接觸電阻的鉬或鈦，而第八輔助傳導層178可以包含具有極好導電性的鋁或鎳。此外，柵電極GE'包括第一傳導層Cl和第二傳導層C2'，其中第二傳導層C2' 包括第十輔助傳導層180、第十一輔助傳導層181、和第十二輔助傳導層182。在圖2所示的本發(fā)明的實施方式中，第十輔助傳導層180和第十二輔助傳導層182中的每個均可以包括不同的層(如與第十一輔助傳導層181的材料不同的材料)，例如，可以包括第一傳導層 Cl和具有低接觸電阻的鉬或鈦，而第十一輔助傳導層181可以包含具有極好導電性的鋁或
ο圖3至圖11是示出了制造圖1所示的本發(fā)明實施方式的顯示裝置的方法的示意圖。在關于圖3至圖11的描述中，對已經參照圖1描述的元件采用相同的參考標號，并且將省略對其的描述。參見圖3，制備具有像素區(qū)PA和薄膜晶體管區(qū)TA的襯底100，并且在襯底100上形成緩沖層110。然后，在薄膜晶體管區(qū)TA中形成具有溝道區(qū)域CA、源區(qū)域SA、和漏區(qū)域 DA的半導體層SL。根據圖3所示的本發(fā)明的實施方式，可以通過在緩沖層110上形成非晶硅層并運用固相結晶(SPC)、液相重結晶(LPR)、準分子激光退火(ELA)和連續(xù)側向結晶(SLS)其中之一使非晶硅層結晶，并且通過形成源區(qū)域SA和漏區(qū)域DA，以形成半導體層SL，其中，通過執(zhí)行摻雜物注入工藝向源區(qū)域SA和漏區(qū)域DA內注入摻雜物。參見圖4，在半導體層SL上形成第一絕緣層120。然后，在第一絕緣層120上相繼形成第一保留傳導層150和第二保留傳導層155。第一保留傳導層150是作為第一傳導層(圖1的Cl)和第三傳導層(圖1的C3) 的源的層，其中第一保留傳導層150可以是透明層，例如氧化銦錫或銦鋅氧化物。第二保留傳導層巧5是作為第二傳導層(圖1的C2)和第四傳導層(圖1的C4)的源的層，并且可包含鋁或者鎳。參見圖5和圖6，對第一保留傳導層(圖4的150)和第二保留傳導層(圖4的 155)進行構圖。結果，包括第一傳導層Cl和第二傳導層C2的柵電極GE形成在薄膜晶體管區(qū)TA中，并且第三傳導層C3和保留傳導圖案158形成在像素區(qū)PA中。然后，在第一絕緣層120上形成第二絕緣層130。如以上關于圖1所描述的，第二絕緣層130覆蓋柵電極GE的上側和橫向側。之后，在第一絕緣層120上形成第一接觸孔 CHl,以暴露源區(qū)域SA，并且在第一絕緣層120上形成第二接觸孔CH2，以暴露漏區(qū)域DA。如果形成第二絕緣層130的過程被稱為第一過程，形成第一接觸孔CHl和第二接觸孔CH2的過程被稱為第二過程，那么可以通過將縫隙掩模或半色調掩模用作為蝕刻掩模的一次蝕刻或者通過利用不同蝕刻掩模的總共兩次蝕刻，從而執(zhí)行第一和第二過程。參見圖7，在襯底100上形成第三保留傳導層160。第三保留傳導層160形成在形成有半導體層SL、第三傳導層C3和保留傳導圖案158的襯底100上，結果是第三保留傳導層160穿過第一接觸孔CHl與源區(qū)域SA接觸，穿過第二接觸孔CH2與漏區(qū)域DA接觸，并且還與保留傳導圖案158接觸。參見圖8和圖9，在形成第三保留傳導層160后，在第三保留傳導層160上形成第一掩模圖案175和第二掩模圖案170。第一掩模圖案175形成為在平面上與第一接觸孔CHl 重疊，并且第二掩模圖案170形成為與第二接觸孔CH2重疊并與保留傳導圖案158部分(例如，一部分)重疊。參見圖9，將第一掩模圖案175和第二掩模圖案170用作為蝕刻掩模來蝕刻第三保留傳導層160。結果形成了穿過第一接觸孔CHl與源區(qū)域SA接觸的源電極SE，并且形成了穿過第二接觸孔CH2與漏區(qū)域DA接觸的漏電極DE。此外，漏電極DE在平面上與保留傳導圖案158部分重疊，并且與保留傳導圖案158接觸。參見圖10，在形成源電極SE和漏電極DE后，除了與漏電極DE接觸的一個或多個部分外，保留傳導圖案158的剩余部分運用第一掩模圖案175和第二掩模圖案170被蝕刻。 結果形成了第四傳導層C4，并且完成了包括第三傳導層C3和第四傳導層C4的第一電極 El0如果參照圖9所述的蝕刻工藝被稱為第一蝕刻工藝，且參照圖10所述的蝕刻工藝被稱為第二蝕刻工藝，那么在圖9和10所示的本發(fā)明的實施方式中，由于在第一蝕刻工藝和第二蝕刻工藝中所使用的蝕刻材料相同，所以第一蝕刻工藝和第二蝕刻工藝可以相繼進行，并且在第一蝕刻工藝中使用的蝕刻材料可以不同于在第二蝕刻工藝中使用的蝕刻材料。當進行第二蝕刻工藝時，保留傳導圖案158可以被除去，從而使保留傳導圖案158
9不留存于像素區(qū)PA中。由于保留傳導圖案158包含阻擋光線(例如圖1的光線10)的金屬，所以如果保留傳導圖案158留存在像素區(qū)PA中，則光線(圖1的10)將被保留傳導圖案158阻擋，并且會減少從像素區(qū)PA穿過襯底100提供至外部的光線的量。如以上所述，為了最大化或者增加提供至外部的光線量，進行第二蝕刻工藝，從而使保留傳導圖案158不會留存于像素區(qū)PA中。然而，由于在第一蝕刻工藝中蝕刻的第三保留傳導層(圖8的160)位于在襯底100上形成的元件的最上側，所以第三保留傳導層160 可以容易地被蝕刻。然而，由于在第二蝕刻工藝中蝕刻的保留傳導圖案158位于深度Dl處， 深度Dl低于源電極SE的上表面或漏電極DE的上表面，所以蝕刻保留傳導圖案158比蝕刻第三保留傳導層160更困難。例如，控制通過執(zhí)行第二蝕刻工藝形成的第三傳導層C3的尺寸比控制源電極SE 和漏電極DE的尺寸更困難，并且因為第二蝕刻工藝的執(zhí)行時間增加，所以源電極SE或者漏電極DE的橫向側159會被過度蝕刻。此外，當為了防止源電極SE或者漏電極DE的過度蝕刻而減少進行第二蝕刻工藝所需的時間時，保留傳導圖案158會留存在像素區(qū)PA中。在第二蝕刻工藝的執(zhí)行期間會產生的問題是由保留傳導圖案158的位置導致的， 并且更顯著的問題是，深度Dl會更深。因此為了解決這些問題，可以通過考慮在元件(例如源電極SE、漏電極DE和在第二蝕刻工藝中蝕刻的第三傳導層Ο)之間將產生的尺寸誤差來總體設計元件。然而，根據本實施方式的顯示裝置(圖1的200)，可以通過最小化或者減少深度Dl來避免上述問題，而無需通過考慮元件之間將產生的尺寸誤差來設計元件。這將隨后詳細地描述。如果從襯底100的上側到源電極SE的上側或者從襯底100的上側到漏電極DE的上側的高度被稱為第一高度H1，并且從襯底100的上側到保留傳導圖案158的上側的高度被稱為第二高度H2，那么深度Dl可以通過從第一高度Hl中減去第二高度H2得到。因此， 如果第二高度H2是恒定的，那么深度Dl越小，第一高度Hl越低。為了減小第一高度Hl，源電極SE和漏電極DE的厚度可以更薄。然而，在本實施方式中，形成第二絕緣層130，以覆蓋源電極SE和漏電極DE之間的柵電極GE，從而使得第二絕緣層130不位于源電極SE和漏電極DE之下。如以上所述，當形成第二絕緣層130(例如不在襯底100和漏電極DE之間形成) 時，第一高度Hl和深度Dl均可以減少與第二絕緣層130的厚度一樣的值。例如，當第二絕緣層130是約0. 5微米到約2. 0微米厚時，根據本實施方式，第一高度Hl和深度Dl可以減少約0. 5微米到約2. 0微米。因此，可減小在第二蝕刻工藝的執(zhí)行期間待蝕刻元件之間的
尺寸誤差。參見圖11，第三絕緣層140形成在襯底100上，在襯底100上還形成了薄膜晶體管 TR和第一電極E1。根據本實施方式，可通過在襯底100的整個表面上形成保留絕緣層(未示出)以覆蓋薄膜晶體管TR和第一電極E1，并隨后通過部分去除保留絕緣層以暴露出像素區(qū)PA中的第三傳導層C3，從而形成第三絕緣層140。再參見圖1，通過形成第三絕緣層140、通過在第三絕緣層140和第三傳導層C3上形成有機發(fā)光層BL、并且通過在有機發(fā)光層BL上形成第二電極E2，從而制造顯示裝置200。所描述的本發(fā)明與某些示例性實施方式有關，應該知道，本發(fā)明不限于所公開的實施方式，然而相反，本發(fā)明將覆蓋包括在所附的權利要求及其等同物的精神和范圍之內的各種修改和等同設置。
權利要求
1.一種顯示裝置，包括 襯底；薄膜晶體管，在所述襯底上；以及像素，與所述薄膜晶體管電耦合， 其中所述薄膜晶體管包括 半導體層，在所述襯底上；第一絕緣層，在所述半導體層上，并具有第一接觸孔和第二接觸孔； 源電極，在所述第一絕緣層上，并穿過所述第一接觸孔與所述半導體層接觸； 漏電極，在所述第一絕緣層上，并穿過所述第二接觸孔與所述半導體層接觸； 柵電極，在所述源電極與所述漏電極之間，并具有包括第一傳導層和第二傳導層的層疊結構；以及第二絕緣層，在所述源電極和所述漏電極之間，并且覆蓋所述柵電極。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述像素包括 第一電極，在所述第一絕緣層上，并且與所述漏電極電耦合； 有機發(fā)光層，在所述第一電極上；以及第二電極，在所述有機發(fā)光層上。
3.如權利要求2所述的顯示裝置，其中所述第一電極包括 第三傳導層；以及第四傳導層，在所述第三傳導層的端部上，并且與所述漏電極接觸， 其中所述第一傳導層和所述第三傳導層包括相同的材料，并且所述第二傳導層和所述第四傳導層包括與所述第一傳導層和所述第三傳導層的材料不同的材料。
4.如權利要求2所述的顯示裝置，其中從所述有機發(fā)光層發(fā)射出的光線穿過所述襯底傳輸。
5.如權利要求2所述的顯示裝置，其中所述第一電極的底部、所述柵電極的底部、所述源電極的底部和所述漏電極的底部均與所述第一絕緣層接觸，并且在所述第一絕緣層的表面上彼此隔開。
6.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一傳導層包括透明傳導材料，并且所述第二傳導層包括金屬。
7.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二絕緣層包圍所述柵電極的橫向側和上側。
8.如權利要求7所述的顯示裝置，其中所述第二絕緣層被防止與所述源電極和所述漏電極重疊。
9.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述源電極和所述漏電極中的每個均包括多個重疊的傳導層。
10.一種制造顯示裝置的方法，包括 在襯底上的薄膜晶體管區(qū)形成半導體層； 形成第一絕緣層，用于覆蓋所述半導體層；在所述第一絕緣層上形成與所述半導體層重疊的柵電極； 在所述襯底上的像素區(qū)形成第一電極；在所述第一絕緣層中形成第一接觸孔和第二接觸孔，用于暴露所述半導體層；形成第二絕緣層，用于覆蓋所述第一絕緣層上的所述柵電極；形成源電極，用于穿過所述第一接觸孔與所述半導體層接觸；形成漏電極，用于穿過所述第二接觸孔與所述半導體層接觸；在所述第一電極上形成有機發(fā)光層；以及在所述有機發(fā)光層上形成第二電極，其中所述源電極和所述漏電極被所述第二絕緣層隔開。
11.如權利要求10所述的方法，其中所述第一電極的底部、所述柵電極的底部、所述源電極的底部和所述漏電極的底部均與所述第一絕緣層接觸，并且在所述第一絕緣層的表面上彼此隔開。
12.如權利要求11所述的方法，其中形成柵電極的步驟包括在所述第一絕緣層上形成第一保留傳導層； 在所述第一保留傳導層上形成第二保留傳導層；通過對所述第一保留傳導層進行構圖，在所述薄膜晶體管區(qū)中形成第一傳導層；以及通過對所述第二保留傳導層進行構圖，在所述薄膜晶體管區(qū)中形成第二傳導層， 其中形成所述像素電極的步驟包括通過對所述第一保留傳導層進行構圖，在所述像素區(qū)中形成第三傳導層； 通過對所述第二保留傳導層進行構圖，在所述像素區(qū)中形成保留傳導圖案；以及通過去除所述保留傳導圖案與所述像素區(qū)對應的部分，形成第四傳導層。
13.如權利要求12所述的方法，其中所述第一傳導層包括透明傳導材料，所述第二傳導層包括金屬，所述第一傳導層和所述第三傳導層包括相同的材料，并且所述第二傳導層和所述第四傳導層包括與所述第一傳導層和所述第三傳導層的材料不同的材料。
14.如權利要求10所述的方法，其中所述第二絕緣層包圍所述柵電極的橫向側和上側。
15.如權利要求14所述的方法，其中所述第二絕緣層被防止與所述源電極和所述漏電極重疊。
16.如權利要求10所述的方法，其中所述源電極和所述漏電極中的每個均包括多個重疊的傳導層。
全文摘要
一種顯示裝置，包括薄膜晶體管，在所述襯底上；以及像素，與所述薄膜晶體管電耦合。所述薄膜晶體管包括半導體層，在所述襯底上；第一絕緣層，在所述半導體層上，并具有第一接觸孔和第二接觸孔；源電極，在所述第一絕緣層上，并穿過所述第一接觸孔與所述半導體層接觸；漏電極，在所述第一絕緣層上，并穿過所述第二接觸孔與所述半導體層接觸；柵電極，在所述源電極與所述漏電極之間，并具有包括第一傳導層和第二傳導層的層疊結構；以及第二絕緣層，在所述源電極和所述漏電極之間，并且覆蓋所述柵電極。
文檔編號H01L27/32GK102456706SQ20111021232
公開日2012年5月16日 申請日期2011年7月21日 優(yōu)先權日2010年10月26日
發(fā)明者樸鮮 申請人:三星移動顯示器株式會社