專利名稱：晶片封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體，且特別是有關(guān)于光學(xué)感測(cè)晶片或發(fā)光晶片的封裝體。
背景技術(shù)：
光感測(cè)元件或發(fā)光元件等光電元件在擷取影像或照明的應(yīng)用中扮演著重要的角色，這些光電元件均已廣泛地應(yīng)用于例如是數(shù)字相機(jī)(digital camera)、數(shù)字?jǐn)z錄象機(jī) (digital videorecorder)、移動(dòng)電話(mobile phone)、太陽(yáng)能電池、屏幕、照明設(shè)備等的電子元件中。隨著科技的演進(jìn)，對(duì)于光感測(cè)元件的感測(cè)精準(zhǔn)度或發(fā)光元件的發(fā)光精準(zhǔn)度的需求也隨之提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學(xué)元件，介于該基底的該第一表面與該第二表面之間；一防焊層，形成于該基底的該第二表面上，該防焊層具有至少一開(kāi)口 ；至少一導(dǎo)電凸塊，形成于該防焊層的該開(kāi)口之中，并電性連接該光學(xué)元件；以及一遮光層，形成于該防焊層之上，且延伸于該防焊層的該開(kāi)口的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一導(dǎo)電層，形成于該基底的該第二表面上，其中該導(dǎo)電層與該導(dǎo)電凸塊電性接觸，并與該光學(xué)元件電性連接。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層與該導(dǎo)電層直接接觸。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括至少一第二遮光層，形成于該基底的該第二表面上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第二遮光層位于該基底與該防焊層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第二遮光層的厚度小于該遮光層的厚度。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第二遮光層進(jìn)一步延伸于該基底的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第二遮光層的厚度小于該遮光層的厚度。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上，且其中該第二遮光層進(jìn)一步延伸于該透明基底的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層進(jìn)一步延伸于該基底的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上，且其中該遮光層進(jìn)一步延伸于該透明基底的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上； 以及一第三遮光層，形成于該透明基底的一表面上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該防焊層的一邊緣與該基底的一側(cè)壁隔有一預(yù)定間距。本發(fā)明另提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學(xué)元件，介于該基底的該第一表面與該第二表面之間；一防焊層，形成于該基底的該第二表面上，該防焊層具有至少一開(kāi)口 ；至少一導(dǎo)電凸塊，形成于該防焊層的該開(kāi)口之中，并電性連接該光學(xué)元件；一遮光層，形成于該基底的該第二表面上；以及至少一第二遮光層，形成于該基底的該第二表面上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層還形成于該防焊層的一表面上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層延伸于該防焊層的該開(kāi)口的一側(cè)壁之上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第二遮光層形成于該防焊層與該基底之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第二遮光層的厚度小于該遮光層的厚度。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層不與該第二遮光層直接接觸。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層進(jìn)一步延伸于該基底的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上，其中該遮光層進(jìn)一步延伸于該透明基底的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一第三遮光層，形成于該基底的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第三遮光層的厚度小于該遮光層的厚度。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上，其中該第三遮光層進(jìn)一步延伸于該透明基底的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上； 以及一第四遮光層，形成于該透明基底的一表面上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該防焊層的一邊緣與該基底的一側(cè)壁隔有一預(yù)定間距。本發(fā)明又提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一防焊層，形成于該基底的該第二表面上，該防焊層具有至少一開(kāi)口 ；至少一導(dǎo)電凸塊，形成于該防焊層的該開(kāi)口之中；以及一絕緣平滑層，形成于該導(dǎo)電凸塊與該開(kāi)口的一側(cè)壁之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體中的遮光層不僅可防止水氣進(jìn)入封裝體的內(nèi)部以及避免形成導(dǎo)電凸塊時(shí)發(fā)生“漏錫”現(xiàn)象，還可提供較為平滑的表面輪廓，以使導(dǎo)電凸塊穩(wěn)固地形成于防焊層的開(kāi)口中。


圖IA至圖ID顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖2A至圖2B顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖3A至圖;3B顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖。圖5A及圖5B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖。圖6A顯示本案發(fā)明人所知的一種凸塊結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖6B顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖。附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下100,600 基底；IOOaUOOb,600a,600b 表面；102 光學(xué)元件；103 保護(hù)層；104、 604 導(dǎo)電墊；105 間隔層；106 透明基底；107 空腔；108、118a、118b、118c 遮光層；110 穿孔；112 絕緣層；114 導(dǎo)電層；116,616 防焊層；120,620 導(dǎo)電凸塊；120a 凸塊下金屬層；202 凹口 ；618 絕緣平滑層；SC 切割線。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然而應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝光感測(cè)元件或發(fā)光元件。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無(wú)源元件 (active orpassive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analogcircuits)等集成電路的電子元件(electronic components)，例如是有關(guān)于光電元件(opto electronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElectro Mechanical System ;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidicsystems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來(lái)測(cè)量的物理感測(cè)器physical Sensor) 0特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(waferscale package ；WSP)制程對(duì)影像感測(cè)元件、發(fā)光二極管(light-emitting diodes ；LEDs)、太陽(yáng)能電池(solar cells)、射頻元件(RF circuits)、力口速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、 表面聲波兀件(surface acoustic wavedevices)、壓力感測(cè)器(process sensors)、噴墨頭 (ink printer heads)或功率模組(power modules)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。其中上述晶圓級(jí)封裝制程主要系指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于通過(guò)堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(multi-layer integrated circuit devices)的晶片封裝體。圖IA至圖ID顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的一系列制程剖面圖。如圖 IA所示，提供基底100，其具有第一表面100a及第二表面100b。基底100例如為半導(dǎo)體基底或陶瓷基底。在一實(shí)施例中，基底100為半導(dǎo)體晶圓(如硅晶圓)而可進(jìn)行晶圓級(jí)封裝以節(jié)省制程時(shí)間與成本。以下以晶圓級(jí)封裝為例進(jìn)行說(shuō)明。如圖IA所示，在一實(shí)施例中，至少一光學(xué)元件102介于基底100的表面100a與表面100b之間。光學(xué)元件102可包括(但不限于)光學(xué)感測(cè)元件或發(fā)光元件。光學(xué)感測(cè)元件例如是CMOS影像感測(cè)元件，而發(fā)光元件例如是發(fā)光二極管元件。在一實(shí)施例中，基底100的表面100a上還形成有導(dǎo)電墊104。導(dǎo)電墊104例如可與光學(xué)元件102或封裝體中的其他元件電性連接。在圖IA的實(shí)施例中，導(dǎo)電墊104形成于表面100a上的保護(hù)層(passivation layer) 103之中。保護(hù)層103例如可為介電層，如氧化物、氮化物、氮氧化物或前述的組合等。此外，雖然圖IA中僅顯示出單層的導(dǎo)電墊104。 然而，多個(gè)導(dǎo)電墊可能彼此堆疊及/或排列于基底100之上。例如，在一實(shí)施例中，導(dǎo)電墊 104可包括多個(gè)彼此堆疊的導(dǎo)電墊、或至少一導(dǎo)電墊、或至少一導(dǎo)電墊與至少一層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)所組成的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。
如圖IA所示，在一實(shí)施例中，可選擇性于基底100的表面IOOa及光學(xué)元件102上設(shè)置透明基底106?；?00與透明基底106之間可例如隔有間隔層105，其圍繞光學(xué)元件 102而設(shè)置。例如，間隔層105可通過(guò)粘著層(未顯示)而固定于基底100及/或透明基底 106上。間隔層105、透明基底106及基底100可共同圍繞出一空腔(cavity) 107。因此，在一實(shí)施例中，光學(xué)元件102與透明基底106之間隔有空腔107而不與透明基底106直接接觸。透明基底106可作為光學(xué)元件102的保護(hù)層，并可允許光線自外界傳至光學(xué)元件 102或使光學(xué)元件102所發(fā)出的光線可通過(guò)透明基底106而傳至外界。透明基底106例如可為玻璃基底、石英基底、透明高分子基底或前述的組合等。如圖IA所示，在一實(shí)施例中，可選擇性于透明基底106的下表面上形成遮光層 108。遮光層108的材質(zhì)可包括任何適于阻擋及/或吸收外界光線的材料，例如可為高分子材料、金屬材料或前述的組合。例如，遮光層108可為(但不限于)黑光阻層，其可通過(guò)曝光及顯影制程而圖案化。遮光層108經(jīng)由圖案化后，可覆蓋透明基底106的大部分的下表面，而僅使光學(xué)元件102正下方的透明基底106露出，可有助于阻擋及/或吸收來(lái)自晶片封裝體外部的光線，但不至于影響光學(xué)元件102的運(yùn)作。例如，當(dāng)光學(xué)元件102為影像感測(cè)元件時(shí)，遮光層108可擋住來(lái)自基底100的表面 IOOa側(cè)的光線而避免造成影像噪聲?；蛘?，當(dāng)光學(xué)元件102為發(fā)光元件時(shí)，遮光層108可擋住來(lái)自基底100的表面IOOa側(cè)的光線，以避免晶片封裝體所發(fā)出的光線的波長(zhǎng)及/或強(qiáng)度受到外界光線的影響。在一實(shí)施例中，圖案化遮光層108除了具有露出光學(xué)元件102正下方的透明基底 106的開(kāi)口之外，還可具有露出預(yù)定切割線S C附近的透明基底106的開(kāi)口。因此，在后續(xù)的切割制程中，圖案化遮光層108不至于受到切割刀的拉扯而脫落。如圖IB所示，在一實(shí)施例中，可選擇性于基底100中形成穿孔110。例如，可自基底100的表面IOOb移除部分的基底100以形成朝表面IOOa延伸的穿孔110。在一實(shí)施例中，穿孔110的底部可露出部分的導(dǎo)電墊104。再者，穿孔110的側(cè)壁可為垂直側(cè)壁或傾斜側(cè)壁。在一實(shí)施例中，穿孔110的開(kāi)口口徑由上往下遞減。在另一實(shí)施例中，穿孔110的開(kāi)口 口徑由上往下遞增，即在此情形下，穿孔110具有“倒角”結(jié)構(gòu)。此外，在另一實(shí)施例中， 在形成穿孔110之前，可選擇性對(duì)基底100進(jìn)行薄化制程以利后續(xù)制程的進(jìn)行。例如，可以透明基底106為支撐，自基底100的表面IOOb進(jìn)行例如是機(jī)械研磨或化學(xué)機(jī)械研磨的薄化制程，以將基底100縮減至一預(yù)定厚度。接著，如圖IB所示，在一實(shí)施例中，于穿孔110的側(cè)壁及基底100的表面IOOb上形成絕緣層112。接著，于穿孔110側(cè)壁上的絕緣層112上及表面IOOb上的絕緣層112上形成導(dǎo)電層114。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電層114電性連接導(dǎo)電墊104。導(dǎo)電層114可于穿孔110 的底部與導(dǎo)電墊104電性接觸，并可沿著穿孔110的側(cè)壁向上延伸至表面IOOb上。如圖IC所示，在一實(shí)施例中，可于基底100的表面IOOb上形成防焊層116(或亦可稱為保護(hù)層116，protection layer 116)，其例如可為綠漆或其相似物等。在形成防焊層116之后，可移除部分的防焊層116以形成露出部分的導(dǎo)電層114的開(kāi)口。在一實(shí)施例中，為了使后續(xù)的切割制程順利進(jìn)行，防焊層116的一邊緣與預(yù)定切割道SC之間隔有一預(yù)定間距。
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接著，如圖IC所示，于基底100的表面IOOb上形成遮光層118a。在一實(shí)施例中， 遮光層118a形成于防焊層116之上，且延伸于防焊層116的開(kāi)口的側(cè)壁上。遮光層118a 的材質(zhì)可類似于遮光層108。因此，遮光層118a可阻擋及/或吸收來(lái)自晶片封裝體外部的光線，尤其是來(lái)自基底100的表面IOOb側(cè)的光線，因而可有利于光學(xué)元件102的運(yùn)作。此外，在一實(shí)施例中，由于遮光層118a進(jìn)一步包覆于防焊層116的開(kāi)口的側(cè)壁，可防止水氣進(jìn)入封裝體的內(nèi)部而影響封裝體的可靠度。再者，包覆于防焊層116的開(kāi)口的側(cè)壁的遮光層118a還可避免隨后形成于開(kāi)口中的導(dǎo)電凸塊發(fā)生“漏錫”現(xiàn)象，可確保封裝體的品質(zhì)。遮光層118a還可提供較為平滑的表面輪廓(相較于表面較粗糙的防焊層116)，可使后續(xù)形成于防焊層116的開(kāi)口中的導(dǎo)電凸塊較為穩(wěn)固。例如，導(dǎo)電凸塊的凸塊下金屬層可與表面平滑的遮光層118a有較佳的接著。接著，如圖ID所示，于防焊層116的開(kāi)口中形成導(dǎo)電凸塊120。例如，可先形成凸塊下金屬層120a，并接著于其上形成導(dǎo)電凸塊120。導(dǎo)電凸塊120電性連接光學(xué)元件102。 例如，導(dǎo)電凸塊120可通過(guò)其下的導(dǎo)電層114而電性連接導(dǎo)電墊104，并進(jìn)一步電性連接光學(xué)元件102。接著，可沿著預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成多個(gè)彼此分離的晶片封裝體。 在一實(shí)施例中，防焊層116的邊緣與基底100的側(cè)壁之間隔有一預(yù)定間距。圖2A至圖2B顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。圖2A顯示類似于圖IC實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，可沿著預(yù)定切割道SC進(jìn)行預(yù)切割制程以形成凹口 202。凹口 202例如自基底100上的防焊層116朝基底100的表面 IOOa延伸。例如，凹口 202可穿過(guò)間隔層105，并延伸進(jìn)入透明基底106之中。接著，如圖2A所示，于凹口 202的側(cè)壁及底部上形成遮光層118c。遮光層118c的材質(zhì)可相似于遮光層108或118a。在一實(shí)施例中，遮光層118c的厚度小于遮光層118a。如圖2B所示，在形成導(dǎo)電凸塊120之后，沿預(yù)定切割道SC完全切斷透明基底106 以形成多個(gè)彼此分離的晶片封裝體。如圖2B所示，在此實(shí)施例中，晶片封裝體還包括遮光層118c，其延伸于基底100的側(cè)壁上。在一實(shí)施例中，遮光層118c還進(jìn)一步延伸于透明基底106的側(cè)壁上。由于遮光層118c進(jìn)一步覆蓋于基底100的側(cè)壁上，可有助于阻擋及/或吸收來(lái)自晶片封裝體外部的光線而利于光學(xué)元件102的運(yùn)作。此外，遮光層118c覆蓋于切割刀曾切割的區(qū)域上，因而可蓋住于切割制程期間所產(chǎn)生的缺陷或裂縫。經(jīng)由遮光層118c 的修補(bǔ)，有助于提升晶片封裝體的品質(zhì)與可靠度。此外，雖然在圖2B的實(shí)施例中，另外形成遮光層118c以覆蓋基底100的側(cè)壁，但本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施方式不限于此。在其他實(shí)施例中，可在形成凹口 202之后才形成遮光層118a及后續(xù)的材料層(包括凸塊下金屬層120a等)。在此情形下，遮光層118a除了形成于防焊層116上之外，還可進(jìn)一步延伸至基底100的側(cè)壁上，或更進(jìn)一步延伸至透明基底 106的側(cè)壁上。在此情形下，可視情況省略遮光層118c的形成。圖3A至圖;3B顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。如圖3A所示，提供有類似于圖IB實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。在形成導(dǎo)電層114之后與形成防焊層之前，于基底100的表面IOOb上形成遮光層118b。遮光層118b的材質(zhì)可相似于遮光層108。在一實(shí)施例中，遮光層118b直接接觸導(dǎo)電層114。
接著，如圖:3B所示，可以類似于前述實(shí)施例的方法，依序于基底100的表面IOOb 上形成防焊層116、遮光層118a、凸塊下金屬層120a及導(dǎo)電凸塊120。在此實(shí)施例中，在基底100的表面IOOb上形成有多層的遮光層，可更佳地阻擋及/或吸收來(lái)自晶片封裝體外部的光線而利于光學(xué)元件102的運(yùn)作。在一實(shí)施例中，遮光層118b的厚度小于遮光層118a 的厚度。此外，雖然在圖3B的實(shí)施例中，基底100的表面IOOb上僅形成有兩層彼此不接觸的遮光層，但本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在其他實(shí)施例中，基底100的表面IOOb上可形成有更多彼此間接觸或不接觸的遮光層。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。圖4實(shí)施例的晶片封裝體類似于圖:3B的實(shí)施例。而且，圖4實(shí)施例的晶片封裝體還包括延伸于基底100的側(cè)壁上的遮光層118c。遮光層118c的厚度一般小于遮光層118a 的厚度。遮光層118c的形成方式可類似于圖2A及圖2B實(shí)施例中的遮光層118c。相似地， 在另一實(shí)施例中，遮光層118a本身可延伸在基底100的側(cè)壁上。在此情形下，遮光層118c 的形成可省略。圖5A及圖5B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。圖5A實(shí)施例所示的晶片封裝體類似于圖:3B的實(shí)施例。區(qū)別主要在于圖5A實(shí)施例中的遮光層118a進(jìn)一步延伸于防焊層116的開(kāi)口的側(cè)壁上。因此，遮光層118a可進(jìn)一步避免水氣進(jìn)入封裝體中，并避免“漏錫”現(xiàn)象發(fā)生。遮光層118a可提供較平滑的表面輪廓，可使后續(xù)形成的導(dǎo)電凸塊120更為穩(wěn)固。圖5B實(shí)施例的晶片封裝體類似于圖5A的實(shí)施例。區(qū)別主要在于圖5B實(shí)施例的晶片封裝體還包括遮光層118c，其延伸于基底100的側(cè)壁上。在一實(shí)施例中，遮光層118c還進(jìn)一步延伸于透明基底106的側(cè)壁上。由于遮光層11 進(jìn)一步覆蓋于基底100的側(cè)壁上，可有助于阻擋及/或吸收來(lái)自晶片封裝體外部的光線而利于光學(xué)元件102的運(yùn)作。此外，遮光層 118c覆蓋于切割刀曾切割的區(qū)域上，因而可蓋住于切割制程期間所產(chǎn)生的缺陷或裂縫。經(jīng)由遮光層118c的修補(bǔ)，有助于提升晶片封裝體的品質(zhì)與可靠度。此外，相似地，在一實(shí)施例中， 遮光層ll&i本身可延伸在基底100的側(cè)壁上。在此情形下，遮光層11 的形成可省略。圖6A顯示本案發(fā)明人所知的一種凸塊結(jié)構(gòu)。如圖6A所示，在基底600上形成有導(dǎo)電墊604及防焊層616。防焊層616通常具有不平整的表面，使得形成于其中的導(dǎo)電凸塊 620較不穩(wěn)固。此外，封裝體易遭遇水氣及/或漏錫等問(wèn)題。圖6B顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體。晶片封裝體包括基底600，具有表面 600a及表面600b ；防焊層616，形成于基底600的表面600b上，防焊層616具有至少一開(kāi)口 ；至少一導(dǎo)電凸塊620，形成于防焊層616的該開(kāi)口之中；以及絕緣平滑層618，形成于導(dǎo)電凸塊620與開(kāi)口的側(cè)壁之間。絕緣平滑層618為一絕緣材料層，且具有平滑的表面輪廓。 絕緣平滑層618可使后續(xù)形成于防焊層616的開(kāi)口中的導(dǎo)電凸塊較為穩(wěn)固。例如，導(dǎo)電凸塊的凸塊下金屬層可與表面平滑的絕緣平滑層618有較佳的接著。以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括 一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學(xué)元件，介于該基底的該第一表面與該第二表面之間； 一防焊層，形成于該基底的該第二表面上，該防焊層具有至少一開(kāi)口 ； 至少一導(dǎo)電凸塊，形成于該防焊層的該開(kāi)口之中，并電性連接該光學(xué)元件；以及一遮光層，形成于該防焊層之上，且延伸于該防焊層的該開(kāi)口的一側(cè)壁上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一導(dǎo)電層，形成于該基底的該第二表面上，其中該導(dǎo)電層與該導(dǎo)電凸塊電性接觸，并與該光學(xué)元件電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層與該導(dǎo)電層直接接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括至少一第二遮光層，形成于該基底的該第二表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二遮光層位于該基底與該防焊層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二遮光層的厚度小于該遮光層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二遮光層進(jìn)一步延伸于該基底的一側(cè)壁上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二遮光層的厚度小于該遮光層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上，且其中該第二遮光層進(jìn)一步延伸于該透明基底的一側(cè)壁上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層進(jìn)一步延伸于該基底的一側(cè)壁上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上，且其中該遮光層進(jìn)一步延伸于該透明基底的一側(cè)壁上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括 一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上；以及一第三遮光層，形成于該透明基底的一表面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該防焊層的一邊緣與該基底的一側(cè)壁隔有一預(yù)定間距。
14.一種晶片封裝體，其特征在于，包括 一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學(xué)元件，介于該基底的該第一表面與該第二表面之間； 一防焊層，形成于該基底的該第二表面上，該防焊層具有至少一開(kāi)口 ； 至少一導(dǎo)電凸塊，形成于該防焊層的該開(kāi)口之中，并電性連接該光學(xué)元件； 一遮光層，形成于該基底的該第二表面上；以及至少一第二遮光層，形成于該基底的該第二表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層還形成于該防焊層的一表面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層延伸于該防焊層的該開(kāi)口的一側(cè)壁之上。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二遮光層形成于該防焊層與該基底之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二遮光層的厚度小于該遮光層的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層不與該第二遮光層直接接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層進(jìn)一步延伸于該基底的一側(cè)壁上。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上，其中該遮光層進(jìn)一步延伸于該透明基底的一側(cè)壁上。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第三遮光層，形成于該基底的一側(cè)壁上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶片封裝體，其特征在于，該第三遮光層的厚度小于該遮光層的厚度。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上，其中該第三遮光層進(jìn)一步延伸于該透明基底的一側(cè)壁上。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上；以及一第四遮光層，形成于該透明基底的一表面上。
26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體，其特征在于，該防焊層的一邊緣與該基底的一側(cè)壁隔有一預(yù)定間距。
27.一種晶片封裝體，其特征在于，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一防焊層，形成于該基底的該第二表面上，該防焊層具有至少一開(kāi)口 ；至少一導(dǎo)電凸塊，形成于該防焊層的該開(kāi)口之中；以及一絕緣平滑層，形成于該導(dǎo)電凸塊與該開(kāi)口的一側(cè)壁之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學(xué)元件，介于該基底的該第一表面與該第二表面之間；一防焊層，形成于該基底的該第二表面上，該防焊層具有至少一開(kāi)口；至少一導(dǎo)電凸塊，形成于該防焊層的該開(kāi)口之中，并電性連接該光學(xué)元件；以及一遮光層，形成于該防焊層之上，且延伸于該防焊層的該開(kāi)口的一側(cè)壁上。本發(fā)明所述的晶片封裝體中的遮光層不僅可防止水氣進(jìn)入封裝體的內(nèi)部以及避免形成導(dǎo)電凸塊時(shí)發(fā)生“漏錫”現(xiàn)象，還可提供較為平滑的表面輪廓，以使導(dǎo)電凸塊穩(wěn)固地形成于防焊層的開(kāi)口中。
文檔編號(hào)H01L23/485GK102270618SQ20111015359
公開(kāi)日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2011年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月7日
發(fā)明者劉滄宇, 林柏伸, 許傳進(jìn), 顏裕林 申請(qǐng)人:精材科技股份有限公司