專利名稱:一種輻向雙分裂箔式線圈及其繞制方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種變壓器用箔式線圈及其繞制方法,具體地說是一種輻向雙分裂箔式線圈及其繞制方法。
背景技術(shù):
箔式線圈就是線圈用銅箔繞制的線圈,這種線圈繞制時(shí)先把銅箔和出頭銅排焊接牢固,然后把出頭銅排固定在繞線模具上開始繞制,按要求繞制規(guī)定的匝數(shù),剪斷銅箔,焊好尾頭銅排即可?,F(xiàn)在變壓器行業(yè)中普遍采用這種箔式線圈結(jié)構(gòu)。變壓器低壓線圈的電流通常較大,如果用線繞要多根并聯(lián),在繞制的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很大的螺旋角,端部漏磁大,當(dāng)變壓器發(fā)生短路時(shí)候在線圈的垂直方向會(huì)產(chǎn)生很大的機(jī)械力,導(dǎo)致線圈的損壞;如果用銅箔繞制,銅箔的寬度等于線段的高度,線圈端部是平的,端部漏磁少,故其短路時(shí)候的軸向力也小,因而承受短路能力強(qiáng),箔式線圈匝間電容沿繞組分布均勻,增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性,而且便于實(shí)現(xiàn)繞組繞制過程的機(jī)械化。隨著電力工業(yè)的迅速發(fā)展,分裂變壓器的用途越來越大,分裂變壓器和普通變壓器的區(qū)別在于,它的低壓繞組分裂成兩個(gè)額定容量相等(或不等)的支路,這兩個(gè)支路的電壓和電流相等(或不等)。這兩個(gè)支路(線圈)之間以及兩個(gè)支路(線圈)和其他線圈之間有足夠的電氣強(qiáng)度,這兩個(gè)支路(線圈)既能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行。要實(shí)現(xiàn)這種分裂變壓器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),用現(xiàn)在常用的箔式線圈結(jié)構(gòu)及繞制方法無法完成。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種輻向雙分裂箔式線圈及其繞制方法,該繞制方法簡單、 方便,便于實(shí)現(xiàn)繞組繞制過程的機(jī)械化。得到的線圈端部漏磁少,短路時(shí)候的軸向力也小, 因而承受短路能力強(qiáng);線圈匝間電容沿繞組分布均勻,增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的
一種輻向雙分裂箔式線圈,其特征在于該線圈包括第一出線銅排、第一層銅箔、第一層絕緣材料、第二出線銅排、第二層銅箔和第二層絕緣材料;所述第一出線銅排和第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè);第一層銅箔焊接在第一出線銅排上,第一層絕緣材料包覆在第一層銅箔內(nèi)側(cè);第二層銅箔焊接在第二出線銅排上,第二層絕緣材料包覆在第二層銅箔內(nèi)側(cè); 所述第一層銅箔與第二層銅箔間隔設(shè)置。本發(fā)明中,第一出線銅排與第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè)且相差半個(gè)線圈內(nèi)徑周長。包覆有第二層絕緣材料的第二層銅箔設(shè)置在包覆有第一層絕緣材料的第一層銅箔的內(nèi)側(cè)。一種輻向雙分裂箔式線圈的繞制方法,其特征在于該繞制方法包括以下步驟
1)首先在第一層銅箔內(nèi)側(cè)包覆第一層絕緣材料,將第一層銅箔焊接在第一出線銅排上;在第二層銅箔內(nèi)側(cè)包覆第二層絕緣材料,將第二層銅箔焊接在第二出線銅排上;
2)將第一出線銅排和第一層銅箔同時(shí)在繞線模上繞制;當(dāng)繞到線圈內(nèi)徑的半圈時(shí),將第二出線銅排和第二層銅箔一起放在第一層絕緣材料的內(nèi)側(cè);第一層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料和第二層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料同時(shí)繞制;
3)當(dāng)?shù)谝粚鱼~箔或第二層銅箔繞到相應(yīng)匝數(shù)時(shí),將第一層銅箔或第二層銅箔剪斷后焊好相應(yīng)的出頭銅排,并且焊好繼續(xù)繞制,直到符合要求。本發(fā)明中,第一層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料和第二層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料構(gòu)成了兩個(gè)互相獨(dú)立的,即能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行的線圈。這兩個(gè)線圈之間以及兩個(gè)線圈和其他線圈之間有足夠的電氣強(qiáng)度,這兩個(gè)線圈即能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)該繞制方法簡單、方便,便于實(shí)現(xiàn)繞組繞制過程的機(jī)械化; 不需要增加新設(shè)備及工裝,在現(xiàn)有的普通雙層箔式繞線機(jī)上就能實(shí)現(xiàn)。得到的線圈端部漏磁少,故其短路時(shí)候的軸向力也小,因而承受短路能力強(qiáng);線圈匝間電容沿繞組分布均勻, 增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性。
圖1是本發(fā)明中輻向雙分裂箔式線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式一種輻向雙分裂箔式線圈,見圖1,該線圈包括第一出線銅排11、第一層銅箔12、 第一層絕緣材料13、第二出線銅排21、第二層銅箔22和第二層絕緣材料23。第一出線銅排 11和第二出線銅排21均位于線圈內(nèi)側(cè),且相差半個(gè)線圈內(nèi)徑周長。第一層銅箔12焊接在第一出線銅排11上,第一層絕緣材料13包覆在第一層銅箔12內(nèi)側(cè)。第二層銅箔22焊接在第二出線銅排21上,第二層絕緣材料23包覆在第二層銅箔22內(nèi)側(cè)。第一層銅箔12與第二層銅箔22間隔設(shè)置,且包覆有第二層絕緣材料23的第二層銅箔22設(shè)置在包覆有第一層絕緣材料13的第一層銅箔12的內(nèi)側(cè)。一種輻向雙分裂箔式線圈的繞制方法,該繞制方法包括以下步驟
1)首先在第一層銅箔12內(nèi)側(cè)包覆第一層絕緣材料13,將第一層銅箔12焊接在第一出線銅排11上;在第二層銅箔22內(nèi)側(cè)包覆第二層絕緣材料23,將第二層銅箔22焊接在第二出線銅排21上。2)將第一出線銅排11和第一層銅箔12同時(shí)在繞線模3上繞制;當(dāng)繞到線圈內(nèi)徑的半圈時(shí),將第二出線銅排21和第二層銅箔22 —起放在第一層絕緣材料13的內(nèi)側(cè);第一層銅箔12及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料13和第二層銅箔22及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料23 同時(shí)繞制;
3)當(dāng)?shù)谝粚鱼~箔12或第二層銅箔22繞到相應(yīng)匝數(shù)時(shí),將第一層銅箔12剪斷后焊好相應(yīng)的出頭銅排4,或第二層銅箔22剪斷后焊好相應(yīng)的和出頭銅排5,并且焊好繼續(xù)繞制。以此類推,直到符合要求。本發(fā)明保證了第一層銅箔和第二層銅箔構(gòu)成了兩個(gè)互相獨(dú)立的線圈,這兩個(gè)線圈之間以及兩個(gè)線圈和其他線圈之間有足夠的電氣強(qiáng)度,這兩個(gè)線圈即能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行。本發(fā)明線圈端部漏磁少,故其短路時(shí)候的軸向力也小,因而承受短路能力強(qiáng)。線圈匝間電容沿繞組分布均勻,增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
1.一種輻向雙分裂箔式線圈,其特征在于該線圈包括第一出線銅排(11)、第一層銅箔(12)、第一層絕緣材料(13)、第二出線銅排(21)、第二層銅箔(22)和第二層絕緣材料 (23);所述第一出線銅排(11)和第二出線銅排(21)均位于線圈內(nèi)側(cè);第一層銅箔(12)焊接在第一出線銅排(11)上,第一層絕緣材料(13)包覆在第一層銅箔(12)內(nèi)側(cè);第二層銅箔(22)焊接在第二出線銅排(21)上,第二層絕緣材料(23)包覆在第二層銅箔(22)內(nèi)側(cè);所述第一層銅箔(12)與第二層銅箔(22)間隔設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻向雙分裂箔式線圈,其特征在于第一出線銅排(11)與第二出線銅排(21)均位于線圈內(nèi)側(cè)且相差半個(gè)線圈內(nèi)徑周長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻向雙分裂箔式線圈,其特征在于包覆有第二層絕緣材料(23)的第二層銅箔(22)設(shè)置在包覆有第一層絕緣材料(13)的第一層銅箔(12)的內(nèi)側(cè)。
4.一種權(quán)利要求1所述輻向雙分裂箔式線圈的繞制方法,其特征在于該繞制方法包括以下步驟1)首先在第一層銅箔(12)內(nèi)側(cè)包覆第一層絕緣材料(13),將第一層銅箔(12)焊接在第一出線銅排(11)上;在第二層銅箔(22)內(nèi)側(cè)包覆第二層絕緣材料(23),將第二層銅箔 (22)焊接在第二出線銅排(21)上;2)將第一出線銅排(11)和第一層銅箔(12)同時(shí)在繞線模(3)上繞制;當(dāng)繞到線圈內(nèi)徑的半圈時(shí),將第二出線銅排(21)和第二層銅箔(22)—起放在第一層絕緣材料(13)的內(nèi)側(cè);第一層銅箔(12)及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料(13)和第二層銅箔(22)及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料(23)同時(shí)繞制;3)當(dāng)?shù)谝粚鱼~箔(1 或第二層銅箔(22)繞到相應(yīng)匝數(shù)時(shí),將第一層銅箔(12)或第二層銅箔(22)剪斷后焊好相應(yīng)的出頭銅排,并且焊好繼續(xù)繞制,直到符合要求。
5.根據(jù)權(quán)利書要求4所述的輻向雙分裂箔式線圈的繞制方法,其特征在于第一層銅箔(12)及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料(13)和第二層銅箔(22)及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料 (23 )構(gòu)成了兩個(gè)互相獨(dú)立的,即能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行的線圈。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種輻向雙分裂箔式線圈及其繞制方法,該線圈第一出線銅排和第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè);第一層銅箔焊接在第一出線銅排上,第一層絕緣材料包覆在第一層銅箔內(nèi)側(cè);第二層銅箔焊接在第二出線銅排上,第二層絕緣材料包覆在第二層銅箔內(nèi)側(cè);第一層銅箔與第二層銅箔間隔設(shè)置。繞制時(shí),將第一出線銅排和第一層銅箔同時(shí)在繞線模上繞制;當(dāng)繞到線圈內(nèi)徑的半圈時(shí),將第二層銅箔放在第一層絕緣材料的內(nèi)側(cè)同時(shí)繞制;該繞制方法簡單、方便,便于實(shí)現(xiàn)繞組繞制過程的機(jī)械化。得到的線圈端部漏磁少,短路時(shí)候的軸向力也小,承受短路能力強(qiáng);線圈匝間電容沿繞組分布均勻,增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01F41/06GK102360797SQ20111020517
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月21日
發(fā)明者孫國平, 魏常友 申請(qǐng)人:江蘇中容科技有限公司