專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，尤其是涉及制造包括具有嵌入式SiGe (eSiGe)的PMOS器件的半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
為了滿足終端用戶對小尺寸電子器件的需求，在改進(jìn)的超大規(guī)模集成電路(VLSI)工藝中，采用應(yīng)力技術(shù)來提高器件的性能。其中一種有效的方法是采用嵌入式SiGe (eSiGe)結(jié)構(gòu)來提高PMOS器件溝道區(qū)的空穴遷移率。 在Σ形狀的eSiGe結(jié)構(gòu)中，由于SiGe的晶格常數(shù)大于Si的晶格常數(shù)，而且Σ形狀的SiGe減小了源區(qū)和漏區(qū)之間的間距，所以有效地增大了溝道區(qū)中的應(yīng)力。圖IA至ID示出了現(xiàn)有技術(shù)的在PMOS器件中形成Σ形SiGe的方法。在Si襯底之上形成柵極介質(zhì)層(未示出)和位于柵極介質(zhì)層上的柵極以及位于柵極兩側(cè)側(cè)壁上的側(cè)壁間隔件(參見圖1A)之后，通過干法刻蝕，在相鄰柵極之間的Si襯底中形成截面是大體矩形形狀的凹槽，如圖IB所示。例如，可以選擇襯底的表面的晶面方向?yàn)?100)。接著，如圖IC所示，采用具有晶向選擇性的濕法刻蝕劑，例如包含四甲基氫氧化銨(TMAH)的蝕刻劑，對大體矩形的凹槽進(jìn)行刻蝕，以將該凹槽擴(kuò)展為Σ形狀。最后，如圖ID所示，在所形成的Σ形凹槽中外延生長SiGe，從而形成SiGe的源區(qū)和漏區(qū)。本發(fā)明的發(fā)明人在對形成Σ形SiGe的方法進(jìn)行深入研究后發(fā)現(xiàn)上述現(xiàn)有技術(shù)的方法存在難以外延生長SiGe以及負(fù)載效應(yīng)高的問題。在圖IC中所示的晶向選擇性的濕法刻蝕過程中，例如在采用包含四甲基氫氧化銨(TMAH)的蝕刻劑時(shí)，沿〈100〉晶向的刻蝕速率遠(yuǎn)高于沿〈111〉晶向的刻蝕速率。由此，對于表面的晶面方向?yàn)?100)的襯底，難以控制刻蝕工藝條件，使得在凹槽兩側(cè)的(111)晶面相交之前停止刻蝕。于是，該晶向選擇性的濕法刻蝕的結(jié)果往往導(dǎo)致凹槽的底部是尖的，而不是平的，如圖IE中所示。這種形狀的凹槽會導(dǎo)致在后續(xù)的工藝中難以進(jìn)行SiGe外延生長，并使得所獲得的半導(dǎo)體器件存在缺陷。而且，在VLSI制造工藝中，襯底上不同區(qū)域中的器件密度可能不同。例如，用于制造靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)的區(qū)域的密度通常要高于用于制造邏輯器件的區(qū)域的密度。由于與濕法刻蝕相關(guān)聯(lián)的負(fù)載效應(yīng)，器件密度低的區(qū)域中的刻蝕要比器件密度高的區(qū)域中的刻蝕進(jìn)行得更快。因此，在對整塊襯底進(jìn)行上述晶向選擇性的濕法刻蝕處理時(shí)，若以低密度器件為準(zhǔn)控制刻蝕工藝條件，會導(dǎo)致在高密度器件處的刻蝕不完全；而若以高密度器件為準(zhǔn)控制刻蝕工藝條件，會導(dǎo)致高密度器件出現(xiàn)圖IE中所示的底部為尖的Σ形凹槽。

發(fā)明內(nèi)容
為了消除或者至少部分地減輕現(xiàn)有技術(shù)中的一些或全部上述問題，提出了本發(fā)明。本公開的實(shí)施例通過利用干法刻蝕在襯底中形成截面為大體矩形的凹槽、然后利用各向異性的氧化處理在該大體矩形的凹槽的底部形成氧化物層、接著以該氧化物層作為停止層對凹槽進(jìn)行晶向選擇性的濕法刻蝕，來防止出現(xiàn)尖底的Σ形凹槽。本公開的實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在襯底中形成截面大體上為矩形的凹槽；利用各向異性的氧化處理，在所述凹槽的側(cè)壁和底部上形成氧化物層，其中所述凹槽的側(cè)壁上的氧化物層要比所述凹槽的底部上的氧化物層??；通過第一各向同性濕法刻蝕處理，完全地去除所述凹槽側(cè)壁上的氧化物層，并部分地去除所述凹槽底部上的氧化物層；以所述凹槽底部上的氧化物層作為停止層，對所述凹槽進(jìn)行晶向選擇性的濕法刻蝕，以將所述凹槽的側(cè)壁形成為具有Σ形狀；以及通過第二各向同性濕法刻蝕處理，去除所述凹槽底部上的氧化物層。在一個(gè)實(shí)施例中，所述各向異性的氧化處理包括在對所述襯底施加偏置電壓的情況下進(jìn)行干法氧化處理。
在一個(gè)實(shí)施例中，在所述各向異性的氧化處理中，氧離子沿著與所述凹槽的側(cè)壁基本上平行的方向被施加到所述凹槽中。在一個(gè)實(shí)施例中，利用各向異性的氧化處理所獲得的凹槽底部上的氧化物層的厚度為5埃至100埃。在一個(gè)實(shí)施例中，利用各向異性的氧化處理所獲得的凹槽側(cè)壁上的氧化物層的厚度為3埃至10埃。在一個(gè)實(shí)施例中，在經(jīng)所述第一各向同性濕法刻蝕處理之后，所述凹槽底部上的氧化物層的厚度為2埃至97埃。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一各向同性濕法刻蝕處理包括利用HF溶液或者HF蒸汽來去除氧化物層。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二各向同性濕法刻蝕處理包括利用HF溶液或者HF蒸汽來去除氧化物層。在一個(gè)實(shí)施例中，所述在襯底中形成截面大體上為矩形的凹槽的步驟包括利用干法刻蝕處理，在襯底中形成所述截面大體上為矩形的凹槽。在一個(gè)實(shí)施例中，所述在襯底中形成截面大體上為矩形的凹槽的步驟包括在襯底上形成柵極介質(zhì)層及位于柵極介質(zhì)層上的柵極，柵極頂部形成有頂部掩模層；形成位于所述柵極兩側(cè)側(cè)壁上的側(cè)壁間隔件；以所述頂部掩模層和所述側(cè)壁間隔件為掩模，對所述襯底進(jìn)行干法刻蝕，以在相鄰的側(cè)壁間隔件之間的襯底中形成截面大體上為矩形的凹槽。在一個(gè)實(shí)施例中，所述對所述凹槽進(jìn)行晶向選擇性的濕法刻蝕的步驟包括采用四甲基氫氧化銨(TMAH)對所述凹槽進(jìn)行濕法刻蝕。在一個(gè)實(shí)施例中，所述晶向選擇性的濕法刻蝕沿〈100〉晶向的刻蝕速率大于沿<111>晶向的刻蝕速率。在一個(gè)實(shí)施例中，在所述襯底上形成的柵極為多晶硅柵。在一個(gè)實(shí)施例中，在通過第二各向同性濕法刻蝕處理去除凹槽底部上的氧化物層之后，在Σ形的凹槽內(nèi)外延生長SiGe。在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括在對所述襯底進(jìn)行干法刻蝕之前在所述襯底中進(jìn)行離子注入以形成源區(qū)和漏區(qū)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括在凹槽內(nèi)外延生長SiGe之后在所述襯底中進(jìn)行離子注入以形成源區(qū)和漏區(qū)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括在對所述襯底進(jìn)行干法刻蝕之前，在要形成NMOS器件的區(qū)域上方形成掩模，而暴露要形成PMOS器件的區(qū)域。本公開實(shí)施例的方法通過在凹槽底部形成氧化物層，作為后續(xù)晶向選擇性的濕法刻蝕處理的停止層，從而防止了在形成Σ形凹槽時(shí)出現(xiàn)尖的底部。在本公開的實(shí)施例中，最終形成的Σ形凹槽的深度主要是通過干法刻蝕處理來控制的，因此，本公開實(shí)施例的方法能夠獲得較低的負(fù)載效應(yīng)值。通過以下參照附圖對本公開的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會變得清楚。


附圖作為說明書的一部分例示了本公開的實(shí)施例，并且連同說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。各附圖中相同的附圖標(biāo)記將指代相同的部件或步驟。參照附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，可以更加清楚地理解本發(fā)明，其中圖IA至ID示出了現(xiàn)有技術(shù)的在PMOS器件中形成Σ形SiGe的方法。其中，圖IA示出了在襯底上形成的柵極和位于柵極兩側(cè)側(cè)壁上的側(cè)壁間隔件；圖IB示出了通過干法刻蝕在相鄰柵極之間的襯底中形成的截面為大體矩形的凹槽；圖IC示出了對形成的矩形凹槽進(jìn)行晶向選擇性的濕法刻蝕，從而將該矩形凹槽擴(kuò)展為Σ形狀；圖ID示出在所形成的Σ形凹槽中外延生長SiGe,從而形成SiGe的源區(qū)和漏區(qū)。圖IE示出了通過晶向選擇性的濕法刻蝕在襯底中形成的底部為尖的凹槽。圖2是示意性地示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的在PMOS器件的襯底中形成Σ形凹槽的方法的流程圖。圖3A至3F是示意性地示出在圖2中的形成Σ形凹槽的方法中的各步驟的截面圖。其中，圖3A示出了在襯底上形成的柵極介質(zhì)層，在柵極介質(zhì)層上的柵極、在柵極頂部的頂部掩模層以及位于柵極兩側(cè)側(cè)壁上的側(cè)壁間隔件；圖3B示出了以頂部掩模層和側(cè)壁間隔件為掩模，通過干法刻蝕在相鄰側(cè)壁間隔件之間的襯底中形成大體矩形的凹槽；圖3C示出了通過各向異性的氧化處理，在凹槽底部和側(cè)壁上形成厚度不同的氧化物層；圖30示出了通過各向同性濕法刻蝕，完全地去除凹槽側(cè)壁上的氧化物層，同時(shí)部分地去除凹槽底部上的氧化物層；圖3E示出了以凹槽底部保留的氧化物層為停止層，對大體矩形凹槽進(jìn)行晶向選擇性的濕法刻蝕，從而將該凹槽擴(kuò)展為Σ形狀；以及圖3F示出了去除凹槽底部保留的氧化物層。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。同時(shí)，應(yīng)當(dāng)明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個(gè)部分的尺寸并不是按照實(shí)際的比例關(guān)系繪制的。以下對至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說明書的一部分。在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它示例可以具有不同的值。應(yīng)注意到相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。在本公開的實(shí)施例中，分三個(gè)階段來在襯底中形成Σ形凹槽首先，通過干法刻蝕處理，在相鄰柵極之間的襯底中形成截面為大體矩形的凹槽；接著，通過各向異性的氧化處理，在凹槽的底部和側(cè)壁上形成氧化物層，其中，所述凹槽側(cè)壁上的氧化物層要比凹槽底部 的氧化物層薄，之后通過濕法工藝去除凹槽側(cè)壁上的氧化物層，僅保留凹槽底部上的部分氧化物層；最后，以凹槽底部上保留的氧化物層作為停止層，通過晶向選擇性的濕法刻蝕處 理，將凹槽的側(cè)壁形成為具有Σ形狀，之后再通過濕法工藝去除凹槽底部上的氧化物層。圖2示意性地示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的在PMOS器件的襯底中形成Σ形凹槽的方法的流程圖。圖3A至3F是示意性地示出在圖2中的形成Σ形凹槽的方法中的各步驟的截面圖。下面將參照圖2和圖3A至3F來詳細(xì)描述本公開的實(shí)施例。首先，在圖2的步驟S210中，提供襯底300并在襯底300上形成柵極介質(zhì)層和柵極介質(zhì)層之上的柵極301，在柵極301頂部形成有頂部掩模層302，并且在柵極兩側(cè)側(cè)壁上形成有側(cè)壁間隔件303(參見圖3A)。在本實(shí)施例中，側(cè)壁間隔件303包括更靠近柵極301的偏置間隔件305和位于偏置間隔件305外側(cè)側(cè)壁上的主間隔件304。在其他實(shí)施例中，側(cè)壁間隔件303可以具有其他配置，例如由單層或者三層或三層以上的間隔件構(gòu)成。襯底例如可以由硅制成。柵極介質(zhì)層例如可以是硅氧化物。本實(shí)施例中的柵極例如可以是多晶硅柵。頂部掩模層302和側(cè)壁間隔件303用于在隨后的干法刻蝕、濕法刻蝕以及源區(qū)/漏區(qū)離子注入工藝中保護(hù)柵極301。頂部掩模層302例如可以是硅氮化物。主間隔件304例如可以是硅氮化物，偏置間隔件305例如可以是硅氧化物。柵極301，頂部掩模層302以及側(cè)壁間隔件303的形成可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的工藝實(shí)現(xiàn)，在此不再贅述。接下來，在圖2的步驟S220中，以頂部掩模層302和側(cè)壁間隔件303為掩模，對襯底300進(jìn)行干法刻蝕，以在相鄰的側(cè)壁間隔件303之間的襯底中形成凹槽306。如圖3B所示，凹槽306的截面為大體矩形形狀。這里的干法刻蝕例如可以采用HBr或者Cl2作為主要反應(yīng)氣體。需要注意的是，盡管本實(shí)施例例示了在相鄰的柵極之間的襯底中形成大體矩形的凹槽，但是在其他實(shí)施例中凹槽也可以形成在襯底的其他區(qū)域中，例如淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與柵極之間的襯底中。此外，需要注意的是，盡管圖3B中例示的凹槽306的截面為大體矩形形狀，但是在其他實(shí)施例中也可以采用其他截面形狀的凹槽，例如“U”形截面。然后，在圖2的步驟S230中，進(jìn)行各向異性的氧化處理，以在凹槽306的底部上形成氧化物層307，并在凹槽306的側(cè)壁上形成氧化物層308。氧化物層307和308例如是硅氧化物層。如圖3C所示，凹槽側(cè)壁上的氧化物層308要比凹槽底部上的氧化物層307薄。在一個(gè)實(shí)施例中，凹槽底部上的氧化物層307的厚度可以是5埃至100埃，而凹槽側(cè)壁上的氧化物層308的厚度可以是3埃至10埃。這里的各向異性氧化處理包括在對襯底300施加偏置電壓的情況下進(jìn)行干法氧化處理。例如，如圖3C中所示，控制施加在襯底300上的偏置電壓，使得氧離子沿箭頭309的方向(即，與凹槽306的側(cè)壁基本上平行的方向)施加到凹槽306。在本實(shí)施例中，由于氧離子的施加方向與凹槽306的側(cè)壁基本上平行，所以氧化主要發(fā)生在凹槽的底部上，從而凹槽底部上形成的氧化物層307要比凹槽側(cè)壁上形成的氧化物層308厚得多。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，也可以采用除上述施加偏置電壓之外的其他各向異性氧化處理，只要使得凹槽側(cè)壁上的氧化物層比凹槽底部的氧化物層薄即可。接下來，在圖2的步驟S240中，通過各向同性濕法刻蝕處理，例如利用HF溶液或者HF蒸汽或本領(lǐng)域公知的其他去除硅氧化物的方法，完全地去除凹槽側(cè)壁上的氧化物層308，并部分地去除凹槽底部上的氧化物層307，如圖3D所示。例如，在步驟S230中在凹槽底部形成的氧化物層307的厚度為5埃至100埃的情況下，經(jīng)步驟S240的濕法處理后，凹槽底部上的氧化物層307的厚度可以為2埃至97埃。然后，在圖2的步驟S250中，以凹槽底部上的氧化物層307作為停止層，對凹槽306進(jìn)行晶向選擇性的濕法刻蝕，以將凹槽306的內(nèi)壁形成為具有Σ形狀，如圖3E所示。在一個(gè)實(shí)施例中，可以采用質(zhì)量濃度為10%至25%的四甲基氫氧化銨(TMAH)在溫度70°C至90°C下進(jìn)行刻蝕。由于氧化物層307的存在，使得在上述晶向選擇性的濕法刻蝕處理中，沿〈100〉晶向的刻蝕停止。由此，避免了出現(xiàn)尖底的Σ形凹槽。而且，最終形成的Σ形凹槽的深度主要 是通過步驟S220中的干法刻蝕處理來控制的，因此，本公開實(shí)施例的方法能夠獲得令人滿意的負(fù)載效應(yīng)值。在本公開中，“負(fù)載效應(yīng)值”定義為同一襯底中不同器件區(qū)域處的刻蝕深度之比。在本實(shí)施例中，負(fù)載效應(yīng)值可以在1%至5%的范圍內(nèi)。最后，在圖2的步驟S260中，通過各向同性濕法刻蝕處理，去除凹槽底部上的氧化物層307，由此獲得最終用以外延生長SiGe的Σ形凹槽306，如圖3F所示。在一個(gè)實(shí)施例中，例如可以利用HF溶液或者HF蒸汽或本領(lǐng)域公知的其他去除硅氧化物的方法來進(jìn)行上述濕法刻蝕處理。需要注意的是，可以在對襯底進(jìn)行干法刻蝕(S卩，圖2中的步驟S220)之前或者在凹槽內(nèi)外延生長SiGe之后，在襯底中進(jìn)行離子注入以形成源區(qū)和漏區(qū)。需要注意的是，eSiGe結(jié)構(gòu)作為源區(qū)和漏區(qū)一般只是用于PMOS晶體管。因此，對于同時(shí)包括PMOS晶體管和NMOS晶體管的半導(dǎo)體器件，在為PMOS晶體管形成Σ形狀的過程中，需要用掩模等覆蓋住NMOS晶體管部分。本公開實(shí)施例的方法通過在凹槽底部形成硅氧化物層，作為后續(xù)晶向選擇性的濕法刻蝕處理的停止層，從而防止了在形成Σ形凹槽時(shí)出現(xiàn)尖的底部，并獲得較低的負(fù)載效應(yīng)值。至此，已經(jīng)詳細(xì)描述了根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的方法。為了避免遮蔽本發(fā)明的構(gòu)思，沒有描述本領(lǐng)域所公知的一些細(xì)節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上面的描述，完全可以明白如何實(shí)施這里公開的技術(shù)方案。雖然已經(jīng)通過示例對本發(fā)明的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上示例僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技 術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟 在襯底中形成截面大體上為矩形的凹槽； 利用各向異性的氧化處理，在所述凹槽的側(cè)壁和底部上形成氧化物層，其中所述凹槽的側(cè)壁上的氧化物層要比所述凹槽的底部上的氧化物層??； 通過第一各向同性濕法刻蝕處理，完全地去除所述凹槽側(cè)壁上的氧化物層，并部分地去除所述凹槽底部上的氧化物層； 以所述凹槽底部上的氧化物層作為停止層，對所述凹槽進(jìn)行晶向選擇性的濕法刻蝕，以將所述凹槽的側(cè)壁形成為Σ形狀；以及 通過第二各向同性濕法刻蝕處理，去除所述凹槽底部上的氧化物層。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述各向異性的氧化處理包括在對所述襯底施加偏置電壓的情況下進(jìn)行干法氧化處理。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述各向異性的氧化處理中，氧離子沿著與所述凹槽的側(cè)壁基本上平行的方向被施加到所述凹槽中。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，利用各向異性的氧化處理所獲得的凹槽底部上的氧化物層的厚度為5埃至100埃。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，利用各向異性的氧化處理所獲得的凹槽側(cè)壁上的氧化物層的厚度為3埃至10埃。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，在經(jīng)所述第一各向同性濕法刻蝕處理之后，所述凹槽底部上的氧化物層的厚度為2埃至97埃。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一各向同性濕法刻蝕處理包括利用HF溶液或者HF蒸汽來去除氧化物層。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第二各向同性濕法刻蝕處理包括利用HF溶液或者HF蒸汽來去除氧化物層。
9.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述在襯底中形成截面大體上為矩形的凹槽的步驟包括利用干法刻蝕處理，在襯底中形成所述截面大體上為矩形的凹槽。
10.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述在襯底中形成截面大體上為矩形的凹槽的步驟包括 在襯底上形成柵極介質(zhì)層及位于柵極介質(zhì)層上的柵極，柵極頂部形成有頂部掩模層； 在所述柵極兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔件； 以所述頂部掩模層和所述側(cè)壁間隔件為掩模，對所述襯底進(jìn)行干法刻蝕，以在相鄰的側(cè)壁間隔件之間的襯底中形成截面大體上為矩形的凹槽。
11.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述對所述凹槽進(jìn)行晶向選擇性的濕法刻蝕的步驟包括采用四甲基氫氧化銨(TMAH)對所述凹槽進(jìn)行濕法刻蝕。
12.如權(quán)利要求I或11所述的方法，其中，所述晶向選擇性的濕法刻蝕沿〈100〉晶向的刻蝕速率大于沿〈111〉晶向的刻蝕速率。
13.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，在所述襯底上形成的柵極為多晶硅柵。
14.如權(quán)利要求I所述的方法，還包括在通過第二各向同性濕法刻蝕處理去除凹槽底部上的氧化物層之后，在Σ形的凹槽內(nèi)外延生長SiGe。
15.如權(quán)利要求I所述的方法，還包括在對所述襯底進(jìn)行干法刻蝕之前在所述襯底中進(jìn)行離子注入以形成源區(qū)和漏區(qū)。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括在凹槽內(nèi)外延生長SiGe之后在所述襯底中進(jìn)行離子注入以形成源區(qū)和漏區(qū)。
17.如權(quán)利要求I所述的方法，還包括在對所述襯底進(jìn)行干法刻蝕之前，在要形成NMOS器件的區(qū)域上方形成掩模，而暴露要形成PMOS器件的區(qū)域。
全文摘要
本公開實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件制造方法。首先，通過干法刻蝕處理，在襯底中形成截面為大體矩形的凹槽。接著，通過各向異性的氧化處理，在凹槽的底部和側(cè)壁上形成氧化物層，其中，凹槽側(cè)壁上的氧化物層要比凹槽底部的氧化物層薄。之后，完全地去除凹槽側(cè)壁上的氧化物層，僅保留凹槽底部上的部分氧化物層。然后，以凹槽底部上保留的氧化物層作為停止層，通過晶向選擇性的濕法刻蝕處理，將凹槽的側(cè)壁形成為具有∑形狀。最后，去除凹槽底部上的氧化物層。本公開實(shí)施例的方法通過在凹槽底部形成硅氧化物層，作為后續(xù)晶向選擇性的濕法刻蝕處理的停止層，從而防止了在形成∑形凹槽時(shí)出現(xiàn)尖的底部。
文檔編號H01L21/336GK102881592SQ20111019791
公開日2013年1月16日 申請日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月15日
發(fā)明者韋慶松, 何永根, 劉煥新, 劉佳磊, 李超偉 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司