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一種多晶硅厚膜的制備方法

文檔序號(hào):7006162閱讀:144來源:國(guó)知局
專利名稱:一種多晶硅厚膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種在低成本導(dǎo)電硅襯底上制備低成本多晶硅厚膜的方法,利用該方法得到的多晶硅厚膜材料可以直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線。
背景技術(shù)
太陽能發(fā)電是一種可再生資源的發(fā)電方式,發(fā)電過程不會(huì)產(chǎn)生二氧化碳等溫室氣體,不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。太陽能電池是利用太陽能發(fā)電的環(huán)保電池,目前實(shí)用的太陽能電池,按照制作材料可分為晶體硅太陽能電池與薄膜太陽能電池。晶體硅太陽能電池因其光電轉(zhuǎn)換效率較高、技術(shù)成熟并且原材料充足,占據(jù)了光伏市場(chǎng)80%的份額。然而,現(xiàn)階段晶體硅太陽能電池制造的缺點(diǎn)也是顯而易見的,電池使用的硅材料用量過大,因此綜合能耗較高,晶體硅電池的成本縮減受到極大限制。通常,晶體硅太陽能電池是在厚度約200微米的硅片上制成的,而硅片一般是由直拉法生成的單晶棒或定向長(zhǎng)晶凝固技術(shù)制成的多晶硅錠上切割而成,然后經(jīng)過切斷、研磨、倒角、切割、腐蝕等多步工藝制成,尤其在切片過程中材料損耗很大,降低了高純多晶硅材料的使用率。在這一背景下,減少硅料使用量是硅基太陽能電池低成本應(yīng)用的重要研究方向, 太陽能電池的薄膜化是以降低太陽能電池制作成本和節(jié)省昂貴的半導(dǎo)體材料為目的的。其中,非晶硅薄膜太陽能電池成本低廉,制備方便,引起了人們的廣泛關(guān)注。但是由于非晶硅薄膜太陽能電池的不穩(wěn)定性,其光電轉(zhuǎn)換效率會(huì)隨著光照時(shí)間的延續(xù)而衰減,另外非晶硅薄膜太陽能電池的效率也較低,一般只有5%到7%,這些缺點(diǎn)極大地制約了非晶硅薄膜太陽能電池的發(fā)展。多晶硅薄膜太陽能電池由于所使用的硅原料遠(yuǎn)少于切片工藝的多晶硅襯底,其理論成本要遠(yuǎn)低于體多晶硅片太陽能電池,另外,多晶硅薄膜兼具晶體硅電學(xué)性能和高穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn),因此,多晶硅薄膜太陽能電池被認(rèn)為是最有可能替代單晶硅太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池的下一代太陽能電池,現(xiàn)在已經(jīng)成為國(guó)際太陽能光伏領(lǐng)域的研究執(zhí)占。目前,制備多晶硅薄膜的方法主要有兩種一種是直接在襯底上一步沉積多晶硅薄膜,目前主要采用化學(xué)氣相沉積法,包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝,此外,液相外延法(LPPE)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜; 另一種是在襯底上先沉積非晶硅薄膜,然后通過再結(jié)晶技術(shù)或熱處理技術(shù)將非晶硅薄膜轉(zhuǎn)換成多晶硅薄膜。然而,低成本制備大面積、大晶粒、高載流子遷移率的多晶硅薄膜依然是擺在各國(guó)研究人員面前的巨大難題。若能在價(jià)格低廉的襯底上快速地生長(zhǎng)出大面積、高質(zhì)量的多晶硅厚膜,并且該多晶硅厚膜能夠直接用于現(xiàn)有的晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線, 將是一種提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率和降低生產(chǎn)成本的非常有價(jià)值的實(shí)現(xiàn)方案,勢(shì)必會(huì)促進(jìn)太陽能發(fā)電的廣泛應(yīng)用
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)目的是針對(duì)現(xiàn)有晶體硅太陽能電池的現(xiàn)狀,提供一種多晶硅厚膜的制備方法,利用該方法能夠得到低成本、大面積、高質(zhì)量的多晶硅厚膜,并且該多晶硅厚膜能夠直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的所采用的技術(shù)方案包括如下步驟1.對(duì)冶金級(jí)硅進(jìn)行簡(jiǎn)單酸洗除雜,并重?fù)诫s硼或鋁,獲得低成本的重?fù)诫sP型冶金硅,再通過鑄錠、切片工藝得到P型導(dǎo)電多晶硅襯底;2.在步驟1得到的ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底上面沉積一層二氧化硅(SiO2)、氮化硅 (SiNx)、氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlNx)等薄膜作為介質(zhì)阻擋層,用于隔離ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底雜質(zhì),并且該介質(zhì)阻擋層兼有背部鈍化的良好效果;3.對(duì)步驟2得到的介質(zhì)阻擋層進(jìn)行圖形化開孔,即采用激光或光刻等技術(shù)在介質(zhì)阻擋層的給定位置處進(jìn)行開孔,這些孔形成一定的圖形排列,并且這些孔穿透介質(zhì)阻擋層, 與P型導(dǎo)電多晶硅襯底相連通;4.用化學(xué)氣相沉積法在步驟3圖形化開孔后的介質(zhì)阻擋層表面制備多晶硅厚膜, 在介質(zhì)阻擋層表面的開孔處,所沉積的多晶硅厚膜與P型導(dǎo)電多晶硅襯底形成電接觸。作為優(yōu)選步驟1得到的ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底的純度優(yōu)選為99. 9% 99. 99% ;ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底的厚度優(yōu)選為200 μ m 300 μ m,電阻率優(yōu)選為0. 0005 Ω · cm 0. 1 Ω · cm。步驟2中,優(yōu)選在ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底上首先進(jìn)行清洗、表面制備絨面,然后沉積二氧化硅(SiO2)、氮化硅^Nx)、氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlNx)等薄膜作為介質(zhì)阻擋層。步驟3中,可以采用激光或者光刻等技術(shù)在介質(zhì)阻擋層進(jìn)行圖形化開孔,相鄰孔之間的孔間距優(yōu)選為200 μ m 2mm。步驟4中,多晶硅厚膜的厚度優(yōu)選為5 μ m 100 μ m,沉積多晶硅厚膜所使用的氣體優(yōu)選為SiH4或者SiHCl3,沉積溫度為800°C 1200°C。上述制備方法中步驟1為常規(guī)的制備工藝,是以普通冶金硅為原材料制備襯底,對(duì)冶金硅的純度要求比較低,因此制作成本低廉;步驟2也為常規(guī)的制備工藝,制備得到的介質(zhì)阻擋層能夠阻擋步驟4中多晶硅厚膜高溫沉積過程中的襯底雜質(zhì)擴(kuò)散;步驟3是本發(fā)明的創(chuàng)新之處,該步驟巧妙地設(shè)計(jì)了介質(zhì)阻擋層圖形化開孔,并且該孔穿透介質(zhì)阻擋層,與P型導(dǎo)電多晶硅襯底相連通,從而保證步驟4中進(jìn)行介質(zhì)阻擋層表面多晶硅厚膜沉積時(shí),多晶硅厚膜與P型導(dǎo)電多晶硅襯底在介質(zhì)開孔處自然形成電接觸。 因此,該多晶硅厚膜能夠直接用于現(xiàn)有的晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線,自然形成電池背接觸,實(shí)現(xiàn)大規(guī)模太陽能電池制造。另外,介質(zhì)阻擋層在阻擋襯底雜質(zhì)擴(kuò)散的同時(shí),也起到電池背表面介質(zhì)鈍化層的作用,有利于減小電池背表面的復(fù)合進(jìn)而提高短路電流和開路電壓,同時(shí)這種背介質(zhì)鈍化層結(jié)構(gòu)可以起到電池背反射鏡的作用,從而提高入射光的利用率。綜上所述,本發(fā)明提供的多晶硅厚膜的制備方法操作簡(jiǎn)單、成本低廉、能夠得到大面積、高質(zhì)量的多晶硅厚膜,并且該多晶硅厚膜與P型導(dǎo)電多晶硅襯底自然形成電接觸,能夠直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)大規(guī)模太陽能電池制造,具有重要的應(yīng)用價(jià)值。


圖1是由本發(fā)明制備方法得到的多晶硅厚膜的立體剖視圖;圖2是本發(fā)明制備方法中介質(zhì)阻擋層表面的一種開孔點(diǎn)陣圖形;圖3是利用本發(fā)明制備方法得到的多晶硅厚膜制作的太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述,需要指出的是,以下所述實(shí)施例旨在便于對(duì)本發(fā)明的理解,而對(duì)其不起任何限定作用。圖1與圖3中的附圖標(biāo)記為p型導(dǎo)電多晶硅襯底1、介質(zhì)阻擋層2、多晶硅厚膜3、 開孔區(qū)4、氮化硅(SiNx)減反射層5、前接觸柵線6。如圖1所示,本發(fā)明多晶硅厚膜的制備方法包括如下步驟1、利用常規(guī)制備工藝得到ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底1 ;2、用化學(xué)氣相沉淀法在ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底1上沉積一層二氧化硅(SiO2)、氮化硅彼隊(duì))、氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlNx)等薄膜作為介質(zhì)阻擋層2 ;3、采用激光或者光刻等技術(shù)對(duì)介質(zhì)阻擋層2進(jìn)行圖形化開孔,得到開孔區(qū)4,使開孔區(qū)4穿透介質(zhì)阻擋層2,與ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底1相連通; 4、用化學(xué)氣相沉積法在介質(zhì)阻擋層2表面制備多晶硅厚膜3,在介質(zhì)阻擋層2表面的開孔區(qū)4處,所沉積的多晶硅厚膜3與ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底1形成電接觸;上述制備得到的多晶硅厚膜3可以直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線, 實(shí)現(xiàn)大規(guī)模多晶硅厚膜太陽能電池制造,如圖3所示,具體包括如下步驟5、采用上述步驟4得到的多晶硅厚膜3,對(duì)多晶硅厚膜3進(jìn)行清洗、表面制備絨面, 然后進(jìn)行擴(kuò)散得到PN結(jié);6、采用氫氟酸溶液去除表面磷硅玻璃、采用等離子刻蝕技術(shù)去除邊緣的PN結(jié);7、采用PECVD技術(shù)在多晶硅厚膜3的η型發(fā)射極表面制備氮化硅(SiNx)減反射層5 ;8、制作前接觸柵線6,即得到多晶硅厚膜太陽能電池。作為優(yōu)選,上述多晶硅厚膜制備方法的步驟2中,在ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底1上首先進(jìn)行清洗、表面制備絨面,然后沉積二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlNx)等薄膜作為介質(zhì)阻擋層2,接著對(duì)介質(zhì)阻擋層2進(jìn)行圖形化開孔,最后用化學(xué)氣相沉積法在介質(zhì)阻擋層2表面制備多晶硅厚膜3,在介質(zhì)阻擋層2表面的開孔區(qū)4處,所沉積的多晶硅厚膜3與ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底1形成電接觸。上述制備得到的多晶硅厚膜3可以直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線, 實(shí)現(xiàn)大規(guī)模多晶硅厚膜太陽能電池制造,如圖3所示,具體包括如下步驟5、采用上述步驟4得到多晶硅厚膜3,對(duì)多晶硅厚膜3進(jìn)行擴(kuò)散得到PN結(jié);6、采用氫氟酸溶液去除表面磷硅玻璃、采用等離子刻蝕技術(shù)去除邊緣的PN結(jié);7、采用PECVD技術(shù)在多晶硅厚膜3的η型發(fā)射極表面制備氮化硅(SiNx)減反射層5 ;8、制作前接觸柵線6,即得到多晶硅厚膜太陽能電池;
或者,具體包括如下步驟5、在步驟4中,首先沉積ρ型多晶硅,再沉積η型多晶硅,從而得到PN結(jié);6、接著采用等離子刻蝕技術(shù)去除邊緣的PN結(jié);7、采用PECVD技術(shù)在該多晶硅厚膜3的η型發(fā)射極表面制備氮化硅(SiNx)減反射層5 ;8、最后制作前接觸柵線6,即得到多晶硅厚膜太陽能電池。實(shí)施例1 本實(shí)施例提供一種多晶硅厚膜的制備方法,該多晶硅厚膜直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線,得到多晶硅厚膜太陽能電池。1、首先,對(duì)普通冶金硅進(jìn)行簡(jiǎn)單酸洗除雜,然后重?fù)诫s硼或鋁,獲得低成本純度為 99. 9% 99. 99%的重?fù)诫sρ型冶金硅料;然后通過鑄錠、切片工藝將ρ型冶金硅料制成厚度為200 μ m,尺寸為156mmX 156mm的重?fù)诫sρ型導(dǎo)電多晶硅襯底,其電阻率為0. 05 Ω -cm ;2、對(duì)重?fù)诫sρ型導(dǎo)電多晶硅襯底進(jìn)行清洗,然后采用三甲基鋁(TMA)為原料,NH3 為氮化劑,通過PECVD手段沉積氮化鋁(AlNx)薄膜作為介質(zhì)阻擋層,沉積溫度為300°C,氮化鋁薄膜的厚度為50nm ;3、用功率為10W,波長(zhǎng)為532nm的綠色激光,按圖2所示激光開孔點(diǎn)陣圖,在覆蓋有氮化鋁介質(zhì)阻擋層的重?fù)诫sP型導(dǎo)電多晶硅襯底表面進(jìn)行點(diǎn)掃面,使受照射處的介質(zhì)阻擋層局部開孔,該孔穿透介質(zhì)阻擋層,與P型導(dǎo)電多晶硅襯底相連通,激光開孔點(diǎn)陣間距為 1. 5mm ;4、采用混入少量硼烷的高純SiHCl3或者SiH4為原料,在介質(zhì)阻擋層表面通過高溫 CVD工藝沉積厚度為50μ m的ρ型多晶硅厚膜,沉積溫度為900°C,在介質(zhì)阻擋層表面的開孔處,所沉積的P型多晶硅厚膜與P型導(dǎo)電多晶硅襯底形成電接觸;5、用常規(guī)方法對(duì)ρ型多晶硅厚膜進(jìn)行清洗、表面制備絨面,然后使用三氯氧磷對(duì)ρ 型多晶硅厚膜進(jìn)行擴(kuò)散得到PN結(jié);6、采用氫氟酸溶液去除表面磷硅玻璃、采用等離子刻蝕技術(shù)去除邊緣的PN結(jié);7、采用PECVD技術(shù)在該ρ型多晶硅厚膜的η型發(fā)射極表面制備氮化硅(SiNx)減反射層;8、制作前接觸柵線,即得到多晶硅厚膜太陽能電池。實(shí)施例2 本實(shí)施例提供一種多晶硅厚膜的制備方法,該多晶硅厚膜直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線,得到多晶硅厚膜太陽能電池。1、首先,對(duì)普通冶金硅進(jìn)行簡(jiǎn)單酸洗除雜,然后重?fù)诫s硼或鋁,獲得低成本純度為 99. 9% 99. 99%的重?fù)诫sρ型冶金硅料;然后通過鑄錠、切片工藝將ρ型冶金硅料制成厚度為200 μ m,尺寸為156mmX 156mm的重?fù)诫sρ型導(dǎo)電多晶硅襯底,其電阻率為0. 1 Ω -cm ;2、對(duì)重?fù)诫sρ型導(dǎo)電多晶硅襯底進(jìn)行清洗、表面制備絨面,然后采用高純SiHCl3 或者SiH4*原料,O2為氧化劑,通過PECVD手段沉積二氧化硅(SiO2)薄膜作為介質(zhì)阻擋層, 沉積溫度為300°C,二氧化硅薄膜的厚度為IOOnm ;3、用功率為10W,波長(zhǎng)為1064nm的紅色激光,按圖2所示激光開孔點(diǎn)陣圖,在覆蓋有二氧化硅介質(zhì)阻擋層的重?fù)诫sP型導(dǎo)電多晶硅襯底表面進(jìn)行點(diǎn)掃面,使受照射處的介質(zhì)阻擋層局部開孔,該孔穿透介質(zhì)阻擋層,與P型導(dǎo)電多晶硅襯底相連通,激光開孔點(diǎn)陣間距為 500 μ m ;4、采用混入少量硼烷的高純SiHCl3或者SiH4為原料,在介質(zhì)阻擋層表面通過高溫 CVD工藝沉積厚度為10μ m的ρ型多晶硅厚膜,沉積溫度為900°C,在介質(zhì)阻擋層表面的開孔處,所沉積的P型多晶硅厚膜與P型導(dǎo)電多晶硅襯底形成電接觸;5、使用三氯氧磷對(duì)ρ型多晶硅厚膜進(jìn)行擴(kuò)散得到PN結(jié);6、采用氫氟酸溶液去除表面磷硅玻璃、采用等離子刻蝕技術(shù)去除邊緣的PN結(jié);7、采用PECVD技術(shù)在該ρ型多晶硅厚膜的η型發(fā)射極表面制備氮化硅(SiNx)減反射層;8、制作前接觸柵線,即得到多晶硅厚膜太陽能電池。實(shí)施例3 本實(shí)施例提供一種多晶硅厚膜的制備方法,該多晶硅厚膜直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線,得到多晶硅厚膜太陽能電池。1、首先,對(duì)普通冶金硅進(jìn)行簡(jiǎn)單酸洗除雜,然后重?fù)诫s硼或鋁,獲得低成本純度為 99. 9% 99. 99%的重?fù)诫sρ型冶金硅料;然后通過鑄錠、切片工藝將ρ型冶金硅料制成厚度為200 μ m,尺寸為156mmX 156mm的重?fù)诫sρ型導(dǎo)電多晶硅襯底,其電阻率為0. 1 Ω -cm ;2、對(duì)重?fù)诫sρ型導(dǎo)電多晶硅襯底進(jìn)行清洗、表面制備絨面,然后采用高純SiHCl3 或者SiH4為原料,NH3為氮化劑,通過PECVD手段沉積氮化硅(SiNx)薄膜作為介質(zhì)阻擋層, 沉積溫度為300°C,氮化硅薄膜的厚度為200nm ;3、用功率為10W,波長(zhǎng)為1064nm的紅色激光,按圖2所示激光開孔點(diǎn)陣圖,在覆蓋有氮化硅介質(zhì)阻擋層的重?fù)诫sP型導(dǎo)電多晶硅襯底表面進(jìn)行點(diǎn)掃面,使受照射處的介質(zhì)阻擋層局部開孔,該孔穿透介質(zhì)阻擋層,與P型導(dǎo)電多晶硅襯底相連通,激光開孔點(diǎn)陣間距為 Imm ;4、采用混入少量硼烷的高純SiHCl3或者SiH4為原料,在介質(zhì)阻擋層表面通過高溫CVD工藝沉積厚度為10 μ m的ρ型多晶硅厚膜,沉積溫度為900°C,在介質(zhì)阻擋層表面的開孔處,所沉積的P型多晶硅厚膜與P型導(dǎo)電多晶硅襯底形成電接觸;然后采用混入少量磷烷的高純SiHCl3或者SiH4為原料,在ρ型多晶硅厚膜表面通過高溫CVD工藝沉積厚度為 500nm的η型多晶硅厚膜,沉積溫度為900°C,從而形成PN結(jié);5、采用等離子刻蝕技術(shù)去除邊緣的PN結(jié);6、采用PECVD技術(shù)在η型多晶硅表面沉積氮化硅(SiNx)減反射層;7、制作前接觸柵線,即得到多晶硅厚膜太陽能電池。以上所述的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)說明,應(yīng)理解的是以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的原則范圍內(nèi)所做的任何修改和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多晶硅厚膜的制備方法,其特征是首先,將冶金硅進(jìn)行簡(jiǎn)單酸洗除雜,并重?fù)诫s硼或鋁,獲得低成本重?fù)诫sP型冶金硅,再通過鑄錠、切片工藝得到P型導(dǎo)電多晶硅襯底; 然后,在所述的P型導(dǎo)電多晶硅襯底上沉積二氧化硅、氮化硅、氧化鋁或氮化鋁等薄膜作為介質(zhì)阻擋層,對(duì)所述的介質(zhì)阻擋層進(jìn)行圖形化開孔,該孔穿透介質(zhì)阻擋層與P型導(dǎo)電多晶硅襯底相連通;最后,用化學(xué)氣相沉積法在所述的介質(zhì)阻擋層表面沉積多晶硅厚膜,所述的多晶硅厚膜在開孔處與P型導(dǎo)電多晶硅襯底形成電接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅厚膜的制備方法,其特征是所述的P型導(dǎo)電多晶硅襯底上首先進(jìn)行清洗、表面制備絨面,然后沉積二氧化硅、氮化硅、氧化鋁或氮化鋁薄膜作為介質(zhì)阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶硅厚膜的制備方法,其特征是所述的P型導(dǎo)電多晶硅襯底的電阻率為0. 0005 Ω · cm 0.1 Ω · cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶硅厚膜的制備方法,其特征是所述的ρ型導(dǎo)電多晶硅襯底的純度為99. 9% 99. 99%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶硅厚膜的制備方法,其特征是對(duì)所述的介質(zhì)阻擋層進(jìn)行圖形化開孔,相鄰孔之間的孔間距為200 μ m 2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶硅厚膜的制備方法,其特征是所述的多晶硅厚膜沉積所采用的氣體為SiH4或者SiHCl3,沉積溫度為800°C 1200°C,厚度為5 μ m 100 μ m。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅厚膜的制備方法,該方法將普通的冶金硅經(jīng)酸洗除雜后,重?fù)诫s硼或者鋁形成p型導(dǎo)電硅,接著采用鑄錠切片工藝得到p型導(dǎo)電硅襯底,然后在該襯底上沉積二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlNx)等薄膜作為介質(zhì)阻擋層,對(duì)該介質(zhì)阻擋層進(jìn)行圖形化開孔,該孔穿透介質(zhì)阻擋層與p型導(dǎo)電硅襯底相連通,最后在介質(zhì)阻擋層表面在高溫條件下采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積多晶硅厚膜,所沉積的多晶硅厚膜在開孔處與p型導(dǎo)電硅襯底形成電接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比,利用本發(fā)明的方法能夠得到低成本、大面積、高質(zhì)量的多晶硅厚膜,可以直接用于現(xiàn)有晶體硅太陽能電池制造生產(chǎn)線,具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102290488SQ20111020520
公開日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月21日
發(fā)明者萬青, 竺立強(qiáng), 龔駿 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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